KR200234230Y1 - Wafer Drying Equipment - Google Patents
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Abstract
본 고안은 웨이퍼에 세정공정을 진행시킴에 따라 그 표면에 잔재된 수분을 건조시키기 위한 웨이퍼 건조장치에 관한 것으로, 건조탱크와, 건조탱크 하부에 설치되어 수분이 일정방향으로 흐르도록 하기 위한 받침대와, 받침대와 연결설치되어 수분을 외부로 배출시키기 위한 배출관과, 건조탱크 일측에 설치되어 건조탱크 내부로 가스를 공급시키기 위한 가스공급관과, 배출관에 연결설치되어 건조탱크 내부의 공기를 펌핑시키어 압력을 조절시키기 위한 펌핑배기관과, 건조탱크에 설치되어 내부의 압력이 대기압 또는 목적치가 된 것을 감지하기 위한 압력센서부를 구성된 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a wafer drying apparatus for drying the moisture remaining on the surface of the wafer as the cleaning process proceeds, and is provided in the drying tank and a pedestal for allowing the moisture to flow in a predetermined direction. , Connected to the pedestal to discharge water to the outside, gas supply pipe for supplying gas into the drying tank installed on one side of the drying tank, and connected to the discharge pipe to pump air in the drying tank to A pumping exhaust pipe for adjusting and a pressure sensor unit installed in the drying tank for detecting that the pressure inside the atmospheric pressure or the target value.
따라서, 상술한 구성을 갖는 본 고안의 웨이퍼 건조장치에서는 별도의 처리액을 사용하지 않고도 건조탱크 내부의 압력을 목적치의 저기압상태로 유지시키면 상온 이하에서도 수분이 끓어 증발된다는 점을 이용하여 간단한 공정으로 웨이퍼 표면을 건조시킬 수 있다. 또한, 처리액을 사용하지 않음에 따라, 별도의 가열수단이나 배스나 소화기 등이 불필요하여 간소화된 잇점이 있다.Therefore, in the wafer drying apparatus of the present invention having the above-described configuration, if the pressure inside the drying tank is maintained at a low atmospheric pressure state without using a separate treatment liquid, the water is boiled and evaporated even at room temperature or less in a simple process. The wafer surface can be dried. In addition, since the treatment liquid is not used, a separate heating means, a bath, a fire extinguisher, or the like is unnecessary, which has a simplified advantage.
Description
본 고안은 웨이퍼 건조장치에 관한 것으로, 특히, 세정공정이 완료된 웨이퍼를 건조시키기에 적당한 웨이퍼 건조장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer drying apparatus, and more particularly, to a wafer drying apparatus suitable for drying a wafer on which a cleaning process is completed.
반도체 디바이스 제조 과정에는 실리콘웨이퍼에 물질을 도포, 증착, 또는 식각 등의 여러 공정이 진행되는 동안 그 표면에는 각공 오염 물질이 생기어 잔재된다. 따라서, 별도의 세정액을 이용하여 웨이퍼의 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 필요하며, 이 세정 공정이 완료된 웨이퍼에는 다량의 수분이 잔재하게 된다. 이러한 웨이퍼에 잔재된 수분으로 인해 웨이퍼 상의 미세패턴에 물자국(water mark) 등이 발생되어 소자의 특성을 저하시킬 우려가 있다. 그러므로, 세정 공정이 완료된 웨이퍼에 잔재하는 다량의 수분을 별도로 건조시켜 물자국이 형성되는 것을 방지하여야 한다. 따라서, 웨이퍼에 잔재된 수분을 제거하기 위한 종래기술이 제시된 바가 있었다.During the semiconductor device manufacturing process, hole-hole contaminants are left on the surface of the silicon wafer during various processes such as applying, depositing, or etching the material to the silicon wafer. Therefore, a cleaning process for removing contaminants on the wafer using a separate cleaning liquid is required, and a large amount of moisture remains on the wafer on which the cleaning process is completed. Due to the moisture remaining on the wafer, water marks, etc., are generated in the fine patterns on the wafer, which may deteriorate the characteristics of the device. Therefore, a large amount of moisture remaining on the wafer on which the cleaning process is completed should be dried separately to prevent the formation of material bureaus. Therefore, there has been proposed a prior art for removing moisture remaining on the wafer.
