KR20030009580A - Organic electroluminescence device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유기 EL(electroluminescence)을 이용하여 평판 디스플레이(flat panel display) 제작시 발광면 기판을 수정하여 소자의 패시베이션(passivation) 기능과 전체적인 발광 효율(output coupling efficiency)을 증가시키는 유기 EL 소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic EL device that increases the passivation function and overall output coupling efficiency of a device by modifying a light emitting surface substrate when manufacturing a flat panel display using organic electroluminescence (EL). will be.
일반적으로 유기 EL 소자는 도 1과 같이 기판(14) 위에 형성되는 제1전극(anode)(13)과, 제 1 전극(13) 위에 형성되는 유기 발광층(12)과, 상기 유기 발광층(12) 위에 형성되는 제 2전극(cathode)(11)으로 구성될 수 있다.In general, the organic EL device includes a first electrode 13 formed on the substrate 14, an organic emission layer 12 formed on the first electrode 13, and the organic emission layer 12. It may be composed of a second electrode (cathode) 11 formed on.
상기 유기 발광층(12)은 적어도 두 개의 분리된 유기층, 즉 소자에 있어서 전자를 주입하고 수송하는 하나의 층과 정공을 주입하고 수송하는 영역을 형성하는 하나의 층을 포함하며, 이외에도 얇은 유기 필름의 다중층이 더욱 포함될 수 있다. 상기 전자를 주입하고 수송하는 층과 정공을 주입하고 수송하는 층은 각각 전자 주입층, 전자 수송층 및 정공 주입층, 정공 수송층으로 나뉘어질 수도 있다.The organic light emitting layer 12 includes at least two separate organic layers, that is, one layer for injecting and transporting electrons and one layer for forming an area for injecting and transporting holes in the device. Multiple layers may be further included. The layer for injecting and transporting electrons and the layer for injecting and transporting holes may be divided into an electron injection layer, an electron transport layer, a hole injection layer, and a hole transport layer, respectively.
또한, 상기 유기 발광층(12)은 상기 전자 주입·수송층과 상기 정공 주입·수송층외에 발광층을 더욱 포함하여 구성될 수 있다.In addition, the organic light emitting layer 12 may further include a light emitting layer in addition to the electron injection and transport layer and the hole injection and transport layer.
이와 같은 구조의 유기 EL 소자의 제 2전극(11)은 전자 주입·수송층(혹은 각각 전자 주입층과 전자 수송층)을 통해 전자를 주입시켜주고, 제1전극(13)은 정공 주입·수송층(혹은 각각 정공 주입층과 정공 수송층)을 통해 정공을 주입시켜줌으로서 유기 발광층(12) 안에서 전자와 정공이 쌍을 이루고 있다가 소멸되면서 에너지가 빛으로서 방출된다.The second electrode 11 of the organic EL device having such a structure injects electrons through an electron injection and transport layer (or an electron injection layer and an electron transport layer, respectively), and the first electrode 13 is a hole injection and transport layer (or By injecting holes through the hole injection layer and the hole transport layer, respectively, electrons and holes are paired in the organic light emitting layer 12 and then disappear, and energy is emitted as light.
이러한 유기 EL 소자는 발광하는 면에 따라 바텀 발광(bottom emission)과 톱 발광(top emission)으로 나뉘어진다.Such an organic EL device is classified into bottom emission and top emission according to the light emitting surface.
상기 바텀 발광의 소자를 만들 경우 기판(11)으로 글래스를 사용하고, 빛은 상기 글래스 기판(11)을 통하여 발산된다. 이와 같은 경우, 유기 발광층(12)과 글래스 계면사이에서의 굴절률 차이로 인한 산란으로 외부 발광 효율이 감소하게 된다. 유기 발광 소자내의 굴절률에 의한 광 산란은 도 1과 같이 나타낼 수 있다.When the bottom emission device is manufactured, glass is used as the substrate 11, and light is emitted through the glass substrate 11. In this case, the external light emission efficiency is reduced due to scattering due to the difference in refractive index between the organic light emitting layer 12 and the glass interface. Light scattering by the refractive index in the organic light emitting device can be shown as shown in FIG.
이때, 효율의 감소는 글래스 기판을 사용할 경우, 유기 EL 소자에서 만들어지는 빛의(n은 굴절률)만의 빛이 밖으로 나오며, 이론적인 값은 17%에 해당한다.In this case, the decrease in efficiency is due to the fact that the light produced by the organic EL element when the glass substrate is used. (n is the index of refraction) only comes out, the theoretical value is 17%.
즉, 상기 유기 발광층의 굴절률은 대체로 1.6∼1.8의 값을 가진다. 이 값을 통해 일반적으로 유기층과 전극계면에서의 굴절률차에 의한 효율 감소는 다음의 수학식 1을 통해 43%이상 도파(waveguiding)되어 광 로스로 일어나는 것을 알 수 있다.That is, the refractive index of the organic light emitting layer generally has a value of 1.6 to 1.8. Through this value, the efficiency decrease due to the difference in refractive index between the organic layer and the electrode interface is generally waveguided by 43% or more through Equation 1 below, resulting in light loss.
그러므로, 실제 유기 발광층과 전극을 통해 방출되는 빛은 다음의 수학식 2를 통해 계산해보면 이상적인 경우 5%이하의 광만 나오게 된다.Therefore, the light emitted through the actual organic light emitting layer and the electrode is calculated by Equation 2 below, the ideal light is less than 5%.
이 중 발광면의 면적에 따라 수십%까지 빛의 감소가 일어난다.Among these, light decreases by several tens percent depending on the area of the light emitting surface.
이러한 특성은 유기 발광 소자의 밝기(brightness)를 줄여, 고 휘도의 발광을 하기 위해 많은 전력 소비를 사용하게 된다. 이 경우 높은 전압으로 인해 유기 발광체에 많은 스트레스를 가하게 되고, 이로 인해 유기층의 산화나 열분해로 인한 구조 파괴를 가져오게 된다.This property reduces the brightness of the organic light emitting device, and uses a lot of power consumption to emit high luminance. In this case, a high voltage puts a lot of stress on the organic light emitting body, which causes structural destruction due to oxidation or thermal decomposition of the organic layer.
따라서, 광 산란에 의한 손실을 줄이기 위해 기판으로 플라스틱(plastic)을 사용하기도 하지만, 전극 증착시 기판의 열 안정성이 낮아 변형이 일어나고, 열에 의한 표면의 모폴로지가 변형을 일으켜 전극의 저항 증가를 가져오게 된다.Therefore, although plastic is used as a substrate to reduce the loss due to light scattering, deformation occurs due to low thermal stability of the substrate during electrode deposition. do.
또한, Forrest등은 메사(mesa) 구조(optics Letters, 22.6.396(p), 1997)를 이용하여 외부 양자 효율을 2배 이상 높였다.Forrest et al. Also increased the external quantum efficiency by more than two times using mesa structures (optics Letters, 22.6.396 (p), 1997).
그러나, 근본적으로 글래스 기판 위에 메사 구조를 형성하기가 매우 어렵고 유기물과 글래스 간의 굴절률 차이가 크므로 도파(wave guiding)로 소멸되는 빛의 양이 많다.However, it is fundamentally difficult to form a mesa structure on the glass substrate, and because the difference in refractive index between the organic material and the glass is large, the amount of light disappeared by wave guiding is large.
그리고, 최근에는 대면적의 디스플레이가 요구됨에 따라 유기 EL 소자의 구동 방식으로 능동(active) 구동 방식을 많이 사용하게 된다. 이 경우 트랜지스터(예, TFT)를 사용하게 되고, 결과적으로 바텀 발광 방식으로는 유기 발광 면적이 감소하게 되어 전체적인 발광 휘도가 더욱 감소하게 된다.In recent years, as a large area display is required, many active driving methods are used as driving methods of organic EL elements. In this case, a transistor (eg, a TFT) is used, and as a result, the bottom emission method reduces the organic light emitting area and further reduces the overall light emission luminance.
따라서, 바텀 발광에 의한 광 로스를 줄이기 위해 톱 발광 방식의 유기 EL 소자가 많이 사용되고 있다. 이때, 상기 톱 발광 방식의 발광 소자의 경우 TFT나 전극 패턴에 의한 발광 면적의 감소 영향이 적으므로 TFT나 전극 패턴에 의한 개구율 감소 영향이 사라지게 된다.Therefore, in order to reduce light loss due to bottom emission, organic EL devices having a top emission type have been frequently used. In this case, in the light emitting device of the top emission type, the influence of the reduction of the light emitting area by the TFT or the electrode pattern is small, so that the influence of the aperture ratio decrease by the TFT or the electrode pattern disappears.
하지만 이러한 발광 구조의 봉지(encapsulation)시 여전히 글래스나 플라스틱을 사용하게 되고, 이를 통한 광 투과가 생기므로 굴절에 의한 광의 로스는 여전히 남게 된다.However, the encapsulation of the light emitting structure still uses glass or plastic, and the light transmission through the light remains, so that the loss of light due to refraction remains.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 발광 기판을 수정하여 바텀이나 톱 발광 방식을 사용할 경우 기판을 통한 광 로스를 최대한 줄이는 유기 EL 소자를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an organic EL device that minimizes light loss through the substrate when the bottom or top light emitting method is modified by modifying the light emitting substrate.
도 1은 일반적인 유기 EL 소자의 공정 단면도 및 발광경로1 is a cross-sectional view and a light emitting path of a general organic EL device
도 2는 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 공정 단면도 및 발광경로2 is a cross-sectional view and a light emission path of an organic EL device according to the present invention.
도 3은 도 2의 보호층이 렌즈 형태로 형성되는 예를 보인 도면3 illustrates an example in which the protective layer of FIG. 2 is formed in a lens shape.
도 4a 내지 도 4c는 도 2의 보호층 제조 공정을 보여주는 공정 단면도4A to 4C are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing the protective layer of FIG. 2.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of the drawings
21 : 기판 및 전극21 : 버퍼층21 substrate and electrode 21 buffer layer
22 : 격벽23 : 유기 발광층22: partition 23: organic light emitting layer
24 : 제 1 박막층25 : 제 2 박막층24: first thin film layer 25: second thin film layer
26 : 보호층26: protective layer
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 EL 소자는, 기판 위에 형성되는 양극과, 상기 양극 위에 형성되는 유기 발광층과, 상기 유기 발광층 위에 광 로스를 줄이기 위해 패시베이션할 수 있는 물질로 형성되는 렌즈 형태의 보호층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The organic EL device according to the present invention for achieving the above object is formed of an anode formed on the substrate, an organic light emitting layer formed on the anode, and a passivable material on the organic light emitting layer to reduce light loss It characterized in that it comprises a protective layer in the form of a lens.
상기 렌즈 형태의 보호층은 콘 타입이나 메사 타입인 것을 특징으로 한다.The lens-type protective layer is characterized in that the cone type or mesa type.
상기 보호층은 상기 유기 발광층 위에 패시베이션 물질을 증착하여 일정 두께에 이르게 한 후, 일정 두께가 되면 마스크를 사용하여 패시베이션 물질을 증착하여 형성하는 것을 특징으로 한다.The passivation layer may be formed by depositing a passivation material on the organic light emitting layer to a predetermined thickness, and then depositing a passivation material using a mask when the passivation material reaches a predetermined thickness.
상기 보호층은 글래스나 굴절률이 큰 플라스틱 계열을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 한다.The protective layer is formed using a glass-based plastic or a large refractive index.
상기 보호층은 에폭시 계열 및 실리콘 화합물의 봉함제를 사용하며, 상기 화합물의 코팅은 PVD법에 의한 증착이나 용액 코팅을 통한 막 생성후 UV를 조사 경화시키는 액화 방법으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The protective layer uses an encapsulant of an epoxy-based and silicon compound, and the coating of the compound is characterized by a liquefaction method of irradiating and curing UV after film formation through deposition or solution coating by PVD method.
상기 유기 발광층과 보호층 사이에는 제 1 박막층이 형성되며, 상기 제 1 박막층은 광 투과성이 좋은 고분자나 유기물을 사용하며, CVD, PVD, PECVD, sputter 중 어느 하나 이상의 방법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 한다.A first thin film layer is formed between the organic light emitting layer and the protective layer, and the first thin film layer uses a polymer or organic material having good light transmittance, and is formed using any one or more methods of CVD, PVD, PECVD, and sputter. It is done.
