KR20020083243A

KR20020083243A - Semiconductor laser diode

Info

Publication number: KR20020083243A
Application number: KR1020010022632A
Authority: KR
Inventors: 장영학; 임원택
Original assignee: 엘지전자 주식회사
Priority date: 2001-04-26
Filing date: 2001-04-26
Publication date: 2002-11-02
Also published as: KR100386593B1

Abstract

PURPOSE: A semiconductor laser diode is provided, which can reduce surface defects of a cleaved facet. CONSTITUTION: According to the laser diode having an N-type clad layer, a P-type clad layer, an active layer formed between these clad layers and each mirror on a cleaved facet of a front and a back of the layers, a GaN layer is formed on the cleaved facets of both sides respectively. A SiN layer is formed on the above GaN layer, and an anti reflection mirror is formed on the SiN layer on the front cleaved facet. And a high reflection mirror is formed on the SiN layer of the back cleaved facet. The anti reflection mirror is formed with a TiO2, and a thickness of the SiN layer is 1nm-10nm.

Description

Semiconductor Laser Diodes

본 발명은 다이오드에 관한 것으로, 특히 반도체 레이저 다이오드에 관한 것이다.The present invention relates to a diode, and more particularly to a semiconductor laser diode.

알려진 바와 같이 CD-RW 및 DVD-RAM 등의 대용량 고속 저장장치의 픽-업용으로 사용되는 고출력 레이저 다이오드(780nm 레이저 다이오드 및 650nm 레이저 다이오드)는 데이터 저장 속도의 고속화에 따라 고출력화가 진행중에 있다.As is known, high-power laser diodes (780 nm laser diode and 650 nm laser diode) used for pick-up of high-capacity high-speed storage devices such as CD-RW and DVD-RAM are undergoing high output as the data storage speed is increased.

그러나, 이러한 레이저 다이오드의 고출력화에 따라 고출력 레이저 다이오드의 카타스트로 광 밀도(Catastrophic Optical Density;이하 COD라 약칭함) 레벨이 감소하고, 그로 인한 소자의 신뢰성 저하가 심각한 문제로 대두되었다.However, with the high output of such laser diodes, the catastrophic optical density (hereinafter referred to as COD) level of the high power laser diodes has decreased, resulting in a serious problem of device reliability.

특히, 레이저 다이오드의 가장 취약한 부분이 전면 및 후면 미러를 제작하기 위해 인위적으로 쪼개진 벽개면(cleaved facet)이다.In particular, the weakest part of the laser diode is the artificially cleaved facet for fabricating the front and rear mirrors.

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 레이저 다이오드의 사시도이다.1 is a perspective view of a semiconductor laser diode according to the prior art.

도 2는 종래 기술에 따른 반도체 레이저 다이오드의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a semiconductor laser diode according to the prior art.

도 1 내지 도 2에 도시된 바와 같이, GaAs 물질로 형성된 클래드 층과, 이 클래드층 사이에 형성된 활성층을 포함하는 레이저 다이오드가 인위적으로 쪼개지는 것과 동시에, 이 웨이퍼 벽개면의 격자 구조가 결합되어있지 않은 화학 결합의 상태(danglingbond)가 되며, 동시에 산소에 노출되어 GaO, Ga₂O₃, AsO, As₂O₃등의 불안전한 산화막이 상기 벽개면에 형성된다.As shown in Figs. 1 and 2, a cladding layer formed of a GaAs material and a laser diode comprising an active layer formed between the cladding layers are artificially split, and the lattice structure of the wafer cleavage surface is not coupled. It becomes a state of chemical bonding, and is exposed to oxygen at the same time to form an unstable oxide film such as GaO, Ga ₂ O ₃ , AsO, As ₂ O ₃ , on the cleaved surface.

따라서, 이 벽개면 위에 고반사율(High Reflection) 미러와, 저반사율(Anti Reflection) 미러를 형성하게 되면, 레이저의 광출력은 저반사율 미러로만 출력하게 된다.Therefore, when the high reflection mirror and the anti reflection mirror are formed on the cleaved surface, the light output of the laser is output only to the low reflection mirror.

이러한 일반적인 벽개면 처리는 레이저의 초기 특성에는 크게 문제가 발생하지 않으나, 신뢰성 검증을 위한 온도 가속화 실험 등을 거치게 되면, 소자 특성의 심각한 저하를 가져오게 된다.This general cleavage treatment does not cause much problem in the initial characteristics of the laser, but if the temperature acceleration experiment for reliability verification, etc., the device characteristics will be seriously degraded.

따라서, 이러한 불안정한 벽개면을 개선하기 위해, 벽개면에 황{(NH₃)₂S_x}을 처리하여 천연 산화물 층(Native Oxide layer)을 제거하는 등의 표면 처리 방식과, 비흡수 미러(Non Absorbing Mirror)와 같은 레이저의 출사광이 흡수되지 않는 에너지 간극이 충분히 큰 물질을 제작하는 등의 방식이 있어 왔다.Therefore, in order to improve such unstable cleavage, the surface treatment method such as removing the native oxide layer by treating sulfur {(NH ₃ ) ₂ S _x } on the cleavage surface, and a non-absorbing mirror There has been a method of producing a material having a sufficiently large energy gap in which the emitted light of a laser such as) is not absorbed.

그러나, 황{(NH₃)₂S_x} 처리의 문제점은 표면 처리 이후 굉장히 신속한 저반사율 코팅을 해야 하며, 그렇지 못한 경우 벽개면의 특성이 다시 저하되는 공정상의 문제점이 있으며, 비흡수(Non-absorptive) 미러 역시 레이저 1차 성장에 굉장히 큰 부담을 주게 되고 또한 그 공정의 난해함으로 인하여 형성하기 곤란한 점이 있다.However, the problem of sulfur {(NH ₃ ) ₂ S _x } treatment has to be very fast low reflectivity coating after the surface treatment, otherwise there is a problem in the process that the characteristics of the cleaved surface is deteriorated again, Non-absorptive The mirror also imposes a huge burden on the laser primary growth and is difficult to form due to the difficulty of the process.

이와 같은 문제점들은 궁극적으로 표면의 결함을 발생시키고, 레이저 다이오드의 신뢰성을 떨어뜨리며, 고온의 광출력을 확보할 수 없게 한다.These problems ultimately lead to surface defects, deterioration of the laser diode's reliability, and the inability to ensure high temperature light output.

따라서, 본 발명의 목적은 이상에서 언급한 종래 기술의 문제점을 감안하여 안출한 것으로서, 벽개면의 표면 결함을 줄이기 위한 반도체 레이저 다이오드를 제공하기 위한 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor laser diode for reducing the surface defects of the cleaved surface in view of the problems of the prior art mentioned above.

본 발명의 다른 목적은 고온의 광출력을 효과적으로 발생하는 반도체 레이저 다이오드를 제공하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor laser diode that effectively generates a high temperature light output.

이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구조 특징에 따르면, N형 클래드층과, P형 클래드층과, 이 클래드 층들 사이에 형성되는 활성층과, 상기 층들의 전면과 후면의 벽개면에 각각 미러를 갖는 레이저 다이오드에 있어서, 상기 양 면의 벽개면들에 각각 형성되는 GaN 층, 상기 GaN 층 위에 각각 형성되는 SiN 층, 상기 전면 벽개면의 SiN 층 위에 형성되는 저반사율 미러, 상기 후면 벽개면의 SiN 층 위에 형성되는 고반사율 미러를 포함하여 구성된다.According to the structural features of the present invention for achieving the above object, an N-type cladding layer, a P-type cladding layer, an active layer formed between the cladding layers, and a mirror on the cleavage surfaces of the front and rear surfaces of the layers, respectively. A laser diode having: a GaN layer formed on the cleaved surfaces of both sides, a SiN layer formed on the GaN layer, a low reflectivity mirror formed on the SiN layer of the front cleaved surface, and a SiN layer formed on the rear cleaved surface And a high reflectivity mirror.

바람직하게, 상기 저반사율 미러는 TiO₂물질로 이루어지고, 상기 SiN 층의 두께는 1nm ~ 10nm인 것을 특징으로 한다.Preferably, the low reflectivity mirror is made of a TiO ₂ material, the thickness of the SiN layer is characterized in that 1nm ~ 10nm.

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 레이저 다이오드의 사시도.1 is a perspective view of a semiconductor laser diode according to the prior art.

도 2는 종래 기술에 따른 반도체 레이저 다이오드의 단면도.2 is a cross-sectional view of a semiconductor laser diode according to the prior art.

도 3은 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 단면도.3 is a cross-sectional view of a semiconductor laser diode according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 광전 특성을 나타낸 그래프.4 is a graph showing the photoelectric characteristics of a semiconductor laser diode according to the present invention.

도 5a는 종래 기술에 따른 반도체 레이저 다이오드의 신뢰성 확인을 위해 온도 가속화 실험 결과를 나타낸 그래프.Figure 5a is a graph showing the results of the temperature acceleration experiment to confirm the reliability of the semiconductor laser diode according to the prior art.

도 5b는 본 발명에 따라 반도체 레이저 다이오드의 신뢰성 확인을 위해 온도 가속화 실험 결과를 나타낸 그래프.Figure 5b is a graph showing the results of the temperature acceleration experiment to confirm the reliability of the semiconductor laser diode according to the present invention.

이하 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 구성 및 작용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, a configuration and an operation according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a semiconductor laser diode according to the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 먼저 GaAs 물질로 형성된 클래드 층과, 이 클래드 층 사이에 형성된 활성층을 포함하는 레이저 다이오드의 웨이퍼가 쪼개진 후 바로 PECVD 장치를 이용하여 N₂플라즈마를 발생시킨다.As shown in FIG. 3, an N ₂ plasma is generated using a PECVD apparatus immediately after the wafer of a laser diode including a cladding layer formed of GaAs material and an active layer formed between the cladding layers is split.

이 N₂플라즈마는 상기 레이저 다이오드의 양 측면의 벽개면 위에 형성된 천연 산화물 층(Native oxide layer)을 제거한다.This N ₂ plasma removes the native oxide layer formed on the cleaved surfaces on both sides of the laser diode.

이와 동시에, 상기 양 측면의 벽개면 위에 분자막(monolayer)의 GaN 층을 형성시킨다.At the same time, a GaN layer of a monolayer is formed on the cleaved surfaces of both sides.

이후에, 상기 양 측면의 GaN 분자막 층 위에 RF 스퍼터링(sputtering) 박막 증착 장치에 의해 1nm~10nm 범위를 갖는 얇은 SiN 박막을 증착하여 외부 산소 공급원으로부터 벽개면을 완전히 보호한다.Subsequently, a thin SiN thin film having a range of 1 nm to 10 nm is deposited on the GaN molecular film layers on both sides by a RF sputtering thin film deposition apparatus to completely protect the cleaved surface from an external oxygen source.

또한, 웨이퍼의 기판으로 사용된 GaAs의 굴절률 3.4의 유효 굴절률인 1.85 이상의 굴절률을 갖는 TiO₂박막을 저반사율 미러로 사용함으로써, 흔히 사용되고 있는 낮은 굴절률의 SiO₂, Al₂O₃, SiN_x보다 3배 이상의 COD 레벨을 확보할 수 있도록 한다.In addition, by using a TiO ₂ thin film having a refractive index of 1.85 or more, which is an effective refractive index of 3.4 of GaAs used as the substrate of the wafer, as a low reflectivity mirror, it is 3 than that of SiO ₂ , Al ₂ O ₃ , and SiN _x , which are commonly used. Ensure that COD levels are more than doubled.

도 4는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 광전 특성을 나타낸 그래프이다.4 is a graph showing the photoelectric characteristics of a semiconductor laser diode according to the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 종래 기술에서 아무런 코팅을 하지 않은 베어의 경우, 광출력 150mW 부근에서 COD가 발생하였고, SiO₂를 코팅한 경우, 대략 200mW 부근에서 COD가 발생하였다.As shown in FIG. 4, in the case of the bare barely coated in the prior art, COD was generated at a light output of about 150 mW, and when SiO ₂ was coated, COD was generated at about 200 mW.

그러나, 본 발명에 따라 SiN 박막과, TiO₂박막을 코팅한 경우, 300mW 부근까지 COD가 발생하지 않음을 확인하였다.However, when the SiN thin film and the TiO ₂ thin film were coated according to the present invention, it was confirmed that no COD was generated until around 300 mW.

여기서, 저반사율 미러의 굴절률이 상기 GaAs 기판 굴절률(3.4)의 유효 굴절률 즉, 양의 제곱근(= 1.85)) 이상이 되는 TiO₂박막을 사용한다.Here, the refractive index of the low reflectivity mirror is the effective refractive index of the GaAs substrate refractive index 3.4, that is, the positive square root ( = 1.85)) or more, and a TiO ₂ thin film is used.

따라서, 본 발명은 레이저 다이오드의 전면 미러를 최저 3.5%까지 원하는 굴절률을 갖는 저반사율 미러를 제작할 수 있다.Therefore, the present invention can produce a low reflectivity mirror having a desired refractive index of the front mirror of the laser diode up to 3.5%.

또한, 질화물 계열의 SiN은 외부의 산소 공급원을 매우 효과적으로 차단할 수 있으며, 근원적으로 산화막과의 접촉이 없는 구조를 확보할 수 있다.In addition, the nitride-based SiN can effectively block the external oxygen source, it is possible to secure a structure free from contact with the oxide film.

또한, 얇은 SiN 박막은 소자 전체의 저반사율 특성에는 영향을 끼치지 않음을 실험적으로 확인하였다. 이 실험 결과를 도 5a와 도 5b에 도시하였다.In addition, it was confirmed experimentally that the thin SiN thin film does not affect the low reflectivity characteristics of the entire device. The results of this experiment are shown in FIGS. 5A and 5B.

도 5a는 종래 기술에 따른 반도체 레이저 다이오드의 신뢰성 확인을 위해 온도 가속화 실험 결과를 나타낸 그래프이다.Figure 5a is a graph showing the results of the temperature acceleration experiment to confirm the reliability of the semiconductor laser diode according to the prior art.

도 5a에서의 온도 가속화 실험은 50C에서 85mW 광출력이 나오도록 고정한 자동 전력 제어 모드로 수행되었으며, 종래의 SiO₂박막이 저반사율 미러에 이용됨으로써 레이저 다이오드가 10시간이 못 되어 페일(fail) 되었음을 확인할 수 있다.The temperature acceleration experiment in FIG. 5A was performed in an automatic power control mode in which 85mW light output was fixed at 50C. A conventional SiO ₂ thin film was used for a low reflectivity mirror so that the laser diode failed in less than 10 hours. You can check it.

도 5b는 본 발명에 따라 반도체 레이저 다이오드의 신뢰성 확인을 위해 온도 가속화 실험 결과를 나타낸 그래프이다.Figure 5b is a graph showing the results of the temperature acceleration experiment to confirm the reliability of the semiconductor laser diode according to the present invention.

도 5b에 따른 그래프를 생성하기 위해, 도 5a에서 이용된 소자와 동일한 소자를 이용하였으며, 본 발명에 따라 N₂플라즈마 보호막(passivation)을 발생시키고, GaN 박막과, SiN 박막을 형성하고, TiO₂박막을 이용하여 미러 코팅을 수행하였다.In order to generate the graph according to FIG. 5B, the same device as that used in FIG. 5A was used, an N ₂ plasma passivation was generated, a GaN thin film and a SiN thin film were formed according to the present invention, and TiO _2. Mirror coating was performed using a thin film.

또한, 온도 60C에서 85mW 자동 전력 제어 모드로 실험한 결과로써, 레이저 다이오드는 2000hrs 이상 구동되고 있음을 확인할 수가 있다.In addition, as a result of experimenting in 85mW automatic power control mode at a temperature of 60C, it can be seen that the laser diode is driven more than 2000hrs.

따라서, 이러한 결과는 상온에서 수명이 수십만 시간 이상임을 확인할 수 있다.Therefore, these results can confirm that the lifetime is at least hundreds of thousands of hours at room temperature.

이상의 설명에서와 같이 본 발명은 GaN 층을 도입함으로써 신뢰성 높은 소자의 특성을 보여준다.As described above, the present invention shows the characteristics of a highly reliable device by introducing a GaN layer.

또한, SiN 박막은 외부의 산소 공급원을 효과적으로 차단하여 신뢰성을 높여주며, 동시에 고 굴절률의 TiO₂반사막은 COD 레벨을 일반적인 반사막에 비하여 증가시켜서, 고출력 동작을 가능하게 하는 효과가 있다.In addition, the SiN thin film effectively blocks external oxygen sources to increase reliability, and at the same time, the TiO ₂ reflective film having a high refractive index increases the COD level as compared with a general reflective film, thereby enabling high output operation.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정하는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해서 정해져야 한다.Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the examples, but should be defined by the claims.

Claims

In a laser diode having an N-type cladding layer, a P-type cladding layer, an active layer formed between the cladding layers, and mirrors on cleaved surfaces of the front and rear surfaces of the layers, respectively,

GaN layers respectively formed on cleaved surfaces of both sides;

A SiN layer formed on each of the GaN layers;

A low reflectivity mirror formed on the SiN layer of the front cleaved surface;

And a high reflectivity mirror formed on the SiN layer of the rear cleaved surface.

The semiconductor laser diode of claim 1, wherein the low reflectivity mirror is made of a TiO ₂ material.

The semiconductor laser diode of claim 1, wherein the SiN layer has a thickness of about 1 nm to about 10 nm.