KR20030033686A - A bake apparatus and semiconductor fabrication method using this - Google Patents

A bake apparatus and semiconductor fabrication method using this Download PDF

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Abstract

PURPOSE: A bake apparatus and a wafer manufacturing method using the same is provided to minimize the duration of temperature instability by using two control mode of a controller. CONSTITUTION: A wafer(130) is loaded on a heat plate(120) for baking the wafer(130). The heat plate(120) is enclosed by an oven cover(110) for reducing thermal loss. A plurality of support pins(140) are installed on the heat plate(120) for loading or unloading the wafer(130) from the heat plate(120). A temperature detecting part(150) is installed in the heat plate(120) for sensing the temperature of the heat plate(120). A controller(170) is located at the outer portion of the heat plate(120) for supplying power to the heat plate(120) and controlling the temperature of the heat plate(120). At this time, the controller(170) is provided with the first control mode(172) for heating the heat plate(120) to the established temperature of a baking process and for remaining the established temperature, and the second control mode(174) for heating the heat plate(120) to the rising temperature.

Description

베이크 장치 및 이를 사용한 웨이퍼 제조 방법{A BAKE APPARATUS AND SEMICONDUCTOR FABRICATION METHOD USING THIS}Bake Apparatus and Wafer Manufacturing Method Using The Same {A BAKE APPARATUS AND SEMICONDUCTOR FABRICATION METHOD USING THIS}

본 발명은 베이크 장치와 그에 따른 웨이퍼 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a baking apparatus and a wafer manufacturing method accordingly.

일반적으로, 포토 공정에서 사용중인 스피너 설비에서 웨이퍼 상에 보호막을 형성하는 공정으로서 포토레지스트(photo resist)를 도포하고 있다. 따라서, 웨이퍼 상에 포토레지스트를 도포한 후 베이크 장치내에 웨이퍼를 넣고 기설정된 온도로 가열하여 도포된 포토레지스트를 경화시킴으로써 보호막을 형성한다.Generally, photoresist is applied as a process of forming a protective film on a wafer in the spinner installation used in the photo process. Therefore, after applying the photoresist on the wafer, the wafer is placed in a baking apparatus and heated to a predetermined temperature to cure the applied photoresist to form a protective film.

도 1은 종래의 베이크 장치를 나타낸 도면이다. 도 1을 참조하면, 베이크 장치(10)는 오븐 커버(20), 가열 플레이트(30), 지지핀(50)들, 온도 감지부(70) 그리고 컨트롤러(80)로 구성된다.1 is a view showing a conventional baking apparatus. Referring to FIG. 1, the baking apparatus 10 includes an oven cover 20, a heating plate 30, support pins 50, a temperature sensing unit 70, and a controller 80.

먼저, 웨이퍼(40)가 공정 챔버 내의 지지핀(50)들 상에 로딩되고 오븐 커버(20)가 닫힌다. 상기 지지핀(50)들이 하강하면서 상기 웨이퍼(40)는 상기 가열 플레이트(30) 상에 놓여진다. 가열 플레이트(30) 내부에는 열을 발생시키는 열선(60)과 상기 가열 플레이트(30)의 온도를 감지하는 센서(sensor)인 온도 감지부가 설치되어 있다. 베이킹 공정을 위한 가열 플레이트(30)의 목표온도 유지는 상기 컨트롤러(80)에 의해 제어된다. 또한, 상기 온도 감지부(70)는 컨트롤러(80)가가열 플레이트(30)의 온도를 제어할 수 있도록 가열 플레이트(30)의 온도를 제공하여준다.First, the wafer 40 is loaded onto the support pins 50 in the process chamber and the oven cover 20 is closed. As the support pins 50 descend, the wafer 40 is placed on the heating plate 30. The heating plate 30 is provided with a heating wire 60 for generating heat and a temperature sensing unit which is a sensor for sensing the temperature of the heating plate 30. The maintenance of the target temperature of the heating plate 30 for the baking process is controlled by the controller 80. In addition, the temperature sensing unit 70 provides the temperature of the heating plate 30 so that the controller 80 can control the temperature of the heating plate 30.

도 2는 종래의 베이크 공정 동안 가열 플레이트의 온도를 나타낸 차트이다.2 is a chart showing the temperature of a heating plate during a conventional bake process.

