KR20030024256A - Manufacturing method for polymer positive temperature coefficient thermistor - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A polymer positive temperature coefficient thermistor making method is provided to be capable of increasing a bridging degree by forming an electrode after a bridging process. CONSTITUTION: An electronic ray of light is irradiated on a conductive micromolecular polymer(1) of a sheet shape. The conductive micromolecular polymer is thermally stabilized by performing a heat process for the bridged conductive micromolecular polymer. A pre-process is performed such that it is easy to plate a surface of the conductive micromolecular polymer. A copper is plated on a surface of the conductive micromolecular polymer so that an electroless copper plating layer(4) is formed. An electrolytic copper plating layer(5) is formed on the electroless copper plating layer. An electrode is formed on upper and lower surfaces of the conductive micromolecular polymer by forming a nickel plating layer(6) on the copper plating layer(5). A wire(3) is attached to the nickel plating layer(6).

Description

중합체 양성온도계수 써미스터 제조방법{MANUFACTURING METHOD FOR POLYMER POSITIVE TEMPERATURE COEFFICIENT THERMISTOR}MANUFACTURING METHOD FOR POLYMER POSITIVE TEMPERATURE COEFFICIENT THERMISTOR}

본 발명은 중합체 양성온도계수 써미스터 제조방법에 관한 것으로, 특히 전극의 형성이전에 도전성 고분자 중합체를 가교하여 가교도를 향상시킬 수 있는 중합체 양성온도계수 써미스터 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a polymer positive temperature coefficient thermistor, and more particularly, to a method for producing a polymer positive temperature coefficient thermistor capable of improving the degree of crosslinking by crosslinking a conductive polymer before formation of an electrode.

일반적으로 과전류 보호소자로 사용하는 중합체 양성온도계수 써미스터(Polymer PTC thermistor, Polymer Positive Temperature Coefficent Thermistor)는 양성온도계수 전도성 물질의 고유저항이 물질의 온도가 특정범위이상으로 증가하면 급격하게 증가하는 성질을 이용하는 것으로, 과전류가 흐르게 되면 그 저항값이 무한히 커져 과전류를 차단하여 회로를 보호하는 목적으로 사용하고 있다. 이와 같은 중합체 양성온도계수 써미스터는 중합체와 도전성 충전제을 혼련하여 도전성 고분자 중합체를 형성한 후, 이를 시트(SHEET) 형상으로 만들고, 그 시트 형의 도전성 고분자 중합체의 상하면에 전극을 형성한 다음, 상기 도전성 고분자 중합체의 결합구조를 변경하는 가교공정을 수행하였으며, 이와 같은 종래 중합체 양성온도계수 써미스터 제조방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.In general, polymer PTC thermistor (Polymer PTC thermistor) used as an overcurrent protection device has the property that the resistivity of the positive temperature coefficient conductive material increases rapidly when the temperature of the material increases above a certain range. In this case, when the overcurrent flows, the resistance value is infinitely large, and the overcurrent is cut off to protect the circuit. Such a polymer positive temperature coefficient thermistor is a mixture of a polymer and a conductive filler to form a conductive polymer polymer, to form a sheet (SHEET), and to form an electrode on the upper and lower surfaces of the sheet-shaped conductive polymer polymer, the conductive polymer A crosslinking process for changing the bonding structure of the polymer was performed, and the conventional polymer positive temperature coefficient thermistor was described in detail with reference to the accompanying drawings.

도1a 내지 도1d는 종래 중합체 양성온도계수 써미스터의 제조공정 수순단면도로서, 이에 도시한 바와 같이 도전성 고분자 중합체(1) 층을 압출기를 사용하여 시트(SHEET) 형으로 가공하는 단계(도1a)와; 상기 시트 형의 도전성 고분자중합체(1)의 상하면에 금속을 열압착하여 전극(2)을 형성하는 단계(도1b)와; 상기 시료에 전자선을 조사하여 상기 도전성 고분자 중합체(1)내의 고분자사슬을 가교하는 단계(도1c)와; 상기 전극(2)에 배선(3)을 접착(SOLDERING) 시키는 단계(도1d)로 구성된다.Figure 1a to 1d is a process cross-sectional view of the manufacturing process of the conventional polymer positive temperature coefficient thermistor, as shown in the step of processing the conductive polymer (1) layer into a sheet (SHEET) type using an extruder (Fig. 1a) and ; Forming an electrode (2) by thermocompression bonding metal on the upper and lower surfaces of the sheet-like conductive polymer (1) (FIG. 1B); Irradiating the sample with an electron beam to crosslink the polymer chain in the conductive polymer (1) (FIG. 1C); SOLDERING the wiring 3 to the electrode 2 (FIG. 1D).

이하, 상기와 같은 종래 중합체 양성온도계수 써미스터 제조방법을 좀 더 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a conventional polymer positive temperature coefficient thermistor as described above will be described in more detail.

먼저, 도1a에 도시한 바와 같이 고분자와 전도성 충전제 및 기타 첨가제를 균일하게 1차 혼련하고, 압출기를 사용하여 상기 혼련된 물질을 시트 형으로 가공하여 도전성 고분자 중합체(1) 층을 형성한다.First, as shown in FIG. 1A, the polymer and the conductive filler and other additives are uniformly first kneaded, and the kneaded material is processed into a sheet using an extruder to form a conductive polymer polymer (1) layer.

그 다음, 도1b에 도시한 바와 같이 상기 도전성 고분자 중합체(1) 층의 상하면에 금속을 열압착하여 전극(2)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 1B, a metal is thermocompressed on the upper and lower surfaces of the conductive polymer polymer 1 layer to form an electrode 2.

그 다음, 도1c에 도시한 바와 같이 상기 구조의 시료에 전자선을 조사한다.Then, as shown in Fig. 1C, an electron beam is irradiated to the sample having the above structure.

이와 같이 고에너지의 전자선을 조사함으로써, 도전성 고분자 중합체(1)를 3차원 적인 구조로 가교한다.By irradiating a high energy electron beam in this way, the conductive polymer 1 is crosslinked in a three-dimensional structure.

상기 가교공정을 실시하는 이유는 중합체 양성온도계수 써미스터의 동작은 온도가 상승함에 따라 그 도전성 고분자 중합체(1)가 열팽창되며, 이에 의해 첨가된 전도성 충전제의 콘덕티브 패스(CONDUCTIVE PATH)가 끊어지고, 저항이 증가하여 전류를 차단시키는 것이나, 상기 도전성 고분자 중합체(1)가 용융점 이상의 온도로 장시간 있으면, 전도성 충전제가 재배열되어 콘덕티브 패스를 다시 형성하게 되어 전류를 차단시킬 수 없게 되는 것을 방지하기 위한 것으로, 상기 도전성 고분자 중합체(1) 층이 3차원의 배열구조를 가지도록 재배열 함으로써 상기의 문제점을 해결할 수 있게 된다.The reason for carrying out the crosslinking process is that the conduction of the polymer positive temperature coefficient thermistor causes the conductive polymer 1 to thermally expand as the temperature rises, whereby the conductive path of the added conductive filler is broken, In order to prevent the current from increasing due to resistance, or if the conductive polymer 1 is kept at a temperature above the melting point for a long time, the conductive filler is rearranged to form a conductive path again, thereby preventing the current from being blocked. By the rearrangement so that the conductive polymer polymer (1) layer has a three-dimensional array structure, the above problems can be solved.

그러나, 상기 전자빔으로 가교하는 공정에서 상기 전극(2)을 이루는 금속의 밀도가 높아 전자빔이 투과되기 어려워 내부의 고분자 가교도가 낮아지게 된다.However, in the step of crosslinking with the electron beam, the density of the metal constituting the electrode 2 is high, which makes it difficult to transmit the electron beam, resulting in low polymer crosslinking degree.

이를 방지하기 위해 상기 가교공정을 전극(2)의 형성 이전에 실시할 수 있으나, 이는 상기 도전성 고분자 중합체(1)가 가교후에는 열가소성에서 열경화성으로 성질이 변하게 되어 열압착 방법으로 전극(2)을 형성할 수 없게 된다.In order to prevent this, the crosslinking process may be performed before the formation of the electrode 2, but the conductive polymer polymer 1 may change its properties from thermoplastic to thermosetting after crosslinking, thereby forming the electrode 2 by a thermocompression method. It cannot be formed.

이에 따라 현재에는 상기 가교도의 저하를 감수하면서도 전극(2)을 형성한 후, 가교공정을 실시하고 있다.As a result, the crosslinking step is performed after forming the electrode 2 while reducing the crosslinking degree.

그 다음, 도1d에 도시한 바와 같이 전극(2)에 배선(3)을 접합시켜 중합체 양성온도계수 써미스터 제조를 완료한다.Then, as shown in FIG. 1D, the wiring 3 is bonded to the electrode 2 to complete the production of the polymer positive temperature coefficient thermistor.

상기와 같이 중합체 양성온도계수 써미스터를 구성하는 도전성 고분자 중합체(1)의 가교공정을 전극(2)의 형성 후에 실시함으로써, 전자선의 조사 효율이 저하되어 가교도가 낮아지게 된다.By performing the crosslinking process of the conductive polymer polymer 1 constituting the polymer positive temperature coefficient thermistor after formation of the electrode 2 as described above, the irradiation efficiency of the electron beam is lowered and the degree of crosslinking is lowered.

상기한 바와 같이 종래 중합체 양성온도계수 써미스터 제조방법은 전극을 형성한 후 도전성 고분자 중합체를 가교시킴으로써, 그 전극의 밀도가 높아 전자선이 투과되기 어려워 고분자의 가교도가 낮아지게 되고, 그 낮은 가교도에 의해 누설전류가 발생하며 이에 따라 반복 사용시 신뢰성이 저하되는 문제점이 있었다.As described above, in the method of preparing a polymer positive temperature coefficient thermistor, the conductive polymer polymer is crosslinked after forming the electrode, so that the electron beam is difficult to penetrate due to the high density of the electrode, so that the crosslinking degree of the polymer is low, and the low crosslinking degree causes leakage. There is a problem in that the current is generated, thereby reducing the reliability when repeated use.

이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 가교공정 후에 전극을 형성하여 가교도를 증가시킬 수 있는 중합체 양성온도계수 써미스터 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a method for producing a polymer positive temperature coefficient thermistor capable of increasing the degree of crosslinking by forming an electrode after the crosslinking process.

도1a 내지 도1d는 종래 중합체 양성온도계수 써미스터 제조공정 수순사시도.1a to 1d is a process perspective view of a conventional polymer positive temperature coefficient thermistor manufacturing process.

도2a 내지 도2g는 본 발명 중합체 양성온도계수 써미스터 제조공정 수순사시도.Figure 2a to Figure 2g is a process perspective view of the polymer positive temperature coefficient thermistor manufacturing process of the present invention.

** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **** Description of symbols for the main parts of the drawing **

1:도전성 고분자 중합체3:배선1: conductive polymer 3: wiring

4:무전해 동도금층5:전해 동도금층4: electroless copper plating layer 5: electrolytic copper plating layer

6:니켈도금층6: Nickel plated layer

상기와 같은 목적은 도전성 고분자 중합체를 시트 형상으로 만드는 도전성 고분자 중합체 형성단계와; 상기 도전성 고분자 중합체에 전자선을 조사하여 그 중합체 내의 결합을 3차원 결합으로 만드는 가교공정단계와; 상기 가교된 도전성 고분자 중합체의 상하부면에 도금법을 사용하여 전극을 형성하는 전극형성단계와; 상기 전극에 배선을 부착하는 배선형성단계로 구성함으로써 달성되는 것으로, 이와 같은 본 발명을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The above object is the conductive polymer polymer forming step of making the conductive polymer polymer into a sheet shape; A crosslinking process step of irradiating the conductive polymer polymer with an electron beam to form a three-dimensional bond in the polymer; An electrode forming step of forming an electrode by using a plating method on upper and lower surfaces of the crosslinked conductive polymer; This is achieved by configuring a wiring forming step of attaching a wire to the electrode, which will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도2a 내지 도2h는 본 발명 중합체 양성온도계수 써미스터 제조공정 수순단면도로서, 이에 도시한 바와 같이 도전성 고분자 중합체(1)를 압출기를 통해 시트(SHEET) 상으로 형성하는 단계(도2a)와; 상기 시트 형상의 도전성 고분자 중합체(1)에 전자선을 조사하여 그 고분자 중합체(1)의 내부결합을 가교시키는 단계(도2b)와; 상기 가교된 도전성 고분자 중합체(1)를 열처리하여 열적 안정화를 이루는 열처리단계(도2c)와; 상기 도전성 고분자 중합체(1)의 표면을 도금이 용이하도록 전처리하고, 상기 도전성 고분자 중합체(1)의 표면에 무전해 도금법을 사용하여 동을 도금하여, 무전해 동도금층(4)을 형성하는 단계(도2d)와; 상기 무전해 동도금층(4)을 시드(SEED)로 하는 전해도금법을 사용하여 전해 동도금층(5)을 형성하는 단계(도2e)와; 상기 동도금층(5)의 상부에 니켈을 도금하여 니켈도금층(6)을 형성하는 단계(도2f)와; 상기 니켈도금층(6)에 배선(3)을 접착시키는 단계(도2g)로구성된다.Figures 2a to 2h is a cross-sectional view of the polymer positive temperature coefficient thermistor manufacturing process according to the present invention, as shown in the step of forming the conductive polymer (1) on the sheet (SHEET) through an extruder (Fig. 2a); Irradiating the sheet-shaped conductive polymer polymer (1) with an electron beam to crosslink the internal bonds of the polymer polymer (1) (FIG. 2B); A heat treatment step of thermally stabilizing the crosslinked conductive polymer (1) (FIG. 2C); Pre-treating the surface of the conductive polymer polymer (1) to facilitate plating, and plating copper on the surface of the conductive polymer polymer (1) by using an electroless plating method to form an electroless copper plating layer (4) 2d); Forming an electrolytic copper plating layer (5) by using an electroplating method using the electroless copper plating layer (4) as a seed (SEED); Plating nickel on top of the copper plating layer 5 to form a nickel plating layer 6 (FIG. 2F); The wiring 3 is bonded to the nickel plated layer 6 (Fig. 2g).

이하, 상기와 같은 본 발명 중합체 양성온도계수 써미스터 제조방법을 좀 더 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the polymer positive temperature coefficient thermistor of the present invention as described above will be described in more detail.

먼저, 도2a에 도시한 바와 같이 고분자 물질과 도전성 충전제 및 기타 첨가물을 혼련하여 도전성 고분자 중합체(1)를 형성한다. 이때 고분자 물질은 양성온도계수 특성을 나타내는 변성 폴리올레핀을 사용할 수 있으며, 이는 카르복실산 또는 카르복실산 유도체로 정의 된다. 이와 같은 물질의 예는 폴리에틸렌, 폴리에틸렌의 코폴리머, 폴리프로필렌, 에틸/프로필렌 코폴리머, 폴리부타디엔, 아크릴레이트 및 에틸렌 아크릴산 코폴리머를 들 수 있다.First, as shown in FIG. 2A, the polymer material, the conductive filler, and other additives are kneaded to form the conductive polymer polymer 1. At this time, the polymer material may use a modified polyolefin showing positive temperature coefficient characteristics, which is defined as carboxylic acid or carboxylic acid derivative. Examples of such materials include polyethylene, copolymers of polyethylene, polypropylene, ethyl / propylene copolymers, polybutadiene, acrylates and ethylene acrylic acid copolymers.

또한, 도전성 충전제의 예로는 니켈분말, 금분말, 구리분말, 은도금된 구리분말, 금속합금분말, 카본블랙, 탄소분말 및 흑연을 들 수 있다.Examples of conductive fillers include nickel powder, gold powder, copper powder, silver plated copper powder, metal alloy powder, carbon black, carbon powder and graphite.

그리고, 기타 첨가제는 산화방지제, 염억제제, 안정화제, 오존화 방지제, 가교결합제 및 분산제와 같은 비전도성 충전제를 예로 들 수 있다.And other additives include, for example, non-conductive fillers such as antioxidants, salt inhibitors, stabilizers, antiozonants, crosslinkers and dispersants.

상기 도전성 충전제는 그 양에 따라 중합체 양성온도계수 써미스터의 초기 저항값을 결정하게 된다.The conductive filler determines the initial resistance of the polymer positive temperature coefficient thermistor depending on the amount.

그 다음, 도전성 고분자 중합체(1)를 압출기를 통해 시트(SHEET) 상으로 형성한다.Then, the conductive high polymer 1 is formed on the sheet through an extruder.

그 다음, 도2b에 도시한 바와 같이 상기 시트 형상의 도전성 고분자 중합체(1)에 전자선을 조사한다.Next, as shown in Fig. 2B, the sheet-shaped conductive polymer 1 is irradiated with an electron beam.

이와 같이 도전성 고분자 중합체(1)에 직접 전자선을 조사하는 경우, 종래와동일한 가교전압 및 선량을 사용하여도 그 도전성 고분자 중합체(1)의 가교도는 증가하게 된다.In this way, when the electron beam is directly irradiated to the conductive polymer polymer 1, the degree of crosslinking of the conductive polymer polymer 1 is increased even when using the same crosslinking voltage and dose as in the prior art.

이는 종래와 같이 전자선이 도전성 고분자 중합체(1)에 도달하는 것을 방지하는 금속인 전극이 형성되지 않기 때문이며, 이에 따라 동일한 가교공정을 사용하였을때 그 가교도가 증대되어 효율을 향상시킬 수 있다.This is because the electrode, which is a metal that prevents the electron beam from reaching the conductive polymer polymer 1, is not formed as in the prior art. Accordingly, when the same crosslinking process is used, the crosslinking degree is increased, thereby improving efficiency.

그 다음, 도2c에 도시한 바와 같이 상기 가교된 도전성 고분자 중합체(1)를 열처리함으로써, 그 도전성 고분자 중합체(1)를 열적으로 안정화시킨다.Then, as shown in Fig. 2C, the crosslinked conductive polymer 1 is thermally stabilized to thermally stabilize the conductive polymer 1.

이때의 열처리공정은 도전성 고분자 중합체(1)를 이루는 결정성 고분자의 고유한 용융점보다 20℃정도 더 높은 온도로 가열한다.The heat treatment step at this time is heated to a temperature about 20 ℃ higher than the intrinsic melting point of the crystalline polymer constituting the conductive polymer (1).

그 다음, 도2d에 도시한 바와 같이 상기 도전성 고분자 중합체(1)의 표면을 도금이 용이하도록 전처리한다.Then, as shown in FIG. 2D, the surface of the conductive polymer 1 is pretreated to facilitate plating.

그 다음, 상기 도전성 고분자 중합체(1)의 표면에 무전해 도금법을 사용하여 동을 도금하여, 무전해 동도금층(4)을 형성한다.Then, copper is plated on the surface of the conductive polymer polymer 1 by using an electroless plating method to form an electroless copper plating layer 4.

이때의 무전해 도금법은 환원제를 사용하는 환원흡착에 의한 것으로, 환원제를 사용하여 상기 도전성 고분자 중합체(1)의 상부 및 하부면에 동을 도금하는 것이며, 이때 형성되는 무전해 동도금층(4)의 결정질은 비정질이다.In this case, the electroless plating method is performed by reducing adsorption using a reducing agent, and plating copper on the upper and lower surfaces of the conductive polymer polymer 1 using a reducing agent, wherein the electroless copper plating layer 4 formed Crystalline is amorphous.

이와 같이 무전해도금법으로 형성되는 무전해 동도금층(4)은 그 내식성이 1㎛ 당 50시간 이상을 나타내며, 이는 전해도금법으로 형성한 도금층의 12시간 이하에 비하여 상당히 우수한 특성을 나타낸다.As described above, the electroless copper plating layer 4 formed by the electroless plating method exhibits corrosion resistance of 50 hours or more per micrometer, which is considerably superior to 12 hours or less of the plating layer formed by the electroplating method.

그 다음, 도2e에 도시한 바와 같이 상기 무전해 동도금층(4)을 시드(SEED)로하는 전해도금법으로 동을 도금하여 전해 동도금층(5)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 2E, copper is plated by an electroplating method using the electroless copper plating layer 4 as a seed SEED to form an electrolytic copper plating layer 5.

그 다음, 도2f에 도시한 바와 같이 상기 동도금층(5)의 상부에 니켈을 도금하여 니켈도금층(6)을 형성하여, 상기 열경화성으로 그 특성이 변화된 도전성 고분자 중합체(1)의 상하면에 전극을 형성한다.Next, as shown in FIG. 2F, nickel is plated on the upper portion of the copper plating layer 5 to form a nickel plating layer 6, and electrodes are placed on the upper and lower surfaces of the conductive polymer polymer 1 whose properties are changed by the thermosetting property. Form.

이와 같이 도금법을 사용하여 전극을 형성하는 경우에는 종래와 같이 열압착을 사용하는 경우에 비하여 열에 의한 스트레스를 방지할 수 있으며, 이에 따라 전극과 도전성 고분자 중합체(1) 사이의 접촉저항을 줄일수 있게 된다.As described above, when the electrode is formed using the plating method, it is possible to prevent stress due to heat as compared with the case of using thermocompression as in the prior art, thereby reducing the contact resistance between the electrode and the conductive polymer 1. do.

이는 종래 열압착방법으로 전극을 형성하는 경우, 열에 의해 상기 도전성 고분자 중합체(1)가 팽창하게 되며, 전극을 형성한 후 냉각하면 상기 도전성 고분자 중합체(1)가 수축되어 상기 부피의 변화가 없는 전극과 부피의 변화가 큰 도전성 고분자 중합체(1) 사이에 스트레스가 발생하게 되며, 이에 따라 그 접촉저항이 커지게 된다.When the electrode is formed by a conventional thermocompression method, the conductive polymer polymer (1) is expanded by heat, and when the electrode is formed and then cooled, the conductive polymer polymer (1) is contracted so that the electrode does not change in volume. And stress is generated between the conductive polymer 1 having a large change in volume, thereby increasing its contact resistance.

그러나, 본 발명에서는 열압착법을 사용하지 않고, 무전해 도금, 전해 도금법을 사용하여 전극을 형성함으로써, 그 부피의 변화없이 전극을 형성하여 전극과 도전성 고분자 중합체 사이의 스트레스 발생을 방지하여 접촉저항을 보다 낮출수 있게 된다.However, in the present invention, the electrode is formed using the electroless plating and the electrolytic plating method without using the thermocompression method, thereby forming the electrode without changing its volume, thereby preventing the occurrence of stress between the electrode and the conductive polymer, thereby preventing contact. Can be lowered.

그 다음, 도2g에 도시한 바와 같이 전극의 표면층인 상기 니켈도금층(6)에 배선(3)을 접착시켜, 중합체 양성온도계수 써미스터를 제조한다.Then, as shown in Fig. 2G, the wiring 3 is bonded to the nickel plated layer 6, which is the surface layer of the electrode, to produce a polymer positive temperature coefficient thermistor.

이와 같이 본 발명은 도전성 고분자 중합체(1)를 직접 가교시키고, 이후에 열압착 방법을 사용할 수 없으므로, 무전해 도금법, 도금법을 사용하여 동과 니켈이 적층되는 전극을 형성함으로써, 가교공정에서 가교율을 보다 향상시킬 수 있게 된다.As described above, in the present invention, the conductive polymer polymer (1) is directly crosslinked, and since the thermocompression method cannot be used thereafter, an electroplating method and a plating method are used to form an electrode in which copper and nickel are laminated, thereby providing a crosslinking rate in the crosslinking process. It can be improved more.

상기한 바와 같이 본 발명은 시트형의 도전성 고분자 중합체에 직접 전자선을 조사하여 가교시키고, 그 가교된 도전성 고분자 중합체의 상하면에 전극을 무전해도금법과 도금법을 사용하여 형성함으로써, 그 가교공정에서 전자선이 전극에 의해 도전성 고분자 중합체에 도달하지 못하는 것을 방지하여 그 가교율을 향상시키는 효과와 아울러 그 가교율의 증가에 따라 중합체 양성온도계수 써미스터의 동작시 누설전류의 발생을 감소시킴으로써, 그 중합체 양성온도계수 써미스터를 반복 사용하는 경우에도 그 동작 특성의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.As described above, in the present invention, the sheet-shaped conductive polymer polymer is directly irradiated and crosslinked, and the upper and lower surfaces of the crosslinked conductive polymer polymer are formed by using an electroless plating method and a plating method, so that the electron beam is formed in the crosslinking process. Prevents the polymer from reaching the conductive polymer polymer and improves its crosslinking rate, and reduces the occurrence of leakage current during operation of the polymer positive temperature coefficient thermistor according to the increase in the crosslinking rate, thereby increasing the polymer positive temperature coefficient thermistor. Repeated use also has the effect of improving the reliability of its operating characteristics.

Claims (8)

도전성 고분자 중합체를 시트(SHEET) 형상으로 만드는 도전성 고분자 중합체 형성단계와; 상기 도전성 고분자 중합체에 전자선을 조사하여 그 중합체 내의 결합을 3차원 결합으로 만드는 가교공정단계와; 상기 가교된 도전성 고분자 중합체의 상하부면에 도금법을 사용하여 전극을 형성하는 전극형성단계와; 상기 전극에 배선을 부착하는 배선형성단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 중합체 양성온도계수 써미스터 제조방법.Forming a conductive polymer polymer into a sheet (SHEET) shape; A crosslinking process step of irradiating the conductive polymer polymer with an electron beam to form a three-dimensional bond in the polymer; An electrode forming step of forming an electrode by using a plating method on upper and lower surfaces of the crosslinked conductive polymer; Method for producing a polymer positive temperature coefficient thermistor, characterized in that consisting of a wiring forming step of attaching the wiring to the electrode. 제 1항에 있어서, 상기 도전성 고분자 중합체는 결정성 고분자에 도전성 충진제와 기타 첨가물을 혼련하여 형성하는 것을 특징으로 하는 중합체 양성온도계수 써미스터 제조방법.The method of claim 1, wherein the conductive polymer is formed by kneading a conductive filler and other additives in a crystalline polymer. 제 2항에 있어서, 결정성 고분자는 폴리에틸렌, 폴리에틸렌의 코폴리머, 폴리프로필렌, 에틸/프로필렌 코폴리머, 폴리부타디엔, 아크릴레이트 및 에틸렌 아크릴산 코폴리머 중 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 중합체 양성온도계수 써미스터 제조방법.The method of claim 2, wherein the crystalline polymer is polyethylene, copolymer of polyethylene, polypropylene, ethyl / propylene copolymer, polybutadiene, acrylate and ethylene acrylic acid copolymer prepared, characterized in that the polymer positive temperature coefficient thermistor Way. 제 2항에 있어서, 도전성 충전제는 니켈분말, 금분말, 구리분말, 은도금된 구리분말, 금속합금분말, 카본블랙, 탄소분말 및 흑연 중 선택된 하나를 첨가하는것을 특징으로 하는 중합체 양성온도계수 써미스터 제조방법.The method of claim 2, wherein the conductive filler is selected from nickel powder, gold powder, copper powder, silver-plated copper powder, metal alloy powder, carbon black, carbon powder and graphite, characterized in that the polymer positive temperature coefficient thermistor production Way. 제 2항에 있어서, 기타 첨가제는 산화방지제, 염억제제, 안정화제, 오존화 방지제, 가교결합제 및 분산제와 같은 비전도성 충전제인 것을 특징으로 하는 중합체 양성온도계수 써미스터 제조방법.The method of claim 2, wherein the other additives are nonconductive fillers such as antioxidants, salt inhibitors, stabilizers, ozonation agents, crosslinkers, and dispersants. 제 1항에 있어서, 상기 가교공정단계를 수행한 후, 상기 도전성 고분자 중합체의 용융점보다 20℃정도 높은 온도로 가열하여 상기 도전성 고분자 중합체를 열적으로 안정화시키는 열처리단계를 더 포함하여 된 것을 특징으로 하는 중합체 양성온도계수 써미스터 제조방법.The method of claim 1, wherein after performing the cross-linking process step, further comprises a heat treatment step of thermally stabilizing the conductive polymer polymer by heating to a temperature about 20 ℃ higher than the melting point of the conductive polymer polymer Polymer positive temperature coefficient thermistor manufacturing method. 제 1항에 있어서, 상기 전극형성단계 이전에 상기 도전성 고분자 중합체의 표면을 도금에 적합하도록 전처리하는 전처리공정을 더 포함하여 된 것을 특징으로 하는 중합체 양성온도계수 써미스터 제조방법.The method according to claim 1, further comprising a pretreatment step of pretreating the surface of the conductive polymer polymer to be suitable for plating before the electrode forming step. 제 1항에 있어서, 상기 전극형성단계는 무전해 도금법으로 동을 도금하여 무전해 동도금층을 형성하는 무전해 동도금층 형성단계와; 상기 무전해 동도금층을 핵으로 하는 전해 도금법으로 상기 무전해 동도금층 상에 전해 동도금층을 형성하는 전해 동도금층 형성단계와; 상기 전해 동도금층의 상부전면에 니켈을 도금하여 니켈도금층을 형성하는 니켈도금층 형성단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 중합체 양성온도계수 써미스터 제조방법.The method of claim 1, wherein the electrode forming step comprises: an electroless copper plating layer forming step of forming an electroless copper plating layer by plating copper by an electroless plating method; An electrolytic copper plating layer forming step of forming an electrolytic copper plating layer on the electroless copper plating layer by an electrolytic plating method using the electroless copper plating layer as a nucleus; And a nickel plating layer forming step of forming a nickel plating layer by plating nickel on the upper surface of the electrolytic copper plating layer.
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