KR200300388Y1 - Plural Sensor Chip Wafer Combined Wide Sensor Module With Photogenic Lens - Google Patents
Plural Sensor Chip Wafer Combined Wide Sensor Module With Photogenic Lens Download PDFInfo
- Publication number
- KR200300388Y1 KR200300388Y1 KR20-2002-0016079U KR20020016079U KR200300388Y1 KR 200300388 Y1 KR200300388 Y1 KR 200300388Y1 KR 20020016079 U KR20020016079 U KR 20020016079U KR 200300388 Y1 KR200300388 Y1 KR 200300388Y1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- sensor
- lens
- wide
- sensor module
- sensor chip
- Prior art date
Links
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 4
- 210000004556 brain Anatomy 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 241000282414 Homo sapiens Species 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 210000005069 ears Anatomy 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
Abstract
본 고안은 일반 단일 센서와는 다르게 복합적인 신호를 포착할 수 있는 광역의 센서를 만들기 위해, 다수의 센서칩을 병렬 또는 직렬로 묶어 하나의 모듈로 형성하고,The present invention is to form a single module by combining a plurality of sensor chips in parallel or in series in order to make a wide-range sensor capable of capturing a complex signal unlike a general single sensor,
선택적으로는 렌즈의 구면을 발광시킬 수 있는 발광소자를 내장하는 포토제닉 렌즈를 만들어서, 다수의 센서칩을 병합한 웨이퍼로 형성된 광역 센서 모듈에 관한 것으로서,The present invention relates to a wide-area sensor module that is formed of a wafer in which a plurality of sensor chips are integrated by making a photogenic lens having a light emitting element capable of emitting light on a spherical surface of a lens.
보다 상세하게는 현재 사용하고 있는 단일 성질의 센서와는 다르게,More specifically, unlike the single sensor used today,
하나 이상의 성질이 같은 센서이거나, 하나 이상의 서로 다른 성질의 센서를 하나의 웨이퍼상에 조합하여 구성하고, 상기 센서를 직렬 또는 병렬로 연결하며, 상기 센서의 조합이 요구하는 특정회로도 웨이퍼상에 추가로 구성할 수도 있으며, 에폭시 수지 등을 이용한 전면부 렌즈의 제작에는 광원을 얻을 수 있는 발광소자를 추가로 부착하여,One or more sensors of the same nature, or a combination of one or more different properties of the sensor on one wafer, connecting the sensors in series or in parallel, and adding the specific circuitry required by the combination In addition, in the manufacture of the front lens using an epoxy resin or the like by additionally attaching a light emitting device for obtaining a light source,
렌즈가 발광소자의 특정 광파장에서만 반응하여 발광할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 포토제닉 렌즈와 플루랄 센서칩을 병합한 웨이퍼로 형성된 와이드 센서 모듈{Plural Sensor Chip Wafer Combined Wide Sensor Module With Photogenic Lens}에 관한 것이다.In a wide sensor module formed of a wafer incorporating a photonic lens and a flual sensor chip, the lens reacts to a specific light wavelength of a light emitting device. It is about.
Description
센서는 근래에 들어 자동화기기의 발전과 비례하여 급속한 발전을 거듭하고 있는 분야로 손꼽히고 있다. 사람의 눈, 코, 귀, 혀 등과 같은 오감(오感)의 역할을 하며, 감지한 정보를 인간의 두뇌에 해당하는 정보처리부에 전달하여 판단을 내리게 한다. 즉 인간의 오감에 해당하는 것이 감지기(센서)이고 컴퓨터는 뇌에 해당한다.In recent years, the sensor is considered as a field that is rapidly developing in proportion to the development of automation equipment. It acts as the five senses (five senses) such as the eyes, nose, ears, and tongue of a person, and transmits the sensed information to the information processing unit corresponding to the human brain to make a judgment. That is, the five senses of human beings are sensors, and computers are brains.
대상이 되는 물리량은 앞에서 언급한 것 외에 자기(磁氣), 변위(變位), 진동 , 가속도, 회전수, 유량(流量), 유속(流速), 액체성분, 가스성분, 가시광(可視光), 적외선, 초음파, 마이크로파(波), 자외선, 방사선, 엑스선 등을 이용한 20여 종의 센서에 이르며 각각 쓰이는 재료도 다양하다.In addition to the above-mentioned physical quantities, magnetic quantities, displacements, vibrations, accelerations, rotational speeds, flow rates, flow rates, liquid components, gas components, and visible light There are more than 20 kinds of sensors using infrared rays, ultrasonic waves, microwaves, ultraviolet rays, radiation, X-rays, and various materials.
