KR20020088512A - 고주파 미세전자기계시스템 스위치를 이용한 가변 인덕터 - Google Patents

고주파 미세전자기계시스템 스위치를 이용한 가변 인덕터 Download PDF

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KR20020088512A
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Abstract

본 발명은 인덕턴스값을 가변시킬 수 있는 가변 인덕터에 관한 것으로서, 기존 인덕터들의 효용성을 향상시키기 위해 하나의 인덕터가 일단 제작된 이후에도 인덕턴스값을 가변시킬 수 있는 기술에 관한 것이다.
이를 위하여 본 발명은 외부에서 인가되는 제어신호에 따라 상기 솔레노이드형 코일의 권선길이 또는 나선형 코일의 권선길이와 권선간격을 가변시켜 상기 솔레노이드형 코일이나 나선형 코일의 전체 인덕턴스값을 조절하는 인덕턴스 조절수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 미세전자기계시스템(MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터를 제공한다.
따라서 본 발명은 각 인덕터들로부터 요구되는 해당 인덕턴스값에 따라 그 인덕턴스값 형성에 기여하는 여러 파라미터값이 미리 결정되어 각각 제작되었다 할지라도 일단 제작된 인덕터들의 리액턴스 량을 시스템 사양에 맞게 튜닝시켜 동일한 인덕터 소자를 여러 시스템에 응용 가능하게 하게 한다.

Description

고주파 미세전자기계시스템 스위치를 이용한 가변 인덕터{VARIABLE INDUCTOR USING RADIO FREQUENCY MICRO ELECTRONIC MECHANICAL SYSTEM SWITCH}
본 발명은 인덕턴스값을 가변시킬 수 있는 가변 인덕터에 관한 것으로서, 특히 고주파 미세전자기계시스템(Radio Frequency Micro Electronic Mechanical System; 이하에서는 RF MEMS라 약칭함) 스위치 또는 반도체 스위치를 이용하여 인덕턴스값을 가변시킬 수 있는 가변 인덕터(Variable Inductor Using Radio Frequency Micro Electronic Mechanical System Switch)에 관한 것이다.
일반적으로 기존의 인덕터는 도선을 일정한 반경으로 수회 권선한 솔레노이드형 인덕터와, 고주파 집적회로(Radio Frequency IC) 또는 모노리식 마이크로 집적회로(Monolithic Micro IC)에서 사용하기 위해 단일평면에 일정한 간격으로 도선을 수회 권선(배열)한 나선형 인덕터로 구분되며, 이들은 도 1a의 솔레노이드형 인덕터 회로도와 도 1b의 MMIC 또는 RFIC 나선형 인덕터 회로도에 각각 도시되어 있다.
상기 솔레노이드형 인덕터는 도 1a에 도시된 바와 같이 일정한 길이의 도선이 일정한 반경으로 수회 권선되어 상기 도선의 길이와 반경과 재질 및 권선수 등의 파라미터에 비례하는 인덕턴스값을 형성하도록 구성되며, 상기 나선형 인덕터는 도 1b에 도시된 바와 같이 일정한 길이의 도선이 일정한 면적의 단일평면에 반경이 다르게 나선형으로 권선(배열)되어 상기 도선의 길이와 권선수, 배열간격에 비례하는 인덕턴스값을 형성하도록 구성된다.
최근에는 고주파 미세전자기계시스템 기술을 이용하여 도선을 공기중에 띄운 상태로 권선하는 인덕터가 개발되고 있으며, 이러한 RF MEMS 인덕터는 MEMS 기법에 의해 도선을 일정한 반경으로 수회 권선한 RF MEMS 솔레노이드형 인덕터와, MEMS 기법에 의해 기판으로부터 소정거리 이격된 단일평면에 도선을 수회 권선(배열)한 RF MEMS 나선형(Spiral) 인덕터로 구분되며, 이러한 RF MEMS 인덕터들은 도 2a의 RF MEMS 솔레노이드형 인덕터 회로도와 도 2b의 RF MEMS 나선형 인덕터 회로도에 각각 도시되어 있다.
상기 RF MEMS 솔레노이드형 인덕터는 도 2a에 도시된 바와 같이 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 기법에 의해 일정한 길이의 도선을 일정한 내경으로 수회 권선하여 상기 도선의 길이와 내경 및 권선수에 비례하는 인덕턴스값을 형성하도록 구성되며, 상기 RF MEMS 나선형 인덕터는 일정한 길이의 도선을 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 기법에 의해 나선형으로 수회 권선하고 상기 권선된 나선형의 도선을 수개의 기둥을 사용하여 기판으로부터 소정거리 이격된 단일평면에 고정시킴으로써 상기 도선의 길이와 권선수, 권선간격, 도선과 기판간의 커패시턴스에 비례하는 인덕턴스값을 형성하도록 구성된다.
그러나 상기와 같은 종래의 인덕터들은 각 인덕터들로부터 요구되는 해당 인덕턴스값에 따라 그 인덕턴스값 형성에 기여하는 여러 파라미터값이 미리 결정되어 각각 제작되며, 이와 같이 일단 제작된 인덕터들은 리액턴스 량이 튜닝 불가능한 형태로 고정되기 때문에 시스템 사양에 맞게 한정적으로 사용될 수 밖에 없는 문제점이 있었다.
따라서 이러한 기존 인덕터들의 효용성을 향상시키기 위해서는 하나의 인덕터가 일단 제작된 이후에도 인덕턴스값을 가변시킬 수 있어야 한다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 본 발명의 제 1목적은 고주파 미세전자기계시스템 스위치 또는 반도체 스위치를 이용하여 솔레노이드형 코일의 권선길이를 변화시켜 인덕터의 리액턴스 량을 가변하는 것으로 솔레노이드형 코일의 전체 인덕턴스를 코일의 권선길이에 비례하는 다수의 값으로 조절할 수 있도록 함으로써 솔레노이드형 코일로 구성된 동일한 인덕터 소자를 여러 시스템에 응용 가능하게 하는 고주파 미세전자기계시스템 스위치를 이용한 가변 인덕터를 제공함에 있다.
본 발명의 제 2목적은 고주파 미세전자기계시스템 스위치 또는 반도체 스위치를 이용하여 나선형 코일의 권선간격을 변화시켜 인덕터의 리액턴스 량을 가변하는 것으로 나선형 코일의 전체 인덕턴스를 코일의 권선간격에 비례하는 다수의 값으로 조절할 수 있도록 함으로써 나선형 코일로 구성된 동일한 인덕터 소자를 여러 시스템에 응용 가능하게 하는 고주파 미세전자기계시스템 스위치를 이용한 가변 인덕터를 제공함에 있다.
본 발명의 제 3목적은 고주파 미세전자기계시스템 스위치 또는 반도체 스위치를 이용하여 나선형 코일의 권선간격 및 권선길이를 변화시켜 인덕터의 리액턴스 량을 가변하는 것으로 나선형 코일의 전체 인덕턴스를 코일의 권선길이와 권선간격에 비례하는 연속적인 다수의 값으로 조절할 수 있도록 함으로써 나선형 코일로 구성된 인덕터 소자를 여러 시스템에 응용 가능하게 하는 고주파 미세전자기계시스템 스위치를 이용한 가변 인덕터를 제공함에 있다.
상기의 제 1목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에서는, 일정한 길이의 도선을 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 기법에 의해 일정한 내경으로 수회 권선하여 상기 도선의 길이와 내경 및 권선수에 비례하는 인덕턴스값을 형성하도록 구성된 솔레노이드형 코일과, 외부에서 인가되는 제어신호에 따라 상기 솔레노이드형 코일의 권선길이를 가변시켜 상기 솔레노이드형 코일의 전체 인덕턴스값을 조절하는 인덕턴스 조절수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터를 제공한다.
상기의 제 2목적을 달성하기 위하여 본 발명의 다른 실시예에서는, 일정한 길이의 도선을 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 기법에 의해 기판으로부터 소정 높이 이격되게 나선형으로 수회 권선하여 상기 도선의 길이와 권선수, 권선간격, 도선과 기판간의 커패시턴스에 비례하는 인덕턴스값을 형성하도록 구성된 나선형 코일과, 외부에서 인가되는 제어신호에 따라 상기 나선형 코일의 권선간격을 가변시켜 상기 나선형 코일의 전체 인덕턴스값을 조절하는 인덕턴스 조절수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터를 제공한다.
상기의 제 3목적을 달성하기 위하여 본 발명의 또 다른 실시예에서는, 일정한 길이의 도선을 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 기법에 의해 기판으로부터 소정 높이 이격되게 나선형으로 수회 권선하여 상기 도선의 길이와 권선수, 권선간격, 도선과 기판간의 커패시턴스에 비례하는 인덕턴스값을 형성하도록 구성된 나선형 코일과, 외부에서 인가되는 제어신호에 따라 상기 나선형 코일의 권선간격 및 권선길이를 가변시켜 상기 나선형 코일의 전체 인덕턴스값을 조절하는 인덕턴스 조절수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터를 제공한다.
도 1a와 도 1b는 종래의 솔레노이드형 인덕터와 MMIC 또는 RFIC 나선형 인덕터를 각각 도시한 회로도
도 2a와 도 2b는 종래의 RF MEMS 솔레노이드형 인덕터와 RF MEMS 나선형 인덕터를 각각 도시한 회로도
도 3a는 RF MEMS 솔레노이드형 코일을 이용하여 구성한 본 발명의 제 1실시예에 의한 가변 인덕터의 예시도
도 3b는 도 3a의 등가 회로도
도 4a와 도 4b는 MEMS 스위치의 개념을 설명하기 위하여 도시한 참고도
도 5는 RF MEMS 나선형 코일을 이용하여 구성한 본 발명의 제 2 실시예에 의한 가변 인덕터를 일부 발췌하여 나타낸 예시도
도 6은 RF MEMS 나선형 코일을 이용하여 구성한 본 발명의 제 3실시예에 의한 가변 인덕터의 등가 회로도
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : RF MEMS 솔레노이드형 코일 20 : 권선길이 가변수단
30 : 출구 선택수단 40 : RF MEMS 나선형 코일
41 : 미케니컬 멤브레인 42 : 유전체
43 : 반도체 기판 44 : 접지기둥
45 : 신호 전달선 50 : 권선간격 가변수단
S1-S4, S21, S23, S25, S32, S34, S36, S37 : 스위치
본 발명의 이들 목적과 특징 및 장점은 첨부 도면 및 다음의 상세한 설명을 참조함으로서 더욱 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
이하에서의 본 발명은 솔레노이드형 코일과 나선형 코일의 인덕턴스값을 고주파 미세전자기계시스템(Radio Frequency Micro Electronic Mechanical System) 스위치를 이용하여 가변시킬 수 있도록 구성된 가변 인덕터(Variabl Inductor Using Radio Frequency Micro Electronic Mechanical System Switch)를 바람직한 실시예로서 제안한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정하거나 제한되지 않고 당업자에 의해 변형되어 다양하게 실시 될 수 있음은 물론이다.
도 3a에는 RF MEMS 솔레노이드형 코일을 이용하여 구성한 본 발명의 제 1실시예에 의한 가변 인덕터를 예시하였고, 도 3b에는 상기 도 3a의 가변 인덕터에 대한 등가 회로도를 예시하였다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 본 발명의 제 1실시예에 의한 가변 인덕터는 일정한 길이의 도선을 고주파 미세전자기계시스템(MEMS) 기법에 의해 일정한 내경으로 수회 권선하여 상기 도선의 길이와 내경 및 권선수에 비례하는 인덕턴스값을 형성하도록 구성된 RF MEMS 솔레노이드형 코일(10)과, 외부에서 인가되는 제어신호에 따라 상기 RF MEMS 솔레노이드형 코일의 권선길이를 가변시켜 상기 솔레노이드형 코일의 전체 인덕턴스를 권선 길이에 비례하는 다수의 값으로 조절하는 인덕턴스 조절수단을 포함하여 구성한다.
상기 인덕턴스 조절수단은 상기 RF MEMS 솔레노이드형 코일(10)을 하나 이상의 권선으로 분리하거나 결합하는 권선길이 가변수단(20)과, 상기 권선길이 가변수단에 의해 분할된 도선에 선택적으로 접속되어 상기 RF MEMS 솔레노이드형 코일의 아울렛(outlet)을 형성하는 출구 선택수단(30)을 포함하여 구성할 수 있다.
또 상기 인덕턴스 조절수단은 권선길이 가변수단(20) 및 상기 권선길이 가변수단에 대응하는 개수의 출구 선택수단(30)을 다수개 포함하여 구성할 수 있으며, 이 경우 상기 하나 이상의 권선길이 가변수단을 각각 서로 다른 위치에 접속하여 상기 솔레노이드형 코일의 유효 권선수가 조절되도록 구성할 수 있다.
상기 권선길이 가변수단(20)은 스위칭 동작에 의해 상기 솔레노이드형 코일의 도선을 새로운 길이와 권선수를 가진 하나 이상의 도선으로 분할하여 상기 솔레노이드형 코일의 전체 권선을 인덕턴스값 형성에 기여하는 유효 권선과 인덕턴스값 형성에 기여하지 않는 무효 권선으로 나누거나 또는 다시 결합하도록 구성된다.
상기 출구 선택수단(30)은 상기 권선길이 가변수단에 의해 분할된 도선들 중 상기 유효 권선으로 분할된 도선에 접속되며, 상기 도선 분할에 의해 개방된 솔레노이드형 코일의 아울렛(outlet)을 형성한다.
이들 권선길이 가변수단(20)이나 출구 선택수단(30)은 각각 한 개씩 또는 도 3a에 예시되어 있는 바와 같이 매 권선마다 각각 다수개씩 또는 필요에 따라 원하는 개수만큼씩 연결될 수 있으며, 미세전자기계시스템에 사용되는 매우 작은 형태의 고주파 미세전자기계시스템 스위치 또는 반도체 스위치 중의 어느 하나를 사용하여 구현 가능하다. 특히 상기 권선길이 가변수단이나 출구 선택수단은 외부에서 인가되는 제어신호에 따라 스위칭 동작 가능하도록 RF MEMS 기법에 의해 제작된 멤브레인 스위치 또는 반도체 제조기법에 의해 제작된 반도체 스위치 중의 어느 하나로 구성하는 것이 바람직하다. 여기서 외부에서 인가되는 제어신호라 함은 상기 RF MEMS 솔레노이드 코일이 장착되는 기판에 인가되는 스위치 구동전압 등을 예로 들 수 있다.
상기 권선길이 가변수단(20)이 매 권선마다 다수개 연결되는 경우는 도 3b의 등가회로도에 보다 자세히 예시되어 있으며, 도면에서는 상기 권선길이 가변수단(20)은 스위치 부호 S21, S23, S25로, 상기 출구 선택수단(30)은 스위치 부호 S32, S34, S36, S37로 각각 표시되어 있다.
도 3b를 참조하면, 상기 권선길이 가변수단(20; S21, S23, S25)이 매 권선마다 다수개 연결되는 경우 코일의 권선 진행방향을 따라 일직선으로 절단된 도선의 양단에 연결되어서 상기 절단된 매 권선코일을 선택적으로 개방 또는 단락시키도록구성되는 것이 바람직하며, 상기 권선길이 가변수단에 의해 분할되어 개방되는 도선의 개수만큼 상기 출구 선택수단(30; S32, S34, S36, S37) 또한 그에 대응하는 개수만큼을 구비하여 상기 권선길이 가변수단의 스위칭 상태에 따라 상기 RF MEMS 솔레노이드형 코일의 아울렛을 선택적으로 형성할 수 있도록 구성한다.
도 4a와 도 4b는 일반적인 MEMS 스위치의 개념을 설명하기 위하여 도시한 참고도로서, 다음에서 설명될 본 발명의 제 2실시예에 의한 가변 인덕터의 이해를 돕고자 예시하였으며, 도면상의 부호 41 내지 45는 번호 순서대로 미케니컬 멤브레인, 유전체, 반도체 기판, 접지기둥, 신호 전달선을 각각 지시하고 있다.
도면에서와 같이 상기 MEMS 스위치는 아래쪽의 유전체(42)에 전압이 인가되지 않을 때는 공중에 떠 있는 미케니컬 멤브레인(41)이 접지기둥(44)과 연결되어 있기 때문에 신호는 아래의 신호 전달선(45)을 통하여 정상적으로 전달되어 신호 도통상태(Signal-On 상태; 도 4a)가 되고, 아래쪽의 유전체(42)에 전압이 가해지면 공중에 떠 있던 미케니컬 멤브레인(41)이 신호 전달선(45)과 접속이 되어 신호가 접지기둥(44)으로 빠져 나가게 되므로 신호 차단상태(Signal-off 상태)가 된다. 이 도면에서 미케니컬 멤브레인(41)을 지지하기 위한 방법과 코일에서 지지대를 만드는 기술이 동일하므로 같은 기판에서 유전체를 증착하는 공정만 추가되면 본 발명에 의한 멤브레인 스위치를 구현할 수 있는 것이다. 이러한 원리는 공중에 떠 있는 도선(도 2b와 같이 기판으로부터 일정 간격 이격된 형태로 공중에 떠 있는 RF MEMS 나선형 코일의 도선)을 구부릴 수 있다는 것을 의미한다.
도 5는 RF MEMS 나선형 코일을 이용하여 구성한 본 발명의 제 2 실시예에 의한 가변 인덕터의 일부를 발췌하여 예시하였다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제 2실시예에 의한 가변 인덕터는 일정한 길이의 도선을 고주파 미세전자기계시스템(MEMS) 기법에 의해 기판으로부터 소정 높이 이격되게 나선형으로 수회 권선하여 상기 도선의 길이와 권선수, 권선간격, 도선과 기판간의 커패시턴스에 비례하는 인덕턴스값을 형성하도록 구성된 RF MEMS 나선형 코일(40)과, 외부에서 인가되는 제어신호에 따라 상기 나선형 코일의 권선간격을 가변시켜서 상기 나선형 코일의 전체 인덕턴스를 권선간격에 비례하는 다수의 값으로 조절하는 인덕턴스 조절수단을 포함하여 구성한다.
상기 인덕턴스 조절수단은, 상기 기판에 대한 나선형 코일의 권선 높이를 가변시켜서 상기 하나의 권선과 그에 이웃하는 다른 권선과의 간격을 조절하는 권선간격 가변수단(50)으로 구현할 수 있다. 이 권선간격 가변수단(50)은 도 5에 예시된 바와 같이 상기 나선형 코일의 각 권선 대응위치의 기판에 설치되는 것이 바람직하며, 상기 기판을 통해 인가되는 전압에 의해 구동되어 상기 나선형 코일의 권선에 일정한 방향으로 작용력을 가할 수 있도록 구성되어야 한다. 상기 권선간격 가변수단에 의해 나선형 코일에 가해지는 작용력은 상기 도선을 구부릴 수 있는 정도의 크기로서 공중에 떠 있는 나선형 코일의 권선을 일정높이만큼 아래로 끌어 내리거나 또는 밀어 올릴 수 있는 크기(또는 필요에 따라 위나 아래가 아닌 다른 방향으로 밀거나 당기도록 설정될 수도 있음)로 설정되어야 하며, 이때 상기 권선간격 가변수단에 의해 조절되는 상기 나선형 코일의 권선가변높이는 상기 권선과 기판간의 이격 거리 이내로 설정되는 것이 바람직하다. 도면에서 권선간의 거리를 나타내는 길이부호 D1은 변화되기 이전의 나선형 코일의 권선간격을 예시하고 있으며, 길이부호 D2는 도선을 끌어당기는 작용력에 의해 높이가 변화된 후의 나선형 코일의 권선간격을 예시하고 있다. 상기 길이부호 D2는 만약 도선을 밀어내는 작용력에 의해 상기 나선형 코일의 높이가 변화된다면 상기 도 5의 도면에서와는 반대의 경우로 예시될 수 있다.
또 상기 인덕턴스 조절수단은 하나 이상의 권선에 각각 대응하는 다수개의 권선간격 가변수단을 포함할 수 있는데, 이 경우 상기 다수개의 권선간격 가변수단은 각각 서로 다른 위치의 권선에 대응되게 위치시켜 상기 나선형 코일의 매 권선에 대한 높이를 각각 조절할 수 있도록 구성되어야 한다. 이때 상기 두 개 이상의 권선간격 가변수단이 서로 이웃하는 권선에 각각 대응되게 설치되는 경우 상기 서로 이웃하는 권선 각각이 그에 대응하는 권선간격 가변수단에 의해 각각 서로 다른 방향으로 작용력을 받도록 구성하게 되면, 상기 하나의 권선간격 가변수단에 의해 조절 가능한 높이의 수배까지 가변범위를 확장 가능하게 되는 것은 당연하다. 특히, 상기 서로 이웃하는 권선 각각이 그에 대응하는 권선간격 가변수단에 의해 서로 반대 방향으로 작용력을 받도록 구성된다면 상기 하나의 권선간격 가변수단에 의해 조절 가능한 높이의 최대 2배까지 권선높이 가변범위를 확장할 수 있게 된다.
이들 권선간격 가변수단(50)은 미세전자기계시스템에 사용되는 매우 작은 형태의 고주파 미세전자기계시스템 스위치 또는 반도체 스위치 중의 어느 하나를 사용하여 구현 가능하다. 특히 상기 권선간격 가변수단은 외부에서 인가되는 제어신호에 따라 스위칭 동작 가능하도록 RF MEMS 기법에 의해 제작된 멤브레인 스위치또는 반도체 제조기법에 의해 제작된 반도체 스위치 중의 어느 하나로로 구성하는 것이 바람직하다. 여기서 외부에서 인가되는 제어신호라 함은 상기 RF MEMS 나선형 코일이 장착되는 기판에 인가되는 전압 등을 예로 들 수 있다.
도 6은 RF MEMS 나선형 코일을 이용하여 구성한 본 발명의 제 3실시예에 의한 가변 인덕터의 등가 회로도로서, 도 5와 같은 본 발명의 제 2실시예의 구성에 권선 길이를 가변시킬 수 있는 하나 이상의 권선길이 가변수단이 부가되어 구성된 형태를 예시하였다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예에 의한 가변 인덕터는 일정한 길이의 도선을 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 기법에 의해 기판으로부터 소정 높이 이격되게 나선형으로 수회 권선하여 상기 도선의 길이와 권선수, 권선간격, 도선과 기판간의 커패시턴스에 비례하는 인덕턴스값을 형성하도록 구성된 RF MEMS 나선형 코일(40)과, 외부에서 인가되는 제어신호에 따라 상기 나선형 코일의 권선간격 및 권선길이를 각각 가변시켜 상기 나선형 코일의 전체 인덕턴스를 권선 간격 및 권선길이에 비례하는 다수의 값으로 조절하는 인덕턴스 조절수단(S1-S4, 50)을 포함하여 구성한다.