도 1은 종래기술에 따른 IPA를 이용한 웨이퍼 건조장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a wafer drying apparatus using IPA according to the prior art.
종래의 웨이퍼 건조장치는 도 1과 같이, 웨이퍼 건조공정이 진행되는 건조탱크(100)와, 건조탱크(100) 내부에 설치되어 하부에 처리액이 채워진 배스(bath) (102)와, 배스(102)를 가열시키기 위한 가열부(112)와, 웨이퍼(A1)를 지지하기 위한 홀더(holder)(104)와, 배스(102) 내측 가장자리에 설치되어 처리액의 튐을 막아주는 트랩(trap)(106)과, 배스(102) 상부와 트랩(106) 사이에 설치되어 증발된 처리액을 냉각시키기 위한 냉각코일(108)과, 냉각된 처리액을 회수하기 위한 받침대(110)로 구성된다.The conventional wafer drying apparatus includes a drying tank 100 in which a wafer drying process is performed, a bath 102 installed inside the drying tank 100 and having a processing liquid filled therein, and a bath ( A heating unit 112 for heating 102, a holder 104 for supporting the wafer A1, and a trap provided at the inner edge of the bath 102 to prevent the treatment liquid from being trapped. And a cooling coil 108 for cooling the evaporated treatment liquid and a pedestal 110 for recovering the cooled treatment liquid.
상술한 구성을 갖는 종래기술에 따른 웨이퍼 건조장치를 통해 표면에 수분이 잔재된 웨이퍼가 건조되는 과정을 알아본다.Through the wafer drying apparatus according to the prior art having the above-described configuration looks at the process of drying the wafer with residual moisture on the surface.
세정공정이 완료된 웨이퍼(A1)는 그 표면에 잔재된 수분을 건조시키기 위해 이송수단인 로봇암에 의해 한 번에 수십장 단위로 건조탱크(100) 내로 이송된다. 웨이퍼가 이송되면 셔터(shutter)(150)에 의해 건조탱크(100)가 외부와 차단된다.The wafer A1 having completed the cleaning process is transferred into the drying tank 100 in units of several tens of pieces at a time by a robot arm which is a transfer means to dry the moisture remaining on the surface. When the wafer is transferred, the drying tank 100 is blocked from the outside by the shutter 150.
이 건조탱크(100) 내에는 배스(102)가 설치되어 있으며, 배스(102) 내에는 처리액인 IPA 액이 일정량 채워져 있고, 이 IPA 는 히터 등의 가열부(112)에 의해 일정온도로 가열되면서 수증기 상태로 배스(102)의 상방향으로 증발이 일어난다.The bath 102 is provided in this drying tank 100, and the bath 102 is filled with a fixed amount of IPA liquid as a processing liquid, and this IPA is heated to a constant temperature by a heating unit 112 such as a heater. While evaporating occurs in the water vapor state upwards of the bath (102).
여기에서, IPA(이소프로필 알코올(IsoPropyl Alchole) : (CH3)2CHOH)로 장비세척 또는 웨이퍼 표면에 잔존해 있는 수분 등을 제거하기 위한 처리액이다.Here, IPA (IsoPropyl Alchole: (CH 3 ) 2 CHOH) is a treatment liquid for cleaning equipment or removing moisture remaining on the wafer surface.
이 수중기 상태의 IPA 는 증발되면서 웨이퍼(A1) 표면에 잔재된 수분과 반응되어 치환되어 웨이퍼 표면을 건조시킨다. 여기에서 반응되지 않은 수중기 상태의 IPA 는 냉각코일에 의해 냉각되어 응축된다. 따라서, 이 치환반응된 수분 및 응축된 IPA 는 배스(102) 하방향으로 떨어지게 된다.The IPA in this submerged state reacts with the moisture remaining on the surface of the wafer A1 while being evaporated to be replaced to dry the surface of the wafer. The unreacted submerged IPA is cooled and condensed by a cooling coil. Therefore, this substituted reaction water and condensed IPA fall down the bath 102.
이 때, 이 응축된 IPA 및 수분이 배스 하부의 가열된 IPA 에 튀는 것을 방지하고자 배스 내주면 가장자리에는 트랩이 병풍형상으로 감싸고 있어 배스 내주면이 오염되는 것을 방지가 되고, 또한, 웨이퍼와 IPA 사이에는 "V" 자 형상으로 받침대가 설치되어 공정 중 수분 또는 IPA 가 일방향으로 흐르도록 흐름을 제어하게 된다.At this time, in order to prevent the condensed IPA and moisture from splashing on the heated IPA at the bottom of the bath, a trap is enclosed in the shape of a screen at the periphery of the basin to prevent contamination of the inner periphery of the bath. The pedestal is installed in a V-shaped shape to control the flow of water or IPA in one direction during the process.
그러나, 종래의 장치에서는 수분이 잔재된 웨이퍼를 건조시키기 위하여 별도로 가열수단을 이용하여 고가의 처리액인 IPA 를 가열해야 하는 데, 이 IPA 는 인화성이 있어 공정 중에 많은 위험이 따랐다. 또한, 이 IPA 는 환경오염을 일으킬 수 있으므로 별도의 집수통에 회수하여 재처리해야 하는 불편함이 있었다.However, in the conventional apparatus, IPA, which is an expensive treatment liquid, has to be heated separately using heating means in order to dry the wafer in which moisture remains, and this IPA is flammable, which poses a lot of risks during the process. In addition, since this IPA can cause environmental pollution, it was inconvenient to be collected and reprocessed in a separate sump.
따라서, 본 고안의 목적은 별도의 처리액을 사용하지 않고도 간단한 공정으로 웨이퍼 표면에 잔재된 수분을 제거가능한 웨이퍼 건조장치를 제공하려는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a wafer drying apparatus capable of removing moisture remaining on a wafer surface in a simple process without using a separate treatment liquid.
본 고안은 별도의 처리액을 사용하지 않고도 건조탱크 내부의 압력을 1토르 (Torr)정도의 낮은 기압 상태로 유지시키면 상온에서도 물이 끊는다는 점을 착안하여 간단한 공정으로 웨이퍼 표면을 건조시키려는 것이다.The present invention intends to dry the wafer surface by a simple process, noting that water is cut off at room temperature if the pressure inside the drying tank is maintained at a low pressure of about 1 Torr without using a separate treatment liquid.
세정 공정이 완료된 웨이퍼 표면에 잔류된 처리액을 건조시키기 위한 건조장치에 있어서, 본 고안의 웨이퍼 건조장치는 웨이퍼가 장착되어 웨이퍼 표면에 잔류된 처리액의 증발 및 건조 공정이 진행되는 건조탱크와, 건조탱크에 설치되어 내부의 압력을 감지하여 대기압 또는 1토르 정도의 저기압 상태인 목적치값으로 셋팅시키기 위한 압력센서부와, 건조탱크 하부에 설치되어 웨이퍼 표면의 처리액이 일정방향으로 흐르도록 하기 위한 받침대와, 건조탱크 일측에 설치되어 건조탱크 내부의 처리액을 펌핑시키어 내부의 압력을 조절시키기 위한 펌핑배기관과, 건조탱크 타측에 설치되어 웨이퍼 표면에 잔류된 처리액을 펌핑배기관으로 밀어내기 위한 가스를 공급시키기 위한 가스공급관을 구비하여서, 압력센서부에 의해 건조탱크 내의 압력을 1토르 정도의 저기압 상태로 유지시키어 웨이퍼 표면에 잔류된 처리액을 증발 및 건조시킨 것이 특징이다.In the drying apparatus for drying the treatment liquid remaining on the surface of the wafer after the cleaning process is completed, the wafer drying apparatus of the present invention is a drying tank in which the wafer is mounted and the evaporation and drying process of the treatment liquid remaining on the wafer surface proceeds; Pressure sensor unit installed in the drying tank to detect the internal pressure and set to the target value at atmospheric pressure or low pressure of about 1 torr, and installed in the lower part of the drying tank to allow the processing liquid on the wafer surface to flow in a certain direction. A pumping exhaust pipe installed on one side of the drying tank and pumping the processing liquid inside the drying tank to adjust the pressure therein, and a gas installed on the other side of the drying tank to push the processing liquid remaining on the wafer surface to the pumping exhaust pipe It is provided with a gas supply pipe for supplying a pressure, by the pressure sensor unit the pressure in the drying tank 1 tor It is characterized in that the treatment liquid remaining on the wafer surface is evaporated and dried by being kept at a low atmospheric pressure.
도 1은 종래기술에 따른 웨이퍼 건조장치의 단면도이고,1 is a cross-sectional view of a wafer drying apparatus according to the prior art,
도 2는 보 고안의 웨이퍼 건조장치의 단면도이고,2 is a cross-sectional view of the wafer drying apparatus of the present invention,
도 3은 본 고안의 원리를 이용하여 수증기 상태인 가스의 증기압을 도시한 도면이다.3 is a view showing the vapor pressure of the gas in the water vapor state using the principle of the present invention.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ※※ Explanation of code about main part of drawing ※
100, 200. 건조탱크 104, 204. 홀더100, 200. Drying tank 104, 204. Holder
110, 210. 받침대 220. 가스공급관110, 210. Base 220. Gas supply pipe
230. 배출관 232, 234. 배기관230. Exhaust pipe 232, 234. Exhaust pipe
222, 236, 238, 240, 242. 개폐밸브222, 236, 238, 240, 242 valves
A1, A2. 웨이퍼A1, A2. wafer
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 고안을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 고안에 따른 웨이퍼 건조장치를 도시한 도면이다.2 is a view showing a wafer drying apparatus according to the present invention.
본 고안의 웨이퍼 건조장치는 웨이퍼(A1) 표면의 수분을 건조시키기 위한 건조탱크(200)와, 건조탱크(200) 내에 설치되어 웨이퍼의 수분이 흐르도록 하기 위한 "V" 형상의 받침대(210)와, 받침대(210)와 연결설치되어 수분을 외부로 배출시키기 위한 배출관(230)과, 배출관(230) 일측에 연결설치되어 건조탱크(200) 내부의 공기를 펌핑시키어 목적치의 압력상태로 조절하기 위한 부펌핑배기관(232), 주펌핑배기관(234)과, 건조탱크(200) 일측에 설치되어 내부에 가스를 공급시키어 압력을 조절하기 위한 가스공급관(220)과, 건조탱크(200)에 설치되어 내부의 압력을 감지하는 압력센서부로 구성된다. 이 때, 부펌핑배기관(232)은 주펌핑배기관(234)에 연결설치되고, 주펌핑배기관(234)에는 펌프 및 내부의 압력을 제어하기 위한 자동압력조절기와, 수증기를 냉각/응축시키기 위한 트랩이 설치된다.The wafer drying apparatus of the present invention includes a drying tank 200 for drying the moisture on the surface of the wafer A1 and a pedestal 210 having a “V” shape installed in the drying tank 200 to allow the moisture of the wafer to flow. And, it is connected to the pedestal 210 is installed in the discharge pipe 230 for discharging the water to the outside, and the discharge pipe 230 is connected to one side to pump the air in the drying tank 200 to adjust to the pressure state of the target value The sub-pumping exhaust pipe 232, the main pumping exhaust pipe 234, the drying tank 200 is installed on one side of the gas supply pipe 220 for controlling the pressure by supplying gas therein, and installed in the drying tank 200 It is composed of a pressure sensor unit for detecting the pressure inside. At this time, the sub-pumping exhaust pipe 232 is connected to the main pumping exhaust pipe 234, the main pumping exhaust pipe 234, an automatic pressure regulator for controlling the pump and the pressure inside, a trap for cooling / condensing water vapor This is installed.
그리고 가스공급관(220)에는 건조탱크(200) 내부에 공급되는 가스의 유량을 조절하기 위한 유량조절기 및 공급되는 가스를 히팅시키기 위한 히터가 설치된다.In addition, the gas supply pipe 220 is provided with a flow regulator for controlling the flow rate of the gas supplied into the drying tank 200 and a heater for heating the supplied gas.
그리고 배출관(230), 부펌핑배기관(232), 주펌핑배기관(234), 가스공급관(220)에는 각가 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 개폐밸브(222)(238)(240) (242)가 각각 설치되어 온/오프동작을 제어된다.The discharge pipe 230, the sub-pumping exhaust pipe 232, the main pumping exhaust pipe 234, and the gas supply pipe 220 each have a first, second, third, and fourth opening / closing valve 222, 238, and 240. 242 are provided respectively to control the on / off operation.
제 3개폐밸브(240)에 의해 부배비관(232) 내로의 핑핑 동작이 제어되며, 제 4개폐밸브(242)에 의해 주펌핑배기관(234) 내로의 핑핑 동작이 제어된다.The pinging operation into the sub-drain pipe 232 is controlled by the third opening and closing valve 240, and the pinging operation into the main pumping exhaust pipe 234 is controlled by the fourth opening and closing valve 242.
제 5개폐밸브(236)는 주펌핑배기관(234)에 설치되되, 제 3, 4개폐밸브(240) (242) 후단에 설치되어 부펌핑배기관(232)과 주펌핑배기관(234) 내로 핑핑되는 동작을 제어한다.The fifth opening and closing valve 236 is installed in the main pumping exhaust pipe 234, and is installed at the rear end of the third and fourth opening valves 240 and 242 to be pinged into the sub-pumping exhaust pipe 232 and the main pumping exhaust pipe 234. Control the operation.
압력센서부로는 건조탱크(200) 내부가 목적치의 압력값이 된 것을 감지하는 제 1압력센서와, 건조탱크(200) 내부의 압력값이 대기압상태가 된 것을 감지하는 제 2압력센서로 구성된다.The pressure sensor unit includes a first pressure sensor that senses that the inside of the drying tank 200 has reached a desired pressure value, and a second pressure sensor that senses that the pressure inside the drying tank 200 has reached atmospheric pressure. .
상기의 구성을 갖는 본 고안의 웨이퍼 건조장치를 이용하여 세정된 웨이퍼 표면에 잔재된 수분이 건조되는 과정을 알아본다.Using the wafer drying apparatus of the present invention having the configuration described above looks at the process of drying the moisture remaining on the cleaned wafer surface.
세정공정이 완료된 다 수의 웨이퍼(A1)들은 웨이퍼보오트 등에 담기어 이송수단인 로봇암(도면에 도시되지 않음)에 의해 건조탱크(200) 내로 옮겨진다. 이 때, 웨이퍼 표면에는 수분 등의 세정액이 묻어있는 상태이다.After the cleaning process is completed, a plurality of wafers A1 are transferred to the drying tank 200 by a robot arm (not shown) which is transferred to a wafer boat or the like. At this time, the surface of the wafer is in a state in which a cleaning liquid such as moisture is deposited.
건조탱크(200) 상부에 홀더(204)에 의해 고정된 웨이퍼(A1)는 표면에 잔재된 수분이 받침대(210)를 통해 배출관(230)으로 배출되며, 이 받침대(210)는 수분이 건조탱크(200) 내주면에 튀지 않도록 방지해 주는 역할을 하도록 "V" 자 형상으로 형성된다. 이 때, 제 2개폐밸브(238)를 제외하고는 나머지 제 1, 제 3, 제 4, 제 5개폐밸브(222)(240)(242)(236)는 오두 차단되어 있는 상태이다.The wafer A1 fixed by the holder 204 on the top of the drying tank 200 is discharged to the discharge pipe 230 through the pedestal 210, the water remaining on the surface, the pedestal 210 is the moisture in the drying tank (200) It is formed in a "V" shape to serve to prevent splashing on the inner peripheral surface. At this time, except for the second open / close valve 238, the remaining first, third, fourth, and fifth open / close valves 222, 240, 242, and 236 are blocked.
웨이퍼에 묻어있는 수분이 배출관(230)을 통해 배출되면, 건조탱크(200)는 외부와 격리되도록 셔터(250)를 닫고, 동시에 부펌핑배기관(232)을 통해 건조탱크 (200) 내부의 압력이 급격하게 변동되지 않도록 천천히 펌핑을 진행시킨다. 이 때, 제 2개폐밸브(240) 및 제 5개폐밸브(236)를 오픈시키고, 나머지 제 1, 제 3, 제 4개폐밸브는 차단되어 있다.When the water buried in the wafer is discharged through the discharge pipe 230, the drying tank 200 closes the shutter 250 to be isolated from the outside, and at the same time the pressure inside the drying tank 200 through the sub-pumping exhaust pipe 232 Pump up slowly so as not to change rapidly. At this time, the second open / close valve 240 and the fifth open / close valve 236 are opened, and the remaining first, third and fourth open / close valves are blocked.
이어서, 부펌핑배기관(232) 뿐만 아니라 주펌핑배기관(234)을 통해 자동압력조절기(auto pressure controller)를 이용하여 일정한 압력으로 건조탱크(200) 내부의 공기가 펌핑되도록 진행시키는 데, 펌핑은 제 1압력센서에 의해 건조탱크 (200) 내의 압력이 목적치(여기에서는 1torr)가 될 때까지 급속도로 진행시킨다. 이 때, 제 3, 제 4, 제 5개폐밸브(240)(242)(236)를 오픈시키고, 나머저 제 1, 제 2개폐밸브(222)(238)는 차단되어 있다. 상술한 과정을 통해, 건조탱크(200) 내부의 압력이 목적치인 1토르에 이르면, 웨이퍼(A1) 표면에 잔류된 수분은 낮아진 압력으로 인하여 낮은 온도에서도 쉽게 끓게 되어 기화되어 수중기 상태로 된다.Subsequently, the air inside the drying tank 200 is pumped at a constant pressure using an auto pressure controller through the main pumping exhaust pipe 234 as well as the sub-pumping exhaust pipe 232. 1 The pressure sensor rapidly advances the pressure in the drying tank 200 until it reaches a target value (here, 1 torr). At this time, the third, fourth and fifth open / close valves 240, 242 and 236 are opened, and the first and second open / close valves 222 and 238 are blocked. Through the above-described process, when the pressure inside the drying tank 200 reaches a target value of 1 Torr, the moisture remaining on the surface of the wafer A1 is easily boiled at a low temperature due to the lowered pressure and vaporized into a submerged state.
즉, 도 3과 같이, 대기압에서는 100 ℃ 에서 물이 끓게 되지만, 1 토르의 저기압 상태에서는 물(수분)이 0℃에서 끓게 되어 증발이 일어나기 시작한다.That is, as shown in Figure 3, the water boils at 100 ℃ at atmospheric pressure, water (water) is boiled at 0 ℃ in a low pressure state of 1 Torr and evaporation starts to occur.
그리고 건조탱크(200) 내부의 수증기는 다른 기체와 함께 주펌핑배기관(234)과 부펌핑배기관(232)을 통해 펌핑되고, 이 펌핑된 수증기를 포함한 기체는 트랩에 의해 냉각/응축된 후에 액상으로 집수통(미도시)에 배출된다.The water vapor in the drying tank 200 is pumped together with other gases through the main pumping exhaust pipe 234 and the sub-pumping exhaust pipe 232, and the gas including the pumped water vapor is cooled / condensed by a trap to a liquid phase. Discharge into a sump (not shown).
이 때, 배기효과를 높이기 위해 가스공급관(220)을 통해 건조탱크(200) 내부에 유량조절기를 이용하여 그 양을 조절하면서 불활성가스인 질소가스를 플로우시키며, 이 질소가스는 웨이퍼와 웨이퍼 사이 사이로 흐르면서 잔류된 수증기와 함께 펌핑되어 진다.At this time, in order to increase the exhaust effect through the gas supply pipe 220 to the inside of the drying tank 200 by using a flow regulator to adjust the amount of the inert gas nitrogen gas flows between the wafer and the wafer between the wafer It is pumped with the residual water vapor as it flows.
그리고 플로우되는 질소가스는 건조탱크(200) 내부에 잔류되어 있는 산소분자의 분압을 상대적으로 낮추어 배기를 원활하게 해 준다. 또한, 건조탱크(200)에서 산소를 배기시킴에 따라 웨이퍼의 산화를 방지해 준다.In addition, the flowing nitrogen gas relatively lowers the partial pressure of oxygen molecules remaining in the drying tank 200 to facilitate the exhaust. In addition, the oxygen is exhausted from the drying tank 200 to prevent oxidation of the wafer.
이와같이, 펌핑과 가열된 질소가스 공급을 반복시행시키어 웨이퍼 표면에 잔재된 수분을 제거시킨다.As such, the pumping and heating of the nitrogen gas are repeated to remove moisture remaining on the wafer surface.
웨이퍼 건조공정이 완료되면, 가스공급관(220)을 통해 질소가스를 공급시키어 건조탱크(200) 내부를 대기압상태로 유지시킨다. 이 때, 제 2압력센서를 통해 대기압 상태가 감지된다. 그리고 제 1개폐밸브(222)가 오픈되고, 나머지 제 2, 제 3, 제 4, 제 5개폐밸브 (238)(240)(242)(236)가 차단된 상태이다.When the wafer drying process is completed, nitrogen gas is supplied through the gas supply pipe 220 to maintain the inside of the drying tank 200 at atmospheric pressure. At this time, the atmospheric pressure state is sensed through the second pressure sensor. The first open / close valve 222 is opened, and the remaining second, third, fourth, and fifth open / close valves 238, 240, 242, and 236 are blocked.
건조탱크(200)가 대기압으로 유지되면, 셔터(250)가 오픈되어 로봇암 등의 이송수단에 의해 건조된 웨이퍼가 외부로 반송된다.When the drying tank 200 is maintained at atmospheric pressure, the shutter 250 is opened and the dried wafer is transferred to the outside by a transfer means such as a robot arm.
상술한 바와 같이 본 고안에 따른 웨이퍼 건조장치는 건조탱크 내부의 압력을 저기압으로 유지시키면 상온에서도 물이 끓는다는 점을 착안하여 별도의 처리액을 사용하지 않고 웨이퍼를 건조시킨다.As described above, the wafer drying apparatus according to the present invention dries the wafer without using a separate treatment liquid, keeping in mind that the water boils even at room temperature when the pressure inside the drying tank is maintained at a low pressure.
따라서, 본 고안은 처리액을 사용하지 않음에 따라, 별도의 가열수단이나 배스나 소화기 등이 불필요함에 따라 간소화된 잇점이 있다.Therefore, the present invention has a simplified advantage in that a separate heating means, a bath, a fire extinguisher, or the like is unnecessary as the treatment liquid is not used.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019970031194U KR200234230Y1 (en) | 1997-11-06 | 1997-11-06 | Wafer Drying Equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019970031194U KR200234230Y1 (en) | 1997-11-06 | 1997-11-06 | Wafer Drying Equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990018009U KR19990018009U (en) | 1999-06-05 |
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Family
ID=53897554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR2019970031194U KR200234230Y1 (en) | 1997-11-06 | 1997-11-06 | Wafer Drying Equipment |
Country Status (1)
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7520068B2 (en) | 2003-11-04 | 2009-04-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method for drying semiconductor substrates |
-
1997
- 1997-11-06 KR KR2019970031194U patent/KR200234230Y1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7520068B2 (en) | 2003-11-04 | 2009-04-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method for drying semiconductor substrates |
Also Published As
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| KR19990018009U (en) | 1999-06-05 |
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