에너지절약, 자원절약, 공해방지, 생산부문의 고효율화, 정밀화, 주택, 사무실의 각종 기기(機器)의 고성능화, 교통통제의 고도화, 재해방지 시스템의 효율화등 사회 각 부문의 요구를 충족시키기 위해서는 정보처리 시스템과, 그 정보를 얻기 위한 각종 기기가 필요한데, 그 중심이 되는 것이 센서라고 할 수 있는 것이다.In order to meet the needs of various sectors of society, such as energy conservation, resource conservation, pollution prevention, high efficiency of the production sector, precision, high performance of various devices in houses and offices, advanced traffic control, and efficiency of disaster prevention systems. A system and various devices for obtaining the information are required, and the center of the sensor is the sensor.
출력신호로는 주로 전기 신호가 많이 쓰이는데, 그것은 증폭 ·축적(메모리) ·원격조작등이 쉽고, 뇌에 해당하는 컴퓨터에 입력할 때 취급하기가 쉽기 때문이다.Electric signals are mainly used as output signals because they are easy to amplify, accumulate (memory), and remote control, and they are easy to handle when inputting to a computer corresponding to the brain.
그 중에서 시각(視覺)에 해당되는 것이 광(光)센서라고 할 수 있다. 그래서 시각센서라고도 하며 광센서의 종류로는 포토다이오드, 포토트랜지스터, 컬러센서, 적외선센서, 이미지센서 등 그 종류는 매우 다양하다.Among them, the optical sensor may be referred to as a visual sensor. Therefore, it is also called a visual sensor and there are various kinds of optical sensors such as photodiode, phototransistor, color sensor, infrared sensor and image sensor.
광센서는 빛의 양, 물체의 모양이나 상태, 움직임 등을 감지하는데, 눈의 구실을 하는 것이 렌즈라고 할 수 있다. 예전에는 자연의 빛을 감지하는 것이었으나, 지금은 인공적으로 큰 빛을 발하여, 그 빛이 물체에 부딪혀 반사되어 오는 것을 받아들여, 그 물체의 움직임이나 빠르기 따위를 알아내는 구조도 많이 사용되고 있다.The optical sensor detects the amount of light, the shape and condition of an object, and the movement of the object. The lens acts as an eye. In the past, it was used to detect the light of nature, but now it is artificially emitting a large amount of light, and the light is hit by an object to be reflected and reflected, and the movement or speed of the object is widely used.
또한 광센서를 사용하면 로봇을 자동적으로 원하는 위치로 이동시킬 수도 있다. 초음파나 적외선을 로봇의 전방에서 발사하여, 물체로부터 되돌아오는 빛의 강약으로 제 위치를 안다. 장애물로부터 멀어져 있으면 받는 빛은 약해지고, 가까워지면 강해진다. 그러므로 어느 일정한 빛의 세기에서 멈추어 서도록 로봇에게 가르쳐 놓으면 앞쪽에 물체가 있을 때 스스로 판단해서 서게 된다. 그리고 그 이상 앞으로 나아가지 않고, 진행 방향을 바꿀 수가 있는 것이다.The optical sensor can also be used to automatically move the robot to the desired position. Ultrasound or infrared light is emitted from the front of the robot, and the position is known by the intensity of the light coming back from the object. The farther you are from the obstacle, the weaker the light gets, and the closer it gets, the stronger it gets. Therefore, if you teach the robot to stop at a certain intensity of light, it will judge itself when there is an object ahead. And instead of moving forward, you can change the direction of progress.
센서 중에서도 주류를 이루는 것이 광센서이며, 특히 컴퓨터에 의한 이미지(화상 ·도형 ·문자 ·물체 등)의 직접 인식에 있어서, 높은 정밀도의 이미지 센서 수요가 미래에는 늘어날 것으로 전망되고 있다.Among the sensors, optical sensors are the mainstream, and especially in the direct recognition of images (images, figures, characters, objects, etc.) by computers, the demand for high precision image sensors is expected to increase in the future.
현재 광센서로 사용되고 있는 종류는 다양하다. 그중에서도 포토 다이오드(Photo Diode)와 포토 트랜지스터(Photo Transistor), 컬러센서(Color Sensor), 엘이디(LED) 등이 많이 사용되고 있으며, 발광소자와 수광소자를 함께 조합한 포토 커플러(Photo Coupler)도 사용량이 급격한 증가세를 보이고 있다.There are various kinds of light sensors currently used. Among them, photo diodes, photo transistors, color sensors, and LEDs are widely used, and photo couplers combining light emitting elements and light receiving elements are also used. There is a sharp increase.
그러나 상기 광센서들은 구성면에 있어서 단일 칩으로 형성되는 센서칩과 렌즈, 케이스, 리드선으로 구성되어 있는데, 본 고안에서는 이러한 센서들을 복합적으로 조합하여 하나의 케이스 안에 조합하여 사용하는 방법을 개시하고자 한다.However, the optical sensors are composed of a sensor chip formed of a single chip in the configuration surface, a lens, a case, a lead wire, and the present invention intends to disclose a method of combining these sensors in a single case.
즉, 하나의 모듈안에서 유색광선을 검출하거나, 적외선 파를 함께 검출하거나, 초음파를 함께 검출할 수도 있는 성질이 다른 여러개의 센서를 하나의 모듈에 병합하여 만들어지는 것을 그 기술적 과제로 삼았다.In other words, the technical problem is to combine several sensors having different properties that can detect colored rays, infrared waves together, or ultrasonic waves together in one module.
도 1은 종래의 포토다이오드(Photo Diode)의 구성도1 is a configuration diagram of a conventional photo diode
도 2는 종래의 포토트랜지스터(Photo Transistor)의 구성도2 is a block diagram of a conventional photo transistor (Photo Transistor)
도 3은 종래의 컬러센서(Color Sensor)의 구성도3 is a configuration diagram of a conventional color sensor
도 4는 종래의 엘이디(LED)의 구성도4 is a configuration diagram of a conventional LED (LED)
도 5는 종래의 광센서(Photo Sensor)의 구성도5 is a configuration diagram of a conventional photo sensor
도 6은 본 고안에 따른 와이드 센서 모듈의 정면도, 평면도 및 규격도6 is a front view, a plan view and a standard view of a wide sensor module according to the present invention
도 7은 본 고안에 따른 와이드 센서 모듈의 정면도 및 평면도7 is a front view and a plan view of a wide sensor module according to the present invention
도 8은 다양한 검출 측면을 갖는 센서를 조합시킨 볼 타입의 구성도8 is a configuration diagram of a ball type combining sensors having various detection aspects.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : 에노드(Anode) 2 : 캐소드(Cathode)1: Anode 2: Cathode
3 : 센서칩(Sensor Chip) 4 : 엘이디(LED)3: Sensor Chip 4: LED
5 : 케이스(Case) 6 : 포토제닉 렌즈(Photogenic Lens)5: Case 6: Photogenic Lens
7 : 볼 타입 멀티플 센서(Ball Type Multiple Sensor)7: Ball Type Multiple Sensor
11: 엘이디 에노드(LED Anode)11: LED Anode
12: 엘이디 캐소드(LED Cathode)12: LED Cathode
본 고안은 포토제닉 렌즈와 플루랄 센서칩을 병합한 웨이퍼로 형성된 와이드 센서 모듈에 관한 것으로서, 특히 성질이 다른 다수개의 센서칩을 하나의 렌즈와 하나의 케이스에 조합하여 단일 모듈로 형성하여 복합적인 검출기로서의 기능을 갖게하는 동시에 선택적으로는 센서의 위치를 표시할 수 있는 발광소자를 추가하는 포토제닉 렌즈를 갖는 와이드 센서 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a wide sensor module formed of a wafer incorporating a photogenic lens and a sensor sensor chip. In particular, a plurality of sensor chips having different properties are combined into one lens and a case to form a single module. The invention relates to a wide sensor module having a photogenic lens which has a function as a detector and optionally adds a light emitting element capable of displaying the position of the sensor.
상세한 설명은 도면을 첨부하여 개시하고자 한다.The detailed description will be disclosed with the accompanying drawings.
도 1은 종래의 포토다이오드(Photo Diode)의 구성도로서 입사광이 n층에 들어오면 산화 실리콘막으로 형성된 에노드9Anode)측에서 케소드(Cathode)측으로 전자가 흐르게 된다.1 is a configuration diagram of a conventional photo diode, and when incident light enters the n-layer, electrons flow from the anode 9Anode side formed of a silicon oxide film to the cathode side.
도 2는 종래의 포토트랜지스터(Photo Transistor)의 구성도로서 빛의 조사에 의해 베이스(base)에 전자정공쌍이 발생하면 전자는 확산에 의해 컬렉터(Collector)로 빠져 나가거나 재결합한다. 전자는 매우 얇은 베이스 영역을 통과해서 컬렉터로 들어가 컬렉터 전류가 흐른다.2 is a configuration diagram of a conventional phototransistor. When an electron hole pair is generated in a base by irradiation of light, electrons exit or recombine to a collector by diffusion. The electrons pass through a very thin base area and enter the collector, where collector current flows.
도 3은 종래의 컬러센서(Color Sensor)의 구성도로서 빛의 파장을 측정하는 소자로 다층형 센서와 집적형 센서가 있다. 파장이 짧은 빛일수록 반도체의 표면에서, 파장이 긴 빛일수록 반도체의 깊은 곳에서 흡수되는 특성을 가지고 있다.3 is a configuration diagram of a conventional color sensor (element) for measuring the wavelength of light, there are a multi-layer sensor and an integrated sensor. Light having a shorter wavelength has a characteristic of being absorbed at the surface of the semiconductor, and light having a longer wavelength has a characteristic of being absorbed deep in the semiconductor.
도 4는 종래의 엘이디(LED)의 구성도로서, 엘이디는 발광을 하기 위해서 미세한 전류를 필요로 하는 특징을 갖고 있기 때문에 차세대 발광원으로서 각광을 받고있는 소자중의 하나이다. 순방향으로 구동시에는 발광하지만 역방향으로는 발광하지 않는 다이오드의 특성이 있으며, 역방향의 내압은 5볼트 정도로 맥류나 교류의 구동시에는 보호용 다이오드가 필요하다.FIG. 4 is a configuration diagram of a conventional LED (LED), which is one of the devices that has been spotlighted as a next-generation light emitting source because it has a feature that requires a small current to emit light. There is a characteristic of a diode that emits light when driving in the forward direction but does not emit in the reverse direction, and a protection diode is required when driving pulsating current or alternating current at about 5 volts in the reverse direction.
도 5는 종래의 광센서(Photo Sensor)의 일반적인 구성도를 보여주고 있다. 일반적으로 센서는 해당 신호를 검출하는 특성을 가진 센서칩과 이를 감싸주고 있는 케이스와, 케이스와 센서칩을 감싸안는 모양으로 형성되는 에폭시 등의 수지를 사용하는 클린렌즈(Clean Lens)와 센서칩으로 부터의 검출신호를 전달하는 리드선으로 구성되어 있다.5 shows a general configuration diagram of a conventional photo sensor. In general, the sensor is composed of a clean lens and a sensor chip using a sensor chip having a characteristic of detecting a corresponding signal, a case surrounding the case, and a resin such as epoxy formed in a shape surrounding the case and the sensor chip. It consists of a lead wire that transmits a detection signal from.
도 6은 본 고안의 정면도, 평면도의 모습 및 규격도를 표시해 주고 있다.6 shows a front view, a plan view, and a standard view of the present invention.
도 7은 본 고안의 정면도 및 평면도로서 에노드(1), 캐소드(2), 센서칩(3), 엘이디 칩(4), 케이스(5), 에폭시 등의 클린 렌즈(6)와 엘이디의 리드선인 엘이디 에노드(11), 엘이디 캐소드(12)로 구성되어 있다.7 is a front view and a plan view of the present invention, the clean lens 6 and the LED of the anode 1, the cathode 2, the sensor chip 3, the LED chip 4, the case 5, epoxy, etc. The lead wire 11 includes an LED anode 11 and an LED cathode 12.
도 8은 공모양의 형상 내부에서 다양한 측면을 갖고있는 센서를 집합시킨 본 고안의 구성도인데, 볼타입(Ball Type)의 다차원 구면을 갖는 볼타입 멀티플 센서(7)칩을 가지고 있는 구성도이다.FIG. 8 is a configuration diagram of the present invention in which sensors having various side surfaces are collected inside a ball shape, and a ball type multiple sensor 7 chip having a ball type multi-dimensional sphere is a configuration diagram. .
이하 본 고안에 대해서 상세히 설명하면,Hereinafter, the present invention will be described in detail.
