KR20020088987A - The lithography apparatus with electron beam and the making method of electron beam sourse panel - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 전자 빔 노광 분야에 관한 것으로서, 특히 전자 빔의 조절을 가능케 하여 패턴을 수정하면서 다양한 패턴을 만들 수 있으며 또한, 대면적의 패턴을 한번에 형성케 하여 시간과 비용을 절약함으로써 대량 양산이 가능토록 한 전자 빔 노광 장치 및 대면적 전자 빔 소스 기판 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to the field of electron beam exposure, and in particular, it is possible to make a variety of patterns while modifying the pattern by enabling the control of the electron beam, and also mass production is possible by forming a large area pattern at once to save time and cost The present invention relates to an electron beam exposure apparatus and a method for forming a large area electron beam source substrate.
반도체 등의 미세 패턴의 형성을 위해 일반적으로 빛에 의한 노광을 이용한다. 이 때 패턴이 형성된 사진 마스크가 필요하게 되는데 현재 사용하는 마스크는 경질 마스크(hard surface mask)와 에멀전 마스크(emulson mask)의 2가지 종류가 있다. 에멀젼 마스크는 정해진 노출 회수동안 사용하고 버리도록 제작되어 있으며, 경질 마스크는 한 번 사용한 후 세척을 거쳐서 가능한 여러 번 다시 사용하도록 제작되어 있다.In order to form fine patterns, such as a semiconductor, exposure by light is generally used. At this time, a patterned photo mask is required. There are two types of masks currently used, a hard surface mask and an emulsion mask. Emulsion masks are designed to be used and discarded for a specified number of exposures, and hard masks are designed to be reused as many times as possible after use and cleaning.
에멀젼 마스크는 빛에 의하여 만들어지고 2.5㎛보다 작은 패턴에는 사용할 수 없다. 비용에서 큰 장점이 있지만 10번 정도 사용한 후에는 폐기되어야 한다.Emulsion masks are made by light and cannot be used for patterns smaller than 2.5 μm. There is a big advantage in cost, but it should be discarded after 10 uses.
경질 마스크는 1㎛이하의 선폭도 구현 가능하고 200번 정도의 노출이 가능하고 투사형 프린트 방식으로 사용하면 이론적으로 마스크의 수명은 영원하지만 가격이 에멀젼 마스크에 비해 10배 정도 비싼 것이 단점이다.The rigid mask can realize a line width of less than 1 μm, can be exposed to about 200 times, and when used as a projection print method, the lifetime of the mask is theoretically long but it is about 10 times more expensive than an emulsion mask.
마스크의 패턴을 만들기 위해서는 가시광선, 자외선 혹은 미세 패턴을 위하여 전자 빔을 사용한다.To pattern the mask, electron beams are used for visible, ultraviolet or fine patterns.
경질 마스크는 보통 크롬, 산화철 또는 실리콘 박막을 유리판 위에 형성하여 만들어진다. 상기 경질 마스크에 사용되는 재료는 광학적으로 편평한 유리 기판 위에 증착, 스퍼터링 또는 화학 기상 증착에 의하여 입혀진다.Hard masks are usually made by forming a thin film of chromium, iron oxide or silicon on a glass plate. The material used for the hard mask is coated by vapor deposition, sputtering or chemical vapor deposition on an optically flat glass substrate.
보통 1500 Å을 넘지 않는 얇은 막은 감광막에 의해 마스크되고 화학적인 방법이나 스퍼터링에 의하여 식각된다.Thin films, usually no more than 1500 mW, are masked by the photoresist and etched by chemical methods or sputtering.
일반적으로 마스크를 제작하게 되면 제작 비용이 비싸고 한 번 제작하면 수정하지 못하는 단점이 있다.In general, manufacturing a mask has a disadvantage in that the manufacturing cost is high and once it is manufactured, it cannot be modified.
즉, 한번의 제작으로 반복해서 여러 번 사용해야 됨으로 최초 설계시 많은 시간과 비용이 필요하게 된다. 마스크를 사용하는 경우 광원의 파장에 의해 회절과 간섭에 의하여 해상도에 근본적으로 제한이 있게 된다.In other words, it is necessary to use a number of times in a single production, which requires a lot of time and money in the initial design. When using a mask, the resolution is fundamentally limited by diffraction and interference by the wavelength of the light source.
파장이 짧을수록 회절에 의한 빛의 초점의 크기가 줄어든다. 현재 미세 패턴을 위하여 자외선 영역의 빛을 사용함으로서 0.1㎛까지의 패턴을 구현하고자 하는 연구가 진행중이다.The shorter the wavelength, the smaller the focus of light due to diffraction. Currently, research is being conducted to realize patterns up to 0.1 μm by using light in the ultraviolet region for fine patterns.
전자빔을 이용하면 전자빔의 회절과 간섭이 훨씬 세밀해진다.Using an electron beam makes the diffraction and interference of the electron beam much finer.
현재 사용되는 전자빔에 의한 노광은 단일 빔에서 나오는 전자 빔을 집속하여 사용한다. 즉 일정한 크기의 점을 이동하면서 원하는 패턴을 하나하나 그려 나가는 방식이다.Exposure by electron beams currently used focuses and uses an electron beam coming from a single beam. In other words, it draws a desired pattern one by one while moving a certain size point.
제1도는 종래의 전자 빔 노광 장치를 나타낸 것이다.1 shows a conventional electron beam exposure apparatus.
도1을 참조하면, 종래의 전자 빔 노광 장치는 진공 유지의 기능을 하며, 외부의 전기장/자기장에 대한 차폐 기능을 하는 체임버(chamber)(100)와; 상기 체임버(100)의 내부에 수직 성장된 하나 또는 수개의 탄소 나노튜브/마이크로 팁(111)을 갖는 전자 빔 소스 기판(210)과; 상기 전자 빔 소스 기판(210)과 수직하게 정렬되어 있는 감광제에 의하여 코팅된 기판(220)과; 진공상태를 만들기 위한 펌프(230)등으로 구성된다.Referring to Fig. 1, a conventional electron beam exposure apparatus has a chamber 100 that functions as a vacuum holding and shields against an external electric / magnetic field; An electron beam source substrate (210) having one or several carbon nanotubes / micro tips (111) grown vertically inside the chamber (100); A substrate 220 coated with a photosensitive agent that is aligned perpendicular to the electron beam source substrate 210; It consists of a pump 230, etc. to create a vacuum state.
상기 전자 빔 소스 기판상의 하나 또는 수 개의 마이크로 팁(111)에서 방출된 전자빔을 하나의 점으로 집속해서 상기 감광제에 의하여 코팅된 기판(220)상의 모든 면을 그려나간다.The electron beam emitted from one or several micro tips 111 on the electron beam source substrate is focused to a single point to draw all surfaces on the substrate 220 coated by the photosensitive agent.
그러므로, 집속한 점이 작아질수록 단위면적을 이어서 연속적으로 전자빔을 노출시키는데 많은 시간이 필요하게 된다.Therefore, the smaller the focusing point, the more time is required to expose the electron beam continuously after the unit area.
따라서, 전자 빔을 사용하는 경우 해상도를 높이는 것은 상기 전자 빔 소스 기판(210)과 감광제에 의하여 코팅된 기판(220) 사이에 외부 전기장을 형성케 하여 전자 빔을 집속케 함으로서 가능하지만 한 점이 차지하는 부피만큼 감광제에 의하여 코팅된 기판(220)상에 패턴의 영역을 다 그려야 하므로 시간과 해상도의 적절한 조정이 따르게 된다.Therefore, in the case of using the electron beam, increasing the resolution is possible by focusing the electron beam by forming an external electric field between the electron beam source substrate 210 and the substrate 220 coated by the photosensitive agent, but the volume occupied by one point As the area of the pattern must be drawn on the substrate 220 coated with the photosensitive agent, appropriate adjustment of time and resolution follows.
이와 같이 종래의 전자빔을 이용하면 하나의 패턴을 형성하는데 많은 시간과 비용이 들기 때문에 대량 양산이 어려운 단점이 있다.As such, using a conventional electron beam has a disadvantage in that mass production is difficult because a lot of time and cost are required to form one pattern.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위하여 창출된 것으로서, 전자 빔의 조절을 가능케 하여 패턴을 수정하면서 다양한 패턴을 만들 수 있으며 또한, 대면적의 패턴을 한번에 형성케 하여 시간과 비용을 절약함으로써 대량 양산이 가능토록 한 전자 빔 노광 장치 및 대면적 전자 빔 소스 기판 형성 방법을 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been created to improve the above problems, it is possible to control the electron beam to modify the pattern to make a variety of patterns, and also to form a large area pattern at once to save time and money It is an object of the present invention to provide an electron beam exposure apparatus and a method for forming a large-area electron beam source substrate to enable mass production.
제1도는 종래의 전자 빔 노광 장치를 나타낸 도면.1 is a view showing a conventional electron beam exposure apparatus.
제2도는 본 발명에 따른 전자 빔 노광 장치를 나타낸 도면.2 is a view showing an electron beam exposure apparatus according to the present invention.
제3도는 본 발명에 따른 전자 빔 노광 장치에서 탄소 나노튜브의 규칙적인 배열을 나타낸 도면.3 shows a regular arrangement of carbon nanotubes in an electron beam exposure apparatus according to the present invention.
제4도는 본 발명에 따른 전자 빔 노광 장치에서 전계 방출을 위한 마이크로 팁의 일 실시예를 나타낸 도면.4 shows an embodiment of a micro tip for field emission in an electron beam exposure apparatus according to the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
200:체임버(chamber) 210:대면적 전자 빔 소스 기판200: chamber 210: large area electron beam source substrate
211:전자 빔 방출부 220:시료부211: electron beam emission unit 220: sample unit
230:펌프230: pump
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 전자 빔 노광 장치는 전자빔이 방출되며, 탄소 나노튜브로 이루어진 대면적의 전자 빔 방출부를 갖는 대면적 전자 빔 소스 기판과;In order to achieve the above object, the electron beam exposure apparatus according to the present invention comprises: a large-area electron beam source substrate having an electron beam emitting portion made of carbon nanotubes emitting electron beams;
상기 대면적 전자 빔 소스 기판과 수직하게 정렬되어 있는 시료부와;A sample portion aligned perpendicular to the large area electron beam source substrate;
상기 전자 빔 소스 기판과 시료부를 둘러싸고 있고, 진공 유지의 기능을 하며, 외부의 전기장/자기장에 대한 차폐 기능을 하는 체임버(chamber)와;A chamber surrounding the electron beam source substrate and the sample portion, serving to maintain a vacuum, and shielding against an external electric / magnetic field;
상기 체임버를 진공상태로 만들기 위한 펌프를 포함하는 점을 그 특징으로 한다.It is characterized in that it comprises a pump for making the chamber into a vacuum state.
여기서, 상기 대면적의 전자 빔 방출부는 탄소 나노튜브로 이루어졌으며 그 직경은 약 50 ㎚인 점을 그 특징으로 한다.Here, the large-area electron beam emitter is made of carbon nanotubes, and the diameter is about 50 nm.
여기서, 상기 대면적 전자 빔 소스 기판과 시료부 사이의 전자 빔을 집속하기 위하여 전기장을 형성시키는 전기장 발생부를 더 포함하는 점을 그 특징으로 한다.Here, the electric field generating unit for forming an electric field to focus the electron beam between the large-area electron beam source substrate and the sample portion is characterized in that it further comprises.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 대면적 전자 빔 소스 기판 형성 방법은 기판상에 대면적의 나노 튜브를 수직 합성시키는 단계와;In order to achieve the above object, a method for forming a large area electron beam source substrate according to the present invention comprises the steps of: vertically synthesizing a large area nanotube on a substrate;
상기 나노 튜브를 패턴화된 모양으로 제거시키는 단계로 이루어지는 점을 그 특징으로 한다.Characterized in that the step consisting of removing the nanotubes in a patterned shape.
여기서, 상기 기판상에 대면적의 나노 튜브를 수직 합성시키는 단계는 촉매를 사용하여 합성시키는 점을 그 특징으로 한다.Here, the vertical synthesis of the large-area nanotubes on the substrate is characterized in that the synthesis using a catalyst.
여기서, 상기 나노 튜브를 패턴화된 모양으로 제거시키는 단계는 에이에프엠 방식이거나 셀프 어셈블리 방식인 점을 그 특징으로 한다.Here, the step of removing the nanotubes in a patterned shape is characterized in that the AFM or self-assembly method.
그리고, 상기 기판은 그 위에 어드레싱이 가능한 액티브 소자를 형성시킨 점을 그 특징으로 한다.The substrate is characterized in that an active element capable of addressing is formed thereon.
또한, 상기의 방법으로 형성된 대면적 전자 빔 소스 기판을 그 특징으로 한다.It is also characterized by a large area electron beam source substrate formed by the above method.
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
제2도는 본 발명에 따른 전자 빔 노광 장치를 나타낸 것이다.2 shows an electron beam exposure apparatus according to the present invention.
도2를 참조하면, 본 발명에 따른 대면적 전자 빔 노광 장치는 진공 유지의 기능을 하며, 외부의 전기장/자기장에 대한 차폐 기능을 하는 체임버(chamber)(200)와; 상기 체임버(200)의 내부에 수직 성장된 탄소 나노튜브/마이크로 팁(211)을 갖는 대면적 전자 빔 소스 기판(210)과; 상기 대면적 전자 빔 소스 기판(210)과 수직하게 정렬되어 있는 감광제에 의하여 코팅된 기판(220)과; 진공상태를 만들기 위한 펌프(230)등으로 구성된다.2, a large-area electron beam exposure apparatus according to the present invention includes a chamber 200 that functions as a vacuum holding and shields against an external electric / magnetic field; A large area electron beam source substrate 210 having carbon nanotubes / micro tips 211 grown vertically in the chamber 200; A substrate 220 coated with a photosensitizer that is aligned perpendicular to the large area electron beam source substrate 210; It consists of a pump 230, etc. to create a vacuum state.
상기 대면적 전자 빔 소스 기판(210)에 수직하게 상기 탄소 나노튜브/마이크로 팁(211)이 정렬되어 있다.The carbon nanotubes / micro tips 211 are aligned perpendicular to the large area electron beam source substrate 210.
상기 탄소 나노튜브/마이크로 팁(211)은 주기적으로 또는 무질서하지만 평면에 빽빽하게 형성된다.The carbon nanotubes / micro tips 211 are formed periodically or disorderly but densely in plane.
이렇게 형성된 상기 탄소 나노튜브/마이크로 팁(211)들은 원하는 것들만을 남기고 나머지는 선택적으로 제거한다. 이 제거 방식은 현재 개별조작이 가능한 에이에프엠(AFM:Atomic Force Microscopy) 등을 이용하면 수 ㎚정도까지 제어가 가능하다. 또한 현재 초미세 영역에서의 제어에 관한 연구가 활발하므로 다양한 방식으로 구현이 될 수 있을 것이다.The carbon nanotubes / micro tips 211 thus formed are selectively removed, leaving only those desired. This removal method can be controlled up to several nm using AFM (Atomic Force Microscopy), which can be operated individually. In addition, the research on the control in the ultra-fine domain is active, so it can be implemented in various ways.
여기서 에이에프엠은 끝 부분에 원자 몇개 정도 크기의 아주 얇은 바늘을 갖춘 작은 막대를 가지고 있는데 이 막대가 시료의 표면에 접근하면 시료 표면과 바늘 끝의 원자 사이의 인력과 척력을 이용하여 시료 표면을 원하는 만큼 제거할 수 있는 것이다.The AFM has a small rod with a very thin needle, the size of which is a few atoms at its tip. When the rod approaches the surface of the sample, it uses the attractive force and repulsive force between the sample surface and the atoms at the tip of the needle to As long as you can remove.
이렇게 패턴화된 상기 대면적 전자 빔 소스 기판(210)을 양극에 연결하고 시료인 마주보고 있는 기판(220)에 음극을 연결하고 그 기판위에 감광제 등을 스핀 코팅하여 위치시킨다.The patterned large-area electron beam source substrate 210 is connected to the anode, and the cathode is connected to the facing substrate 220 serving as a sample, and the photoresist is placed on the substrate by spin coating.
상기 대면적 전자 빔 소스 기판(210)에서 전계 방출에 의한 방전을 방지하기 위하여서는 주위가 고진공이어야 하므로 진공 펌프를 이용하여 10-6~ 10-7torr 정도로 진공을 유지시킨다.In order to prevent the discharge due to the field emission in the large-area electron beam source substrate 210, since the surrounding should be high vacuum, a vacuum pump is used to maintain the vacuum at about 10 -6 to 10 -7 torr.
상기 대면적 전자 빔 소스 기판(210)의 패턴이 충분히 미세 패턴일 경우 대면적 전자 빔 소스 기판(210)과 감광제에 의하여 코팅된 기판(220)의 간격이 매우 짧은 것이 유리하다.When the pattern of the large-area electron beam source substrate 210 is sufficiently fine, it is advantageous that the distance between the large-area electron beam source substrate 210 and the substrate 220 coated by the photosensitive agent is very short.
그러나 상기 대면적 전자 빔 소스 기판(210)의 패턴이 실제 다른 전자빔이나 빛에 의한 노광에 의해 만들어졌을 경우 패턴의 크기가 원하는 패턴보다 클 수 있다.However, when the pattern of the large-area electron beam source substrate 210 is actually formed by exposure to another electron beam or light, the size of the pattern may be larger than the desired pattern.
이 경우에는 중간에 전기장에 의한 렌즈를 형성케 하여 전자빔이 집속되게 하여 패턴의 크기를 줄일 수 있다.In this case, it is possible to form a lens by an electric field in the middle to focus the electron beam to reduce the size of the pattern.
제3도는 본 발명에 따른 전자 빔 노광 장치에서 탄소 나노튜브의 규칙적인 배열을 나타낸 것이다.3 shows a regular arrangement of carbon nanotubes in an electron beam exposure apparatus according to the present invention.
도3에서와 같이 직경이 약 50 ㎚ 정도의 수직 성장된 탄소 나노튜브들이 규직적으로 배열되어 있는 것을 볼 수 있다.As shown in FIG. 3, vertically grown carbon nanotubes of about 50 nm in diameter are arranged in a regular order.
제4도는 본 발명에 따른 전자 빔 노광 장치에서 전계 방출을 위한 마이크로 팁의 일 실시예를 나타낸 것이다.4 shows an embodiment of a micro tip for field emission in an electron beam exposure apparatus according to the present invention.
도4에서와 같이 마이크로 팁(410)의 하단에서 전기장을 걸어줌에 의하여 그 팁의 끝단에 있는 전자들이 방출되는 것이다.As shown in FIG. 4, electrons at the tip of the tip are emitted by applying an electric field at the bottom of the micro tip 410.
전자빔에 의한 노광이나 빛에 의한 노광은 그 방식에 있어서 감광제등의 물질이 바뀌는 것을 제외하고는 에칭등에 있어서 동일하다. 그러므로 상기 대면적 전자빔 소스 기판(210)을 만드는 방식에 대하여만 설명한다.Exposure by electron beam and exposure by light are the same in etching etc. except that the substance, such as a photosensitizer, changes in the system. Therefore, only the method of making the large-area electron beam source substrate 210 will be described.
상기 대면적 전자빔 소스 기판(210)을 만드는 첫번째 방식은, 탄소 또는 다른 물질들로 구성되는 나노튜브 등을 기판에 수직 합성시킨 후 그 나노 튜브를 개별 조작에 의해 패턴화된 모양으로 제거한다.The first method of making the large-area electron beam source substrate 210 is to vertically synthesize nanotubes composed of carbon or other materials onto the substrate, and then remove the nanotubes into patterned shapes by individual manipulation.
이 때 에이에프엠을 사용하는데 에이에프엠은 끝 부분에 원자 몇개 정도 크기의 아주 얇은 바늘을 갖춘 작은 막대를 가지고 있는데 이 막대가 시료의 표면에 접근하면 시료 표면과 바늘 끝의 원자 사이의 인력과 척력을 이용하여 시료 표면을 원하는 만큼 제거할 수 있는 것이다.In this case, APM is used. APM has a small rod with a very thin needle with the size of several atoms at the end. When this rod approaches the surface of the sample, it pulls the attraction and repulsion between the sample surface and the atom at the tip of the needle. It can be used to remove the sample surface as desired.
여기서 상기 나노 튜브를 만들기 위하여 마이크로 팁을 셀프 어셈블리 등의 방식으로 규칙적으로 형성시킨 후 제거할 수도 있다.In this case, the micro tips may be removed after the micro tips are regularly formed by a method such as self assembly.
마이크로 팁의 경우 현재 빛에 의한 노광 방식으로 주로 형성시키므로 노광 작업시 미리 패턴을 정의할 수 있다.In the case of the micro tip, the pattern is mainly defined by the current light exposure method, so that the pattern may be defined in advance during the exposure operation.
두번째 방식은, 나노튜브를 합성하기 위하여 일반적으로 촉매를 사용한다.In the second method, catalysts are generally used to synthesize nanotubes.
이 촉매를 노광을 이용하여 패턴화한 뒤 나노튜브 등을 합성한다.The catalyst is patterned using exposure to synthesize nanotubes.
세번째 방식은, 대면적 전자빔 소스 기판(210)상에 어드레싱(addressing)이 가능한 회로- 액티브 소자(예를 들면 TFT)-를 설계한다.The third scheme designs an addressable circuit—an active element (eg TFT) —on a large area electron beam source substrate 210.
즉, 다층 구조에 의한 트랜지스터 등에 의하여 각각의 전자 빔의 개별 위치에 전압의 인가가 가능하게 한 뒤 끝 부분에 나노튜브 등을 합성하는 방식이다.That is, a method of synthesizing nanotubes and the like at the end after enabling a voltage to be applied to individual positions of each electron beam by a transistor having a multilayer structure or the like.
이 경우 개별위치에 있는 각각의 전자 빔의 조절이 가능하므로 미리 정의된 패턴을 사용하는 앞의 두 방식은 한 번 패턴을 만들면 다시 만드는 것이 매우 어려우므로 하나의 동일한 패턴을 반복 생산할 경우에 유리하다. 이에 반하여 세번째의 경우 패턴을 프로그래밍하여 전자빔을 방사하므로 각각 매번 다른 패턴을 수정하면서 다양한 패턴을 자유롭게 만들 수 있다.In this case, it is possible to control each electron beam in a separate position, so the previous two methods using a predefined pattern are very difficult to recreate once the pattern is created, which is advantageous when the same pattern is repeatedly produced. On the other hand, in the third case, the pattern is programmed to emit an electron beam, so that various patterns can be freely made while modifying different patterns each time.
그러나 온/오프가 가능한 패턴을 만드는 것에서 미세패턴의 구현이 어려우므로 최초의 패턴에서 선폭이 크게 제한된다. 이것을 집속함으로써 구현이 가능하고 전기장에 의한 방식이므로 전기장의 세기를 조절함으로서 집속을 조절할 수 있다.However, since it is difficult to implement a fine pattern in making a pattern that can be turned on / off, the line width is greatly limited in the first pattern. This can be realized by focusing and the electric field is used to control the focusing by adjusting the intensity of the electric field.
또한 물리적으로 회절과 간섭에 의한 선폭의 제한은 전자빔의 경우 물질파의 파장의 크기이므로 충분히 무시할 수 있다.In addition, the physical limitation of the line width due to diffraction and interference is sufficiently ignored because of the magnitude of the wavelength of the material wave in the case of an electron beam.
이상의 설명에서와 같이 본 발명에 따른 전자 빔 노광 장치 및 대면적 전자빔 소스 기판 형성 방법은 전자 빔의 조절을 가능케 하여 패턴을 수정하면서 다양한 패턴을 만들 수 있으며 또한, 대면적의 패턴을 한번에 형성케 함으로써 시간과 비용을 절약하여 대량 양산이 가능토록 하였다.As described above, the electron beam exposure apparatus and the method for forming the large-area electron beam source substrate according to the present invention enable the adjustment of the electron beam to make various patterns while modifying the pattern, and by forming the large-area pattern at once Mass production was possible by saving time and money.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100421218B1 (en) * | 2001-06-04 | 2004-03-02 | 삼성전자주식회사 | Apparatus of electron emission lithography by using selectively grown carbon nanotube and lithography method thereof |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3939452B2 (en) * | 1999-01-12 | 2007-07-04 | 喜萬 中山 | Electron emitting device and manufacturing method thereof |
| JP2000277002A (en) * | 1999-03-25 | 2000-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of electron emission element |
| JP2000340100A (en) * | 1999-05-25 | 2000-12-08 | Futaba Corp | Manufacture of electron emission source, electron emission source and fluorescent light emission type indicator |
| JP3769149B2 (en) * | 1999-08-03 | 2006-04-19 | 株式会社リコー | Electron-emitting device, manufacturing method thereof, and image forming apparatus using the electron-emitting device |
-
2001
- 2001-05-22 KR KR1020010028097A patent/KR100745257B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100421218B1 (en) * | 2001-06-04 | 2004-03-02 | 삼성전자주식회사 | Apparatus of electron emission lithography by using selectively grown carbon nanotube and lithography method thereof |
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