KR20020088770A - method and apparatus for forming a photoresist pattern - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 포토레지스트 패턴 형성 방법 및 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 제조에 있어 기판 상에 코팅된 포토레지스트층의 소정 부위를 제거하여 포토레지스트 패턴으로 형성하는 방법 및 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method and apparatus for forming a photoresist pattern, and more particularly, to a method and apparatus for forming a photoresist pattern by removing a predetermined portion of a photoresist layer coated on a substrate in semiconductor manufacturing.
근래에 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응하여, 상기 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있다. 이에 따라, 상기 반도체 장치의 집적도 향상을 위한 주요한 기술로서 포토리소그라피(photolithography) 기술과 같은 미세 가공 기술에 대한 요구도 엄격해지고 있다.In recent years, with the rapid spread of information media such as computers, semiconductor devices are also rapidly developing. In terms of its function, the semiconductor device is required to operate at a high speed and to have a large storage capacity. In response to these demands, manufacturing techniques have been developed in the direction of improving the degree of integration, reliability, response speed, and the like of the semiconductor device. Accordingly, the demand for microfabrication techniques such as photolithography techniques has become strict as a main technique for improving the integration degree of the semiconductor device.
상기 포토리소그라피 기술은 잘 알려져 있는 바와 같이, 유기적인 포토레지스트 물질을 사용하여 포토레지스트층을 형성한 후, 상기 포토레지스트층을 포토레지스트 패턴으로 형성하는 기술이다. 구체적으로는 먼저, 절연층 또는 도전층을 포함하는 기판 상에 자외선이나 X선과 같은 광을 조사하면 알칼리성 용액에 대해 용해도 변화가 일어나게 되는 유기층인 포토레지스트층을 코팅한다. 그리고 상기 포토레지스트층의 상부에 소정 부분만을 선택적으로 노광할 수 있도록 패터닝된 패턴 마스크를 개재하여 상기 포토레지스트층에 선택적으로 광을 조사한 다음, 신너 등을 사용하는 현상을 수행하여 용해도가 큰 부분(포지티브형 포토레지스트의 경우, 노광된 부분)은 제거하고 용해도가 작은 부분은 남겨 포토레지스트 패턴을 형성하는 기술이다.The photolithography technique is a technique of forming a photoresist layer using an organic photoresist material and then forming the photoresist layer into a photoresist pattern, as is well known. Specifically, first, a photoresist layer, which is an organic layer in which solubility change occurs in an alkaline solution, is irradiated with light such as ultraviolet rays or X-rays on a substrate including an insulating layer or a conductive layer. The photoresist layer is selectively irradiated with light through a pattern mask patterned to selectively expose only a predetermined portion of the photoresist layer, and then a thinner part is used to perform a phenomenon of using a thinner ( In the case of a positive photoresist, the exposed portion) is removed, and the portion having a low solubility is left to form a photoresist pattern.
이때, 상기 포토레지스트층의 형성은 스피너를 사용하고, 상기 광의 조사는 광원을 포함하는 노광부를 사용하고, 그리고 상기 포토레지스트층의 제거는 현상부를 사용한다. 상기 스피너, 노광부 및 현상부는 별도의 부재로 구성되는데, 최근에는 상기 스피너, 노광부 및 현상부가 단일 장치로 구성된다.In this case, the photoresist layer is formed using a spinner, the light is irradiated using an exposed part including a light source, and the photoresist layer is removed using a developing part. The spinner, the exposure part and the developing part are composed of separate members, but recently the spinner, the exposure part and the developing part are composed of a single device.
상기 스피너, 노광부 및 현상부를 단일 장치로 구성되는 일 예는 옥스퍼드 대학 출판부(Oxford University Press)에서 1996년 발행하고, 스테펀 에이 캠벨(Stephen A. Campbell)이 저술한 마이크로일렉트로릭 제조 과학 및 공학(The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication)에 개시되어 있다.An example in which the spinner, the exposure unit, and the developing unit are configured as a single device is published in 1996 by Oxford University Press, and is a microelectronic manufacturing science and engineering written by Stephen A. Campbell. The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication.
이와 같이, 단일 구성을 갖는 상기 장치는 상기 장치를 구동하기 위한 파워 또한 단일 구성을 갖는다. 즉, 단일 구성을 갖는 파워를 인가할 경우 상기 장치를 구성하는 스피너, 노광부 및 현상부 모두가 구동되는 것이다. 예를 들면, 상기 스피너를 사용하여 기판 상에 포토레지스트층을 코팅하는 사용하는 동안에도 상기 노광부의 광원에 파워가 인가되는 것이다. 이는, 불필요한 전력의 낭비를 초래한다. 그리고, 상기 광원의 경우에는 파워의 계속적인 인가로 인하여 수명에 지장을 끼친다.As such, the device having a single configuration also has a single configuration of power for driving the device. In other words, when the power having a single configuration is applied, all of the spinner, the exposure section and the developing section constituting the apparatus are driven. For example, power is applied to the light source of the exposure part even during use of coating the photoresist layer on the substrate using the spinner. This leads to waste of unnecessary power. In the case of the light source, the service life is impaired due to the continuous application of power.
따라서, 종래의 상기 장치는 상기 장치에 인가되는 파워가 단일로 구성되기 때문에 전력 낭비를 초래할 뿐만 아니라 상기 장치를 구성하는 부재들의 손상을 초래하여 그 수명을 단축시킨다. 이와 같이, 상기 전력 낭비 및 상기 손상으로 인하여 상기 장치의 가동 효율이 저하되는 문제점이 지적된다. 그리고, 상기 장치를 반도체 제조에 응용할 경우 상기 가동 효율의 저하로 상기 반도체 제조에 따른 생산성이 저하되는 결과를 초래한다.Thus, the conventional device not only causes power waste because the power applied to the device is composed of a single unit, but also causes damage to the members constituting the device, thereby shortening its lifespan. As such, it is pointed out that the operation efficiency of the device is lowered due to the power waste and damage. In addition, when the device is applied to semiconductor manufacturing, the lowering of the operating efficiency results in a decrease in productivity due to the semiconductor manufacturing.
본 발명의 제1목적은, 단일 구성을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 장치에 광원을 별도로 온/오프하기 위한 방법을 제공하는 데 있다.It is a first object of the present invention to provide a method for separately turning on / off a light source in an apparatus for forming a photoresist pattern having a single configuration.
본 발명의 제2목적은, 단일 구성을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 장치에 광원에 파워를 인가하는 부재를 별도로 취급하기 위한 장치를 제공하는 데 있다.A second object of the present invention is to provide an apparatus for separately handling a member for applying power to a light source in an apparatus for forming a photoresist pattern having a single configuration.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 패턴 형성 장치를 설명하기 위한 블록도이다.1 is a block diagram illustrating a photoresist pattern forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2 및 도 3은 도 1의 장치에 포함되는 광원 파워 조절부를 설명하기 위한 도면들이다.2 and 3 are views for explaining a light source power control unit included in the apparatus of FIG.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a method of forming a photoresist pattern according to an embodiment of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
10 : 장치 100 : 스피너10 device 100: spinner
110 : 노광부 120 : 광원 파워 조절부110: exposure unit 120: light source power control unit
130 : 현상부130: developing part
상기 제1목적을 달성하기 위한 본 발명의 포토레지스트 패턴을 형성하는 방법은, 기판 상에 포토레지스트 물질을 코팅하여 포토레지스트층을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트층이 코팅된 기판이 투입될 경우에만 광원에 파워를 인가시키고, 상기 포토레지스트층을 포토레지스트 패턴으로 형성하기 위한 패턴이 패터닝된 패턴 마스크를 상기 광원과 기판 사이에 개재한 상태에서 상기 포토레지스트층의 소정 부위에 광을 조사하여 상기 광이 조사된 부위의 포토레지스트층의 용해도를 변화시키는 단계와, 상기 포토레지스트층의 용해도 차이를 이용하여 상기 포토레지스트층의 소정 부위를 제거하여 상기 포토레지스트층을 포토레지스트 패턴으로 형성하는 단계를 포함한다.The method of forming the photoresist pattern of the present invention for achieving the first object, the step of forming a photoresist layer by coating a photoresist material on the substrate, when the substrate coated with the photoresist layer Power is applied only to the light source, and light is irradiated to a predetermined portion of the photoresist layer in a state where a pattern mask having a pattern for forming the photoresist layer as a photoresist pattern is interposed between the light source and the substrate. Changing the solubility of the photoresist layer at the portion irradiated with light, and removing the predetermined portion of the photoresist layer by using a difference in solubility of the photoresist layer to form the photoresist layer as a photoresist pattern. Include.
이와 같이, 코팅, 노광 및 현상을 순차적으로 수행하여 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성할 때 상기 광원에 인가되는 파워를 상기 노광이 수행되는 경우로만 한정한다. 따라서, 상기 광원을 효율적인 사용을 도모할 수 있다. 때문에, 상기 포토레지스트 패턴을 안정적으로 형성할 수 있다.As such, when the photoresist pattern is formed on the substrate by coating, exposure, and development sequentially, the power applied to the light source is limited only to the case where the exposure is performed. Therefore, the light source can be used efficiently. Therefore, the photoresist pattern can be stably formed.
상기 제2목적을 달성하기 위한 본 발명의 포토레지스트 패턴을 형성하는 장치는, 기판 상에 포토레지스트 물질을 코팅하여 포토레지스트층을 형성하기 위한 스피너와, 광을 조사하는 광원을 포함하고, 상기 포토레지스트층을 포토레지스트 패턴으로 형성하기 위한 패턴이 패터닝된 패턴 마스크를 상기 광원과 기판 사이에 개재한 상태에서 상기 포토레지스트층의 소정 부위에 광을 조사하여 상기 광이 조사된 부위의 포토레지스트층의 용해도를 변화시키기 위한 노광부와, 상기 포토레지스트층의 용해도 차이를 이용하여 상기 포토레지스트층의 소정 부위를 제거하여 상기 포토레지스트층을 포토레지스트 패턴으로 형성하기 위한 현상부와, 상기 노광부의 광원에 인가되는 파워를 상기 노광부를 사용할 경우로만 한정하는 광원 파워 조절 수단을 포함한다.An apparatus for forming a photoresist pattern of the present invention for achieving the second object includes a spinner for forming a photoresist layer by coating a photoresist material on a substrate, and a light source for irradiating light, In the state where the pattern mask for patterning the resist layer into the photoresist pattern is interposed between the light source and the substrate, a predetermined portion of the photoresist layer is irradiated with light to form a photoresist layer of the photoresist layer. An exposure part for changing the solubility, a developing part for removing a predetermined portion of the photoresist layer by using a difference in solubility of the photoresist layer, and forming the photoresist layer into a photoresist pattern, and a light source of the exposure part. Light source power adjusting means for limiting the applied power only when the exposure unit is used. do.
이와 같이, 상기 광원의 파워를 인가하는 부재를 별도로 구성시킴으로서, 상기 포토레지스트 패턴을 형성할 때 상기 광원의 파워 인가는 별도의 구성에 의해 온/오프된다. 이에 따라, 상기 광원을 안정적으로 사용할 수 있기 때문에 상기 장치의 가동 효율의 향상을 기대할 수 있다. 그리고, 상기 광원에 불필요한 파워의 인가를 저지함으로서 전력 사용을 최소화할 수 있다.As such, by separately configuring the member for applying the power of the light source, the power application of the light source is turned on / off by a separate configuration when forming the photoresist pattern. Thereby, since the said light source can be used stably, the improvement of the operation efficiency of the said apparatus can be anticipated. The use of power can be minimized by preventing unnecessary application of power to the light source.
실시예로서, 상기 스피너, 노광부, 현상부 및 광원 파워 조절 수단은 하나의 케비닛 단위로 설치됨으로서 단일 구성을 갖고, 상기 장치는 반도체 제조를 위한 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 장치로 사용된다. 구체적으로, 상기 반도체 제조에 있어 기판 상에 형성되어 있는 막들을 패턴으로 형성할 때 식각 마스크로 사용되는 포토레지스트 패턴을 형성하는 장치로 사용된다. 이에 따라, 상기 광원은 다양하게 구비된다. 예를 들면, 436nm의 파장을 갖는 G-line을 조사하는 광원, 365nm의 파장을 갖는 i-line을 조사하는 광원, 245 내지 252nm의 파장을 갖는 딥유브이를 조사하는 광원, 그리고 248nm의 파장을 갖는 KrF 엑사이머 레이저, ArF 엑사이머 레이저 등이 있다. 상기 광원들 중에서 바람직하게는, 상기 딥유브이를 조사하는 광원인 자외선 램프를 사용한다. 그리고, 상기 광원 파워 조절 수단은 상기 광원을 온/오프시키는 변환 스위치 및 상기 변환 스위치의 온/오프를 제어하는 제어부를 포함한다. 다른 실시예로서, 상기 광원을 온 또는 절전 모드로 전환시키는 변환 스위치 및 상기 변환 스위치를 제어하는 제어부를 포함한다. 이때, 상기 제어부는 상기 기판이 노광부에 투입되는 가를 상기 제어의 근거로 한다. 즉, 상기 노광부에서 런(run)이 진행되는 가에 대한 여부로서 상기 제어를 수행하는데, 상기 런의 진행 여부는 상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정 조건 중의 하나로 설정되어 있다.As an embodiment, the spinner, the exposure unit, the developing unit and the light source power adjusting means have a unitary configuration by being installed in one cabinet unit, and the apparatus is used as an apparatus for forming a photoresist pattern on a substrate for semiconductor manufacturing. do. Specifically, in the semiconductor manufacturing, it is used as an apparatus for forming a photoresist pattern used as an etching mask when forming films formed on a substrate in a pattern. Accordingly, the light source is provided in various ways. For example, a light source for irradiating a G-line having a wavelength of 436 nm, a light source for irradiating an i-line having a wavelength of 365 nm, a light source for irradiating a deep UV having a wavelength of 245 to 252 nm, and a wavelength of 248 nm. KrF excimer laser, ArF excimer laser, and the like. Among the light sources, an ultraviolet lamp which is a light source for irradiating the deep UV is used. The light source power adjusting means includes a conversion switch for turning on / off the light source and a controller for controlling on / off of the conversion switch. In another embodiment, a conversion switch for switching the light source into an on or power saving mode and a control unit for controlling the conversion switch. At this time, the controller is based on the control whether the substrate is put into the exposure unit. That is, the control is performed as to whether or not a run proceeds in the exposure unit, and whether or not the run proceeds is set to one of the process conditions for forming the photoresist pattern.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면에 따라서 더욱 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 상기 반도체 제조에서 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 장치(10)를 나타낸다. 도 1를 참조하면, 상기 장치(10)는 스피너(100), 노광부(110) 및 현상부(130)를 포함하고, 상기 노광부(110)에 설치되는 광원에 인가되는 파워를 조절하는 광원 파워 조절부(120)를 포함한다. 이때, 상기 장치(10)는 케비넷 단위의 단일 구성을 갖는다.1 shows an apparatus 10 for forming a photoresist pattern on a substrate in the semiconductor fabrication. Referring to FIG. 1, the apparatus 10 includes a spinner 100, an exposure unit 110, and a developing unit 130, and adjusts a power applied to a light source installed in the exposure unit 110. It includes a power control unit 120. At this time, the device 10 has a single configuration of a cabinet unit.
구체적으로, 스피너(100)는 기판이 놓여지는 척 및 포토레지스트 물질을 제공하는 분사 노즐을 포함한다. 상기 척은 기판 이면을 진공에 의해 파지하고, 회전부재와 연결되어 상기 기판 상에 포토레지스트층을 코팅할 때 회전하는 구성을 갖는다. 이에 따라, 상기 척에 놓여있는 기판 상에 포토레지스트 물질을 제공하고, 상기 기판을 회전시켜 상기 회전력에 의해 상기 포토레지스트 물질을 상기 기판 주연 부위까지 밀려나게 함으로서 상기 포토레지스트층이 형성된다.Specifically, spinner 100 includes a chuck on which the substrate is placed and a spray nozzle that provides the photoresist material. The chuck has a configuration in which the back surface of the substrate is gripped by a vacuum and rotated when connected to the rotating member to coat the photoresist layer on the substrate. Accordingly, the photoresist layer is formed by providing a photoresist material on a substrate placed on the chuck and rotating the substrate to force the photoresist material to the periphery of the substrate by the rotational force.
노광부(110)는 상기 포토레지스트층의 소정 부위에 광을 조사하는 광원을 포함한다. 상기 광원은 자외선 램프이다. 이에 따라, 상기 포토레지스트층이 코딩된 기판을 제공받아 상기 포토레지스트층의 소정 부위에 광을 조사하여 상기 광이 조사된 부위와 상기 광이 조사되지 않은 부위의 용해도에 차이를 조성한다. 이때, 상기 소정 부위는 상기 포토레지스트층을 포토레지스트 패턴으로 형성하기 위한 패턴이 패터닝된 패턴 마스크를 상기 광원과 기판 사이에 개재함으로서 정의된다. 또한, 노광부(110)는 스텝퍼(stepper)로 구성되고, 상기 패턴 마스크로서 레티클(reticle)을 사용하는 것이 바람직하다.The exposure unit 110 includes a light source for irradiating light to a predetermined portion of the photoresist layer. The light source is an ultraviolet lamp. Accordingly, by receiving the substrate on which the photoresist layer is coded, light is irradiated to a predetermined portion of the photoresist layer to create a difference in solubility between the portion to which the light is irradiated and the portion to which the light is not irradiated. In this case, the predetermined portion is defined by interposing a pattern mask in which a pattern for forming the photoresist layer as a photoresist pattern is interposed between the light source and the substrate. In addition, the exposure unit 110 is composed of a stepper, it is preferable to use a reticle (reticle) as the pattern mask.
그리고, 노광부(110)의 광원에 인가되는 파워는 상기 장치에 인가되는 파워와는 별도로 관리된다. 즉, 상기 광원은 별도의 구성을 갖는 광원 파워 조절부(120)에 의해 관리된다.The power applied to the light source of the exposure unit 110 is managed separately from the power applied to the apparatus. That is, the light source is managed by the light source power control unit 120 having a separate configuration.
도 2는 상기 광원 파워 조절부(120)의 하나의 실시예를 나타낸다. 도 2를 참조하면, 광원 파워 조절부(120)는 상기 광원을 온/오프시키는 변환 스위치(120a) 및 상기 온/오프를 제어하는 제어부(120b)를 포함한다. 이에 따라, 제어부(120b)는 상기 기판이 투입될 때 변환 스위치(120a)를 온으로 제어하여 상기 광원에 파워를 인가하고, 상기 기판이 투입되지 않을 때 변환 스위치(120a)를 오프로 제어하여 상기 광원에 파워를 인가하지 않는 구성을 갖는다. 이때, 상기 기판의 투입은 공정 조건에 근거하는데, 상기 공정 조건을 제어부(120b)에 미리 세팅할 경우 상기 기판의 투입에 근거하는 제어가 가능하다. 즉, 광원 파워 조절부(120)는 상기 노광이 진행 중이라는 상태를 나타내는 런(run)일 경우에만 상기 광원에 파워를 인가하는 것이다.2 illustrates an embodiment of the light source power control unit 120. Referring to FIG. 2, the light source power adjusting unit 120 includes a conversion switch 120a for turning on / off the light source and a controller 120b for controlling the on / off. Accordingly, the controller 120b controls the conversion switch 120a to be turned on when the substrate is input, applies power to the light source, and controls the conversion switch 120a to be off when the substrate is not input. It has a configuration in which no power is applied to the light source. In this case, the input of the substrate is based on the process conditions. When the process condition is set in advance in the control unit 120b, control based on the input of the substrate is possible. That is, the light source power control unit 120 applies power to the light source only when it is a run indicating that the exposure is in progress.
도 3은 상기 광원 파워 조절부(120)의 다른 하나의 실시예를 나타낸다. 도 3을 참조하면, 광원 파워 조절부(120)는 상기 광원을 온 또는 절전 모드로 변환시키는 변환 스위치(120c) 및 상기 온/절전 모드를 제어하는 제어부(120d)를 포함한다. 이에 따라, 제어부(120d)는 상기 기판이 투입될 때 변환 스위치(120c)를 온으로 제어하여 상기 광원에 파워를 인가하고, 상기 기판이 투입되지 않을 때 변환 스위치(120c)를 절전 모드로 제어하여 상기 광원에 파워를 인가하지 않는 구성을 갖는다. 이때, 상기 기판의 투입은 공정 조건에 근거하는데, 상기 공정 조건을 제어부(120d)에 미리 세팅할 경우 상기 기판의 투입에 근거하는 제어가 가능하다. 즉, 광원 파워 조절부(120)는 상기 노광이 런일 경우에만 상기 광원에 파워를 인가하는 것이다.3 shows another embodiment of the light source power control unit 120. Referring to FIG. 3, the light source power control unit 120 includes a conversion switch 120c for converting the light source into an on or power saving mode, and a controller 120d for controlling the on / sleep mode. Accordingly, the control unit 120d controls the conversion switch 120c to ON when the substrate is input, applies power to the light source, and controls the conversion switch 120c to the power saving mode when the substrate is not input. It has a configuration in which no power is applied to the light source. At this time, the input of the substrate is based on the process conditions. When the process condition is set in advance in the control unit 120d, control based on the input of the substrate is possible. That is, the light source power control unit 120 applies power to the light source only when the exposure is run.
현상부(130)는 상기 기판이 놓여지는 척 및 상기 기판 상에 신너(thiner)를 분사하는 분사 노즐을 포함한다. 이에 따라, 상기 용해도가 서로 다른 구성을 갖는 포토레지스트층 상에 신너를 분사하고, 상기 용해도 차이에 의해 상기 포토레지스트층을 제거하여 포토레지스트 패턴을 형성한다.The developing unit 130 includes a chuck on which the substrate is placed and a spray nozzle for spraying thinner on the substrate. Accordingly, thinner is sprayed onto the photoresist layer having the different solubility, and the photoresist layer is removed by the solubility difference to form a photoresist pattern.
따라서, 스피너(100), 노광부(110), 광원 파워 조절부(120) 및 현상부(130)를 사용하여 상기 포토레지스트층을 포토레지스트 패턴으로 형성할 수 있다. 이때, 광원 파워 조절부(120)를 사용하여 상기 광원에 인가되는 파워를 적절히 조절함로서, 상기 광원의 불필요한 사용을 최소화할 수 있다. 이에 따라, 상기 광원의 불필요한 사용으로 인한 전력 낭비를 최소화할 수 있고 및 상기 광원에 가해지는 손상을 최소화할 수 있다.Therefore, the photoresist layer may be formed as a photoresist pattern by using the spinner 100, the exposure unit 110, the light source power control unit 120, and the development unit 130. In this case, by appropriately adjusting the power applied to the light source using the light source power control unit 120, unnecessary use of the light source can be minimized. Accordingly, power waste due to unnecessary use of the light source can be minimized, and damage to the light source can be minimized.
상기 장치를 사용한 포토레지스트 패턴 형성 방법은 다음과 같다.The photoresist pattern forming method using the apparatus is as follows.
도 4는 상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 방법을 나타낸다. 도 4를 참조하면, 상기 스피너를 사용하여 기판 상에 포토레지스트층을 형성한다.(S40 단계) 이때, 상기 스피너가 회전함에 따라 상기 기판이 회전한다. 따라서, 상기 기판의 회전력에 의해 상기 기판 상에 상기 포토레지스트층이 형성된다. 그리고, 상기 포토레지스트층이 형성된 기판이 노광부로 투입된다. 이때, 상기 노광부의 광원은 상기 기판의 투입 여부에 따라 파워의 인가가 결정된다.(S40 내지 S48 단계) 즉, 상기 기판이 투입될 경우에만 상기 광원의 파워가 인가되는 것이다.(S40 및 S48 단계) 만약, 상기 기판의 투입되지 않을 경우에는 상기 광원의 파워는 오프 상태를 유지하고, 에러 처리된다.(S44 및 S46 단계) 이에 따라, 상기 광원과 기판 사이에 패턴 마스크를 개재하고, 상기 포토레지스트층의 소정 부위에 광을 조사하여 상기 포토레지스트층의 용해도를 변화시킨다.(S50 단계) 그리고, 상기 노광을 종료한다. 이때, 상기 노광이 종료될 경우 상기 노광을 위한 기판이 계속 투입되는 가를 판단하고, 상기 노광의 종료가 확인되면 상기 광원의 파워를 오프시킨다.(S52 및 S54 단계) 이어서, 상기 노광에 의한 용해도의 변화를 이용하여 상기 포토레지스트층의소정 부위를 제거하는 현상을 수행하여 상기 포토레지스트 패턴을 형성한다.(S56 단계)4 illustrates a method of forming the photoresist pattern. Referring to FIG. 4, the spinner is used to form a photoresist layer on the substrate (step S40). As the spinner rotates, the substrate rotates. Therefore, the photoresist layer is formed on the substrate by the rotational force of the substrate. Then, the substrate on which the photoresist layer is formed is introduced into the exposure unit. At this time, the light source of the exposure unit is determined to apply power depending on whether the substrate is inserted (steps S40 to S48). That is, the power of the light source is applied only when the substrate is inserted. If the substrate is not input, the power of the light source is maintained in an OFF state, and error processing is performed. (Steps S44 and S46) Accordingly, the photoresist is interposed between the light source and the substrate. Light is irradiated to a predetermined portion of the layer to change the solubility of the photoresist layer (step S50). The exposure is then terminated. At this time, when the exposure is finished, it is determined whether the substrate for the exposure is continuously added, and when the end of the exposure is confirmed, the power of the light source is turned off (steps S52 and S54). The photoresist pattern is formed by performing a phenomenon of removing a predetermined portion of the photoresist layer by using a change (step S56).
상기 방법 중에서 상기 광원에 인가되는 파워를 오프시키지 않고, 절전 모드를 변화시키는 방법 또한 제안될 수 있다.Among the above methods, a method of changing the power saving mode without turning off the power applied to the light source may also be proposed.
따라서, 본 발명에 의하면 상기 광원의 사용을 노광을 수행할 경우로만 한정할 수 있다. 즉, 상기 장치가 단일 구성을 갖더라도 상기 광원에 인가되는 파워만을 별도로 구성하고, 이를 적절하게 제어하는 것이다. 이에 따라, 상기 광원의 계속적인 사용을 저지할 수 있다. 때문에, 상기 광원의 불필요한 사용을 제한함으로서 전력 낭비를 최소화하고, 상기 광원에 가해지는 손상을 최소화할 수 있다. 따라서, 상기 장치의 가동 효율이 향상되는 효과를 기대할 수 있다. 그리고, 상기 장치를 반도체 제조에 응용할 경우 상기 장치의 가동 효율의 향상을 통하여 반도체 제조에 따른 생산성의 향상을 도모할 수 있다.Therefore, according to the present invention, the use of the light source can be limited only to performing exposure. That is, even if the device has a single configuration, only the power applied to the light source is separately configured, and it is appropriately controlled. As a result, the continuous use of the light source can be prevented. Therefore, by limiting unnecessary use of the light source, it is possible to minimize power waste and to minimize damage to the light source. Therefore, the effect that the operation efficiency of the said device can be improved can be anticipated. In addition, when the device is applied to semiconductor manufacturing, productivity of semiconductor manufacturing can be improved by improving the operating efficiency of the device.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. I can understand that you can.
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010027738A KR20020088770A (en) | 2001-05-21 | 2001-05-21 | method and apparatus for forming a photoresist pattern |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010027738A KR20020088770A (en) | 2001-05-21 | 2001-05-21 | method and apparatus for forming a photoresist pattern |
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| KR20020088770A true KR20020088770A (en) | 2002-11-29 |
Family
ID=27705717
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020010027738A KR20020088770A (en) | 2001-05-21 | 2001-05-21 | method and apparatus for forming a photoresist pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR20020088770A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100593711B1 (en) * | 2002-12-19 | 2006-06-28 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | Substrate processing unit, method of operation and program thereof |
-
2001
- 2001-05-21 KR KR1020010027738A patent/KR20020088770A/en not_active Application Discontinuation
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