KR20030037940A

KR20030037940A - Apparatus for forming photoresist film

Info

Publication number: KR20030037940A
Application number: KR1020010069296A
Authority: KR
Inventors: 정태화
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2001-11-07
Filing date: 2001-11-07
Publication date: 2003-05-16

Abstract

PURPOSE: An apparatus for forming a photoresist layer is provided to be capable of uniformly forming the photoresist layer corresponding to the change of photoresist viscosity. CONSTITUTION: A substrate(W) is loaded on a loading part(10). A revolving part(20) is connected with the loading part(10) for revolving the loading part(10). A jetting part(40) is located at the upper portion of the substrate(W) for jetting photoresist on the upper portion of the wafer(W) in order to form a photoresist layer. A viscosity measurement part(50) is installed at the jetting part(40) for measuring the viscosity of the photoresist. A central processing part(70) is connected with the viscosity measurement part(50) for controlling the speed of the revolving part(20) according to the viscosity value of the photoresist.

Description

Photoresist film forming apparatus {APPARATUS FOR FORMING PHOTORESIST FILM}

본 발명은 포토레지스트막 형성 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게 반도체 기판 상에 포토레지스트막을 균일하게 형성하기 위한 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for forming a photoresist film, and more particularly, to an apparatus for uniformly forming a photoresist film on a semiconductor substrate.

컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응하여, 상기 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있다. 이에 따라, 상기 반도체 장치의 집적도 향상을 위한 주요한 기술로서 포토리소그라피(photolithography) 기술과 같은 미세 가공 기술에 대한 요구가 엄격해지고 있다.BACKGROUND With the rapid spread of information media such as computers, semiconductor devices are also rapidly developing. In terms of its function, the semiconductor device is required to operate at a high speed and to have a large storage capacity. In response to these demands, manufacturing techniques have been developed in the direction of improving the degree of integration, reliability, response speed, and the like of the semiconductor device. Accordingly, the demand for microfabrication techniques such as photolithography techniques is becoming strict as a main technique for improving the integration degree of the semiconductor device.

상기 포토리소그라피 기술은 잘 알려져 있는 바와 같이, 반도체 기판 상에 포토레지스트막을 형성한 후, 상기 포토레지스트막의 소정 부위를 현상하여 패턴으로 형성하는 기술이다.As is well known, the photolithography technique is a technique for forming a photoresist film on a semiconductor substrate and then developing a predetermined portion of the photoresist film in a pattern.

구체적으로는 먼저, 절연층 또는 도전층을 포함하는 반도체 기판상에 자외선이나 X선과 같은 광을 조사하면 알칼리성 용액에 대해 용해도 변화가 일어나게 되는 포토레지스트막을 형성한다. 그리고, 상기 포토레지스트막의 상부에 소정 부위만을 선택적으로 노광할 수 있도록 패터닝된 패턴 마스크를 개재하여 상기 포토레지스트막에 선택적으로 광을 조사한 다음, 현상액을 사용한 현상을 통하여 용해도가 큰 부분(포지티브형 포토레지스트의 경우, 노광된 부분)은 제거하고 용해도가 작은 부분은 남겨 패턴을 형성하는 기술이다.Specifically, first, when a light such as ultraviolet rays or X-rays is irradiated onto a semiconductor substrate including an insulating layer or a conductive layer, a photoresist film is formed in which solubility changes with respect to an alkaline solution. Then, the photoresist film is selectively irradiated with light through a pattern mask patterned to selectively expose only a predetermined portion on the photoresist film, and then a portion having high solubility through development using a developer (positive photo In the case of a resist, the exposed part) is removed and a part having a low solubility is left to form a pattern.

그리고, 상기 포토레지스트막을 형성하는 장치는 상기 반도체 기판의 이면을 파지하는 척을 포함한다. 상기 척은 모터 등을 포함하는 회전부와 연결되고, 회전부의 회전에 의해 상기 반도체 기판을 회전시키는 구성을 갖는다. 또한, 상기 장치는 상기 반도체 기판 상에 상기 포토레지스트를 분사하기 위한 분사 노즐을 구비한다.The apparatus for forming the photoresist film includes a chuck for holding the back surface of the semiconductor substrate. The chuck is connected to a rotating part including a motor and the like, and has a configuration to rotate the semiconductor substrate by the rotation of the rotating part. The apparatus also includes a spray nozzle for spraying the photoresist on the semiconductor substrate.

상기 장치에 의해 상기 반도체 기판 상에 포토레지스트막이 형성되는 과정을살펴보면, 먼저 상기 반도체 기판을 척 상에 올려 놓는다. 상기 척이 진공 흡입에 의해 상기 반도체 기판을 파지하면, 상기 반도체 기판 상에는 상기 분사 노즐을 통하여 이동된 상기 포토레지스트가 분사된다. 이어서, 상기 반도체 기판이 회전되도록 상기 회전부를 사용하여 상기 척을 회전시킨다. 상기 척이 회전되면 상기 포토레지스트가 상기 반도체 기판 상에 전체적으로 도포되어, 포토레지스트막을 형성한다.Looking at the process of forming a photoresist film on the semiconductor substrate by the device, first place the semiconductor substrate on the chuck. When the chuck grips the semiconductor substrate by vacuum suction, the photoresist moved through the spray nozzle is sprayed onto the semiconductor substrate. Subsequently, the chuck is rotated using the rotating part so that the semiconductor substrate is rotated. When the chuck is rotated, the photoresist is entirely applied on the semiconductor substrate to form a photoresist film.

그러나, 상기 반도체 기판 상에 도포되는 상기 포토레지스트는 점도 특성이 제각기 다르다. 즉, 상기 포토레지스트의 제조 회사 또는 제조 시기 등에 따라서 그 점도를 달리한다. 또한, 상기 포토레지스트의 점도는 외부적인 요인으로 그 특성이 달라지는 경우도 있다. 하지만, 상기 포토레지스트막을 형성할 때 상기 회전부의 회전 속도는 항상 일정하게 제어된다. 때문에, 상기 포토레지스트의 점도에 의한 요소가 무시된 상황에서 공정이 이루어지는 문제점이 있다.However, the photoresist applied on the semiconductor substrate has different viscosity characteristics. That is, the viscosity varies depending on the manufacturing company or the production time of the photoresist. In addition, the viscosity of the photoresist may be changed due to external factors. However, when forming the photoresist film, the rotational speed of the rotating part is always controlled constantly. Therefore, there is a problem that the process is performed in a situation where the factor due to the viscosity of the photoresist is ignored.

따라서, 본 발명의 목적은 포토레지스트막을 형성할 때 포토레지스트의 점도를 적절히 고려하는 공정의 수행이 가능한 포토레지스트막 형성 장치를 제공하는데 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a photoresist film forming apparatus capable of performing a process of properly considering the viscosity of a photoresist when forming a photoresist film.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 포토레지스트막 형성 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이다.1 is a block diagram schematically illustrating an apparatus for forming a photoresist film according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 포토레지스트막 형성 장치의 구동 특성을 설명하기 위한 블록도이다.FIG. 2 is a block diagram illustrating driving characteristics of the photoresist film forming apparatus shown in FIG. 1.

도 3은 도 1에 도시된 포토레지스트막 형성 장치를 사용한 공정 흐름을 설명하기 위한 흐름도이다.FIG. 3 is a flowchart for explaining a process flow using the photoresist film forming apparatus shown in FIG. 1.

도 4는 도 1에 도시된 포토레지스트막 형성 장치를 사용한 제어 흐름을 설명하기 위한 흐름도이다.4 is a flowchart for explaining a control flow using the photoresist film forming apparatus shown in FIG.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 포토레지스트막 형성 장치는, 기판을 파지하기 위한 파지부, 상기 파지부와 연결되고, 상기 파지부를 회전시키기 위한 회전부 상기 기판 상에 포토레지스트막을 형성하기 위한 포토레지스트를 분사하는 분사부, 상기 분사부에 장착되고, 상기 포토레지스트의 점도를 측정하기 위한 점도 측정부 및 상기 점도 측정부와 연결되고, 상기 점도 측정부에 의해 측정된 상기 포토레지스트의 점도값에 따라 상기 회전부의 회전 속도를 조정하는 중앙 처리부를 포함한다.A photoresist film forming apparatus according to the present invention for achieving the above object, a gripping portion for holding a substrate, connected to the gripping portion, a rotating portion for rotating the gripping portion to form a photoresist film on the substrate A viscosity of the photoresist measured by the viscosity measuring part, which is connected to the viscosity measuring part and the viscosity measuring part for measuring the viscosity of the photoresist; And a central processing unit for adjusting the rotational speed of the rotating unit according to the value.

상기 장치를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Looking at the device in detail as follows.

상기 파지부는 상기 기판 이면을 진공 흡착하는 척을 포함한다. 그리고, 상기 회전부는 모터 등과 같은 부재를 포함하고, 상기 분사부는 분사 노즐을 포함한다. 상기 점도 측정부는 일정한 양의 상기 포토레지스트가 상기 분사 노즐을 통하여 유출되는 시간으로 점도를 측정하거나, 상기 포토레지스트가 상기 분사 노즐을 통과하는 속도로 점도를 측정할 수 있다. 상기 중앙 처리부는 상기 점도 측정부에 의해 측정된 상기 포토레지스트의 점도값이 임계값보다 높으면 상기 회전부의 회전 속도를 빠르게 조정하고, 상기 포토레지스트의 점도가 임계값보다 낮으면 상기 회전부의 회전 속도를 느리게 조정하는 구성을 갖는다.The gripping portion includes a chuck for vacuum suction of the back surface of the substrate. The rotating part includes a member such as a motor, and the spraying part includes an injection nozzle. The viscosity measuring unit may measure the viscosity at a time in which a predetermined amount of the photoresist flows out through the spray nozzle, or measure the viscosity at a speed at which the photoresist passes through the spray nozzle. The central processing unit rapidly adjusts the rotational speed of the rotating unit when the viscosity value of the photoresist measured by the viscosity measuring unit is higher than a threshold value, and adjusts the rotational speed of the rotating unit when the viscosity of the photoresist is lower than a threshold value. Have a slow adjusting configuration.

이에 따라, 상기 장치는 상기 분사 노즐에 장착된 상기 점도 측정부에 의해 상기 포토레지스트의 점도를 측정하고, 상기 중앙 처리부에 의해 상기 측정된 점도값에 적당한 회전 속도를 갖도록 상기 회전부를 제어한다.Accordingly, the apparatus measures the viscosity of the photoresist by the viscosity measuring unit attached to the spray nozzle, and controls the rotating unit to have a suitable rotational speed to the measured viscosity value by the central processing unit.

따라서, 상기 장치는 상기 포토레지스트의 점도가 수시로 변하더라도 상기 포토레지스트의 점도값에 따라 상기 회전부를 제어함으로써, 반도체 기판 상에 균일한 포토레지스트막을 형성할 수 있다.Therefore, the apparatus can form a uniform photoresist film on the semiconductor substrate by controlling the rotating part according to the viscosity value of the photoresist even if the viscosity of the photoresist changes frequently.

이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in detail the present invention.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 포토레지스트막 형성 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 포토레지스트막 형성 장치의 구동 특성을 설명하기 위한 블럭도이다.1 is a block diagram schematically illustrating a photoresist film forming apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram for describing driving characteristics of the photoresist film forming apparatus shown in FIG. 1.

도 1을 참조하면, 반도체 기판(W) 상에 상기 포토레지스트막을 형성하기 위한 포토레지스트 형성 장치(100)는 상기 반도체 기판(W)의 이면을 파지하는 척(10)을 포함한다. 상기 척(10)은 상기 반도체 기판(W)의 이면을 진공 흡입에 의해 파지하기 때문에 진공을 제공하는 진공 제공 라인(도시되지 않음)과 연결된다. 상기 척(10)은 회전부(20)와 연결된다. 따라서, 상기 척(10)에 파지된 상기 반도체 기판(W)은 상기 회전부(20)에 의해 회전한다.Referring to FIG. 1, the photoresist forming apparatus 100 for forming the photoresist film on the semiconductor substrate W includes a chuck 10 that grips the rear surface of the semiconductor substrate W. Referring to FIG. The chuck 10 is connected to a vacuum providing line (not shown) for providing a vacuum since the back surface of the semiconductor substrate W is gripped by vacuum suction. The chuck 10 is connected to the rotating unit 20. Therefore, the semiconductor substrate W held by the chuck 10 is rotated by the rotating unit 20.