상기 제 1 박막층과 보호층 사이에는 실리콘 화합물을 사용하여 제 2 박막층이 형성되는 것을 특징으로 한다.A second thin film layer is formed between the first thin film layer and the protective layer using a silicon compound.
본 발명의 다른 목적, 특징 및 잇점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.Other objects, features and advantages of the present invention will become apparent from the following detailed description of embodiments taken in conjunction with the accompanying drawings.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 제조 방법을 나타낸 것으로서, 상기 유기 EL 소자는 다층 구조로 형성된다.2 shows a method of manufacturing an organic EL device according to the present invention, wherein the organic EL device is formed in a multilayer structure.
즉, 기판(20) 위에 띠(stripe) 형태로 양극 전극이 형성되고, 상기 양극 전극 위에 유기 발광층(23)이 형성된다.That is, an anode electrode is formed in a stripe shape on the substrate 20, and an organic emission layer 23 is formed on the anode electrode.
이때, 양극과 음극 전극(도시되지 않음)간의 전기 절연을 위해 격벽(22)을 양극에 수직한 방향으로 형성시킨다. 그리고, 전기 절연을 보다 확실히 하기 위해 기판(20)과 격벽(22) 사이에 버퍼층(21)을 사용한다.At this time, the partition wall 22 is formed in a direction perpendicular to the anode for electrical insulation between the anode and the cathode electrode (not shown). Then, the buffer layer 21 is used between the substrate 20 and the partition wall 22 to ensure electrical insulation.
상기 유기 발광층(23)은 격벽(22)에 의해 분리되어지며, 매트릭스 형태로 표시되어지는 디스플레이 화소의 하나이다.The organic light emitting layer 23 is separated by the partition wall 22 and is one of display pixels displayed in a matrix form.
상기 유기 발광층(23)의 구조는 양극 전극과 음극 전극 사이에 유기 반도체 층이 형성되어진 구조이다. 이때, 상기 유기 반도체는 예를 들어, 사용하는 용도에 따라 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층등의 조합 형태로 구성되어질 수 있다.The organic light emitting layer 23 has a structure in which an organic semiconductor layer is formed between an anode electrode and a cathode electrode. In this case, for example, the organic semiconductor may be configured in a combination of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer, depending on the intended use.
상기 유기 발광층(23) 위에는 공기층에 의한 산란을 막기위해 CVD, PVD, PECVD, sputter와 같은 방법을 통해 굴절률 1.6 이상의 값을 가지는 제 1박막층(24)을 형성한다.The first thin film layer 24 having a refractive index of 1.6 or more is formed on the organic light emitting layer 23 by a method such as CVD, PVD, PECVD, and sputter to prevent scattering by the air layer.
상기 제 1 박막층(24)에 사용될 수 있는 재료로는 광 투과성이 좋은 불소(fluorine)를 함유한 고분자나 유기물이 가능하다. 그 예로서, 폴리클로로트리플우오로에틸렌(polychlorotrifluoroethylene), 폴리디클로로트리플우오로에틸렌(polydichlorotrifluoroethylene), 클로로트리플우오로에틸렌(chlorotrifluoroethylene), 디클로로트리플우오로에틸렌(dichlorotrifluoroethylene)등과 같은 고분자나 이들 고분자의 공중합체(copolymer)의 형태도 가능하다. 그리고, 상기 물질의 분자량은 1000∼3000000까지 가능하나, 1000∼3000정도가 적당하다.The material that can be used for the first thin film layer 24 may be a polymer or organic material containing fluorine having good light transmittance. Examples thereof include polymers such as polychlorotrifluoroethylene, polydichlorotrifluoroethylene, chlorotrifluoroethylene, dichlorotrifluoroethylene, and copolymers of these polymers. Copolymers are also possible. The molecular weight of the substance can be up to 1000 to 3000000, but about 1000 to 3000 is appropriate.