일반적으로 센서는 하나의 특정신호를 검출하기 위한 소자로 구성되는 모듈을 형성하고 있기 때문에 하나의 모듈로 다양한 신호를 검출할 수는 없고, 이를 해결하기 위해서는 서로 다른 특성을 가지고 있는 다양한 센서를 여러개의 모듈로 나누어서 조합하여 사용하여야만 하였다.In general, since the sensor forms a module composed of elements for detecting one specific signal, a single module cannot detect various signals. To solve this problem, various sensors having different characteristics may be used. It had to be divided into modules and used in combination.
본 고안은 상기와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로서, 본 고안의 목적은 여러개의 서로 다른 검출 특성을 갖는 센서 소자를 하나의 케이스 내부에 복합적으로 병합하여 필요한 다목적 검출의 요구를 하나의 모듈로 수행하는 멀티플 와이드 센서 모듈을 제공하고자 하는데 있다.The present invention is devised to solve the above problems, and an object of the present invention is to combine the sensor elements having several different detection characteristics into one case to perform the required multi-purpose detection as one module. It is to provide a multiple wide sensor module.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 첨부된 도면을 참조하여 본 고안의 구성을 설명하면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings in order to achieve the above object, the configuration of the present invention will be described.
특정신호를 검출하기 위해 형성된 센서칩(3)과, 상기 센서칩을 덮고있는 렌즈(6)와, 상기 렌즈를 감싸안은 형태로 만들어진 케이스(5)와, 상기 센서칩에 연결된 전선이 외부로 출력되기 위해 다리부로 형성된 리드선(1, 2)으로 구성되는 센서장치에 있어서, 특정 신호를 광범위하게 수신하기 위한 방법으로 성질이 같은 센서를 하나 이상 복수개로 조합(예시 : 도 7의 3번은 복수개의 칩으로 조합되어 있다)하여 만드는 와이드 센서 모듈인 것을 특징으로 한다.A sensor chip 3 formed to detect a specific signal, a lens 6 covering the sensor chip, a case 5 formed in a form surrounding the lens, and a wire connected to the sensor chip are output to the outside. In the sensor device composed of lead wires 1 and 2 formed as legs, a combination of one or more sensors having the same properties as a method for receiving a specific signal broadly (e.g., a plurality of chips in FIG. It is characterized in that it is a wide sensor module to be made).
또한 상기 와이드 센서 모듈은, 하나 이상의 성질이 서로 다른 신호를 수신하기 위하여, 성질이 서로 다른 센서를 하나 이상 조합하여 만드는 센서칩군으로 조합시키면, 적외선이나 초음파, 레이저 등의 서로 다른 신호를 하나의 모듈에서 검출할 수 있는 장점을 가질 수 있는 것을 특징으로 한다.In addition, the wide sensor module is a combination of a sensor chip made by combining one or more sensors of different properties in order to receive a signal with different properties, one module by combining different signals such as infrared, ultrasonic, laser, etc. It can be characterized in that it can have an advantage that can be detected.
또한 상기 와이드 센서 모듈의 구성은, 2차원적인 단면적에 조합되는 센서칩을 덮는 렌즈(일반적인 센서의 렌즈를 말한다)이거나, 3차원적인 하나 이상의 다차원 면적을 갖는(도 8) 복합적인 센처칩부의 조합으로 구성되는 모듈을 그 외부에 구면 형태로 덮어 씌운 볼(Ball)과 같은 형태로 만들수도 있는데, 이와같은 모양(도 8)은 상하좌우의 다양한 각도에서 포착되는 신호를 입체적으로 검출할 수 있는 특징을 가질 수도 있다.In addition, the configuration of the wide sensor module may be a lens covering a sensor chip combined with a two-dimensional cross-sectional area (referring to a lens of a general sensor), or a combination of a composite sensing chip unit having one or more multidimensional areas in three dimensions (FIG. 8). It is also possible to make a module composed of a ball-like shape that is covered with a spherical shape on the outside, such a shape (Fig. 8) is a feature that can three-dimensionally detect the signal captured from various angles up, down, left, and right May have
또한 상기 와이드 센서 모듈의 상기 복수개의 센서칩의 연결 방식은, 하나 이상의 센서에서 나오는 전선이 각각 직렬연결 방식으로 이루어지거나, 하나 이상의 센서에서 나오는 전선이 각각 병렬방식으로 이루어지거나, 하나 이상의 센서에서 나오는 전선이 직렬연결과 병렬연결을 각각 혼용하여 연결하는 방식 중에서 어느 하나를 선택하게 되면, 검출 이득의 폭이 필요한 수치로 제어될 수 있을 만큼회로를 구성할 수도 있기 때문에 이와같은 목적을 위해서 상기와 같이 다양한 방식의 연결을 선택하는 것을 특징으로 한다.In addition, the connection method of the plurality of sensor chips of the wide sensor module, the wires from one or more sensors are each made in a series connection method, the wires from one or more sensors are made in a parallel manner, respectively, or come out of one or more sensors If the wire is selected from the combination of the serial connection and the parallel connection, respectively, the circuit can be configured so that the width of the detection gain can be controlled to the required value. It is characterized by selecting various types of connection.
그리고 상기 와이드 센서 모듈은, 상기 와이드 센서 모듈의 위치를 표시해 주기 위하여 전기신호를 받아 발광하는 발광소자를 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하게 되면, 와이드 센서 모듈의 위치를 쉽게 구별할 수 있거나 특정 광파장만을 발광시켜 줄 수 있기 때문에 이를 선택적으로 사용하는 것을 특징으로 한다.The wide sensor module may include at least one light emitting device that emits light by receiving an electric signal to indicate the position of the wide sensor module. It can be made to emit light, it characterized in that it is selectively used.
또한 상기 와이드 센서 모듈의 상기 센서칩의 렌즈는, 일반적으로 클린 렌즈 소재로 많이 쓰이는 에폭시를 예로 들자면 에폭시의 코팅과정에서 가시광선의 일부분인 880nm에서 980nm의 광파에서 반응하여 발광할 수 있는 렌즈를 특징적으로 만들 수도 있는데, 이와같이 구성하는 화학적 성분의 렌즈가 외부에서 발광하는 빛을 받아 그 중에서 특정한 광파장에만 민감하게 반응하여 빛날 수 있는 재질로 구성되는 렌즈인 것을 특징으로 할 수도 있다.In addition, the lens of the sensor chip of the wide sensor module, for example, the epoxy that is commonly used as a clean lens material, the lens that can react by emitting light in the light wave of 880nm to 980nm which is part of visible light during the coating process of epoxy In this case, the lens of the chemical component constituting in this way may be characterized in that the lens is composed of a material that can receive light emitted from the outside to react sensitively only to a specific light wavelength.
그리고 센서칩과 조합되는 발광소자는 발광소자의 렌즈부가 없는 반제품 상태에서 센서칩과 공통으로 모듈을 만들어 하나의 포토제닉 렌즈로 형성되는 방식으로 할 수도 있고, 상기 센서칩과 조합되는 발광소자는 렌즈부가 있는 완제품 상태에서 상기 센서칩과 공통으로 모듈을 만들어 하나의 포토제닉 렌즈로 형성되는 방식으로 할 수 있는데, 이중에서 어느 하나를 선택하여 만드는 와이드 센서 모듈인 것을 특징으로 하며, 본 고안의 제작과정에 있어서 렌즈로 덮는 제작 공정에 들어 갈 때에 기존 완제품 상태의 엘이디 램프를 그대로 모듈위에 고정시키고 렌즈를 덮을 수도 있으며, 엘이디 램프의 에폭시 렌즈가 없는 반제품 상태를 상기 복수개의센서칩이 꽂혀있는 웨이퍼상에 같이 꽂고 나서, 하나의 렌즈구면을 웨이퍼 상부에 씌우는 방식으로 제작하는 것을 특징으로 한다.The light emitting device combined with the sensor chip may be formed in a single photogenic lens by forming a module in common with the sensor chip in a semi-finished state without the lens portion of the light emitting device. In the state of the finished product in the state of making a module in common with the sensor chip can be formed as a single photogenic lens, characterized in that a wide sensor module made by selecting any one of them, the manufacturing process of the present invention In the manufacturing process covered by the lens, the LED lamp in the existing finished state can be fixed on the module as it is, and the lens can be covered, and the semi-finished product without the epoxy lens of the LED lamp is placed on the wafer on which the plurality of sensor chips are inserted. Plug it in together, and put one lens sphere on top of the wafer. It characterized in that it is less.