상기 인덕턴스 조절수단은 본 발명의 제 1실시예의 구성요소인 권선길이 가변수단(20)을 하나 이상 포함하고, 및 본 발명의 제 2실시예의 구성요소인 권선간격 가변수단(50)을 하나 이상 포함하는 형태로 구성되며, 또한 필요에 따라 선택적으로 출구 선택수단(30)을 하나 이상 더 포함할 수도 있다. 상기 권선길이 가변수단(20)과 출구 선택수단(30)은 도 6에서 스위치 부호 S1 내지 S4로 도시되어 있다.
상기 본 발명의 제 3 실시예에 의한 가변 인덕터에서 상기 권선길이 가변수단이나 권선간격 가변수단이나 출구 선택수단은 본 발명의 제 1 실시예 및 제 2실시예의 구성과 동작이 동일하므로 그 상세한 설명은 생략한다.
이상과 같이 구성되는 본 발명의 각 실시예에 의한 동작 및 그 작용 효과를 도 3a 내지 도 6을 참고하여 설명하면 다음과 같다.
먼저, 본 발명의 제 1실시예에 의한 가변 인덕터는 솔레노이드 형태의 코일을 RF MEMS 기법을 이용하여 제작하였을 때 적용할 수 있는 기술로서, 권선길이 가변수단(20)과 출구 선택수단(30)을 상기 솔레노이드형 코일(10)의 원하는 부분에 각각 하나 또는 다수개를 선택적으로 사용하여 솔레노이드형 코일의 전체 인덕턴스를 가변시킬 수 있게 된다.
상기 권선길이 가변수단(20) 및 출구 선택수단(30)이 솔레노이드형 코일의 매 권선마다 접속되고, 그 각각이 다수의 스위치 부호(S21, S23, S25)(S32, S34, S36, S37)에 의해 예시된 도 3a 및 도 3b를 참고하면, 이러한 본 발명의 제 1실시예에 의한 가변 인덕터는 솔레노이드형 코일의 바닥부분 및 출력단 부분을 절단한 후 다수개의 스위치(S21, S23, S25)(S32, S34, S36, S37)를 연결하고, 그 연결된 다수 스위치 중에서 어느 스위치를 이용하는가에 따라, 그리고 각 스위치의 개방 혹은 단락여부에 따라 하나의 권선수에 의한 인덕턴스 값을 비롯하여 여러 개의 권선수에 의한 인덕턴스값까지 상기 RF MEMS 솔레노이드형 코일의 전체 인덕턴스의 값을 선택하여 사용할 수 있게 된다.
즉, 상기 솔레노이드형 코일의 제 1권선에 연결된 스위치 S21를 개방하고 스위치 S32를 단락시키면 상기 솔레노이드형 코일의 전체 인덕턴스값은 하나의 권선수에 의한 인덕턴스값이 된다. 다시 상기 제 1권선에 연결된 스위치 S21를 단락시키고 스위치 S32는 개방한 상태에서, 제 2권선에 연결된 스위치 S23를 개방하고 스위치 S34를 단락시키면 상기 솔레노이드형 코일의 전체 인덕턴스값은 두 개의 권선수에 의한 인덕턴스값이 된다. 다시 상기 제 1권선 및 제 2권선에 연결된 스위치 S21과 스위치 S23을 각각 단락시키고 스위치 S32와 스위치 S34를 각각 개방한 상태에서, 제 3권선에 연결된 스위치 S25를 개방하고 스위치 S36을 단락시키면 상기 솔레노이드형 코일의 전체 인덕턴스값은 세 개의 권선수에 의한 인덕턴스값이 된다. 다시 상기 제 1권선 내지 제 3권선에 연결된 스위치 S21과 스위치 S23과 스위치 S25를 각각 단락시키고 스위치 S32와 스위치 S34와 스위치 S36을 각각 개방한 상태에서, 제 4권선에 연결된 스위치 S37을 단락시키면 상기 솔레노이드형 코일의 전체 인덕턴스값은 네 개의 권선수에 의한 인덕턴스값이 된다.
상기와 같은 스위치 배열 형태는 도면에는 도시되지 않았지만 물론 필요에 따라 달라질 수 있으며, 스위치의 배열 형태가 달라진다 하더라도 이와 같은(또는 유사한) 방법으로 상기 다수의 스위치를 이용하여 권선수를 조절하면 솔레노이드형 코일의 전체 인덕턴스 값을 조절할 수 있게 된다.
따라서 이러한 가변 인덕터는 단지 스위치를 이용하여 인덕턴스의 값을 조절할 수 있으므로 각 스위치의 연결 방법에 따라 동일한 소자를 이용하여 여러 곳에 사용할 수 있는 것으로 기존의 인덕터에 비하여 다양한 부분에의 응용이 가능하게 된다.
다음으로 본 발명의 제 2 실시예에 의한 가변 인덕터는 소용돌이 형태의 나선형 코일을 기판으로부터 일정거리 이격시켜 공중에 띄운 상태로 RF MEMS 기법을 이용하여 제작하였을 때 적용할 수 있는 기술로서, 상기 나선형 코일(40)의 원하는 부분에 도 5와 같이 하나 또는 다수개의 권선간격 가변수단(50)을 선택적으로 사용하여 하나 또는 다수개의 권선 높이를 가변시킴으로써 권선과 권선간의 거리를 가변시켜 나선형 코일의 전체 인덕턴스를 조절할 수 있게 된다. 이 가변 인덕터는 도 4a 및 도 4b에 도시된 MEMS 스위치의 작동원리와 유사하게, 상기 나선형 코일(40)의 각 권선이 미케니컬 멤브레인의 역할을, 그리고 상기 나선형 코일 아래의 기판에 설치되는 권선간격 가변수단(50)이 전압을 인가할 수 있는 전극의 역할을 담당하게 함으로써, 상기 권선간격 가변수단(50)에 외부에서 전압이 인가되면 그 인가되는 전압에 따라 상기 나선형 코일의 해당 권선을 끌어 당기거나 또는 밀어내기 위한 일정한 방향의 작용력을 생성하여 상기 권선의 높이를 도 5에서와 같이 가변시킬 수 있게 된다. 즉, 상기 권선간격 가변수단(50)에 전압이 인가되기 이전의 나선형 코일의 권선간의 거리가 길이부호 D1이라 할 때, 도선을 끌어당기는 작용력을 발생시키기 위한 전압이 상기 권선 간격 가변수단(50)에 인가되고 나면 그 후에 상기 나선형 코일의 권선간의 거리는 상기 권선간격 가변수단(50)에서 발생된 작용력에 의해 길이부호 D2로 변화된다.