도 2를 참조하면, 베이크 장치의 가열 플레이트는 상기 컨트롤러의 비례,적분,미분(PID) 제어에 의해 베이크 공정을 위한 목도온도로 상승 및 유지된다(구간 Ⅰ,Ⅱ). 이때, 지지핀들 상에 놓여진 웨이퍼가 가열 플레이트 상에 놓여지면 온도 변화가 발생한다. 웨이퍼는 약 23℃이고 가열 플레이트는 목적온도로 유지된 약 150℃이기 때문에 열 교환에 의해 가열 플레이트의 온도가 하강한다. 그리고 컨트롤러에 의해 가열 플레이트가 목표온도로 가열 되기때문에 시간이 지나면서 다시 목표온도에 도달한다(구간 Ⅲ). 가열 플레이트가 목표온도에 도달하면 정해진 베이킹 공정 시간에 맞춰서 공정이 이루어진다(구간 Ⅳ,Ⅴ).Referring to Figure 2, the heating plate of the baking apparatus is raised and maintained at the neck temperature for the baking process by the proportional, integral, and derivative (PID) control of the controller (sections I and II). At this time, a temperature change occurs when the wafer placed on the support pins is placed on the heating plate. The temperature of the heating plate is lowered by heat exchange since the wafer is about 23 ° C and the heating plate is about 150 ° C maintained at the desired temperature. Since the heating plate is heated to the target temperature by the controller, the target temperature is again reached over time (section III). When the heating plate reaches the target temperature, the process is performed according to the determined baking process time (sections IV and V).

상기 베이킹 공정에서 지지핀들 상의 웨이퍼가 가열 플레이트에 놓여서 발생하는 온도 불안정 구간(a)은 크게 온도가 낮은 웨이퍼로 인하여 가열 플레이트의 온도가 하강하는 구간(b)과 컨트롤러에 의해 목표 온도로 온도 제어가 이루어지는 구간(c)으로 구분된다. 그리고, 상기 구간(c)는 컨트롤러의 비례,적분,미분(PID) 제어에 의해 가열 플레이트의 온도가 목표온도에 접근하면서 발생하는 온도 불안정 구간(d)를 포함한다. 이와 같은 온도 불안정 구간(a)이 정상적인 목표 온도에 도달하기 위해서는 20~40초의 시간이 소요된다.In the baking process, the temperature unstable section (a) generated by placing the wafer on the support pins on the heating plate is a section (b) in which the temperature of the heating plate drops due to the wafer having a low temperature, and the temperature control is controlled by the controller. Divided into sections (c). In addition, the section (c) includes a temperature instability section (d) generated when the temperature of the heating plate approaches the target temperature by the control of the proportional, integral, and derivative (PID) of the controller. It takes 20 to 40 seconds for the temperature instability section (a) to reach the normal target temperature.

상기한 종래의 베이크 장치에 의한 웨이퍼 제조 방법은 웨이퍼가 상기 가열 플레이트에 놓여져서 발생하는 온도 불안정 구간을 목표 온도로 안정화 시키는데소요되는 시간이 길어서 생산성이 저하되고, 품질이 저하되는 문제점이 있었다.The conventional method for manufacturing a wafer by the baking apparatus has a problem that productivity is lowered and quality is deteriorated due to a long time required for stabilizing a temperature instability section generated by placing a wafer on the heating plate to a target temperature.

본 발명의 목적은 온도 불안정 구간을 최소화할 수 있는 베이크 장치와 웨이퍼 제조 방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention to provide a baking apparatus and a wafer manufacturing method that can minimize the temperature instability interval.

도 1은 종래의 베이크 장치를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a conventional baking apparatus.

도 2는 종래의 베이크 공정 동안 가열 플레이트의 온도를 나타낸 차트이다.2 is a chart showing the temperature of a heating plate during a conventional bake process.

도 3은 본 발명의 베이크 장치를 나타낸 도면이다.3 is a view showing a baking apparatus of the present invention.

도 4는 본 발명의 베이크 공정 동안 가열 플레이트의 온도를 나타낸 차트이다.4 is a chart showing the temperature of a heating plate during the baking process of the present invention.