상기 제 1 박막층(24)을 유기 발광층(23) 위에 형성시킴으로써, 상부에 패시베이션(passivation) 물질을 증착시 유기 발광층(23)에 대한 손상(damage)을 줄일 수 있을뿐만 아니라 글래스나 플라스틱 기판에 의한 봉지(encapsulation)시 발광층(23)과 봉지 기판 사이에 생기는 공기층에 의한 발광 효율(output coupling) 로스(loss)를 막을 수 있다.By forming the first thin film layer 24 on the organic light emitting layer 23, it is possible to reduce damage to the organic light emitting layer 23 when the passivation material is deposited thereon, as well as by the glass or plastic substrate. During encapsulation, an output coupling loss due to an air layer generated between the light emitting layer 23 and the encapsulation substrate may be prevented.
또한, 상기 제 1 박막층(24) 위에 제 2 박막층(25)을 형성시켜 패시베이션(passivation) 효과를 증대시킬 수 있다. 상기 제 2 박막층(25)의 물질로는 SiC, SiO, SiO2, SixNy등의 실리콘 화합물(silicone composite)의 사용도 적당하다. 그 중 SiO2, SixNy의 물질이 선호되어지고, E-beam 침착(deposition) 방법에 의한 증착이 적당하다. 이때, 상기 제 1, 제 2 박막층(24,25)의 두께는 격벽층(22)의 높이까지가 적당하며, PVD에 의한 막 생성시 0.1∼10nm/s로 입히는 것이 적당하다. 또한, 이러한 막 생성시 증착 속도가 빠르면 표면의 모폴로지(morphology)가 거칠어지게되는 그레인 사이즈(grain size)가 1㎛ 이상이 성장되므로 기판 온도가 70°의 온도 범위에서 증착하는 것이 좋다.In addition, the second thin film layer 25 may be formed on the first thin film layer 24 to increase the passivation effect. As the material of the second thin film layer 25, a silicon composite such as SiC, SiO, SiO 2 , Si x N y, or the like is also suitable. Among them, materials of SiO 2 , Si x N y are preferred, and deposition by an E-beam deposition method is suitable. At this time, the thickness of the first and second thin film layers 24 and 25 is preferably up to the height of the partition layer 22, and is appropriately coated at 0.1 to 10 nm / s during the film formation by PVD. In addition, when the deposition rate is high when the film is formed, a grain size (grain size) of which the surface morphology becomes rough is grown to 1 μm or more, so that the substrate temperature is preferably deposited in a temperature range of 70 °.
이때, 상기 제 1 박막층(24)과 제 2 박막층(25)은 패시베이션의 효과에 따라 두층 이상의 다층으로 구성되어질 수 있다.In this case, the first thin film layer 24 and the second thin film layer 25 may be composed of two or more multilayers according to the effect of passivation.
그리고, 상기 제 2 박막층(25) 위에는 소자를 최종적으로 패시베이션할 수 있는 물질을 증착시켜 보호층(protection layer)(26)을 형성한다.In addition, a protection layer 26 is formed on the second thin film layer 25 by depositing a material capable of finally passivating the device.
이와 같은 보호층(26)에는 증착 후 UV 경화시키는 물질이나 단순히 증착에 의해 패시베이션 성질을 가지는 물질을 사용한다. 이들 재료의 예로서, 에폭시(epoxy) 계열 및 실리콘 화합물의 봉함제(sealant)가 적당하다. 에폭시 계열은 광경화 형태의 물질로 낮은 휘발성과 높은 용융점을 가지는 화합물이 좋다.As the protective layer 26, a material which is UV cured after deposition or a material having passivation property by vapor deposition is used. As examples of these materials, sealants of epoxy series and silicone compounds are suitable. Epoxy series is a photocurable material, preferably a compound with low volatility and high melting point.
예로, 트리메틸 프로판 트리아크릴레이트(trimethyl propane triacrylate), 디트리메틸올프로판 테트라아크릴레이트(ditrimethylolpropane tetraacrylate)와 같은 트리메틸아크릴레이트(trimethylacrylate) 및 1,6-헥산디올 디아크릴레이트(hexanediol diacrylate), 1,6-헥산디올 디메타아크릴레이트(hexanediol dimethacrylate)와 같은 긴체인의 아크릴레이트(acrylate)가 적당하다.For example, trimethyl acrylate, such as trimethyl propane triacrylate, ditrimethylolpropane tetraacrylate, and 1,6-hexanediol diacrylate, 1,6 Suitable acrylates are suitable, such as hexanediol dimethacrylate.
이러한 화합물의 코팅은 PVD법에 의한 증착이나 용액 코팅을 통한 막 생성후 UV를 조사 경화시키는 액화(condensation)방법으로 이루어진다.Coating of such a compound is made by a condensation method of irradiating and curing UV after deposition by PVD or film formation through solution coating.
그리고, 상기 보호층(26)은 글래스나 굴절률이 큰 플라스틱 계열을 사용할 수 있으며, 플라스틱의 경우 굴절률 값이 1.6 이상의 것이 적당하며 광 투과율이 90% 이상이 선호되어진다.The protective layer 26 may be made of glass or a plastic series having a large refractive index. In the case of plastic, a refractive index value of 1.6 or more is preferable, and light transmittance of 90% or more is preferred.
상기 보호층(26)의 형태는 도 3과 같이 콘 타입이나 메사 타입과 같은 렌즈 형태를 가지고 있다.The protective layer 26 has a lens shape such as a cone type or a mesa type as shown in FIG. 3.
도 4a 내지 도 4c는 상기 보호층(26)의 제작 과정을 도시한 것이다.4A to 4C illustrate a manufacturing process of the protective layer 26.
도 4a는 유기 발광층(23) 위에 제 1, 제 2 박막층(24,25)이 상기된 과정으로 순차 형성되어 있는 상태를 보이고 있다.4A illustrates a state in which the first and second thin film layers 24 and 25 are sequentially formed on the organic light emitting layer 23 by the above-described process.
상기 도 4a와 같이 형성된 소자의 제 2 박막층(25) 위에 도 4b와 같이 패시베이션 물질을 형성하여 일정 두께에 이르게 한다.The passivation material is formed on the second thin film layer 25 of the device formed as shown in FIG. 4A as shown in FIG. 4B to reach a predetermined thickness.
상기 패시베이션 물질로는 굴절률이 큰 물질, 예를 들어 플라스틱 등이 사용될 수 있다.As the passivation material, a material having a high refractive index, for example, plastic, may be used.
도 4b의 과정에 의해 일정 두께가 되면 마스크를 사용하여 패시베이션 물질을 형성한다. 상기 패시베이션 물질로는 글래스, 굴절률이 큰 플라스틱 재료가 선호되어진다.When the thickness reaches a predetermined thickness by the process of FIG. 4B, a passivation material is formed using a mask. As the passivation material, glass and plastic material having a high refractive index are preferred.
결과적으로 보호층(26)은 콘 타입이나 메사 타입과 같은 렌즈 모양이 형성된다.As a result, the protective layer 26 is formed in the form of a lens such as cone type or mesa type.
이상에서와 같이 본 발명에 따른 유기 EL 소자에 의하면, 유기 EL 소자를 만드는데 있어서 고분자 물질을 사용하여 패시베이션함으로써, 유기 발광층과 글래스기판 사이의 굴절률 차에 의한 발광 효율 로스(output coupling loss)를 줄일 수 있고 또한, 래미네이트(laminated)된 발광면이 계면에서 도파되어 잃게되는 광의 손실을 막아줌으로써, 고효율의 발광 특성을 소자에 부여할 수 있다. 특히, 콘 타입이나 메사 타입과 같은 렌즈 형태를 채용함으로써, 발광 효율을 증가시킬 수 있다.As described above, according to the organic EL device according to the present invention, the passivation using a polymer material in the manufacture of the organic EL device, it is possible to reduce the output coupling loss due to the difference in refractive index between the organic light emitting layer and the glass substrate. In addition, the laminated light emitting surface is prevented from losing the light lost due to waveguide at the interface, thereby providing the device with high efficiency light emitting characteristics. In particular, by employing a lens type such as a cone type or a mesa type, the luminous efficiency can be increased.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the embodiments, but should be defined by the claims.
Claims (7)
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| KR100301275B1 (en) * | 1999-01-05 | 2001-09-29 | 포만 제프리 엘 | Siloxane and siloxane derivatives as encapsulants for organic light emitting devices |
-
2001
- 2001-07-11 KR KR10-2001-0041665A patent/KR100437766B1/en active IP Right Grant
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