이러한 변화에 의해 상기 RF MEMS 나선형 인덕터는 각 도선마다 그 도선의 가운데 지점이 위치하는 기판에 상기 권선간격 가변수단(50)을 설치하고 상기 권선간격 가변수단에 전압을 지그재그로 가하면 도선과 도선의 거리가 달라지게 되며,이로써 전압을 이용하여 인덕턴스의 변화를 만들어 낼 수가 있게 된다.
이 가변 인덕터는 도 5에 도시된 바와 같이 하나의 권선 높이는 그대로 둔 채 그에 이웃하는 권선의 높이 변화를 이용하여 인덕턴스의 변화량을 얻을 경우, 그 인덕턴스의 변화량은 경우에 따라 적은 양이 될 수 있다. 따라서 상기와 같은 인덕턴스 가변원리를 특히 서로 이웃하는 권선에 두 개 이상 연달아 적용하였을 경우 상기 나선형 코일의 전체 인덕턴스값을 연속적으로 변화시킬 수 있는 광대역 가변 인덕터로서의 역할을 충분히 해낼 수 있게 된다.
예를 들어, 처음 권선 간의 거리 D1의 길이를 가진 인덕터의 인덕턴스가 x [nH]이고, 이 상태에서 권선간의 거리를 D2로 가변시켰을 때 가변되는 인덕턴스의 양이 a라 하면, 하나의 권선을 그대로 둔 채 그에 이웃하는 다른 하나의 권선 높이를 가변하여 얻을 수 있는 최소의 인덕턴스 값은 x-a[nH]가 된다. 다시 권선 간의 거리 D2의 길이를 가진 인덕터에서 높이를 가변시키지 않고 그대로 둔 하나의 권선을 높이조절하여 상기 다른 하나의 권선과 반대방향으로 높이를 가변시켜 권선 간의 거리를 D3(도면에는 미도시됨)으로 가변시키게 되면(이때 권선 간의 거리를 D3로 가변시켰을 때 가변되는 인덕턴스의 양을 b라 함), 처음 권선간의 거리 D1의 길이를 가진 인덕터의 인덕턴스에 대해 가변되는 최대 인덕턴스의 값은 x-a-b가 되므로, 이와 같은 방법으로 이웃하는 권선의 높이를 연달아 변화시키면 가변되는 인덕턴스의 범위가 매우 커지게 되어 실제 매우 유용하게 사용될 수 있을 것이다.
다음으로 본 발명의 제 3실시예에 의한 가변 인덕터의 경우는 이미 설명한 바와 같은 상기 제 1실시예의 가변 인덕터에서 이루어지는 권선길이 조절기술과 제2실시예의 가변 인덕터에서 이루어지는 권선간격 조절기술을 혼합한 형태로서, 각 스위칭 동작에 따른 권선길이 및 권선간격 가변 동작은 다음과 같다.
도 6에서, RF MEMS 나선형 코일의 권선길이가 조절되지 않은 정상적인 상태에서는 스위치 S1와 스위치 S3만 단락되고 나머지 스위치 S2, S4는 개방되어 정상적인 권선 길이는 L1이 되며, 이 상태에서 상기 도 5와 같은 방법으로 한 개 또는 그 이상의 권선에 대한 높이를 조절하여 권선과 권선간의 거리를 D1 또는 D2 도는 D3로 가변시킴으로써, 권선 길이 L1에서의 권선간격 변화에 의한 인덕턴스값을 조절할 수 있게 된다.
다음으로, RF MEMS 나선형 코일의 권선길이가 상기 정상적인 상태보다 짧게 가변될 경우 스위치 S2와 스위치 S3만 단락되고 나머지 스위치 S1, S4는 개방되어 정상적인 권선 길이 L1보다 짧은 L2가 되며(L1>L2), 이 상태에서 상기 도 5와 같은 방법으로 한 개 또는 그 이상의 권선에 대한 높이를 조절하여 권선과 권선간의 거리를 D1 또는 D2 도는 D3로 가변시킴으로써, 권선 길이 L2에서의 권선간격 변화에 의한 인덕턴스값을 조절할 수 있게 된다.
다음으로, RF MEMS 나선형 코일의 권선길이가 상기 L2보다 더 짧게 가변될 경우 스위치 S4만 단락되고 나머지 스위치 S1, S2, S3는 모두 개방되어 상기 L2보다 짧은 L3이 되며(L2>L3), 이 상태에서 상기 도 5와 같은 방법으로 한 개 또는 그 이상의 권선에 대한 높이를 조절하여 권선과 권선간의 거리를 D1 또는 D2 도는 D3로 가변시킴으로써, 권선 길이 L1에서의 권선간격 변화에 의한 인덕턴스값을 조절할 수 있게 된다.
이상의 본 발명은 상기에 기술된 실시예들에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함된다.
따라서 본 발명은 솔레노이드형 코일 또는 나선형 코일의 권선길이와 간격을 변화시켜 인덕터의 리액턴스 량을 가변하는 것으로 전체 인덕턴스를 코일의 권선길이와 간격에 비례하는 다수의 값으로 조절할 수 있도록 함으로써, 각 인덕터들로부터 요구되는 해당 인덕턴스값에 따라 그 인덕턴스값 형성에 기여하는 여러 파라미터값이 미리 결정되어 각각 제작되었다 할지라도 일단 제작된 인덕터들의 리액턴스 량을 시스템 사양에 맞게 튜닝시켜 동일한 인덕터 소자를 여러 시스템에 응용 가능하게 하기 때문에 인덕터들의 효용성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.

Claims (28)

  1. 일정한 길이의 도선을 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 기법에 의해 일정한 내경으로 수회 권선하여 상기 도선의 길이와 내경 및 권선수에 비례하는 인덕턴스값을 형성하도록 구성된 솔레노이드형 코일;
    외부에서 인가되는 제어신호에 따라 상기 솔레노이드형 코일의 권선길이를 가변시켜 상기 솔레노이드형 코일의 전체 인덕턴스를 다수의 값으로 조절하는 인덕턴스 조절수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 인덕턴스 조절수단은,
    상기 솔레노이드형 코일을 하나 이상의 권선으로 분리하거나 결합하여 상기 솔레노이드형 코일의 권선길이를 가변시키는 것을 특징으로 하는 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
  3. 제 1항 또는 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 인덕턴스 조절수단은,
    외부에서 인가되는 제어신호에 따라 스위칭 동작하며, 상기 스위칭 동작에 의해 상기 솔레노이드형 코일의 도선을 새로운 길이와 권선수를 가진 하나 이상의 도선으로 분할하여 상기 솔레노이드형 코일의 전체 권선을 인덕턴스값 형성에 기여하는 유효 권선과 인덕턴스값 형성에 기여하지 않는 무효 권선으로 나누거나 또는다시 결합하는 권선길이 가변수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 인덕턴스 조절수단은,
    상기 권선길이 가변수단에 의해 분할된 도선들 중 상기 유효 권선으로 분할된 도선에 접속되며, 상기 도선 분할에 의해 개방된 솔레노이드형 코일의 아울렛(outlet)을 형성하는 출구 선택수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 인덕턴스 조절수단은,
    하나 이상의 권선길이 가변수단 및 상기 권선길이 가변수단에 대응하는 개수의 출구 선택수단을 포함하며, 상기 하나 이상의 권선길이 가변수단을 각각 서로 다른 위치에 접속하여 상기 솔레노이드형 코일의 유효 권선수가 조절되도록 구성한 것을 특징으로 하는 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 인덕턴스 조절수단은,
    상기 솔레노이드형 코일의 권선 진행방향을 따라 일직선으로 도선을 절단하여 다수개의 절단된 권선코일을 형성하고, 상기 절단된 매 권선코일이 상기 하나 이상의 권선길이 가변수단에 의해 선택적으로 개방 또는 단락되도록 구성한 것을특징으로 하는 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
  7. 제 3항에 있어서, 상기 권선길이 가변수단은,
    고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 기법에 의해 제작되는 멤브레인 스위치 또는 반도체 제조기법에 의해 제작된 반도체 스위치 중의 어느 하나로 구성되며, 외부에서 인가되는 전압에 의해 멤브레인 스위치 또는 반도체 스위치를 구동시켜 상기 도선 양단을 개방 또는 단락시키는 것을 특징으로 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
  8. 제 4항에 있어서, 상기 출구 선택수단은,
    고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 기법에 의해 제작되는 멤브레인 스위치 반도체 제조기법에 의해 제작된 반도체 스위치 중의 어느 하나로 구성되며, 외부에서 인가되는 전압에 의해 멤브레인 스위치 또는 반도체 스위치를 구동시켜 상기 도선 양단을 개방 또는 단락시키는 것을 특징으로 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
  9. 일정한 길이의 도선을 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 기법에 의해 기판으로부터 소정 높이 이격되게 나선형으로 수회 권선하여 상기 도선의 길이와 권선수, 권선간격, 도선과 기판간의 커패시턴스에 비례하는 인덕턴스값을 형성하도록 구성된 나선형 코일;
    외부에서 인가되는 제어신호에 따라 상기 나선형 코일의 권선간격을 가변시켜 상기 나선형 코일의 전체 인덕턴스를 다수의 값으로 조절하는 인덕턴스 조절수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 인덕턴스 조절수단은,
    상기 기판에 대한 나선형 코일의 권선 높이를 가변시켜서 상기 하나의 권선과 그에 이웃하는 다른 권선과의 간격을 조절하는 것을 특징으로 하는 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
  11. 제 9항 또는 제 10항에 있어서, 상기 인덕턴스 조절수단은,
    상기 권선 대응위치의 기판에 설치되며,
    상기 기판을 통해 인가되는 전압에 의해 상기 나선형 코일의 권선에 일정한 방향으로 작용력을 가하여 상기 나선형 코일의 권선간격을 가변시키는 권선간격 가변수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 권선간격 가변수단에 의해 조절되는 상기 나선형 코일의 권선가변높이는 상기 권선과 기판간의 이격 거리 이내인 것을 특징으로 하는 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
  13. 제 11항에 있어서, 상기 인덕턴스 조절수단은,
    하나 이상의 권선에 각각 대응하는 하나 이상의 권선간격 가변수단을 포함하며,
    상기 하나 이상의 권선간격 가변수단을 각각 서로 다른 위치에 접속하여 상기 나선형 코일의 권선높이가 각각 조절되도록 구성한 것을 특징으로 하는 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 인덕턴스 조절수단은,
    서로 이웃하는 권선에 각각 대응하는 다수의 권선간격 가변수단을 포함하며,
    상기 서로 이웃하는 권선 각각이 그에 대응하는 권선간격 가변수단에 의해 각각 서로 다른 방향으로 작용력을 받도록 구성하여, 상기 하나의 권선간격 가변수단에 의해 조절 가능한 높이의 수배까지 가변범위를 확장한 것을 특징으로 하는 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 인덕턴스 조절수단은,
    상기 서로 이웃하는 권선 각각이 그에 대응하는 권선간격 가변수단에 의해 서로 반대 방향으로 작용력을 받도록 구성하여, 상기 하나의 권선간격 가변수단에 의해 조절 가능한 높이의 2배까지 권선높이 가변범위를 확장한 것을 특징으로 하는고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
  16. 제 11항에 있어서, 상기 권선간격 가변수단은,
    고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 기법에 의해 제작되는 멤브레인 스위치 반도체 제조기법에 의해 제작된 반도체 스위치 중의 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
  17. 일정한 길이의 도선을 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 기법에 의해 기판으로부터 소정 높이 이격되게 나선형으로 수회 권선하여 상기 도선의 길이와 권선수, 권선간격, 도선과 기판간의 커패시턴스에 비례하는 인덕턴스값을 형성하도록 구성된 나선형 코일;
    외부에서 인가되는 제어신호에 따라 상기 나선형 코일의 권선간격 및 권선길이를 각각 가변시켜 상기 나선형 코일의 전체 인덕턴스를 다수의 값으로 조절하는 인덕턴스 조절수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
  18. 제 17항에 있어서, 상기 인덕턴스 조절수단은,
    상기 권선 대응위치의 기판에 설치되며 상기 기판을 통해 인가되는 전압에 의해 상기 나선형 코일의 권선에 일정한 방향으로 작용력을 가하여 상기 나선형 코일의 권선간격을 가변시키는 권선간격 가변수단과;
    외부에서 인가되는 제어신호에 따라 스위칭 동작하며, 상기 스위칭 동작에 의해 상기 나선형 코일의 도선을 새로운 길이와 권선수를 가진 하나 이상의 도선으로 분할하여 상기 나선형 코일의 전체 권선을 인덕턴스값 형성에 기여하는 유효 권선과 인덕턴스값 형성에 기여하지 않는 무효 권선으로 나누거나 또는 다시 결합하는 권선길이 가변수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 권선간격 가변수단에 의해 조절되는 상기 나선형 코일의 권선가변높이는 상기 권선과 기판간의 이격 거리 이내인 것을 특징으로 하는 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
  20. 제 18항에 있어서, 상기 인덕턴스 조절수단은,
    하나 이상의 권선에 각각 대응하는 하나 이상의 권선간격 가변수단을 포함하며,
    상기 하나 이상의 권선간격 가변수단을 각각 서로 다른 위치에 접속하여 상기 나선형 코일의 권선높이가 각각 조절되도록 구성한 것을 특징으로 하는 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
  21. 제 20항에 있어서, 상기 인덕턴스 조절수단은,
    서로 이웃하는 권선에 각각 대응하는 다수의 권선간격 가변수단을 포함하며,
    상기 서로 이웃하는 권선 각각이 그에 대응하는 권선간격 가변수단에 의해 각각 서로 다른 방향으로 작용력을 받도록 구성하여, 상기 하나의 권선간격 가변수단에 의해 조절 가능한 높이의 수배까지 가변범위를 확장한 것을 특징으로 하는 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
  22. 제 21항에 있어서, 상기 인덕턴스 조절수단은,
    상기 서로 이웃하는 권선 각각이 그에 대응하는 권선간격 가변수단에 의해 서로 반대 방향으로 작용력을 받도록 구성하여, 상기 하나의 권선간격 가변수단에 의해 조절 가능한 높이의 2배까지 권선높이 가변범위를 확장한 것을 특징으로 하는 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
  23. 제 18항에 있어서, 상기 권선간격 가변수단은,
    고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 기법에 의해 제작되는 멤브레인 스위치 반도체 제조기법에 의해 제작된 반도체 스위치 중의 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
  24. 제 18항에 있어서, 상기 권선길이 가변수단은,
    고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 기법에 의해 제작되는 멤브레인 스위치 반도체 제조기법에 의해 제작된 반도체 스위치 중의 어느 하나로 구성되며, 외부에서 인가되는 전압에 의해 멤브레인 스위치 또는 반도체 스위치를 구동시켜 상기 도선 양단을 개방 또는 단락시키는 것을 특징으로 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
  25. 제 18항에 있어서, 상기 인덕턴스 조절수단은,
    상기 권선길이 가변수단에 의해 분할된 도선들 중 상기 유효 권선으로 분할된 도선에 접속되며, 상기 도선 분할에 의해 개방된 나선형 코일의 아울렛(outlet)을 형성하는 출구 선택수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
  26. 제 25항에 있어서, 상기 인덕턴스 조절수단은,
    하나 이상의 권선길이 가변수단 및 상기 권선길이 가변수단에 대응하는 개수의 출구 선택수단을 포함하며, 상기 하나 이상의 권선길이 가변수단을 각각 서로 다른 위치에 접속하여 상기 나선형 코일의 유효 권선수가 조절되도록 구성한 것을 특징으로 하는 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
  27. 제 26항에 있어서, 상기 인덕턴스 조절수단은,
    상기 나선형 코일의 권선 진행방향을 따라 일직선으로 도선을 절단하여 다수개의 절단된 권선코일을 형성하고, 상기 절단된 매 권선코일이 상기 하나 이상의 권선길이 가변수단에 의해 선택적으로 개방 또는 단락되도록 구성한 것을 특징으로하는 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
  28. 제 25항에 있어서, 상기 출구 선택수단은,
    고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 기법에 의해 제작되는 멤브레인 스위치 반도체 제조기법에 의해 제작된 반도체 스위치 중의 어느 하나로 구성되며, 외부에서 인가되는 전압에 의해 멤브레인 스위치 또는 반도체 스위치를 구동시켜 상기 도선 양단을 개방 또는 단락시키는 것을 특징으로 고주파 미세전자기계시스템(RF MEMS) 스위치를 이용한 가변 인덕터.
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