또한 상기 와이드 센서 모듈은, 특정신호를 민감하게 포착하기 위한 전자회로를 모듈 내부에 추가하여 만들 수도 있는데, 상기 복수의 센서칩과 상기 엘이디가 꽂히는 제작과정에 있어서, 특정 잡음(금속끼리 부딪혀 발생하는 초음파나, 주위에서 발생하는 방해전파 등)을 차단하기 위해서 필터부를 갖는 전자회로를 웨이퍼상에서 조합할 수도 있는 것을 특징으로 하게되면 예기치 못하는 신호로 인한 오동작을 미연에 방지할 수 있는 것을 특징으로 한다.In addition, the wide sensor module may be made by adding an electronic circuit inside the module for capturing a specific signal sensitively. In the manufacturing process in which the plurality of sensor chips and the LED are plugged in, a specific noise may be generated. When the electronic circuit having the filter unit can be combined on the wafer to block ultrasonic waves or disturbances generated from the surroundings, malfunctions due to unexpected signals can be prevented in advance.
이와같이 복수개의 센서칩(3)과 하나 이상의 엘이디(4)를 웨이퍼상에서 조합하고, 하나 이상의 필터 차단부인 전자회로를 선택적으로 조합하여 하나의 센서로 만들게 되면 그 자체가 발광하여 위치를 표시해 주면서 다양한 신호를 하나의 센서에서 검출할 수 있기 때문에 다 수개의 센서를 사용하는 제작상의 낭비와 함께 자원의 절약과 환경보존에도 도움이 되는 포토제닉 렌즈와 플루랄 센서칩을 병합한 웨이퍼로 형성된 와이드 센서 모듈을 만들 수가 있는 것이다.In this way, a plurality of sensor chips 3 and one or more LEDs 4 are combined on a wafer, and electronic circuits, which are one or more filter blocking units, are selectively combined to form a single sensor. Can be detected by a single sensor, and a wide sensor module formed of a wafer incorporating a photonic lens and a floral sensor chip, which is useful for saving resources and conserving the environment as well as waste of manufacturing using multiple sensors. I can make it.
본 고안은 일반 단일 센서와는 다르게 복합적인 신호를 포착할 수 있는 광역의 센서를 만들기 위해, 다수의 센서칩을 병렬 또는 직렬로 묶어 하나의 모듈로 형성하고,The present invention is to form a single module by combining a plurality of sensor chips in parallel or in series in order to make a wide-range sensor capable of capturing a complex signal unlike a general single sensor,
선택적으로는 렌즈의 구면을 발광시킬 수 있는 발광소자를 내장하는 포토제닉 렌즈를 만들어서, 다수의 센서칩을 병합한 웨이퍼로 형성된 광역 센서 모듈에 관한 것으로서,The present invention relates to a wide-area sensor module that is formed of a wafer in which a plurality of sensor chips are integrated by making a photogenic lens having a light emitting element capable of emitting light on a spherical surface of a lens.
보다 상세하게는 현재 사용하고 있는 단일 성질의 센서와는 다르게,More specifically, unlike the single sensor used today,
하나 이상의 성질이 같은 센서이거나, 하나 이상의 서로 다른 성질의 센서를 하나의 웨이퍼상에 조합하여 구성하고, 상기 센서를 직렬 또는 병렬로 연결하며, 상기 센서의 조합이 요구하는 특정회로도 웨이퍼상에 추가로 구성할 수도 있으며, 에폭시 수지 등을 이용한 전면부 렌즈의 제작에는 광원을 얻을 수 있는 발광소자를 추가로 부착하여,One or more sensors of the same nature, or a combination of one or more different properties of the sensor on one wafer, connecting the sensors in series or in parallel, and adding the specific circuitry required by the combination In addition, in the manufacture of the front lens using an epoxy resin or the like by additionally attaching a light emitting device for obtaining a light source,
렌즈가 발광소자의 특정 파장에서만 특정한 빛으로 발광할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 포토제닉 렌즈와 플루랄 센서칩을 병합한 웨이퍼로 형성된 와이드 센서 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a wide sensor module formed of a wafer incorporating a photogenic lens and a sensor sensor chip, wherein the lens emits light with specific light only at a specific wavelength of the light emitting device.
즉, 하나의 모듈안에서 유색광선을 인식하거나, 적외선을 함께 검출하거나, 초음파를 함께 검출할 수도 있는 성질이 다른 여러개의 센서를 하나의 모듈에 조합하여 만들게 되면,In other words, when a colored module is recognized in one module, infrared rays are detected together, or ultrasonic sensors can be detected together, several sensors having different properties can be combined into one module.
대구경 와이드 센서를 만들기 위해 단가가 비싼 대형 센서칩을 사용하지 않고 다수개의 적은 센서칩으로 조합할 수 있는 특징이 있으며, 이와같이 와이드 센서 자체가 발광하여 위치를 표시해 주면서 다양한 신호를 하나의 센서에서 검출할 수도 있기 때문에, 다수개의 센서를 사용하는 제작상의 낭비를 방지하는 효과와 함께 에너지절약, 자원절약, 공해방지, 생산부문의 고효율화, 정밀화, 주택, 사무실의 각종 기기(機器)의 고성능화, 교통통제의 고도화, 재해방지 시스템의 효율화 등사회 각 부문의 요구를 충족시키기 위해서 본 고안이 도움이 될 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In order to make a large-diameter wide sensor, it is possible to combine a large number of small sensor chips without using a large sensor chip, which is expensive. In this way, the wide sensor itself emits light to indicate a location and detect various signals from a single sensor. In addition, energy saving, resource saving, pollution prevention, high efficiency of the production sector, precision, high performance of various devices in houses and offices, traffic control, etc. In order to meet the needs of various sectors of society, such as the upgrading of the system and the efficiency of the disaster prevention system, the present invention can be helpful.
Claims (9)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20-2002-0016079U KR200300388Y1 (en) | 2002-05-27 | 2002-05-27 | Plural Sensor Chip Wafer Combined Wide Sensor Module With Photogenic Lens |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20-2002-0016079U KR200300388Y1 (en) | 2002-05-27 | 2002-05-27 | Plural Sensor Chip Wafer Combined Wide Sensor Module With Photogenic Lens |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020020029157A Division KR20020050207A (en) | 2002-05-27 | 2002-05-27 | Plural Sensor Chip Wafer Combined Wide Sensor Module With Photogenic Lens |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR200300388Y1 true KR200300388Y1 (en) | 2003-01-14 |
Family
ID=49398384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR20-2002-0016079U KR200300388Y1 (en) | 2002-05-27 | 2002-05-27 | Plural Sensor Chip Wafer Combined Wide Sensor Module With Photogenic Lens |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200300388Y1 (en) |
-
2002
- 2002-05-27 KR KR20-2002-0016079U patent/KR200300388Y1/en not_active IP Right Cessation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8866064B2 (en) | Multi-directional proximity sensor | |
| JP6854366B2 (en) | Detector that optically detects at least one object | |
| US8575537B2 (en) | Compact multi-direction proximity sensor device and method | |
| US9702690B2 (en) | Lens-less optical position measuring sensor | |
| US8619267B2 (en) | Proximity sensor with motion detection | |
| US9927553B2 (en) | Miniaturized optical proximity sensor | |
| JP2010256182A (en) | Reflection type photoelectric sensor | |
| CN104051473B (en) | For determining the device from direction of the surface of photoelectric detector components to source | |
| CN106663716A (en) | Light-emitting-and-receiving element module and sensor device in which same is used | |
| US11921296B2 (en) | Electronic device having different light sources adapt to different work surfaces | |
| US11493609B2 (en) | MEMS device with integrated mirror position sensor | |
| KR20210033528A (en) | Detector to determine the position of at least one object | |
| KR200300388Y1 (en) | Plural Sensor Chip Wafer Combined Wide Sensor Module With Photogenic Lens | |
| KR20020050207A (en) | Plural Sensor Chip Wafer Combined Wide Sensor Module With Photogenic Lens | |
| KR20100049677A (en) | Solar sensor for the detection of the direction of incidence and the intensity of solar radiation | |
| JP5164733B2 (en) | Optical semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP2005214851A (en) | Object detector, and electronic equipment provided with same | |
| Espiau | An overview of local environment sensing in robotics applications | |
| CN104880463B (en) | Multipoint mode detector | |
| TW201518690A (en) | Optical encoder modules that include a telecentric imaging system | |
| US20180000393A1 (en) | Multiple physiological signals sensing chip and the multiple physiological signals sensing method thereof | |
| US20220200234A1 (en) | Integrated light receiving and emitting device combined with control circuit wafer and method thereof | |
| EP3957947B1 (en) | Electronic device and method to reconstruct the shape of a deformable object | |
| CN216133199U (en) | Laser projection device and depth camera | |
| Sutaj | Vision and electro-optic sensors for robots |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| REGI | Registration of establishment | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |