KR20030012477A - Method for removing polimer of dry etching apparatus - Google Patents

Method for removing polimer of dry etching apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20030012477A
KR20030012477A KR1020010046506A KR20010046506A KR20030012477A KR 20030012477 A KR20030012477 A KR 20030012477A KR 1020010046506 A KR1020010046506 A KR 1020010046506A KR 20010046506 A KR20010046506 A KR 20010046506A KR 20030012477 A KR20030012477 A KR 20030012477A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
etching
top ring
wafer
polymer
power
Prior art date
Application number
KR1020010046506A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이두원
허노현
최창원
최병욱
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020010046506A priority Critical patent/KR20030012477A/en
Publication of KR20030012477A publication Critical patent/KR20030012477A/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

PURPOSE: A method for removing polymer of a dry etching apparatus is provided to prevent generation of polymer due to etching of top rings and to enhance discharge efficiency of a turbo pump by re-etching polymer generated in an etching process of wafers. CONSTITUTION: A process chamber is provided with a top ring made of inactive material regarding a process gas. The top ring is used for concentrating plasma on wafers in the process chamber. Upon completion of a main etching process, oxygen gas is injected into the process chamber by applying the ramp-down power supplying method that decreases the radio frequency. The top ring is made of single crystalline silicon. The radio frequency power is applied at the rate of 600 Watts during the main etching, while the power is decreased from 200 to 50 Watt during injection of oxygen gas.

Description

건식식각장치의 폴리머 제거방법{Method for removing polimer of dry etching apparatus}Method for removing polymer of dry etching apparatus {Method for removing polimer of dry etching apparatus}

본 발명은 건식식각장치의 폴리머 제거방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 식각 공정을 수행한 직후 산소 플라즈마의 주입과 동시에 알에프 파워를 점진적으로 낮추는 방식에 의해서 공정 수행시 발생되는 폴리머가 재차 식각되도록 하여보다 폴리머의 제거 효율 및 반도체 제조 수율이 향상될 수 있도록 하는 건식식각장치의 폴리머 제거방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for removing a polymer of a dry etching apparatus, and more particularly, by causing the polymer generated during the process to be etched again by gradually lowering the RF power at the same time as the injection of oxygen plasma immediately after the etching process. The present invention relates to a method for removing a polymer of a dry etching apparatus, which can improve a polymer removal efficiency and a semiconductor manufacturing yield.

일반적으로 반도체 소자의 제조공정 중에서 미세패턴을 형성하기 위해 수행하게 되는 식각은 크게 습식식각(wet etching)과 건식식각(dry etching)으로서 이루어진다.In general, etching performed to form a fine pattern in a semiconductor device manufacturing process is largely performed by wet etching and dry etching.

습식식각은 공정이 비교적 간단하고 비용이 적게드는 장점이 있기는 하나 언더컷(undercut)의 발생이라는 단점이 있기 때문에 최근들어 고집적화된 반도체 소자의 식각에는 대부분 건식식각이 주로 사용되고 있다.Although wet etching is advantageous in that the process is relatively simple and inexpensive, the dry etching is mostly used for etching of highly integrated semiconductor devices because of the disadvantage of undercut.

웨이퍼의 식각은 통상 건식식각 장비인 반응 챔버(process chamber)라는 밀폐된 용기 내에서 이루어지게 된다.The wafer is etched in a closed vessel called a process chamber, which is typically a dry etching equipment.

이때의 건식식각장치는 반응 챔버 내에 주입되는 반응 가스를 상하 전극 간으로 600W의 전력이 인가되는 고주파에 의해 플라즈마화하고, 여기에서 발생되는 식각가스 래디클(radical)을 웨이퍼 막질과 반응시킴으로써 불필요한 부분을 선택적으로 제거되게 하는 공정 설비이다.At this time, the dry etching apparatus makes the reaction gas injected into the reaction chamber into a plasma by a high frequency wave of 600 W applied between the upper and lower electrodes, and reacts the etching gas radical generated therein with the wafer film quality, thereby eliminating unnecessary parts. Process equipment to selectively remove.

도 1은 종래 옥사이드 에쳐(oxide etcher)용 건식식각장치를 개략적으로 도시한 것이다.Figure 1 schematically shows a conventional dry etching apparatus for oxide etcher (oxide etcher).

건식식각장치는 도시된 바와같이 반응 챔버(10)의 상부에는 반응 가스를 챔버의 내부로 주입하는 분배판(11)을 구비하고, 그와 대응되는 하부에는 웨이퍼가 안착되는 척(12)이 구비된다.The dry etching apparatus has a distribution plate 11 for injecting a reaction gas into the inside of the chamber as shown in the upper portion of the reaction chamber 10, and a chuck 12 having a wafer seated thereon at the lower portion thereof. do.

이때의 분배판(11)과 척(12)은 각 알에프 파워가 인가되는 전극의 기능을 수행하면서 이들 사이에서 반응 가스가 플라즈마화된다.At this time, the distribution plate 11 and the chuck 12 perform the function of the electrode to which each RF power is applied, and the reaction gas is plasmated therebetween.

상하부 전극간에서 생성된 플라즈마는 척(12)에 안착되어 있는 웨이퍼(20)의 막질과 반응하면서 식각에 의해 필요로 하는 패턴이 형성되도록 하는 것이다.The plasma generated between the upper and lower electrodes reacts with the film quality of the wafer 20 seated on the chuck 12 to form a pattern required by etching.

한편 웨이퍼(20)를 안착시키게 되는 척(12)의 상부면으로는 웨이퍼(20)에 플라즈마가 집중될 수 있도록 하기 위한 수단으로서 외주연을 따라 탑링(30)이 구비되도록 하고 있다.On the other hand, the top surface 30 of the chuck 12 on which the wafer 20 is to be seated is provided with a top ring 30 along the outer circumference as a means for concentrating the plasma on the wafer 20.

탑링(30)은 통상 쿼츠(quartz)로 이루어지고, 도 2에서와 같이 척(12)에 안착시킨 웨이퍼(20)측의 내주면은 상향 돌출되면서 상부로부터 플라즈마가 웨이퍼(20)에 원활하게 유도되도록 경사지는 형상으로서 구비된다.The top ring 30 is usually made of quartz, and as shown in FIG. 2, the inner circumferential surface of the side of the wafer 20 seated on the chuck 12 protrudes upward so that the plasma is smoothly guided from the top to the wafer 20. It is provided as an inclined shape.

하지만 탑링(30)은 공정 수행시 그 표면이 동시에 식각되면서 폴리머들을 발생시키게 되는데 특히 웨이퍼(20)측으로 경사진 면에서 발생되는 폴리머들은 웨이퍼(20)에 떨어지면서 안착되므로 정작 웨이퍼(20)에서의 식각이 제대로 수행되지 못하게 되는 문제가 있다.However, the top ring 30 generates polymers as the surface is simultaneously etched during the process, and in particular, the polymers generated on the inclined surface toward the wafer 20 fall on the wafer 20 and settle in the wafer 20. There is a problem that the etching is not performed properly.

특히 탑링(30)은 플라즈마와의 반응성이 좋아 비교적 입자가 큰 폴리머를 생성하게 되므로 웨이퍼(20)에의 패턴 불량을 초래하게 된다.In particular, the top ring 30 has a high reactivity with the plasma, and thus generates a polymer having a relatively large particle, thereby causing a pattern defect on the wafer 20.

또한 플라즈마에 의한 식각 공정이 수행된 직후 알에프 파워의 전원은 바로 오프상태가 되면서 클린 가스의 주입과 동시에 터보 펌프(도시되지 않음)에 의해서 반응 챔버(10)내의 반응 가스를 배기 라인을 통해 배출시키게 된다.In addition, immediately after the plasma etching process is performed, the power of the RF power is immediately turned off, and at the same time as the clean gas is injected, the reaction gas in the reaction chamber 10 is discharged through the exhaust line by a turbo pump (not shown). do.

이때 웨이퍼(20)에 안착된 폴리머들은 그대로 잔류하게 되거나 비록 배출된다 하더라도 폴리머가 안착되어 있던 부위는 식각이 이루어지지 않은 상태이므로공정 및 제품 불량이 초래되는 매우 심각한 문제점이 있다.At this time, the polymers seated on the wafer 20 remain as they are or even though they are discharged, the site where the polymers are seated is not etched, and thus there is a very serious problem in that the process and product defects are caused.

따라서 본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점들을 해결하기 위하여 발명된 것으로서, 본 발명의 목적은 탑링을 반응 가스와는 반응성이 좋지 않은 재질로서 구비하여 식각 공정 수행시 탑링의 식각에 의한 폴리머 생성이 방지되도록 하는데 있다.Therefore, the present invention has been invented to solve the above-described problems of the prior art, an object of the present invention is to provide a top ring as a material that is not reactive with the reaction gas to prevent the formation of polymer by the etching of the top ring during the etching process To make it possible.

또한 본 발명은 식각 공정이 수행된 직후 O2를 주입하는 동시에 알에프 파워를 점진적으로 낮춰 인가되게 하므로서 전극간 생성되는 O2플라즈마에 의해 웨이퍼의 식각 공정 수행시 발생되는 폴리머들이 재차 식각되면서 터보 펌프에 의한 배출 효율이 향상되도록 하여 웨이퍼의 제작 효율이 향상되도록 하는데 다른 목적이 있다.In addition, the present invention injects O 2 immediately after the etching process and gradually lowers the RF power, so that the polymers generated during the etching process of the wafer are again etched by the O 2 plasma generated between the electrodes. It is another object to improve the discharge efficiency of the wafer to improve the manufacturing efficiency of the wafer.

도 1은 종래 건식식각장치의 개략적인 종단면도,1 is a schematic longitudinal sectional view of a conventional dry etching apparatus,

도 2는 일반적인 건식식각장치의 탑링의 구조를 도시한 종단면도,Figure 2 is a longitudinal sectional view showing the structure of a top ring of a typical dry etching device,

도 3은 본 발명에 따른 공정 순서를 도시한 블록도.3 is a block diagram showing a process sequence according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 반응 챔버 11 : 분배판10 reaction chamber 11 distribution plate

12 : 척 20 : 웨이퍼12: Chuck 20: Wafer

30 : 탑링30: top ring

이와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 반응 챔버의 내부에서 플라즈마가 웨이퍼에 집중되도록 구비되는 탑링을 반응 가스와의 반응성이 좋지 않은 재질로서 구비하고, 메인 에칭이 완료된 직후에는 반응 챔버의 내부로 O2를 주입하는 동시에 알에프 파워를 점진적으로 낮춰 인가토록 하는 램프 다운 방식으로 수행되도록 하는데 특징이 있다.In order to achieve the above object, the present invention includes a top ring which is provided to concentrate plasma on the wafer in the reaction chamber as a material having poor reactivity with the reaction gas, and immediately after the main etching is completed, It is characterized by the fact that it is carried out in a ramp-down method which injects 2 and gradually lowers the RF power.

이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 메인 에칭시의 탑링으로부터 발생되는 폴리머를 최소화하면서 메인 에칭을 수행한 직후 반응 챔버의 내부로 O2를 주입하는 동시에 알에프 파워를 점차 낮추는 램프 다운 방식에 의해서 제어되도록 하여 반응 챔버내의 폴리머 제거가 보다 효율적으로 수행될 수 있도록 하는 것이다.The present invention is controlled by a ramp-down method of gradually lowering the RF power while simultaneously injecting O 2 into the reaction chamber immediately after the main etching while minimizing the polymer generated from the top ring during the main etching. To be more efficient.

일반적으로 산화막 에칭에서 메인 에칭시 반응 챔버에 주입되는 반응 가스는 Ar과 CHF3이다.In general, the reactant gases injected into the reaction chamber during the main etching in the oxide film etching are Ar and CHF 3 .

이들 반응 가스를 반응 챔버내에 주입한 후 상하부 전극간으로 600W의 알에프 파워를 인가하게 되면 반응 가스들은 이들 전극 사이에서 플라즈마로 되고, 이 플라즈마가 척에 안착되어 있는 웨이퍼의 막질과 반응하므로서 웨이퍼에의 패턴을 형성하게 되는 것이다.When these reactant gases are injected into the reaction chamber and 600W of RF power is applied between the upper and lower electrodes, the reactant gases become plasma between these electrodes and react with the film quality of the wafer seated on the chuck. It will form a pattern.

한편 웨이퍼가 안착되는 척의 상부에는 웨이퍼의 외측을 감싸는 형상으로 포커스 링 또는 에지 링이라고도 하는 탑링이 형성되는 바 본 발명에서는 이러한 탑링을 메인 에칭시 플라즈마와의 반응성이 좋지 않은 재질로서 구비되도록 하는데 하나의 특징이 있다.Meanwhile, a top ring, also called a focus ring or an edge ring, is formed on the top of the chuck on which the wafer is seated. In the present invention, the top ring is provided as a material having poor reactivity with plasma during main etching. There is a characteristic.

다시말해 종전의 탑링은 쿼츠로 이루어지므로 메인 에칭의 수행시 플라즈마가 웨이퍼를 식각하는 동시에 쿼츠인 탑링도 식각을 하게 되고, 식각되는 탑링에서 발생되는 폴리머는 웨이퍼에 안착되면서 웨이퍼의 식각을 방해하게 된다.In other words, since the conventional top ring is made of quartz, the plasma etches the wafer during the main etching, and also the quartz top ring is etched, and the polymer generated from the etched top ring interferes with the etching of the wafer while it is seated on the wafer. .

특히 탑링에서 발생되는 폴리머는 비교적 입자가 크므로 결국 식각이 된 부위와 안된 부위간 웨이퍼 막질에 단차가 발생되는 불량을 초래한다.In particular, since the polymer generated in the top ring is relatively large in particle size, a defect occurs in the wafer film quality between the etched portion and the unetched portion.

따라서 본 발명에서는 탑링을 메인 에칭시의 플라즈마와 잘 반응하지 않는 재질로서 구비되게 하므로서 메인 에칭에 따른 탑링의 식각이 최소화 및 방지되도록 하는 것이다.Therefore, in the present invention, the top ring is provided as a material that does not react well with the plasma during the main etching, thereby minimizing and preventing the etching of the top ring according to the main etching.

탑링을 이루는 재질로는 웨이퍼와 동일한 재질인 단결정의 실리콘으로 구비되도록 하는 것이 가장 바람직하다.Most preferably, the top ring is made of single crystal silicon, which is the same material as the wafer.

또한 메인 에칭이 수행된 직후에는 통상 알에프 파워를 오프시킨 상태에서 반응 챔버의 내부에는 클린 가스를 주입하는 동시에 흡입부압에 의해서 반응 챔버내 반응 가스와 폴리머들을 배출시키게 되나 본 발명에서는 메인 에칭이 완료되면 다시 반응 챔버의 내부로 O2를 주입하고, 알에프 파워를 점차 낮추는 램프 다운 방식에 의해서 O2플라즈마가 생성되도록 하고, 이 O2플라즈마에 의해 반응 챔버내의 폴리머들이 더욱 미세하게 분쇄되도록 하는데 다른 특징이 있는 것이다.In addition, immediately after the main etching is performed, while clean gas is injected into the reaction chamber while the RF power is turned off, the reaction gas and polymers in the reaction chamber are discharged by the suction negative pressure. re-injection of O 2 into the interior of the reaction chamber, and so that the O 2 plasma is generated by the ramp-down, to lower the RF power gradually, the other features in that polymers are more finely divided in the reaction chamber by means of the O 2 plasma It is.

이처럼 O2플라즈마에 의해 더욱 미세하게 폴리머들을 분쇄하게 되면 반응 가스의 배기시 웨이퍼에 폴리머들의 잔류를 최대한 방지하므로서 이후 공정에서의 작업성을 더욱 향상시키게 된다.As such, the finer grinding of the polymers by the O 2 plasma prevents the remaining of the polymers on the wafer when the reaction gas is exhausted, thereby further improving workability in subsequent processes.

한편 본 발명에서의 알에프 파워는 일단 O2를 주입하면서 200W를 인가하고, 다시 50W를 인가한 후 오프시키는 방식으로 고주파 전원을 제어한다.Meanwhile, the RF power in the present invention controls the high frequency power supply by applying 200W while injecting O 2 , and then applying 50W again to turn off the RF power.

이때 탑링의 표면 거칠기는 100ra이하로서 이루어지도록 하는 것이 가장 바람직하다.At this time, the surface roughness of the top ring is most preferably made to be 100ra or less.

이와 같이 구성된 본 발명에 의한 작용에 대해서 살펴보면 다음과 같다.Looking at the operation by the present invention configured as described above are as follows.

도 3은 본 발명에 따른 공정 수행의 과정을 도시한 것이다.3 shows a process of carrying out a process according to the invention.

도시한 바와같이 반응 챔버의 내부로는 Ar과 CHF3을 주입하면서 알에프 파워로부터 600W의 고주파 전원이 전극간으로 인가되도록 하는 것은 종전과 동일하다.As shown in the drawing, it is the same as before to inject Ar and CHF 3 into the reaction chamber so that a high-frequency power of 600 W from the RF power is applied between the electrodes.

고주파 전원이 인가되면 상하부 전극간에서 반응 가스는 플라즈마화되고, 이들 플라즈마가 웨이퍼의 막질과 반응하면서 식각을 한다.When a high frequency power is applied, the reaction gas becomes plasma between the upper and lower electrodes, and these plasmas are etched while reacting with the film quality of the wafer.

이처럼 주입되는 반응 가스의 플라즈마에 의한 웨이퍼의 식각시 웨이퍼의 외주연측을 감싸는 탑링은 종전의 쿼츠보다는 반응 가스의 플라즈마와의 반응성이 좋지 않은 재질로서 구비되므로서 메인 에칭에 의한 탑링의 식각은 최소화되거나 방지될 수가 있다.The top ring surrounding the outer circumferential side of the wafer when the wafer is etched by the plasma of the injected reactive gas is provided as a material that is less reactive with the plasma of the reactive gas than the conventional quartz, and thus the etching of the top ring by the main etching is minimized. Or can be prevented.

따라서 탑링에서 폴리머의 생성이 줄어들거나 생성이 방지되므로서 웨이퍼의 식각이 안전하게 수행될 수가 있게 된다.As a result, the formation of the polymer in the top ring is reduced or prevented, so that the etching of the wafer can be safely performed.

메인 에칭이 종료되고 나면 일단 반응 챔버에는 O2를 주입하면서 알에프 파워로부터의 고주파 전원을 단계적으로 낮추도록 한다.Once the main etch is finished, the reaction chamber is once injected with O 2 to step down the high frequency power from the RF power.

반응 챔버에 O2를 주입하면서 알에프 파워를 일단 200W로 내리게 되면 상하부 전극간으로는 O2플라즈마가 생성되고, 이 O2플라즈마는 웨이퍼의 에칭에 의해 생성된 폴리머들을 더욱 미세하게 분쇄시키므로서 웨이퍼에 잔류하는 폴리머들은 완벽하게 제거하게 되는 것이다.Following the introduction of O 2 in the reaction chamber when the let down the RF power set to 200W in between the upper and lower electrodes is an O 2 plasma is generated, in the O 2 plasma wafer standing because more finely divided the polymer produced by the etching of the wafer The remaining polymer is completely removed.

즉 웨이퍼를 에칭한 직후 웨이퍼에 안착되는 폴리머들을 O2플라즈마를 사용하여 보다 미세하게 분쇄시키게 되면 웨이퍼로부터 쉽게 분리되는 상태가 되며, 이 상태에서 클린 가스를 주입하는 동시에 터보 펌프를 구동시키게 되면 배기 라인을 통해 폴리머들이 원활하게 배출되므로 반응 챔버내의 반응 가스 및 폴리머들이 거의 잔류하지 못하는 상태가 된다.In other words, if the polymers deposited on the wafer are finely pulverized using the O 2 plasma immediately after etching the wafer, they are easily separated from the wafer.In this state, the clean gas is injected and the turbo pump is driven at the same time. Since the polymers are smoothly discharged, the reaction gas and the polymers in the reaction chamber hardly remain.

이처럼 본 발명은 메인 에칭시 탑링의 식각에 의해 발생되는 폴리머의 생성 및 이들 폴리머의 웨이퍼 안착이 최소화 내지는 방지되게 하는 동시에 메인 에칭에 의해 발생되는 폴리머들을 알에프 파워의 지속적인 인가와 O2플라즈마에 의해 더욱 미세하게 분쇄되게 하므로서 배기시 원활하게 배출되도록 하여 웨이퍼의 가공성이 더욱 향상되도록 한다.As such, the present invention allows the generation of polymers generated by the etching of the top ring during the main etching and the wafer deposition of these polymers to be minimized or prevented, and the polymers generated by the main etching are further reduced by the continuous application of RF power and O 2 plasma. By finely crushed to be discharged smoothly during the exhaust to improve the processability of the wafer.

한편 상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다는 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다.On the other hand, while many matters have been described in detail in the above description, they should be construed as illustrative of preferred embodiments rather than to limit the scope of the invention.

따라서 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be defined by the described embodiments, but should be determined by the technical spirit described in the claims.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 간단히 탑링의 재질을 반응 가스의 플라즈마와 반응성이 좋지 않은 재질, 일례로 단결정의 실리콘과 같은 재질로서 구비되도록 하면서 메인 에칭이 종료된 직후에는 O2를주입하면서 알에프 파워의 고주파 전원을 점진적으로 낮추어 제어하는 방식으로 O2플라즈마가 형성되게 하므로서 반응 챔버내에서의 폴리머 생성 및 배기시 완벽한 제거에 의해 폴리머 잔류량을 획기적으로 제거하게 되는 장점이 있다.As described above, according to the present invention, the material of the top ring is simply made of a material having poor reactivity with the plasma of the reaction gas, for example, a single crystal of silicon, while injecting O 2 immediately after the main etching is finished. Since the O 2 plasma is formed in a manner of gradually lowering and controlling the high frequency power of the polymer, the polymer residue in the reaction chamber is completely removed during the generation and exhaust of the polymer.

따라서 본 발명은 웨이퍼에의 효율적인 잔류 불순물 제거를 가능케 하므로서 웨이퍼 가공의 작업성과 제품에 대한 신뢰성을 더욱 향상시키게 되는 매우 유용한 효과를 제공하게 되는 것이다.Therefore, the present invention is to provide a very useful effect that can effectively remove the residual impurities on the wafer to further improve the workability of the wafer processing and the reliability of the product.

Claims (4)

반응 챔버의 내부에서 플라즈마가 웨이퍼에 집중되도록 구비되는 탑링을 반응 가스와 반응성이 좋지 않은 재질로서 구비하고, 메인 에칭이 완료된 직후에는 반응 챔버의 내부로 O2를 주입하는 동시에 알에프 파워를 점진적으로 낮춰 인가토록 하는 램프 다운 방식으로 수행되는 건식식각장치의 폴리머 제거방법.The top ring is provided as a material that is not reactive with the reaction gas, and the plasma is concentrated on the wafer inside the reaction chamber. Immediately after the main etching is completed, O 2 is injected into the reaction chamber and the egg power is gradually lowered. A method for removing polymer of a dry etching apparatus, which is performed by a ramp down method. 제 1 항에 있어서, 상기 탑링은 단결정 실리콘으로 이루어지는 건식식각장치의 폴리머 제거방법.The method of claim 1, wherein the top ring is made of single crystal silicon. 제 2 항에 있어서, 상기 탑링의 표면 거칠기는 100ra이하인 건식식각장치의 폴리머 제거방법.3. The method of claim 2, wherein the surface roughness of the top ring is 100 ra or less. 제 1 항에 있어서, 상기 알에프 파워는 메인 에칭시 600W의 고주파 전원이 인가되고, O2를 주입하는 상태에서는 200W와 50W로 점차 낮춘 후 오프되도록 하는 건식식각장치의 폴리머 제거방법.The method of claim 1, wherein the RF power is applied to the high-frequency power of 600W during the main etching, and gradually lowered to 200W and 50W in the state of injecting O 2 to be off after the polymer of the dry etching apparatus.
KR1020010046506A 2001-08-01 2001-08-01 Method for removing polimer of dry etching apparatus KR20030012477A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010046506A KR20030012477A (en) 2001-08-01 2001-08-01 Method for removing polimer of dry etching apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010046506A KR20030012477A (en) 2001-08-01 2001-08-01 Method for removing polimer of dry etching apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20030012477A true KR20030012477A (en) 2003-02-12

Family

ID=27717646

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010046506A KR20030012477A (en) 2001-08-01 2001-08-01 Method for removing polimer of dry etching apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20030012477A (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990039627U (en) * 1998-04-15 1999-11-15 김영환 Polymer Deposition Prevention Device for Wafer Dry Etching Equipment
JP2001007090A (en) * 1999-06-25 2001-01-12 Mitsubishi Materials Corp Focusing ring for plasma etching apparatus
KR20010019237A (en) * 1999-08-26 2001-03-15 윤종용 Apparatus for Dry Etch
JP2001135619A (en) * 1999-11-09 2001-05-18 Shin Etsu Chem Co Ltd Silicon focus ring and its manufacturing method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990039627U (en) * 1998-04-15 1999-11-15 김영환 Polymer Deposition Prevention Device for Wafer Dry Etching Equipment
JP2001007090A (en) * 1999-06-25 2001-01-12 Mitsubishi Materials Corp Focusing ring for plasma etching apparatus
KR20010019237A (en) * 1999-08-26 2001-03-15 윤종용 Apparatus for Dry Etch
JP2001135619A (en) * 1999-11-09 2001-05-18 Shin Etsu Chem Co Ltd Silicon focus ring and its manufacturing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4657473B2 (en) Plasma processing equipment
TWI435406B (en) Methods for substrate processing
US5423918A (en) Method for reducing particulate contamination during plasma processing of semiconductor devices
JPH06188229A (en) Posttreatment of etching
CN1945793A (en) Apparatus and method for treating a substrate with plasma, and facility for manufacturing semiconductor devices
KR20080111624A (en) Plasma etching apparatus and chamber cleaning method using plasma etching apparatus
CN1310293C (en) Dry etching method
WO2003056617A1 (en) Etching method and plasma etching device
KR100603099B1 (en) Plasma processing method
JP2002231699A (en) Cleaning method of silicon electrode for fluorocarbon- based plasma generation, and manufacturing method of semiconductor device
CN115799061B (en) SiC wafer dicing sheet processing method and SiC wafer dicing sheet processing apparatus
WO2020013014A1 (en) Cleaning method and substrate processing device
US6545245B2 (en) Method for dry cleaning metal etching chamber
JPH1092796A (en) Plasma treatment device
KR20030012477A (en) Method for removing polimer of dry etching apparatus
JPH06122983A (en) Plasma treatment and plasma device
KR100553299B1 (en) Plasma processing method
KR101909100B1 (en) Plasma processing apparatus and method
JP4541193B2 (en) Etching method
KR100667675B1 (en) Atmospheric pressure plasma apparatus used in etching of an substrate
TW202228186A (en) Plasma processing apparatus and processing method that includes a reaction chamber that comprises a gas inlet device, a radio frequency power source, a cleaning wafer, and an electrostatic chuck having a surface covered by the cleaning wafer
JP2004079664A (en) Etching equipment and method for eliminating reaction product
US20240006157A1 (en) Methods and systems for dry etching
KR20010019237A (en) Apparatus for Dry Etch
KR100902613B1 (en) Plasma treatment apparatus and method of the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee