KR20030016457A - chamical solution supplying structure for preventing remaining solution in dielectric layer coating system - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A chemical solution supply structure of dielectric layer coating equipment for preventing residual chemical solution from being disused is provided to prevent fabricating cost from being increased and reduce a burden on wastewater treatment by avoiding or minimizing residual chemical inside a chemical storage receptacle. CONSTITUTION: A chemical solution of a predetermined quantity is contained in a main receptacle. A sub receptacle(30) has a storage quantity more than that of the main receptacle. A connection pipe(8,36) is connected between the main receptacle and the sub receptacle. A valve(34) intercepts or passes the chemical solution flowing through the connection pipe, installed in a predetermined portion of the connection pipe. A supply pipe(40) has a diameter smaller than that of the connection pipe, connected between the sub receptacle and a chemical solution discharge nozzle(10).

Description

잔류 케미컬 용액의 폐액화를 방지하는 유전막 도포장비의 케미컬 용액 공급구조{chamical solution supplying structure for preventing remaining solution in dielectric layer coating system}Chemical solution supplying structure for preventing remaining solution in dielectric layer coating system

본 발명은 반도체 웨이퍼에 유전막을 코팅하기 위한 유전막 도포장비에 관한 것으로, 특히 잔류 케미컬 용액의 폐액화를 방지하는 유전막 도포장비의 케미컬 용액 공급구조에 관한 것이다.The present invention relates to a dielectric film coating equipment for coating a dielectric film on a semiconductor wafer, and more particularly, to a chemical solution supply structure of a dielectric film coating equipment for preventing waste liquefaction of a residual chemical solution.

근래에 컴퓨터 등과 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 메모리 등과 같은 반도체 소자의 기능도 비약적으로 발전하고 있다. 최근의 반도체 제품들의 경우, 경쟁력 확보를 위해 낮은 비용, 고품질을 위해 필수적으로 제품의 고집적화가 요구된다. 고집적화를 위해서는 트랜지스터 소자의 게이트 산화막 두께 및 채널 길이들을 얇고 짧게 하는 작업 등을 포함하는 스케일 다운이 수반되어지며, 그에 따라 반도체 제조 공정 및 제조 시스템(장비)도 다양한 형태로 발전되어 지고 있는 추세이다. 특히, 하이 퍼포먼스 디바이스를 사용자들이 요구함에 따라 그러한 반도체 소자를 제조하는 제조 장비의 기능이나 동작 퍼포먼스는 매우 중요하게 대두되고 있다.In recent years, with the rapid spread of information media such as computers, the functions of semiconductor devices such as semiconductor memories have also developed remarkably. In the case of recent semiconductor products, high integration of products is essential for low cost and high quality to secure competitiveness. In order to achieve high integration, scale-down including thinning and shortening of gate oxide film thickness and channel length of a transistor device is accompanied, and accordingly, a semiconductor manufacturing process and a manufacturing system (equipment) are being developed in various forms. In particular, as users demand high-performance devices, the function and operation performance of manufacturing equipment for manufacturing such semiconductor devices are very important.

통상적으로, 반도체 제조공정 중에는 단결정체로 된 웨이퍼 위에 유전막을 코팅하는 공정이 있다. 그러한 유전막 코팅공정은 회로 소자를 분리하거나 도전층이 서로 접촉되지 않게 절연하기 위해 필요하다.Typically, during the semiconductor manufacturing process, there is a process of coating a dielectric film on a single crystal wafer. Such dielectric film coating processes are necessary to separate circuit elements or to insulate the conductive layers from contact with each other.

그러한 유전막 코팅공정을 수행하기 위해 유전막, 예컨대 스핀 온 글래스(SOG:Spin On Glass)막 또는 필드 산화막(Fox)을 형성하기 위해 케미컬 용액 예컨대 OCD(Ohka diffusion source)케미컬을 도포하는 유전막 도포장비(예를 들어 Tok 장비의 케미컬 용액 공급구조는 도 1에 나타나 있다. 종래기술에 따른 유전막 도포장비의 케미컬 용액 공급구조를 보인 도 1을 참조 하면, 케미컬 용액을 담고 있는 용기(6)는 공급용 파이프(8)와 연결되고, 상기 공급용 파이프(8)는 케미컬 토출 노즐(10)에 연결되어 있다. 상기 용기(6)는 약 1000cc의 저장용량을 가지는 병(bottle)으로서, 헬륨 가스 인입라인(2)을 통해 인가되는 헬륨 가스에 의해 압력을 받아 기포가 제거된 케미컬 용액 예컨대 OCD 케미컬을 공급용 파이프(8)를 통해 제공한다. 상기 케미컬 토출 노즐(10)은 상기 공급용 파이프(8)를 통해 제공되는 케미컬 용액을 스테이지(25)상에 안착된 웨이퍼(20)의 상부에 분출하여,유전막(12)이 도포되게 한다.In order to perform such a dielectric film coating process, a dielectric film coating equipment (eg, an OCD diffusion coating chemical) is applied to form a dielectric film such as a spin on glass (SOG) film or a field oxide film (OX). For example, the chemical solution supply structure of the Tok equipment is shown in Fig. 1. Referring to Fig. 1 showing the chemical solution supply structure of the dielectric film coating equipment according to the prior art, the container 6 containing the chemical solution is a supply pipe ( 8, the supply pipe 8 is connected to a chemical discharge nozzle 10. The container 6 is a bottle having a storage capacity of about 1000 cc, helium gas inlet line (2) A pressure-reduced chemical solution, such as OCD chemical, is removed through the supply pipe 8 under pressure by a helium gas applied through the supply pipe 8. The chemical discharge nozzle 10 is provided with the supply pipe 8 The chemical solution, which is provided through the cavities, is ejected to the upper portion of the wafer 20 seated on the stage 25 so that the dielectric film 12 is applied.

그러나, 상기한 바와 같은 종래의 케미컬 용액 공급구조는 용기(6)내에 잔류 케미컬(4)를 항상 생성하게 되는 문제점이 있다. 그러한 이유는 상기 케미컬 토출 노즐(10)의 분출 압력이 상기 용기(6)내에 존재하는 케미컬 용액의 양이 적을수록 떨어지기 때문에 케미컬 용액이 일정량이 남은 상태에서 미리 공급을 중단하기 때문이다. 이와 같이, 작업이 중단된 상태에서 용기(6)내에 약 200cc 정도로 잔류하는 잔류 케미컬(4)은 버려지고 새롭게 충진된 용기가 교체된다. 잔류 케미컬(4)을 폐액화한 후 빈 용기(6)는 1000cc의 용액으로 다시 충진된다.However, the conventional chemical solution supply structure as described above has the problem of always producing residual chemical 4 in the vessel 6. This is because the ejection pressure of the chemical discharge nozzle 10 drops as the amount of the chemical solution present in the container 6 decreases, so that the supply of the chemical solution is stopped in advance in a state where a certain amount remains. As such, the residual chemical 4 remaining about 200 cc in the vessel 6 while the operation is stopped is discarded and the newly filled vessel is replaced. After the remaining chemical 4 is liquefied, the empty container 6 is refilled with 1000 cc of solution.

상기한 바와 같이 종래의 케미컬 용액 공급구조는 용기(6)내에 잔류 케미컬(4)를 항상 생성하게 되어 폐액화에 기인하는 반도체 제품의 원가상승 및 폐수처리에 부담을 주는 문제점이 있어왔다. 또한, 잦은 용기 교체로 인하여 유전막 도포장비가 정지되어 로스타임이 발생되면 제조작업 시간이 증가하고 공정의 신뢰성이 저하되는 문제가 있다.As described above, the conventional chemical solution supply structure has always produced residual chemicals 4 in the container 6, and has a problem in that the cost of the semiconductor products resulting from the waste liquefaction and the waste water treatment are burdened. In addition, when the dielectric film coating equipment is stopped due to frequent container replacement and a loss time occurs, the manufacturing time increases and the reliability of the process decreases.

따라서, 본 발명의 목적은 상기한 종래의 문제점을 해결할 수 있는 유전막 도포장비를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a dielectric film coating equipment that can solve the above problems.

본 발명의 다른 목적은 잔류 케미컬 용액의 폐액화를 방지 또는 최소화하는 유전막 도포장비의 케미컬 용액 공급구조를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a chemical solution supply structure of a dielectric film coating equipment for preventing or minimizing waste liquefaction of residual chemical solution.

본 발명의 또 다른 목적은 설비정지 로스타임을 최소화하여 장비의 신뢰성을높일 수 있는 유전막 도포장비의 케미컬 용액 공급구조를 제공함에 있다.Another object of the present invention to provide a chemical solution supply structure of the dielectric film coating equipment that can minimize the equipment stop loss time to increase the reliability of the equipment.

본 발명의 또 다른 목적은 케미컬 용액이 잔류되는 것을 최소화할 수 있는 유전막 도포장비의 케미컬 용액 공급 방법을 제공함에 있다.Another object of the present invention to provide a chemical solution supply method of the dielectric film coating equipment that can minimize the residual of the chemical solution.

상기한 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 양상에 따라 유전막 도포장비의 케미컬 용액 공급구조는, 규정된 용량의 케미컬 용액을 수용하는 메인 용기와, 상기 메인 용기의 용액 저장용량보다 큰 저장용량을 가지는 서브 용기와, 상기 메인 용기와 상기 서브 용기간에 설치된 연결 파이프와, 상기 연결 파이프의 소정 부위에 설치되어 상기 연결 파이프를 통해 흐르는 케미컬 용액을 차단하거나 통과시키기 위한 밸브와, 상기 서브 용기와 케미컬 용액 토출 노즐간에 연결되며 상기 연결 파이프보다 작은 직경을 가지는 공급용 파이프를 구비함을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention for achieving the above objects, the chemical solution supply structure of the dielectric film coating equipment includes a main container containing a chemical solution of a prescribed capacity, and a sub-capacity having a storage capacity larger than that of the main container. A connection pipe provided between the container, the main container and the sub container, a valve installed at a predetermined portion of the connection pipe to block or pass the chemical solution flowing through the connection pipe, and the sub container and the chemical solution discharge nozzle. And a pipe for supply having a diameter smaller than that of the connecting pipe.

본 발명의 다른 양상에 따라, 유전막 도포장비의 케미컬 용액 공급방법은, 규정된 용량의 케미컬 용액을 수용하는 메인 용기와 상기 메인 용기의 용액 저장용량보다 큰 저장용량을 가지는 서브 용기를 준비하고 밸브를 설치한 연결 파이프를 통해 연결하는 단계와, 상기 서브 용기에 있는 케미컬 용액이 일정량만큼 남았을 때 상기 밸브를 개방하여 상기 메인 용기에 저장된 케미컬 용액이 상기 서브 용기로 이동되게 하는 단계와, 상기 서브 용기에 있는 케미컬 용액을 상기 연결 파이프보다 작은 직경을 가지는 공급용 파이프를 통해 계속적으로 토출노즐로 제공하는 단계를 가짐을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, a method for supplying a chemical solution of a dielectric film coating equipment includes preparing a main container containing a chemical solution of a prescribed capacity and a sub container having a storage capacity larger than the solution storage capacity of the main container, and Connecting through an installed connection pipe, and opening the valve to move the chemical solution stored in the main container to the sub container when the amount of the chemical solution in the sub container remains. Continuously providing the chemical solution to the discharge nozzle through a supply pipe having a diameter smaller than that of the connecting pipe.

상기한 장치 및 방법적 구성에 따르면, 메인 용기에 저장된 케미컬 용액의 일부가 잔류되어 폐액화되는 것이 방지 또는 최소화된다.According to the apparatus and method configuration described above, a portion of the chemical solution stored in the main container is prevented or minimized from remaining liquefied.

도 1은 종래기술에 따른 유전막 도포장비의 케미컬 용액 공급구조도1 is a chemical solution supply structure of the dielectric film coating equipment according to the prior art

도 2는 본 발명의 실시 예에 따라 잔류 케미컬 용액의 폐액화를 방지하는 유전막 도포장비의 케미컬 용액 공급구조Figure 2 is a chemical solution supply structure of the dielectric film coating equipment to prevent the liquefaction of the residual chemical solution in accordance with an embodiment of the present invention

이하에서는 본 발명에 따른 유전막 도포장비의 케미컬 용액 공급구조에 대한 바람직한 실시 예가 첨부된 도면들을 참조하여 설명된다. 비록 다른 도면에 표시되어 있더라도 동일내지 유사한 기능을 수행하는 구성요소들은 동일한 참조부호로서 나타나 있다.Hereinafter, a preferred embodiment of the chemical solution supply structure of the dielectric film coating equipment according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Although shown in different drawings, components that perform the same or similar functions are denoted by the same reference numerals.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 유전막 도포장비의 케미컬 용액 공급구조를 보인 도면이다. 도면을 참조하면, 메인 용기(6)와 나란히 서브 용기(30)가 설치된 것이 보여진다. 상기 메인 용기(6)는 규정된 용량 예컨대 1000cc의 OCD 케미컬 용액을 수용하며, 상기 서브 용기(30)는 상기 메인 용기(6)의 용액 저장용량보다 큰 저장용량 예컨대 1500cc 용량을 가진다. 상기 메인 용기(6)와 상기 서브 용기(30)간에는 연결 파이프(8,36)가 설치된다. 밸브(34)는 상기 연결 파이프(8,36)간의 소정 부위에 설치되어 상기 연결 파이프를 통해 흐르는 케미컬 용액을 차단하거나 통과시키기 위한 기능을 행한다. 여기서, 상기 밸브(34)는 수동으로 작동되는 매뉴얼 밸브 또는 에어나 전자콘트롤에 의해 작동되는 에어밸브 또는 소레노이드 밸브일 수 있다. 상기 서브 용기(30)와 케미컬 용액 토출 노즐(12)간에 연결된 공급용 파이프(40)는 상기 연결 파이프(8,36)보다 작은 직경을 가진다. 예컨대, 상기 공급용 파이프(40)의 내경은 1/8 인치일 수 있으며, 이 경우에 상기 연결 파이프(8,36)의 내경은 1/4 인치일 수 있다.2 is a view showing a chemical solution supply structure of the dielectric film coating equipment according to an embodiment of the present invention. Referring to the figure, it is seen that the sub container 30 is installed side by side with the main container 6. The main vessel 6 holds a defined volume such as 1000 cc of OCD chemical solution, and the sub vessel 30 has a storage capacity such as 1500 cc greater than the solution reservoir of the main vessel 6. Connecting pipes 8 and 36 are installed between the main container 6 and the sub container 30. The valve 34 is installed at a predetermined portion between the connecting pipes 8 and 36 to function to block or pass the chemical solution flowing through the connecting pipe. Here, the valve 34 may be a manual valve operated manually or an air valve or solenoid valve operated by air or electronic control. The supply pipe 40 connected between the sub vessel 30 and the chemical solution discharge nozzle 12 has a smaller diameter than the connection pipes 8, 36. For example, the inner diameter of the supply pipe 40 may be 1/8 inch, in which case the inner diameters of the connecting pipes 8, 36 may be 1/4 inch.

도 1과 유사하게, 상기 메인 용기(6)는 밸브(34)가 개방된 경우에만 헬륨 가스 인입라인(2)을 통해 인가되는 헬륨 가스에 의해 압력을 받아 기포가 제거된 OCD 케미컬 용액을 공급용 파이프(8,36)를 통해 서브 용기(30)로 제공한다. 상기 케미컬 토출 노즐(10)은 상기 공급용 파이프(40)를 통해 제공되는 케미컬 용액을 스테이지(25)상에 안착된 웨이퍼(20)의 상부에 분출하여, 유전막(12)이 도포되게 한다. 상기한 바와 같은 구조는 서로 다른 저장용량을 가지는 2개의 용기를 사용하여 케미컬 용액을 공급하는 것이 특징임을 알 수 있다. 여기서, 유전막 코팅공정을 수행하기 위해 유전막, 예컨대 스핀 온 글래스(SOG:Spin On Glass)막 또는 필드 산화막(Fox)을 형성하는 경우에 케미컬 용액으로서 상기 OCD(Ohka diffusion source)케미컬이 사용되었으나, 다른 경우에 또 다른 케미컬 용액 예컨대 Allied signal's XII, X14 SOG가 저장될 수 있음은 물론이다. 상기 유전막 도포장비도 예를 들어 Tok 장비를 사용하였지만 타의 장비를 사용할 수 있다. 상기 OCD 용액은 실리콘 산화막을 형성하는데 적합한 케미컬로서, 토출 노즐을 통해 분출된 후 약 200도씨에서 도포 표면에 대하여 베이킹되는 것이 바람직하다.Similar to FIG. 1, the main vessel 6 is supplied with the OCD chemical solution defoamed under pressure by the helium gas applied through the helium gas inlet line 2 only when the valve 34 is opened. To the sub container 30 via pipes 8, 36. The chemical ejection nozzle 10 ejects the chemical solution provided through the supply pipe 40 to the upper portion of the wafer 20 seated on the stage 25 so that the dielectric film 12 is applied. It can be seen that the structure as described above is characterized in that the chemical solution is supplied using two containers having different storage capacities. In the case of forming a dielectric film such as a spin on glass (SOG) film or a field oxide film (Fox) to perform a dielectric film coating process, the OCD (Ohka diffusion source) chemical is used as a chemical solution. Of course, other chemical solutions such as Allied signal's XII, X14 SOG can of course be stored. The dielectric film coating equipment may also use other equipment, for example using Tok equipment. The OCD solution is a chemical suitable for forming a silicon oxide film, and is preferably baked at about 200 degrees Celsius after being ejected through a discharge nozzle.

이하에서는 상기한 구조를 가지고 용기내에 케미컬을 잔류시킴이 없이 케미컬 용액을 공급하는 방법이 설명된다.The following describes a method of supplying a chemical solution without leaving the chemical in the container with the above structure.

먼저, 밸브(34)가 닫힌 상태에서 상기 서브 용기(30)에 있는 케미컬 용액이 공급용 파이프(40)를 통해 노즐(10)에 제공된다. 시간이 경과하여 상기 서브 용기(30)에 잔존하는 케미컬 용액의 량이 약 250cc 정도로 되면, 밸브(34)를 개방한다. 상기 밸브(34)의 개방에 의해 상기 메인 용기(6)에 저장된 케미컬 용액이 약 1500cc 정도의 저장용량을 가지는 상기 서브 용기(30)로 전부 이동된다. 이동되는도중에도 상기 서브 용기(30)에 있는 케미컬 용액은 상기 연결 파이프(36)보다 작은 직경을 가지는 공급용 파이프(40)를 통해 계속적으로 토출노즐로 제공되어 장비의 스톱은 없다. 또한, 상기 메인 용기(6)에 있던 케미컬 용액은 상기 서브 용기(30)로 모두 이동될 수 있으므로 잔류되어 폐기될 케미컬 용액은 존재하지 않는다. 결국, 메인 용기에 있는 케미컬 용액을 전량 도포작업에 소모할 수 있으므로 재료비의 낭비가 없거나 최소화된다. 이후에 빈 용기(6)는 1000cc의 용액으로 다시 충진된다.First, with the valve 34 closed, the chemical solution in the sub container 30 is provided to the nozzle 10 through the supply pipe 40. When time passes and the amount of the chemical solution remaining in the sub container 30 is about 250 cc, the valve 34 is opened. By opening the valve 34, the chemical solution stored in the main container 6 is moved to the sub container 30 having a storage capacity of about 1500 cc. While moving, the chemical solution in the sub container 30 is continuously provided to the discharge nozzle through the supply pipe 40 having a diameter smaller than the connecting pipe 36 so that there is no stop of the equipment. In addition, since the chemical solution in the main container 6 can all be moved to the sub container 30, there is no chemical solution to be left and discarded. As a result, the entire amount of the chemical solution in the main container can be consumed for the application, so there is no waste of material costs or minimized. The empty container 6 is then refilled with 1000 cc of solution.

상기한 바와 같이 본 발명에 따른 케미컬 용액 공급구조는 용기(6)내에 잔류 되는 케미컬 용액이 거의 없게 되므로 폐액화에 기인하는 반도체 제품의 원가상승 및 폐수처리에 부담을 주는 문제점이 말끔이 해소된다. 또한, 잦은 용기 교체로 인하여 유전막 도포장비가 정지되어 로스타임이 발생되던 문제가 해결된다. 그럼에 의해 제조작업 시간이 단축되고 공정의 신뢰성이 높아지는 장점이 있다.As described above, since the chemical solution supply structure according to the present invention has almost no chemical solution remaining in the container 6, the problem of burden on the cost increase of the semiconductor product and the wastewater treatment due to the liquefaction is eliminated. In addition, the frequent application of the container is stopped by the dielectric film coating equipment is solved the problem that the loss time occurs. As a result, manufacturing time is shortened and process reliability is increased.

상기한 설명에서는 본 발명의 실시 예를 위주로 도면을 따라 예를 들어 설명하였지만, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변형 또는 변경할 수 있음은 본 발명이 속하는 분야의 당업자에게는 명백한 것이다. 예를 들어, 사안이 다른 경우에 케미컬 용액의 종류나 상기 서브 용기의 개수 및 용량을 가감 및 변경할 수 있음은 물론이다.In the above description, the embodiments of the present invention have been described with reference to the drawings, for example. However, it will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be variously modified or changed within the scope of the technical idea of the present invention. . For example, in the case of different matters, it is of course possible to add or change the kind of chemical solution or the number and capacity of the sub containers.