도 5는 본 발명의 베이크장치에 의한 웨이퍼 제조 공정을 나타낸 플로우 차트이다.5 is a flowchart illustrating a wafer manufacturing process using the baking apparatus of the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

10,100 : 베이크 장치10,100: Bake Device

20,110 : 오븐 커버(oven cover)20,110: oven cover

30,120 : 가열 플레이트(heating plate)30,120: heating plate

40,130 : 웨이퍼(wafer)40,130: wafer

50,140 : 지지핀50,140: Support Pin

60,150 : 열선60,150: heating wire

70,160 : 온도 감지부70,160: temperature sensing unit

80,170 : 컨트롤러(controller)80,170 controller

172 : 제 1제어 모드172: first control mode

174 : 제 2제어 모드174: second control mode

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 베이크 장치에 의한 웨이퍼 제조 방법은 가열 플레이트의 온도를 목표 온도까지 상승 및 유지하는 단계, 공정 챔버 내의 지지핀들에 상기 웨이퍼를 로딩하는 단계, 가열 플레이트에 전력을 과잉 공급하여 가열 플레이트의 온도를 상승온도까지 가열하는 단계, 가열 플레이트의 온도가 상승온도까지 도달하였을 시 전력 공급을 중단하고 가열 플레이트를 자연 냉각 시키는 단계, 상기 자연 냉각 단계와 동시에 지지핀들이 하강하는 단계, 그리고 상기 가열 플레이트의 온도가 목표온도 까지 떨어졌을 때, 상기 가열 플레이트의 온도를 목표 온도로 유지하기 위하여 가열 플레이트에 전력을 재 공급하고, 베이킹 공정을 수행하는 단계를 포함한다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, a method of manufacturing a wafer by the baking apparatus comprises the steps of raising and maintaining the temperature of the heating plate to the target temperature, loading the wafer on the support pins in the process chamber, heating Heating the temperature of the heating plate to an elevated temperature by excessively supplying power to the plate; stopping the power supply and naturally cooling the heating plate when the temperature of the heating plate reaches the elevated temperature; simultaneously supporting the natural cooling step The fins are lowered, and when the temperature of the heating plate drops to a target temperature, re-powering the heating plate to maintain the temperature of the heating plate at the target temperature and performing a baking process.

이와 같은 본 발명에서, 상기 상승온도의 최고 상승치 범위는 상기 목표온도에서 1.5 ~ 5.5℃ 높게 설정된다.In the present invention as described above, the maximum rise value range of the rise temperature is set to 1.5 ~ 5.5 ℃ high at the target temperature.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 베이크 장치는 베이킹 하기 위한 웨이퍼가 놓여지는 가열 플레이트, 상기 가열 플레이트를 덮어 씌우고, 열 손실을 줄이기 위한 오븐 커버, 상기 가열 플레이트에 설치되고, 상기 가열 플레이트로부터 웨이퍼를 로딩/언로딩하기 위한 지지핀들, 상기 가열 플레이트의 온도를 감지하는 온도감지부 및 상기 가열 플레이트를 가열하기 위한 전력을 공급하여 주고, 가열 플레이트의 온도를 제어하여 주는 컨트롤러를 구비한다. 또한, 상기 컨트롤러는 상기 가열 플레이트를 베이킹을 위한 목표온도로 가열하고, 유지하기 위한 제 1제어 모드와 상기 가열 플레이트를 상승온도 까지 가열하기 위한 제 2제어 모드로 구성된다.According to another feature of the present invention, a baking apparatus is provided on a heating plate on which a wafer for baking is placed, an oven cover for covering the heating plate, and reducing heat loss, installed on the heating plate, and loading the wafer from the heating plate. Support pins for unloading, a temperature sensing unit for sensing the temperature of the heating plate and a controller for supplying power for heating the heating plate, and controls the temperature of the heating plate. In addition, the controller is configured of a first control mode for heating and maintaining the heating plate to a target temperature for baking and a second control mode for heating the heating plate to an elevated temperature.

이와 같은 본 발명에서, 상기 제 1제어 모드는 비례,적분,미분(PID) 온도 제어이고, 상기 제 2제어 모드는 상기 상승온도를 기준으로 전력을 공급 및 중단하는 온/오프(on/off) 온도 제어이다.In the present invention, the first control mode is proportional, integral, differential (PID) temperature control, the second control mode is on / off (on / off) to supply and stop the power based on the rising temperature Temperature control.

이와 같은 본 발명에서, 상기 상승온도의 최고 상승치 범위는 상기 목표온도에서 1.5 ~ 5.5℃ 높게 설정된다.In the present invention as described above, the maximum rise value range of the rise temperature is set to 1.5 ~ 5.5 ℃ high at the target temperature.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 3 내지 도 5에 의거하여 상세히 설명한다. 또한, 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조번호를 병기한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 5. In addition, the same reference numerals are denoted together for components that perform the same function.

도 3은 본 발명의 베이크 장치를 나타낸 도면이다.3 is a view showing a baking apparatus of the present invention.

도 3을 참조하면, 베이크 장치(100)는 오븐 커버(110), 가열 플레이트(120), 지지핀(140)들, 온도 감지부(160) 및 컨트롤러(170)로 구성된다.Referring to FIG. 3, the baking apparatus 100 includes an oven cover 110, a heating plate 120, support pins 140, a temperature sensing unit 160, and a controller 170.

웨이퍼(130)가 공정 챔버 내의 상기 지지핀(140)들 상에 로딩되고 상기 오븐 커버(110)가 닫힌다. 상기 지지핀(140)들이 하강하면서 상기 웨이퍼(130)는 상기 가열 플레이트(120) 상에 놓여진다. 가열 플레이트(120) 내부에는 열을 발생시키는 열선(150)과 상기 가열 플레이트(120)의 온도를 감지하는 센서(sensor)인 온도 감지부(160)가 설치된다. 상기 온도 감지부(160)는 가열 플레이트(120)의 온도를 감지하여 상기 컨트롤러(170)에 전달하며, 이를 바탕으로 컨트롤러(170)는 가열 플레이트(120) 내부에 설치된 열선(150)에 전력을 공급하여 가열 플레이트(120)의 온도를 제어한다. 상기 컨트롤러(170)는 가열 플레이트(120)의 온도를 목표온도로 유지하기 위하여 전력을 공급하는 제 1제어 모드(172)와 가열 플레이트(120)의 온도를 상승온도로 가열하기 위한 전력을 공급하는 제 2제어 모드(174)로 구분된다.Wafer 130 is loaded onto the support pins 140 in the process chamber and the oven cover 110 is closed. As the support pins 140 descend, the wafer 130 is placed on the heating plate 120. The heating wire 120 is provided with a heating wire 150 for generating heat and a temperature sensing unit 160 that is a sensor for sensing the temperature of the heating plate 120. The temperature sensing unit 160 senses a temperature of the heating plate 120 and transmits it to the controller 170. Based on this, the controller 170 supplies power to the heating wire 150 installed inside the heating plate 120. Supply to control the temperature of the heating plate 120. The controller 170 supplies a first control mode 172 for supplying power to maintain the temperature of the heating plate 120 at a target temperature and power for heating the temperature of the heating plate 120 to an elevated temperature. It is divided into a second control mode 174.

제 1제어 모드(172)에 의해 가열 플레이트(120)가 목표온도로 유지되고 있는 상태에서 상기 웨이퍼(130)가 상기 지지핀(140)들 상에 놓여지면 상기 제 1제어 모드(172)에 의한 전력 공급은 중단되고 상기 제 2제어 모드(174)에 의한 전력 공급으로 가열 플레이트(120)는 상승온도까지 가열된다. 그런 다음 지지핀(140)들이 하강하여 웨이퍼(130)가 가열 플레이트(120) 상에 놓여지면 온도가 낮은 웨이퍼(130)에 의해 가열 플레이트(120)는 자연 냉각되어서 목표온도에 근접한다. 이때부터 상기 제 1제어 모드(172)는 베이킹 공정을 위한 목표온도를 유지하기 위하여 가열 플레이트(120) 내부에 설치된 열선(150)에 전력을 재 공급한다.When the wafer 130 is placed on the support pins 140 while the heating plate 120 is maintained at the target temperature by the first control mode 172, the first control mode 172 The power supply is stopped and the heating plate 120 is heated to an elevated temperature by the power supply by the second control mode 174. Then, when the support pins 140 are lowered and the wafer 130 is placed on the heating plate 120, the heating plate 120 is naturally cooled by the low temperature wafer 130 to approach the target temperature. At this time, the first control mode 172 supplies power to the heating wire 150 installed inside the heating plate 120 to maintain the target temperature for the baking process.

도 4는 본 발명의 베이크 공정 동안 가열 플레이트의 온도를 나타낸 차트이다.4 is a chart showing the temperature of a heating plate during the baking process of the present invention.

도 3 내지 도 4를 참조하면, 가열 플레이트(120)는 제 1제어 모드(172)인 비례,적분,미분(PID) 온도 제어에 의해 베이킹 공정을 위한 목표온도로 유지된다. 가공을 위한 웨이퍼(130)가 공정 챔버 내로 반입되기 위하여 오븐 커버(110)가 열려지면서 공정 챔버 내의 가열 플레이트(120)의 온도는 하강한다(구간 Ⅰ'). 그리고가열 플레이트(120)의 온도는 웨이퍼(130)가 지지핀(140)들 상에 놓여지고 오븐 커버(110)가 닫히면서 서서히 상승하여 목표온도에 근접한다(구간 Ⅱ'). 상기 가열 플레이트(120)는 온도 불안정 구간(a')을 거쳐 목표온도에 다다르고(구간 Ⅲ'), 이때부터 베이킹 공정이 수행된다(구간 Ⅳ', Ⅴ').3 to 4, the heating plate 120 is maintained at a target temperature for the baking process by proportional, integral, and derivative (PID) temperature control, which is the first control mode 172. The temperature of the heating plate 120 in the process chamber is lowered (section I ') as the oven cover 110 is opened to bring the wafer 130 for processing into the process chamber. The temperature of the heating plate 120 rises gradually as the wafer 130 is placed on the support pins 140 and the oven cover 110 is closed to approach the target temperature (section II ′). The heating plate 120 reaches the target temperature through the temperature unstable section (a ') (section III'), and a baking process is performed therefrom (sections IV 'and V').

상기 공정 중에서, 온도 불안정 구간(e)은 크게 제 1제어 모드(172)에 의한 전력 공급이 중단되고, 웨이퍼(130)가 지지핀(140)들 상에 놓여진 상태에서 상기 제 2제어 모드(174)에 의해 상승온도까지 가열 플레이트(120)를 가열하는 구간(f)과 가열 플레이트(120)가 상승온도에 도달 시 지지핀(140)들이 하강되고, 웨이퍼(130)가 가열 플레이트(120) 상에 놓여지면서 자연 냉각이 이루어지는 구간(g)으로 구분된다. 그리고, 상기 자연 냉각이 이루어지는 구간(g)은 온도 불안정 구간(h)을 포함한다. 상기 구간(h)은 가열 플레이트의 온도가 목표온도에 접근하면서 가열 플레이트의 온도를 목표온도로 제어하기 위하여 제 1제어 모드(172)에 의한 전력이 재 공급되면서 발생하는 온도 불안정 구간이다.In the process, the temperature instability section (e) is largely interrupted from the power supply by the first control mode 172, the second control mode 174 with the wafer 130 is placed on the support pins (140) The support pins 140 are lowered when the section f for heating the heating plate 120 to the rising temperature and the heating plate 120 reaches the rising temperature by the heating plate 120, and the wafer 130 is on the heating plate 120. It is divided into a section (g) in which the natural cooling takes place. In addition, the section g in which the natural cooling is performed includes a temperature instability section h. The section h is a temperature instability section that occurs while the power of the first control mode 172 is supplied again to control the temperature of the heating plate to the target temperature while the temperature of the heating plate approaches the target temperature.

상기 가열 플레이트(120)의 상승온도의 범위는 목표온도 보다 1.5 ~ 5.5℃ 높은 151.5 ~ 155.5℃ 이다. 상승온도까지 컨트롤러(170)의 제 2제어 모드(174)에 의한 전력 공급으로 가열 플레이트(120)는 가열 되고, 가열 플레이트(120)가 상승온도에 도달하면 전력 공급은 중단된다. 그리고, 지지핀(140)들이 하강하면서 온도가 낮은 웨이퍼가 가열 플레이트(120) 상에 놓인다. 따라서, 웨이퍼(130)와 가열 플레이트(120)의 열 교환에 의해 가열 플레이트(120)는 자연 냉각된다. 상기 가열 플레이트가 자연 냉각되어서 목표온도에 도달하면 목표온도 유지를 위하여 컨트롤러(170)의 제 1제어 모드(172)에 의한 전력 공급이 다시 이루어진다.The range of the rising temperature of the heating plate 120 is 151.5 ~ 155.5 ℃ higher 1.5 ~ 5.5 ℃ higher than the target temperature. The heating plate 120 is heated by the power supply by the second control mode 174 of the controller 170 to the rising temperature, and the power supply is stopped when the heating plate 120 reaches the rising temperature. Then, as the support pins 140 descend, a low temperature wafer is placed on the heating plate 120. Therefore, the heating plate 120 is naturally cooled by heat exchange between the wafer 130 and the heating plate 120. When the heating plate is naturally cooled to reach the target temperature, power is supplied again by the first control mode 172 of the controller 170 to maintain the target temperature.

상기한 본 발명의 베이크 장치에 의한 웨이퍼 제조 방법에 의하면, 자연 냉각 후 상기 목표온도와 근접한 온도에서 온도 제어가 시작됨으로써, 빨리 상기 목표온도에 도달할 수 있다. 따라서, 목표온도로 제어하는데 소요되는 온도 불안정 구간(h)이 종래의 온도 불안정 구간(d)보다 훨씬 단축된다. 또한, 공정 전체에 걸친 온도 불안정 구간(e)을 종래의 온도 불안정 구간(a)보다 단축하여 온도 불안정 시간을 약 10 ~ 20초 단축할 수 있다.According to the wafer manufacturing method using the baking apparatus of the present invention described above, the temperature control is started at a temperature close to the target temperature after natural cooling, whereby the target temperature can be quickly reached. Therefore, the temperature instability section h required to control to the target temperature is much shorter than the conventional temperature instability section d. In addition, the temperature instability section (e) throughout the process can be shortened than the conventional temperature instability section (a) it can be reduced by about 10 to 20 seconds.

도 5는 본 발명의 베이크 제조 공정을 나타낸 플로우 차트이다.5 is a flow chart showing a bake manufacturing process of the present invention.

도 5를 참조하면, 가공을 위한 웨이퍼가 공정 챔버 내로 반입되기 전에 베이크 장치의 가열 플레이트는 컨트롤러의 제 1제어 모드에 의해 목표온도로 유지된다(s100). 가공을 위한 웨이퍼가 지지핀들 상에 로딩되고, 커버가 닫힌다(s200). 그런 다음 상기 컨트롤러의 제 1제어 모드에 의한 전력 공급은 중단되고 컨트롤러의 제 2제어 모드에 의한 전력 공급으로 상기 가열 플레이트는 상승온도까지 가열된다(s300). 가열 플레이트가 상승온도까지 가열되면 제 2제어 모드에 의한 전력 공급은 중단되고(s400), 지지핀들이 하강하면서 웨이퍼가 가열 플레이트 상에 놓인다(s500). 상기 가열 플레이트 상에 놓여진 웨이퍼는 가열 플레이트에 비해 현저히 온도가 낮으므로 서로간의 열 교환이 발생하여 가열 플레이트는 자연 냉각이 된다(s600). 상기 가열 플레이트가 자연 냉각되어 목표온도에 다달으면 컨트롤러의 제 1제어 모드는 다시 가열 플레이트에 전력을 공급하여 가열 플레이트가 목표온도를 유지하도록 한다(s700). 이어서 정해진 공정 시간에 맞춰서 베이킹공정이 이루어진다(s800).Referring to FIG. 5, the heating plate of the baking apparatus is maintained at the target temperature by the first control mode of the controller before the wafer for processing is brought into the process chamber (S100). The wafer for processing is loaded on the support pins and the cover is closed (s200). Then, the power supply by the first control mode of the controller is stopped and the heating plate is heated to an elevated temperature by the power supply by the second control mode of the controller (S300). When the heating plate is heated to an elevated temperature, the power supply by the second control mode is stopped (s400), and the wafer is placed on the heating plate while the support pins are lowered (s500). Since the wafer placed on the heating plate is significantly lower in temperature than the heating plate, heat exchange occurs with each other, and the heating plate is naturally cooled (s600). When the heating plate is naturally cooled to reach the target temperature, the first control mode of the controller supplies power to the heating plate again so that the heating plate maintains the target temperature (s700). Subsequently, a baking process is performed according to a predetermined process time (s800).

본 발명의 범위 및 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 상기 본 발명의 장치 및 방법에 대한 다양한 변형 및 변화가 가능하다는 것은 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명하다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made to the apparatus and method of the present invention without departing from the scope and spirit of the invention.

이와 같은 본 발명에 의하면, 웨이퍼가 가열 플레이트에 놓여지기 전에 가열 플레이트를 상승온도까지 가열하는 제어 모드를 통하여 온도 불안정 구간을 최소화함으로써, 웨이퍼 제조에 소요되는 전체 가공 시간을 단축하여 생산성을 향상할 수 있으며, 웨이퍼 가공 품질의 향상을 도모할 수 있다.According to the present invention, by minimizing the temperature instability through the control mode of heating the heating plate to the elevated temperature before the wafer is placed on the heating plate, it is possible to improve the productivity by reducing the overall processing time required for wafer manufacturing It is possible to improve the wafer processing quality.

Claims (6)

베이크 장치에 의한 웨이퍼의 가공 방법에 있어서:In the wafer processing method by the baking apparatus: 가열 플레이트의 온도를 목표온도까지 상승 및 유지하는 단계;Raising and maintaining the temperature of the heating plate to a target temperature; 공정 챔버 내의 지지핀들에 상기 웨이퍼를 로딩하는 단계;Loading the wafer on support pins in a process chamber; 가열 플레이트에 전력을 과잉 공급하여 가열 플레이트의 온도를 상승온도까지 가열하는 단계;Supplying excessive power to the heating plate to heat the temperature of the heating plate to an elevated temperature; 가열 플레이트의 온도가 상승온도까지 도달하였을 시 전력 공급을 중단하고 가열 플레이트를 자연 냉각 시키는 단계;Stopping the power supply and naturally cooling the heating plate when the temperature of the heating plate reaches an elevated temperature; 상기 자연 냉각 단계와 동시에 지지핀들이 하강하는 단계; 및The support pins descend simultaneously with the natural cooling step; And 상기 가열 플레이트의 온도가 목표온도 까지 떨어졌을 때, 상기 가열 플레이트의 온도를 목표온도로 유지하기 위하여 가열 플레이트에 전력을 재 공급하고, 베이킹 공정을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 베이크 장치에 의한 웨이퍼의 가공 방법.When the temperature of the heating plate has dropped to a target temperature, re-powering the heating plate to maintain the temperature of the heating plate at the target temperature, and performing a baking process. Wafer processing method. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상승 온도의 최고 상승치 범위는 상기 목표 온도에서 1.5 ~ 5.5℃ 높게 설정되는 것을 특징으로 하는 베이크 장치에 의한 웨이퍼의 가공 방법.The maximum rising value range of the said rising temperature is set 1.5 to 5.5 degreeC high at the said target temperature, The wafer processing method by the baking apparatus characterized by the above-mentioned. 웨이퍼를 베이킹하기 위한 장치에 있어서:In an apparatus for baking a wafer: 베이킹 하기 위한 웨이퍼가 놓여지는 가열 플레이트;A heating plate on which a wafer for baking is placed; 상기 가열 플레이트를 덮어 씌우고, 열 손실을 줄이기 위한 오븐 커버;An oven cover to cover the heating plate and reduce heat loss; 상기 가열 플레이트에 설치되고, 상기 가열 플레이트로부터 웨이퍼를 로딩/언로딩하기 위한 지지핀들;Support pins mounted to the heating plate, for loading / unloading a wafer from the heating plate; 상기 가열 플레이트의 온도를 감지하는 온도 감지부; 및A temperature sensing unit sensing a temperature of the heating plate; And 상기 가열 플레이트를 가열하기 위한 전력을 공급하여 주고, 가열 플레이트의 온도를 제어하여주는 컨트롤러를 구비하되;A controller for supplying electric power for heating the heating plate and controlling a temperature of the heating plate; 상기 컨트롤러는 상기 가열 플레이트를 베이킹을 위한 목표온도로 가열하고, 유지하기 위한 제 1제어 모드와 상기 가열 플레이트를 상승온도까지 가열하기 위한 제 2제어 모드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.And the controller comprises a first control mode for heating and maintaining the heating plate at a target temperature for baking and a second control mode for heating the heating plate to an elevated temperature. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 제 1제어 모드는 비례,적분,미분(PID) 온도 제어인 것을 특징으로 하는 베이크 장치.The first control mode is a baking device, characterized in that proportional, integral, derivative (PID) temperature control. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 제 2 제어 모드는 상기 상승온도를 기준으로 전력을 공급 및 중단하는 온/오프(on/off) 온도 제어인 것을 특징으로 하는 베이크 장치.The second control mode is a baking device, characterized in that the on / off (on / off) temperature control to supply and stop the power based on the rising temperature. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 상승온도의 최고 상승치 온도는 상기 목표 온도에서 1.5 ~ 5.5℃ 높게 설정되는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.Bake apparatus, characterized in that the highest rising temperature of the rising temperature is set to 1.5 ~ 5.5 ℃ high from the target temperature.
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