또한, 상기 포토레지스트막 형성 장치(100)는 상기 반도체 기판(W) 상에 상기 포토레지스트(60)를 분사하기 위한 파이프 형태의 분사 노즐(40)을 구비한다. 상기 분사 노즐(40)은 상기 포토레지스트(60)을 수용하고 있는 용기(30)와 연결되어 상기 용기(30)에 수용된 상기 포토레지스트(60)를 상기 척(10)에 의해 파지된 상기 반도체 기판(W) 상에 분사시킨다. 이때, 상기 분사 노즐(40)의 소정 부분에는 상기 분사 노즐(40)을 통하여 이동하는 상기 포토레지스트(60)의 점도를 측정하기 위한 점도 측정부(50)가 구비된다.In addition, the photoresist film forming apparatus 100 includes a spray nozzle 40 in the form of a pipe for spraying the photoresist 60 on the semiconductor substrate W. The spray nozzle 40 is connected to a container 30 containing the photoresist 60 to hold the photoresist 60 contained in the container 30 by the chuck 10. Spray on (W). In this case, a predetermined portion of the spray nozzle 40 is provided with a viscosity measuring unit 50 for measuring the viscosity of the photoresist 60 moving through the spray nozzle 40.

상기 점도 측정부(50)는 상기 분사 노즐(40)의 일단부, 즉 상기 포토레지스트가 분사되는 분사구(41) 부분에 장착되는 것이 바람직하다. 이와 같이 상기 점도 측정부(50)가 설치되는 것은 상기 반도체 기판(W)에 분사되기 직전에 상기 포토레지스트(60)의 점도를 측정하기 위함이다. 즉, 상기 포토레지스트(60)가 상기 반도체 기판(W)으로 분사되기 직전에 상기 포토레지스트(60)의 점도를 측정함으로써, 상기 분사 노즐(40)을 통해 이동할 때 상기 포토레지스트(60)의 점도가 외부적인 요인으로 인해 변화되더라로 최종적으로 변화된 점도를 측정할 수 있다.The viscosity measuring unit 50 is preferably mounted to one end of the spray nozzle 40, that is, the portion of the injection hole 41 to which the photoresist is injected. As such, the viscosity measuring unit 50 is provided to measure the viscosity of the photoresist 60 immediately before being sprayed onto the semiconductor substrate W. That is, the viscosity of the photoresist 60 when moving through the spray nozzle 40 by measuring the viscosity of the photoresist 60 immediately before the photoresist 60 is injected into the semiconductor substrate W. Finally, due to external factors, the viscosity can be measured.

한편, 상기 분사 노즐(40)에 설치되는 상기 점도 측정부(50)는 일정한 양의 상기 포토레지스트(60)가 상기 점도 측정부(50) 통하여 유출되는 시간으로 점도를 측정한다. 그러나, 상기 점도 측정부(50)에 의해 상기 포토레지스트(60)의 점도를 측정하는 방법은 여기에 한정되지 않으며, 통상적으로 사용하고 있는 점도 측정 방법을 다양하게 적용할 수 있다.On the other hand, the viscosity measuring unit 50 installed in the injection nozzle 40 measures the viscosity in a time outflow of the photoresist 60 through the viscosity measuring unit 50 in a predetermined amount. However, the method of measuring the viscosity of the photoresist 60 by the viscosity measuring unit 50 is not limited thereto, and a viscosity measuring method that is commonly used may be variously applied.

일 예로, 상기 포토레지스트가 분사되는 경로 상에 설치되고, 상기 포토레지스트의 분사에 의해 회전하는 회전 속도 측정부를 포함하고, 상기 포토레지스트가 분사될 때 상기 회전 속도 측정부가 회전하는 속도에 의해 상기 포토레지스트의 점도를 측정하는 구성이 있다.For example, the photoresist is installed on a path through which the photoresist is sprayed, and includes a rotational speed measuring unit that rotates by the injection of the photoresist. There exists a structure which measures the viscosity of a resist.

이와 같이, 상기 점도 측정부(50)에 의해 측정된 상기 포토레지스트(60)의 점도값은 중앙 처리부(70)로 전송된다. 상기 중앙 처리부(70)는 상기 점도 측정부(50)에 의해 측정한 점도값에 적당한 회전 속도를 갖도록 상기 회전부(20)을 제어한다.As such, the viscosity value of the photoresist 60 measured by the viscosity measuring unit 50 is transmitted to the central processing unit 70. The central processing unit 70 controls the rotating unit 20 to have a suitable rotational speed to the viscosity value measured by the viscosity measuring unit 50.

이를 더욱 구체적으로 설명하기 위해 도 2를 참조하면, 점도 측정부(50)는 중앙 처리부(70)와 연결되어, 상기 점도 측정부(50)에 의해 측정된 상기 포토레지스트(60)의 점도값은 상기 중앙 처리부(70)로 전송된다.2 to more specifically describe this, the viscosity measuring unit 50 is connected to the central processing unit 70, the viscosity value of the photoresist 60 measured by the viscosity measuring unit 50 is The central processing unit 70 is transmitted.

그리고, 상기 점도값을 수신한 상기 중앙 처리부(70)는 상기 측정값과 미리설정된 임계값을 비교한다. 상기 중앙 처리부(70)는 상기 비교 결과에 상응하여 상기 회전부(20)의 회전 속도를 조정한다. 즉, 상기 중앙 처리부(70)는 상기 포토레지스트(60)의 점도에 적당한 상기 회전부(20)의 회전 속도를 미리 설정하여 둔다. 따라서, 상기 중앙 처리부(70)는 상기 점도 측정부(50)로부터 수신한 상기 포토레지스트(60)의 점도값을 상기 중앙 처리부(70)에 설정된 임계값과 비교하여 상기 점도값에 적당한 회전 속도로 상기 회전부(20)를 제어한다.The central processing unit 70 receiving the viscosity value compares the measured value with a predetermined threshold value. The central processing unit 70 adjusts the rotation speed of the rotating unit 20 in accordance with the comparison result. That is, the central processing unit 70 sets the rotation speed of the rotating unit 20 suitable for the viscosity of the photoresist 60 in advance. Therefore, the central processing unit 70 compares the viscosity value of the photoresist 60 received from the viscosity measuring unit 50 with a threshold value set in the central processing unit 70 at a rotation speed suitable for the viscosity value. The rotating unit 20 is controlled.

한편, 상기 장치(100)는 상기 점도 측정부(50) 및 상기 회전부(20) 각각에 연결되어, 상기 점도 측정부(50)에 의해 측정된 상기 포토레지스트(60)의 점도값 및 상기 점도값에 따른 상기 회전부(20)의 회전 속도를 작업자에게 실시간으로 표시하기 위한 제1 및 제2 모니터부(51, 21)를 더 구비한다.On the other hand, the device 100 is connected to each of the viscosity measuring unit 50 and the rotating unit 20, the viscosity value and the viscosity value of the photoresist 60 measured by the viscosity measuring unit 50 The first and second monitors 51 and 21 are further provided to display the rotational speed of the rotating unit 20 according to the operator in real time.

도 3은 도 1에 도시된 포토레지스트막 형성 장치의 구동 흐름을 설명하기 위한 흐름도이고, 도 4는 도 1에 도시된 포토레지스트막 형성 장치의 제어 흐름을 설명하기 위한 흐름도이다.3 is a flowchart for describing a driving flow of the photoresist film forming apparatus illustrated in FIG. 1, and FIG. 4 is a flowchart for describing a control flow of the photoresist film forming apparatus illustrated in FIG. 1.

도 3을 참조하면, 상기 장치(100)는 상기 반도체 기판(W)을 상기 척(10) 상에 올려 놓는다(S110). 상기 척(10)이 진공 흡입에 의해 상기 반도체 기판(W)을 파지하면, 상기 분사 노즐(40)을 통하여 상기 포토레지스트(60)가 분사된다(S120).Referring to FIG. 3, the apparatus 100 places the semiconductor substrate W on the chuck 10 (S110). When the chuck 10 holds the semiconductor substrate W by vacuum suction, the photoresist 60 is sprayed through the spray nozzle 40 (S120).

이때, 상기 분사 노즐(40)에 설치된 상기 점도 측정부(50)는 상기 분사 노즐(40)을 통하여 이동하는 상기 포토레지스트(60)의 점도를 측정한다(S130). 상기 점도 측정부(50)에 의해 측정된 상기 포로레지스트(60)의 점도값은 상기 중앙 처리부(70)로 전송되고, 상기 중앙 처리부(70)는 상기 점도값에 적당한 회전 속도로 상기 회전부(20)를 제어한다.(S140).In this case, the viscosity measuring unit 50 installed in the spray nozzle 40 measures the viscosity of the photoresist 60 moving through the spray nozzle 40 (S130). The viscosity value of the captive resist 60 measured by the viscosity measuring unit 50 is transmitted to the central processing unit 70, the central processing unit 70 is the rotation unit 20 at a rotation speed suitable for the viscosity value (S140).

상기 점도 측정부(50)에 의해 측정된 상기 포토레지스트(60)의 점도값에 따라 상기 회전부(20)의 회전 속도를 제어하는 상기 중앙 처리부(70)의 제어 흐름을 도 4를 참조하여 설명한다.The control flow of the central processing unit 70 for controlling the rotational speed of the rotating unit 20 according to the viscosity value of the photoresist 60 measured by the viscosity measuring unit 50 will be described with reference to FIG. 4. .

상기 중앙 처리부(70)는 상기 점도 측정부(50)로부터 측정된 상기 포토레지스트(60)의 점도값을 수신한다(S141). 이어서, 상기 중앙 처리부(70)는 수신한 점도값에 해당하는 임계값이 존재하는가를 판단한다(S142). 이때, 상기 점도값에 해당하는 임계값이 존재하면, 상기 임계값에 해당하는 회전 속도로 상기 회전부(20)를 제어한다(S143). 즉, 상기 포토레지스트(60)의 점도값이 높으면 상기 회전부(20)의 회전 속도를 빠르게 제어하며, 상기 포토레지스트(60)의 점도값이 낮으면 상기 회전부(20)의 회전 속도를 느리게 제어한다. 이에 따라, 상기 포토레지스트(60)의 점도 특성이 변하더라도 반도체 기판마다 균일한 포토레지스트막을 형성할 수 있다.The central processing unit 70 receives the viscosity value of the photoresist 60 measured from the viscosity measuring unit 50 (S141). Subsequently, the central processing unit 70 determines whether a threshold value corresponding to the received viscosity value exists (S142). At this time, if a threshold value corresponding to the viscosity value is present, the rotating unit 20 is controlled at a rotation speed corresponding to the threshold value (S143). That is, if the viscosity value of the photoresist 60 is high, the rotational speed of the rotating part 20 is controlled quickly. If the viscosity value of the photoresist 60 is low, the rotational speed of the rotating part 20 is controlled slowly. . Accordingly, even if the viscosity characteristic of the photoresist 60 changes, a uniform photoresist film may be formed for each semiconductor substrate.

그러나 상기 점도값에 해당하는 임계값이 존재하지 않으면, 상기 포토레지스트막 형성 장치(100)의 가동을 중단시킨다(S144). 즉, 상기 중앙 처리부(70)는 상기 점도값이 상기 임계값의 범위내에 존재하지 않으면 상기 포토레지스트막 형성 장치(100)의 가동을 중단시킴으로써, 특성이 변질된 포토레지스트 및 다른 종류의 포토레지스트가 상기 반도체 기판(W) 상에 도포되는 것을 사전에 방지할 수 있다.However, if there is no threshold value corresponding to the viscosity value, the operation of the photoresist film forming apparatus 100 is stopped (S144). That is, the central processing unit 70 stops the operation of the photoresist film forming apparatus 100 when the viscosity value is not within the range of the threshold value, so that the photoresist and the other kinds of photoresist whose properties are altered Application to the semiconductor substrate W can be prevented in advance.

다시 도 3을 참조하면, 상기 반도체 기판(W) 상에 상기 분사 노즐(40)의 통하여 이동된 상기 포토레지스트(60)가 분사되면(S150), 상기 회전부(20)를 사용하여 상기 척(10)을 회전시킨다(S160). 이때, 상기 S140 단계와 상기 S150 단계는 상기 분사 노즐(40)에 장착되는 상기 점도 측정부(50)의 위치에 따라 변경될 수 있다. 즉, 상기 점도 측정부(50)가 상기 분사 노즐(40)의 상기 포토레지스트(60)가 분사되는 분사구(41)에 가깝게 설치되면, 상기 S150 단계가 상기 S140 단계보다 선행할 수도 있다. 즉, 상기 반도체 기판(W) 상에 상기 포토레지스트(60)가 먼저 분사된 후 상기 점도 측정부(50)에 의해 측정된 상기 포토레지스트(60)의 점도값에 따라 상기 회전부(50)의 회전 속도를 제어할 수 있다.Referring back to FIG. 3, when the photoresist 60 moved through the spray nozzle 40 is sprayed onto the semiconductor substrate W (S150), the chuck 10 is used by using the rotating unit 20. Rotate (S160). At this time, the step S140 and the step S150 may be changed according to the position of the viscosity measuring unit 50 mounted to the injection nozzle (40). That is, when the viscosity measuring unit 50 is installed close to the injection port 41 through which the photoresist 60 of the injection nozzle 40 is injected, the step S150 may precede the step S140. That is, after the photoresist 60 is first sprayed onto the semiconductor substrate W, the rotation unit 50 rotates according to the viscosity value of the photoresist 60 measured by the viscosity measuring unit 50. You can control the speed.

상기 반도체 기판(W)의 회전에 의해 상기 포토레지스트(60)는 상기 반도체 기판(W) 상에 전체적으로 도포되어, 상기 반도체 기판(W) 상에 포토레지스트막이 형성된다(S170).The photoresist 60 is entirely coated on the semiconductor substrate W by the rotation of the semiconductor substrate W, and a photoresist film is formed on the semiconductor substrate W (S170).

따라서, 상기 포토레지스트(60)의 점도가 변경되더라도 상기 포토레지스트(60)의 점도에 따라 상기 회전부(20)의 회전 속도를 제어함으로써 상기 반도체 기판(W) 마다 균일한 포토레지스트막을 형성할 수 있다.Accordingly, even if the viscosity of the photoresist 60 is changed, a uniform photoresist film may be formed for each of the semiconductor substrates W by controlling the rotational speed of the rotating part 20 according to the viscosity of the photoresist 60. .

상술한 포토레지스트막 형성 장치에 따르면, 상기 반도체 기판 상에 상기 포토레지스트를 분사하기 위한 분사 노즐에는 상기 포토레지스트의 점도를 측정하기 위한 점도 측정부가 설치된다. 상기 점도 측정부는 상기 포토레지스트의 점도를 측정하고, 측정된 점도값을 상기 중앙 처리부로 전송한다. 상기 점도값을 수신한 상기 중앙 처리부는 상기 점도값에 적당한 회전부의 회전 속도를 제어한다.According to the photoresist film forming apparatus described above, a viscosity measuring unit for measuring the viscosity of the photoresist is provided in the spray nozzle for injecting the photoresist on the semiconductor substrate. The viscosity measuring unit measures the viscosity of the photoresist, and transmits the measured viscosity value to the central processing unit. The central processing unit receiving the viscosity value controls the rotational speed of the rotating unit suitable for the viscosity value.

그러므로, 상기 포토레지스트의 점도가 변경되더라도 반도체 기판마다 균일한 포토레지스트막을 형성할 수 있다.Therefore, even if the viscosity of the photoresist is changed, it is possible to form a uniform photoresist film for each semiconductor substrate.

실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described with reference to the examples, those skilled in the art can understand that the present invention can be variously modified and changed without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. There will be.

Claims

Gripping means for gripping the substrate;

Rotation means connected with the gripping means, for rotating the gripping means;

Spraying means for spraying a photoresist for forming a photoresist film on the substrate;

Viscosity measuring means mounted on the jetting means and for measuring the viscosity of the photoresist; And

And a central processing unit connected to the viscosity measuring unit and controlling the rotational speed of the rotating unit in accordance with the viscosity value of the photoresist measured by the viscosity measuring unit.

The photoresist film forming apparatus according to claim 1, wherein the viscosity measuring means measures the viscosity based on a time when a certain amount of the photoresist flows out through the viscosity measuring means.

The method of claim 1, wherein the viscosity measuring means is installed on a path through which the photoresist is injected, and includes a rotational speed measuring unit that rotates by the injection of the photoresist, the rotational speed measurement when the photoresist is injected A photoresist film forming apparatus, characterized in that the viscosity of the photoresist is measured by the speed of rotation.

The method of claim 1, wherein the central processing means to adjust the rotational speed of the rotating means quickly if the viscosity value of the photoresist is higher than the threshold value, the rotation of the rotating means if the viscosity value of the photoresist is lower than the threshold A photoresist film forming apparatus, wherein the speed is adjusted slowly.

The photoresist film forming apparatus according to claim 1, further comprising a monitor unit connected to the viscosity measuring unit and configured to display in real time the viscosity of the photoresist measured by the viscosity measuring unit.