상기한 바와 같이 본 발명에 따르면, 케미컬 저장 용기내의 잔류 케미컬이방지 또는 최소화되어 폐액화에 기인하는 반도체 제품의 원가상승 및 폐수처리에 부담을 주는 문제가 해결되는 효과가 있다. 또한, 유전막 도포장비가 정지되는 주기를 길게 하여 제조작업 시간을 단축하고 공정의 신뢰성을 증대시키는 이점이 있다.According to the present invention as described above, there is an effect that the problem that the burden on the cost increase and wastewater treatment of the semiconductor product due to the waste liquefaction due to the residual chemical in the chemical storage container is prevented or minimized is solved. In addition, it is advantageous to shorten the manufacturing time and increase the reliability of the process by lengthening the period of stopping the dielectric film coating equipment.

Claims (5)

유전막 도포장비의 케미컬 용액 공급구조에 있어서:In the chemical solution supply structure of the dielectric film coating equipment: 규정된 용량의 케미컬 용액을 수용하는 메인 용기와;A main container for containing a defined volume of chemical solution; 상기 메인 용기의 용액 저장용량보다 큰 저장용량을 가지는 서브 용기와;A sub container having a storage capacity greater than the solution storage capacity of the main container; 상기 메인 용기와 상기 서브 용기간에 설치된 연결 파이프와;A connecting pipe provided between the main container and the sub container; 상기 연결 파이프의 소정 부위에 설치되어 상기 연결 파이프를 통해 흐르는 케미컬 용액을 차단하거나 통과시키기 위한 밸브와;A valve installed at a predetermined portion of the connection pipe to block or pass a chemical solution flowing through the connection pipe; 상기 서브 용기와 케미컬 용액 토출 노즐간에 연결되며 상기 연결 파이프보다 작은 직경을 가지는 공급용 파이프를 구비함을 특징으로 하는 구조.And a supply pipe connected between the sub container and the chemical solution discharge nozzle and having a diameter smaller than that of the connection pipe. 제1항에 있어서, 상기 메인 용기는 약 1000cc 정도의 OCD 용액을 저장하는 용량을 가짐을 특징으로 하는 구조.The structure of claim 1, wherein the main vessel has a capacity to store about 1000 cc of OCD solution. 제2항에 있어서, 상기 서브 용기는 약 1500cc 정도의 OCD 용액을 저장하는 용량을 가짐을 특징으로 하는 구조.The structure of claim 2, wherein the sub-vessel has a capacity to store about 1500 cc of OCD solution. 제2항에 있어서, 상기 메인 용기 및 서브 용기에는 헬륨 가스가 공급됨을 특징으로 하는 구조.The structure of claim 2, wherein the main container and the sub container are supplied with helium gas. 유전막 도포장비의 케미컬 용액 공급방법에 있어서:In the chemical solution supply method of the dielectric film coating equipment: 규정된 용량의 케미컬 용액을 수용하는 메인 용기와 상기 메인 용기의 용액 저장용량보다 큰 저장용량을 가지는 서브 용기를 준비하고 밸브를 설치한 연결 파이프를 통해 연결하는 단계와;Preparing a main vessel containing a chemical solution of a prescribed volume and a sub vessel having a storage capacity larger than the solution storage capacity of the main vessel and connecting through a connecting pipe provided with a valve; 상기 서브 용기에 있는 케미컬 용액이 일정량만큼 남았을 때 상기 밸브를 개방하여 상기 메인 용기에 저장된 케미컬 용액이 상기 서브 용기로 이동되게 하는 단계와;Opening the valve to move the chemical solution stored in the main container to the sub container when the amount of the chemical solution in the sub container remains; 상기 서브 용기에 있는 케미컬 용액을 상기 연결 파이프보다 작은 직경을 가지는 공급용 파이프를 통해 계속적으로 토출노즐로 제공하는 단계를 가짐을 특징으로 하는 방법.Continuously supplying the chemical solution in the sub-container to the discharge nozzle through a supply pipe having a diameter smaller than the connecting pipe.
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