KR20020067317A - Chemical vapor deposition apparatus - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A chemical vapor deposition apparatus is provided to stably supply gas of a raw material by increasing repeatability and uniformity of a thin film, and to obtain a uniform deposition rate. CONSTITUTION: A thin film process is performed on a substrate in a reaction chamber(30). A raw material supplying apparatus(40) contains the raw material(45) and vaporizes a solid raw material by transport gas to generate raw material vapor. A metal ball(46) prevents the raw material from being coagulated, mixed in the raw material. A supporting wall(43) is separated from a predetermined height of the bottom surface of the inside of a container(41) to support the raw material. A buffer unit(44) supplies transport gas of a predetermined pressure to the raw material, divided by the supporting wall. A heating unit transports the transport gas to the buffer unit, connected to a side of the raw material supplying apparatus. The heating unit makes the raw material heated up to have the same temperature as the raw material of the raw material supplying apparatus. A supply unit supplies the vapor of a solid raw material evaporated by the transport gas to the reaction chamber, installed between the raw material supplying apparatus and the reaction chamber. A magnetic field formation unit(70) makes the metal ball rotate on its axis and revolve around other metal balls, installed near the lower portion of the raw material supplying apparatus.

Description

화학 기상 증착 장치{Chemical vapor deposition apparatus}Chemical vapor deposition apparatus

본 발명은 화학기상증착 장치의 원료공급장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고체원료물질을 기화시켜 반응챔버에 안정적으로 공급할 수 있는 화학기상증착장치의 원료공급장치에 관한 것이다.The present invention relates to a raw material supply device for a chemical vapor deposition apparatus, and more particularly to a raw material supply device for a chemical vapor deposition device capable of stably supplying a solid raw material to the reaction chamber.

박막의 제조공정은 반도체소자의 제조뿐만 아니라 마이크로 일렉트로닉스(microelectronics), 옵토일렉트로닉스(optoelectronics), 보호막 코팅, 장식용코팅, 광학용 코팅 등 그 응용 범위가 대단히 광범위하다. 이러한 광범위한 박막재료들은 반도체 소자의 절연, 게이트(gate)산화막, 보호막, 전기적 신호 전달을 위한 금속 배선등으로 상용화되어 있고 그 자체로서 각종 센서 및 전기적, 광학적, 기계적 특성을 가짐으로써 신기능 반도체 소자제조가 가능하다. 최근에는 반도체 분야의 DRAM(Dynamic Random Access Memory)이 고집적화 됨에 따라 보다 작은 면적에서 더 높은 집적도를 가지는 소자를 만들기 위해 매우 미세한 선폭과 두께를 가진 박막의 사용은 당연한 결과라 할 수 있다.The thin film manufacturing process has a wide range of applications such as microelectronics, optoelectronics, protective coatings, decorative coatings, and optical coatings as well as semiconductor device manufacturing. Such a wide range of thin film materials are commercialized as insulation of semiconductor devices, gate oxide films, protective films, and metal wirings for electrical signal transmission, and as such have various sensors and electrical, optical, and mechanical properties. It is possible. In recent years, as DRAM (Dynamic Random Access Memory) has been highly integrated, the use of a thin film having a very fine line width and thickness to make a device having a higher density in a smaller area is a natural result.

일반적으로, 박막의 제조 방법에는 폴리머(polymer) 및 졸-젤(sol-gel)을 이용한 스핀 온 코팅(spin on coating), 스퍼터링(sputtering)이나 증발을 이용하는 물리적 증착(PVD), 화학적 반응을 이용하는 화학 기상증착(CVD), 이온 빔(ion beam)을 이용하는 증착법과 액체 증기를 직접 증착하는 방법등 매우 다양한 방법이사용되고 있다. 반도체 분야에서 가장 많이 이용되고 있는 방법은 스핀 온 코팅, 물리적 증착법과 화학 기상증착법이다. 특히 화학 기상 증착법에 의해 박막을 증착하는 기술은 집적도의 증가와 더불어 그 수요가 점점 늘어나고 있다.In general, a method of manufacturing a thin film includes spin on coating using a polymer and a sol-gel, physical vapor deposition (PVD) using sputtering or evaporation, and a chemical reaction. A wide variety of methods are used, such as chemical vapor deposition (CVD), deposition using ion beams, and direct deposition of liquid vapor. The most used methods in the semiconductor field are spin on coating, physical vapor deposition and chemical vapor deposition. In particular, a technique for depositing thin films by chemical vapor deposition has been increasing in demand with increasing density.

화학기상증착기술은 가장 보편화된 기술로 여러 가지의 기체를 반응챔버에 주입한 후 기체들에 열, 빛, 플라즈마(plasma)등의 에너지를 이용하여 기체들의 반응을 유도하여 기판에 증착시키는 기술이다. 화학 기상 증착법에서의 화학 반응속도는 반응에너지를 공급하는 열, 빛, 플라즈마 등에 의해 제어되거나 기체의 양과 비율 등을 통해 제어되게 된다. 그러나 이러한 화학 반응은 일반적으로 매우 빠르게 일어나 원자들의 열역학적 안정성을 이루면서 증착 되도록 제어하기는 매우 어렵다. 화학 기상 증착법에 의해 증착된 박막은 물리적, 전기적, 화학적 성질 등이 물리적 증착에 의한 박막에 비해 떨어지는 단점이 있지만, 미세한 요철에서의 박막균일성을 확보하는데 유리한 방법이다.Chemical vapor deposition technology is the most common technology that injects various gases into the reaction chamber and induces the reaction of gases using energy such as heat, light and plasma to the gases and deposits them on the substrate. . In the chemical vapor deposition method, the chemical reaction rate is controlled by heat, light, plasma, or the like that supplies reaction energy, or by the amount and ratio of gas. However, these chemical reactions generally occur very quickly and are difficult to control to deposit while achieving the thermodynamic stability of the atoms. The thin film deposited by the chemical vapor deposition method has a disadvantage in that physical, electrical, chemical properties, etc. are inferior to the thin film by physical vapor deposition, but is an advantageous method for securing thin film uniformity in minute unevenness.

상기 화학기상증착기술은 박막을 형성하는데 사용되는 기체를 생성하는 원료물질의 상태에 따라 반응챔버내로 유입되는 기체의 양을 일정하도록 조절하기 위한 원료공급장치가 필요하다.The chemical vapor deposition technique requires a raw material supply device for controlling the amount of gas introduced into the reaction chamber to be constant according to the state of the raw material generating the gas used to form the thin film.

상기 원료물질을 고체로 사용하는 경우에, 원료증기는 가열된 원료로부터 증기를 반응챔버로 직접 공급하여 증착하거나, 또는 불활성(비활성)기체 같은 운반기체를 고체원료가 담겨있는 컨테이너속의 고체에 주입하여 운반기체가 고체원료로부터 기화된 원료기체를 통과해 나올 때 기체방울(bubble)내 포함된 원료기체를 증기화해 내게 되다.When the raw material is used as a solid, the raw material vapor is deposited by directly supplying steam from the heated raw material to the reaction chamber, or by injecting a carrier gas such as an inert (inactive) gas into a solid in a container containing the solid raw material. When the carrier gas passes through the vaporized raw material gas from the solid raw material, it vaporizes the raw material gas contained in the bubble.

도1은 종래의 박막 증착장치에 적용되는 고체원료물질 공급장치의 일례를 도시한 개략적 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram showing an example of a solid raw material supply device applied to a conventional thin film deposition apparatus.

도1을 참조하면, 불활성(또는 비활성)기체등의 운반기체를 고체원료가 담겨있는 컨테이너(10)속의 고체원료(20)에 주입하여 운반기체가 고체원료를 통과해 나올 때 기체방울(bubble)내에 포함된 원료기체를 증기화해 내게 된다. 이렇게 고체원료가 증기화되면 원료기체 운송관을 통해 운반기체와 같이 반응 챔버에 도달되어 기판에서 반응을 일으키게 된다. 이와 같이 고체의 원료물질은 기체방울화되어 운반기체와 같이 운반되어 챔버에 도달하는 방법으로 매우 쉽게 고체원료물질을 공급할 수 있어 많이 쓰이는 방법이다. 이러한 기체방울을 이용하는 방법은 높은 증기압을 가지는 고체원료를 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition)장치에 공급하는데 매우 유리한 방법이다.Referring to FIG. 1, a carrier gas such as an inert (or inert) gas is injected into a solid raw material 20 in a container 10 containing a solid raw material, and when the carrier gas passes through the solid raw material, bubbles are generated. The gas contained in the vapor is vaporized. When the solid raw material vaporizes in this way, it reaches a reaction chamber like a carrier gas through a raw gas transport pipe to cause a reaction on the substrate. In this way, the raw material of the solid is a method widely used because it is possible to supply the solid raw material very easily by a method of reaching the chamber by being bubbled and transported together with the carrier gas. This method using the gas bubble is a very advantageous method for supplying a solid vapor material having a high vapor pressure to the chemical vapor deposition (Chemical Vapor Deposition) device.

하지만. 반도체 기술이 발달하면서 화학기상증착장치는 구리, 금 , 금속산화물, 그리고, 강유전체 재료와 초전도물질들과 같은 물질의 증착을 위해서 필요하다. 이러한 Cu, Au,금속산화물, 강유전체 물질과 같은 물질의 화학증착을 위해 사용 가능한 고체원료는 낮은 증기압력을 가지고 있다. 따라서, 이러한 낮은 증기압력을 가지는 고체원료물질로부터 기화되는 기체의 양은 충분하지 못하므로 안정적으로 원료기체의 양을 얻기가 매우 어렵게 되어, 반응챔버에 공급될 수 있는 원료기체의 양을 제한하여 단일 기판내에서나 복수 기판 내의 기판과 기판의 박막 불균일도 문제를 일으킨다. 이러한 불균일도는 반응지역에서의 원료물질의 증기가 부족하기 때문에 발생하게 된다. 더불어, 낮은 증기압을 가지는 고체원료물질을 이용하는 박막은 원료물질의 매우 낮은 생산성과 재현성을 떨어뜨리는 원인이 된다.However. As semiconductor technology advances, chemical vapor deposition devices are needed for the deposition of copper, gold, metal oxides, and materials such as ferroelectric materials and superconducting materials. Solid materials that can be used for chemical vapor deposition of materials such as Cu, Au, metal oxides, and ferroelectric materials have low vapor pressures. Therefore, since the amount of gas vaporized from the solid raw material having such low vapor pressure is not sufficient, it is very difficult to stably obtain the amount of the raw material gas, thereby limiting the amount of the raw material gas that can be supplied to the reaction chamber, thereby limiting the amount of gas. Thin film nonuniformity between the substrate and the substrate in the plurality of substrates also causes problems. This nonuniformity is caused by the lack of vapor of the raw material in the reaction zone. In addition, the thin film using a solid raw material having a low vapor pressure causes a very low productivity and reproducibility of the raw material.

특히, 고체원료물질을 사용하여 화학기상증착을 위해서는 증착에 편리한 액체나 기체의 형태가 아닐지라도 수용할만한 생산성과 균일도의 확보가 중요하고 이를 위해서는 증착챔버에 충분한 양의 고체 반응물의 증기를 얻는 것이 필요하다.In particular, for chemical vapor deposition using solid raw materials, it is important to secure acceptable productivity and uniformity, even if it is not in the form of a liquid or gas that is convenient for deposition, and to achieve this, it is necessary to obtain a sufficient amount of solid reactant vapor in the deposition chamber. Do.

본 발명은 상기 문제점을 감안한 것으로서,The present invention has been made in view of the above problems,

본 발명의 제1의 목적은 운반기체를 이용하여 고체원료의 충분한 증기압을 얻기 위하여 운반기체가 고체원료물질에 최대한 접촉할 수 있는 길을 유도하고, 원료기체의 표면적을 극대화할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.It is a first object of the present invention to provide a method in which a carrier gas can guide the maximum contact with a solid raw material material to maximize the surface area of the raw material gas in order to obtain a sufficient vapor pressure of the solid raw material using the carrier gas. It is.

본 발명의 제2의 목적은 고체원료물질의 증기압을 높이기 위해 고체원료물질을 가열함으로써 수반되는 고체원료물질간의 상호결합을 방지하여 일정한 증기압을 유지하는 방법을 제공하는 것이다.It is a second object of the present invention to provide a method for maintaining a constant vapor pressure by preventing cross-linking between accompanying solid raw materials by heating the solid raw materials to increase the vapor pressure of the solid raw materials.

도 1은 종래의 화학기상증착장치에 적용되는 고체원료물질 공급장치의 일례를 도시한 개략적 구성도,1 is a schematic configuration diagram showing an example of a solid raw material supply device applied to a conventional chemical vapor deposition apparatus,

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착장치의 구성을 개략적으로 도시한 구성도,Figure 2 is a schematic view showing the configuration of a chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention,

도 3은 도 2에 도시된 원료공급장치 와 인입부 및 공급부를 도시한 상세도,Figure 3 is a detailed view showing the raw material supply device and the inlet and supply shown in Figure 2,

도 4는 도 3에 도시된 금속 볼과 원료물질과의 접촉상태를 도시한 도면,4 is a view showing a state of contact between the metal ball and the raw material shown in FIG.

도 5는 박막 증착 반응의 과정을 단계적으로 나타내 보인 도면.5 is a diagram illustrating a process of a thin film deposition reaction step by step.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

30...반응챔버40...원료공급장치30 Reaction chamber 40 Raw material feeder

41...컨테이너42...히터41 Container 42 Heater

43...지지벽44...완충부43.Support Wall 44 ... Buffer

45...원료물질46...금속볼45 Raw material 46 Metal ball

50...인입부51...가열수단50 Inlet 51 ... Heating means

52...필터60...공급부52 Filter 60 Supply

61...증발기70...자장형성수단61 ... evaporator 70 ... magnetic field forming means

72...자장쉴드73...냉각수단72 Magnetic shield 73 Cooling means

74...구동모터74.Drive motor

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명인 화학기상증착장치는Chemical vapor deposition apparatus of the present invention to achieve the above object

기판에 대한 박막 공정이 이루어지는 반응챔버와; 원료물질을 담아 수송기체에 의하여 고체원료물질을 기화시켜 원료증기를 발생시키는 것으로, 원료물질 사이에 혼합되어 위치하여 원료물질이 서로 응축하는 것을 방지하기 위한 금속 볼과, 원료물질을 지지할 수 있도록 상기 컨테이너내부의 바닥면으로부터 일정높이 이격되어 설치되는 지지벽과, 상기 지지벽에 의하여 구획되는 공간으로, 원료물질에 수송기체를 일정 분압으로 공급하는 완충부를 구비하는 원료공급장치와; 상기 원료공급장치의 일측에 연결되어 수송기체를 상기 완충부에 공급하기 위한 것으로, 수송기체를 상기 원료공급장치의 원료물질과 동일온도로 가열하기 위한 가열수단을 구비하는 인입부와; 상기 원료공급장치와 상기 반응챔버의 사이에 설치되어, 상기 원료공급장치에서 수송기체에 의하여 증발된 고체원료물질의 증기를 상기 반응챔버에 공급하는 공급부와; 상기 원료공급장치의 하부에 인접되게 설치되어, 상기 금속 볼이 자전과 공전운동 되도록 유도하는 자장형성수단;를 포함한다.A reaction chamber in which a thin film process is performed on the substrate; It contains the raw materials and vaporizes the solid raw materials by the transport gas to generate raw material steam.They are mixed and placed between the raw materials to support the metal balls to prevent the raw materials from condensing with each other. A raw material supply device including a support wall spaced apart from the bottom surface of the container by a predetermined height, and a buffer for supplying a transport gas to the raw material at a predetermined partial pressure into a space partitioned by the support wall; An inlet part connected to one side of the raw material supply device to supply a transport gas to the buffer part, and having a heating means for heating the transport gas to the same temperature as the raw material of the raw material supply device; A supply unit installed between the raw material supply device and the reaction chamber to supply vapor of the solid raw material material evaporated by a transport gas in the raw material supply device to the reaction chamber; It is installed adjacent to the lower portion of the raw material supply device, the magnetic field forming means for inducing the metal ball to rotate and orbital movement; includes.

본 발명에 따르면, 가열수단은 인입부의 내부에 위치하며 수송기체에 열전도가 잘 이루어지도록 헬리컬형상으로 이루어지는 것이 바람직하다. 가열수단은 수송기체(53)를 저항가열에 의하여 가열한다.According to the present invention, it is preferable that the heating means is located inside the inlet and is formed in a helical shape so that heat conduction is well performed in the transport gas. The heating means heats the transport gas 53 by resistance heating.

본 발명에 따르면, 상기 인입부는 수송기체(53)의 불순물을 1ppm 이하로 제어하기 위한 필터를 더 구비한다.According to the present invention, the inlet further includes a filter for controlling impurities in the transport gas 53 to 1 ppm or less.

본 발명에 따르면, 지지벽은 수 μm이하의 미세한 복수 개의 구멍이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또한 지지벽은 자장이 통과할 수 있는 상자성을 가지는 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.According to the present invention, it is preferable that the support wall is formed with a plurality of fine holes of several μm or less. In addition, the support wall is preferably made of a material having a paramagnetic property through which the magnetic field can pass.

본 발명에 따르면, 금속 볼의 전체 체적은 원료물질의 체적의 1/2를 초과하지 않는 것이 바람직하다. 그 직경이 3 mm 이하이고, 강자성체인 것이 바람직하다.According to the present invention, it is preferable that the total volume of the metal balls does not exceed 1/2 of the volume of the raw material. Its diameter is 3 mm or less, and it is preferable that it is a ferromagnetic material.

본 발명에 따르면, 컨테이너는 그 외부를 감싸도록 설치되어, 원료물질이 기화될 수 있는 온도에 도달되도록 가열하는 히터를 더 구비한다.According to the present invention, the container is further provided to surround the outside, the heater further comprises a heater for heating to reach a temperature at which the raw material can be vaporized.

본 발명에 따르면, 상기 공급부는 원료물질의 미세분말입자의 증발을 촉진하여 미세분말이 반응챔버에 직접 공급되는 것을 방지하기 위한 증발기를 더 구비한다. 증발기는 분말입자가 통과하지 못하도록 1/100μm 이하인 복수개의 구멍이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 그 표면적은 1000 mm2인 것이 바람직하다.According to the present invention, the supply unit further includes an evaporator for promoting the evaporation of the fine powder particles of the raw material to prevent the fine powder from being directly supplied to the reaction chamber. The evaporator is preferably provided with a plurality of holes of 1/100 μm or less so that the powder particles do not pass. Its surface area is preferably 1000 mm 2 .

또한, 증발기의 온도는 상기 컨테이너의 온도보다 5 내지 50 ℃ 이상의 온도로 가열되는 것이 바람직하다.In addition, the temperature of the evaporator is preferably heated to a temperature of 5 to 50 ℃ or more than the temperature of the container.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착장치를 개략적으로 도시한 구성도이다. 도 3은 도 2에 도시된 원료공급장치 와 인입부 및 공급부를 도시한 상세도이다.Figure 2 is a schematic diagram showing a chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a detailed view illustrating the raw material supply device, the lead portion, and the supply portion illustrated in FIG. 2.

도 2를 참조하면, 화학기상증착장치는 기판에 대한 박막공정이 진행되는 반응챔버(30)와, 수송기체(P)에 의하여 원료물질(45)을 증발시켜 기체를 발생시키는 원료공급장치(40)를 포함한다. 또한, 상기 원료공급장치(40)의 일측에 연결되어 수송기체(P)를 공급하는 인입부(50)와, 상기 원료공급장치(40)의 타측에 설치되어 상기 반응챔버(30)와 연결시키는 것으로 , 상기 원료공급장치(40)에서 발생된 원료물질의 기체를 상기 반응챔버(30)에 공급하는 공급부(60)를 포함한다. 그리고, 상기 원료공급장치(40)의 하부에 인접되게 설치되어 자장을 발생하는 자장형성수단(70)을 포함한다.Referring to FIG. 2, the chemical vapor deposition apparatus includes a reaction chamber 30 in which a thin film process is performed on a substrate, and a raw material supply device 40 for generating gas by evaporating the raw material 45 by the transport gas P. ). In addition, the inlet 50 is connected to one side of the raw material supply device 40 to supply a transport gas (P), and the other side of the raw material supply device 40 is connected to the reaction chamber 30 It includes a supply unit 60 for supplying the gas of the raw material material generated in the raw material supply device 40 to the reaction chamber (30). And, it is installed adjacent to the lower portion of the raw material supply device 40 includes a magnetic field forming means 70 for generating a magnetic field.

도 3을 참조하면, 원료공급장치(40)는 상기 반응챔버(30)에서 기판에 원하는 물질의 박막을 형성할 수 있도록 수송기체(P)가 원료물질의 사이를 통과하면서 원료물질의 기체를 발생시키는 것으로, 원료물질(45)을 저장하는 컨테이너(41)를 구비한다. 상기 컨테이너(41)의 내부 바닥으로부터 소정간격 이격되어 지지벽(43)이 설치된다. 상기 지지벽(43)에 의하여 상기 컨테이너(41)의 바닥과 사이에 구획되는 공간은 후술하는 인입부(50)를 통하여 들어오는 수송기체(P)를 수용하는 완충부(44)가 마련되어 있다. 그리고, 상기 컨테이너(41)를 둘러쌓아 원료물질(45)이 증발할 수 있는 온도로 가열하기 위한 히터(42)가 설치되어 있다.Referring to FIG. 3, the raw material supply device 40 generates a gas of the raw material while the transport gas P passes between the raw materials so as to form a thin film of a desired material on the substrate in the reaction chamber 30. The container 41 which stores the raw material 45 is provided. The support wall 43 is installed spaced a predetermined distance from the inner bottom of the container 41. The space partitioned between the bottom and the bottom of the container 41 by the support wall 43 is provided with a buffer 44 for receiving the transport gas (P) coming through the inlet 50 to be described later. In addition, a heater 42 is provided to surround the container 41 and to heat it to a temperature at which the raw material 45 can evaporate.

원료물질은 일반적으로 고체로서 미세한 분말이거나 벌크(Bulk)이다. 상기 수송기체(P)는 상기 완충부(44)로부터 상기 컨테이너(41)에 저장된 원료물질(45) 사이를 통과하도록 하는 것이 바람직하다.The raw material is generally a solid as a fine powder or bulk. The transport gas (P) is preferably to pass between the raw material 45 stored in the container 41 from the buffer 44.

따라서, 상기 지지벽(43)은 원료물질은 통과하지 못하고, 상기 완충부(44)로부터 들어오는 수송기체(P)만 통과할 수 있도록 미세한 복수개의 구멍(43a)이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이때, 상기 지지벽(43)에 형성되는 구멍(43a)은 직경이 수 마이크로미터(μm) 이하로 구성되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 지지벽(43)은 원료물질(45)에 따라 세라믹으로 구성되거나 금속으로 이루어지는 것이 바람직하고, 상기 지지벽(43)을 이루는 물질은 원료물질(45)과 화학반응을 일으키지 않는 물질로 구성되는 것이 바람직하다.Therefore, it is preferable that the support wall 43 is formed with a plurality of fine holes 43a so as not to pass the raw material and only pass the transport gas P coming from the buffer 44. At this time, it is preferable that the hole 43a formed in the support wall 43 has a diameter of several micrometers (μm) or less. In addition, the support wall 43 is preferably composed of a ceramic or a metal according to the raw material 45, the material constituting the support wall 43 is a material that does not cause a chemical reaction with the raw material 45 It is preferred to be configured.

그리고, 상기 원료물질(45)은 상기 컨테이너(41)의 주위를 감싸 설치되는 히터(42)에 의하여 가열되어 증기를 발생할 수 있는 온도로 상승되는데, 이 온도는 원료물질(45)의 종류에 따라 결정되는데 가능한 한 높은 온도로 가열하는 것이 바람직하다. 원료물질(45)은 온도에 따라서 고유한 평형 증기압을 가지게 되므로 정밀한 온도 제어를 통해서만 안정적인 원료를 공급할 수 있다.In addition, the raw material 45 is heated by a heater 42 wrapped around the container 41 and is raised to a temperature at which steam can be generated, and this temperature is varied according to the type of the raw material 45. It is preferred to heat to the temperature as high as possible to be determined. Since the raw material 45 has an inherent equilibrium vapor pressure according to temperature, stable raw material can be supplied only through precise temperature control.

특히, 원료물질(45)이 미세한 고체분말인 경우에는 온도가 상승함에 따라 상호간의 계면에너지를 줄이기 위해 서로 뭉쳐지는 경향이 있다. 따라서, 이러한 원료물질(45) 상호간에 뭉쳐지는 것을 방지하기 위해 구형의 금속 볼(46)을 넣어, 상기 금속 볼(46)이 일정한 속도로 자전과 공전을 하도록 한다. 상기 금속 볼(46)에 자전 및 공전을 하도록 하는 제공되는 회전력은 후술하는 상기 컨테이너(41)의 하부에 설치되는 자장형성수단(70)에 의한다.In particular, when the raw material 45 is a fine solid powder, as the temperature rises, there is a tendency to aggregate with each other to reduce the interfacial energy. Therefore, in order to prevent the raw materials 45 from agglomerating with each other, a spherical metal ball 46 is inserted to allow the metal ball 46 to rotate and revolve at a constant speed. Rotation force provided to rotate and revolve the metal ball 46 is by the magnetic field forming means 70 is installed in the lower portion of the container 41 to be described later.

도 4는 도 3에 도시된 금속 볼과 원료물질과의 접촉상태를 도시한 도면이다.4 is a view showing a contact state between the metal ball and the raw material shown in FIG.

도 4를 참조하면, 일정한 속도로 회전하는 상기 금속 볼(46)에는 미세한 분말(45)이 붙어 원료물질(45)이 증발될 수 있는 넓은 면적을 제공할 뿐만 아니라 수송기체(P)에 의한 상기 컨테이너(41)의 미세한 온도변화에도 일정한 온도를 유지하여 일정한 원료물질 기체의 증기압을 가질 수 있도록 한다. 또한, 수송기체(P)의 원활한 이동통로를 위한 빈공간(49)을 확보하여 상기 컨테이너(41)내부의 일정 압력을 유지하도록 하는 역할을 한다.Referring to FIG. 4, the metal balls 46 rotating at a constant speed not only have a fine powder 45 attached thereto, but also provide a large area in which the raw material 45 can be evaporated. Even at the minute temperature change of the container 41 to maintain a constant temperature to have a constant vapor pressure of the raw material gas. In addition, by ensuring an empty space 49 for a smooth movement passage of the transport gas (P) serves to maintain a constant pressure inside the container (41).

상기 수송기체(P)가 상기 빈공간(49)을 통과하면서 상기 금속 볼(46)에 붙어 있는 원료물질의 미세 분말(45)을 증발시키며, 상기 빈공간(49)을 지난 수송기체(P)와 상기 원료물질의 증기(R)는 함께 공급부(60)로 유입된다.The transport gas P evaporates the fine powder 45 of the raw material adhering to the metal ball 46 while passing through the void space 49 and passes the void space 49. And the steam (R) of the raw material is introduced into the supply unit 60 together.

상기 금속 볼(46)은 상기 자장형성수단(70)의 자장에 의하여 자전 및 공전운동을 하므로, 자장의 힘에 잘 이끌리도록 강자성체(ferromagnetic material)로 구성되는 것이 바람직하다. 바람직한 금속 볼(46)의 재료는 스테인레스 스틸, 철, 크롬, 니켈 및 이들의 합금이 바람직하다.Since the metal ball 46 rotates and revolves by the magnetic field of the magnetic field forming means 70, it is preferable that the metal ball 46 is made of a ferromagnetic material so as to be attracted by the magnetic field. Preferred materials for the metal balls 46 are stainless steel, iron, chromium, nickel and alloys thereof.

또한, 상기 금속 볼(46)의 총 부피는 원료물질의 총 부피의 1/2를 초과하지 않는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the total volume of the metal balls 46 does not exceed 1/2 of the total volume of the raw material.

자장형성수단(70)은 도 3에 도시된바와 같이, 상기 원료공급장치(40)의 하면에 인접하게 설치되어 상기 금속 볼(46)을 자전 및 공전시키기 위한 자장을 발생시키는 것으로, 온도가 상승하게 되면 자성을 잃는 상자성(paramagnetic)을 가진다. 따라서, 상기 컨테이너(41)를 둘러싸고 있는 상기 히터(42)에 의하여 온도가 상승하게 되어 자성을 잃게 되는 것을 방지하기 위하여, 상기 자장형성수단(70)은 항상 일정한 온도를 유지하도록 냉각될 수 있도록 냉각장치(73)를 구비하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 자장형성수단(70)에 의하여 생기는 자장이 자장형성수단(70)의 주위에 위치하는 다른 부품들에 영향을 미치지 않도록 자장을 차단하는 자장쉴드(72)를 설치하는 것이 바람직하다. 상기 자장쉴드(72)의 물질은 철, 니켈, 크롬 및 이들의 합금인 것이 바람직하다.As shown in FIG. 3, the magnetic field forming unit 70 is installed adjacent to the lower surface of the raw material supply device 40 to generate a magnetic field for rotating and revolving the metal ball 46. It is paramagnetic that loses magnetism. Therefore, in order to prevent the temperature rising by the heater 42 surrounding the container 41 and losing the magnetism, the magnetic field forming means 70 is cooled to be cooled to maintain a constant temperature at all times. It is preferred to have a device 73. At this time, it is preferable to install a magnetic shield 72 to block the magnetic field so that the magnetic field generated by the magnetic field forming means 70 does not affect other components located around the magnetic field forming means 70. The material of the magnetic shield 72 is preferably iron, nickel, chromium and alloys thereof.

상기 자장형성수단(70)의 하부에는 이를 회전시키기 위한 구동수단(74)이 설치된다.The lower portion of the magnetic field forming means 70 is provided with a driving means 74 for rotating it.

인입부(50)는 수송기체(P)를 상기 완충부(44)에 유입시키는 것으로, 수송기체(P)는 상기 컨테이너(41)의 내부의 가열된 온도를 일정하게 유지하기 위해 수송기체(P)의 온도를 상기 컨테이너(41)의 온도로 가열시키는 것이 바람직하다. 이를 위하여 상기 인입부(50)의 내측에 헬리컬형태(helical type)의 가열수단(51)이 설치된다. 따라서, 수송기체(P)가 상기 가열수단(51)을 통과하면서 가열되어 그 온도가 상승되어 상기 컨테이너(41)의 온도와 동일한 온도를 가지고 상기 완충부(44)에 유입된다.The inlet 50 introduces a transport gas P into the buffer 44, and the transport gas P maintains the heated temperature of the inside of the container 41 in a constant manner. It is preferable to heat the temperature of) to the temperature of the container 41. To this end, a helical type heating means 51 is installed inside the inlet 50. Therefore, the transport gas P is heated while passing through the heating means 51 and the temperature thereof is raised to flow into the buffer 44 at the same temperature as the temperature of the container 41.

또한, 상기 인입부(50)를 통과하는 수송기체(P)는 순수한 특성을 유지하도록 고 순도를 가지도록 해야한다. 따라서, 수송기체(P)가 수분의 함유를 최소화할 수 있도록 수분의 함유를 1ppm 이하로 제어하는 것이 바람직하다. 이를 위하여 상기 인입부(50)에는 수송기체(P)에 함유되어 있는 수분을 제거하기 위한 필터(52)를 설치하여, 상기와 같이 수분함유량을 1ppm 이하로 제어한다.In addition, the transport gas (P) passing through the inlet 50 should be of a high purity to maintain the pure properties. Therefore, it is preferable to control the content of water to 1 ppm or less so that the transport gas P can minimize the content of water. To this end, the inlet 50 is provided with a filter 52 for removing water contained in the transport gas P, thereby controlling the water content to 1 ppm or less as described above.

공급부(60)는 상기 원료공급장치(40)에서 발생된 원료물질의 기체를 수송기체(P)와 함께 상기 반응챔버(30)로 공급하는 것으로, 이에는 증발기(61)가 더 구비되어 있다.The supply unit 60 supplies the gas of the raw material generated by the raw material supply device 40 together with the transport gas P to the reaction chamber 30, and further includes an evaporator 61.

상기 증발기(61)는 원료물질(45)이 미세한 분말인 경우에는 증발되어 기체가 되어도 그 자체가 매우 작기 때문에 분말자체가 직접 상기 반응챔버(30)로 공급될 수 있다. 따라서, 상기 공급부(30)상에 설치되는 증발기(61)는 원료물질의 분말자체가 상기 반응챔버(30)로 공급되는 것을 제한하고, 원료물질의 기체만 통과하도록 한다. 또한, 원료물질의 미세한 분말이 증기화 되는 표면을 제공한다. 그러므로, 상기 증발기(61)는 그 표면적을 크게 하는 것이 바람직하며, 그 표면적이 1000mm2이상이 되도록 구성되어 있는 것이 바람직하다.When the evaporator 61 is a fine powder, the evaporator 61 may be directly supplied to the reaction chamber 30 because the evaporator 61 itself is very small even when the raw material 45 is evaporated and becomes a gas. Therefore, the evaporator 61 installed on the supply unit 30 restricts the powder itself of the raw material to be supplied to the reaction chamber 30, and passes only the gas of the raw material. In addition, it provides a surface where the fine powder of the raw material is vaporized. Therefore, it is preferable to enlarge the surface area of the said evaporator 61, and it is preferable that the surface area is comprised so that it may become 1000 mm <2> or more.

따라서, 상기 원료공급장치(40)에서 발생되는 원료물질의 증기와 상기 증발기(61)에서 발생되는 증기를 합한 것이 총 증기의 합이 되므로, 보다 많은 원료물질의 증기를 유도하여 상기 반응챔버(30)에 공급할 수 있다.Therefore, since the sum of the steam of the raw material generated by the raw material supply device 40 and the steam generated by the evaporator 61 becomes the sum of the total steam, the reaction chamber 30 is induced by inducing more vapor of the raw material. ) Can be supplied.

상기 공급부(60)는 원료물질의 증기가 응축하지 않도록 가열하여 상기 원료공급장치(40)에서 보다 그 증기압이 높도록 하는 것이 바람직하다. 이는 모든 증기는 응축과 증발이 연속적으로 일어나기 온도가 하강하게 되면, 응축되는 속도가 빨라지게 되어 증기압이 낮아지게 된다. 그러므로, 상기 공급부(60)의 온도를 상기 원료공급장치(40)의 온도보다 높도록 하여 증기의 응축되는 속도보다 증발속도를 높여주는 것이 바람직하다. 특히, 상기 공급부(60)의 온도는 상기 원료공급장치(40)의 온도보다도 5-50℃이상 높도록 가열하는 것이 바람직하다.The supply unit 60 is preferably heated so as not to condense the vapor of the raw material material so that the vapor pressure is higher than in the raw material supply device (40). This is because all the steam is condensed and evaporated continuously, when the temperature is lowered, the condensation rate is increased and the vapor pressure is lowered. Therefore, it is preferable that the temperature of the supply unit 60 is higher than the temperature of the raw material supply device 40 to increase the evaporation rate rather than the rate of condensation of steam. In particular, the temperature of the supply unit 60 is preferably heated to 5-50 ° C or higher than the temperature of the raw material supply device 40.

상기와 같은 구성을 가지는 본 발명의 원료공급장치를 채용한 화학기상증착장치에 의한 박막증착의 과정을 설명한다.A process of thin film deposition by a chemical vapor deposition apparatus employing the raw material supply device of the present invention having the above configuration will be described.

도 5는 박막 증착 반응의 과정을 단계적으로 나타내 보인 도면이다.5 is a diagram illustrating a process of a thin film deposition reaction step by step.

박막 증착 방법의 기본원리는 각 반응물질(원료물질)들이 교대로 반응챔버 안으로 주입되어 흡착, 표면반응, 그리고, 탈착의 화학적 반응의 반복에 의해 박막이 기판상에 성장되도록 하는 것이다. 여기에서, 각 반응물질은 기체상태로서, 각 반응물질의 공급을 위하여 원료공급장치는 반응물질의 수만큼 마련해야 한다.The basic principle of the thin film deposition method is that each reactant (raw material) is alternately injected into the reaction chamber so that the thin film is grown on the substrate by repeating the chemical reaction of adsorption, surface reaction, and desorption. Here, each reactant is in a gaseous state, and for supplying each reactant, a raw material supply device should be prepared by the number of reactants.

각각의 원료공급장치에서 공급되는 반응물질 AX 와 BY로부터 화합물 XY를 성장시키는 박막증착반응은 반응식 1로 표현될 수 있다.The thin film deposition reaction for growing the compound XY from the reactants AX and BY supplied from each raw material supply device can be represented by Scheme 1.

AX(g) + BY(g) -> Y(s) + AB(g)AX (g) + BY (g)-> Y (s) + AB (g)

이러한 반응은 아래와 같은 반응식 2와 3의 두 가지 과정으로 설명할 수 있다. 반응식 2는 XY 층과 반응물질 AX 사이의 표면반응, 반응식 3은 AX층과 반응물질 BY 사이의 표면반응을 표현한 식이다.This reaction can be explained by the following two schemes. Scheme 2 represents the surface reaction between the XY layer and the reactant AX, and Scheme 3 expresses the surface reaction between the AX layer and the reactant BY.

AX(g) + (XY)n(s) -> AX · (XY)n(s)AX (g) + (XY) n (s)-> AX (XY) n (s)

BY(g) + AX ·(XY)＿n(s) ->(XY)n+1(s) + AB(g)BY (g) + AX (XY) ＿n (s)-> (XY) n + 1 (s) + AB (g)

상기 반응식 1 내지 3을 참조하면, 하나의 원료공급장치에 의해 본 발명에 따라 압력차에 의해 AX가 자발적으로 반응챔버내로 주입되면, 반응챔버내에 로딩되어 있는 기판 표면에서 흡착이 일어나게 된다. 이때 결합되지 않은 나머지 AX들은 반응챔버에 별도로 마련되는 퍼지장치로부터 공급되는 퍼지가승 의해 완전히 제거되어 표면에 단 원자층(monolayer)의 AX층이 형성된다. 또 다른 원료공급장치에 의해 반응물질인 BY가 주입되면 AX층과 표면반응을 일으키고 나머지 기체 상태의 BY와 기체상태 반응물인 AB는 퍼지가스에 의해 완전히 제거되어 결구 표면에는 한층의 XY 화합물이 형성된다.Referring to Schemes 1 to 3, when AX is spontaneously injected into the reaction chamber by a pressure difference according to the present invention by one raw material supply device, adsorption occurs on the surface of the substrate loaded in the reaction chamber. At this time, the remaining unbonded AX is completely removed by the purge heating supplied from the purge apparatus separately provided in the reaction chamber to form a monolayer AX layer on the surface. When the reactant BY is injected by another raw material supply device, it causes a surface reaction with the AX layer, and the remaining gaseous BY and the gaseous reactant AB are completely removed by the purge gas, thereby forming a layer of XY compound on the surface of the tube. .

이러한 박막증착반응은 도 5에 도시된 바와 같이 클러스터 모델(cluster model)에 의해 자세히 표현될 수 있다. 도 5(a)에 도시된 바와 같이 기판(80)위에 AX 반응물질이 접촉되면, 도 5(b)에 도시된 바와 같이 AX 반응물질은 기판과 표면반응을 일으키고, 반응을 하지 않은 잔류물질들은 퍼지가스에 의해 완전히 제거되어 도 5(c)에 도시된 바와 같이 기판(80)위에 AX 단원자층(81)이 형성된다. 그리고, 도 5(d)에 도시된 바와 같이 BY 반응물질이 주입되어 상기 단원자층(81)에 접촉되며, 도 5(e)에 도시된 바와 같이, 기판(80)위에서 표면반응을 일으킨 AX 단원자층(81)과 표면반응을 일으키게 된다. 그리고, 도 5(f)에 도시된 바와 같이 표면반응을 일으키고 난 후의 AB 부산물과 반응하지 않은 나머지의 반응물질은 퍼지가스에 의해 제거되어 기판(80)위에는 성장시키고자 하는 물질인 XY 박막층(82)이 한층 형성된다. 이상과 같은 과정의 반복을 통하여 기판(80)상에 여러 층의 XY 박막층이 성장되게 된다.The thin film deposition reaction may be represented in detail by a cluster model as shown in FIG. 5. When the AX reactant contacts the substrate 80 as shown in FIG. 5 (a), the AX reactant causes a surface reaction with the substrate as shown in FIG. Completely removed by the purge gas, the AX monoatomic layer 81 is formed on the substrate 80 as shown in FIG. As shown in FIG. 5 (d), a BY reactant is injected to contact the monoatomic layer 81, and as shown in FIG. 5 (e), an AX unit causing a surface reaction on the substrate 80. It will cause a surface reaction with the magnetic layer (81). As shown in FIG. 5 (f), the remaining reactants that do not react with the AB by-products after the surface reaction are removed by the purge gas are XY thin film layers 82 which are materials to be grown on the substrate 80. ) Is further formed. By repeating the above process, several layers of the XY thin film layer are grown on the substrate 80.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 화학기상증착장치는 원료물질의 기체를 안정적으로 공급할 수 있도록 기화효율을 높여 증착되는 박막의 재현성 및 균일성을 증가시키고, 일정한 증착 속도를 얻을 수 있는 효과가 있다.As described above, the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention has an effect of increasing the reproducibility and uniformity of the deposited thin film to increase the vaporization efficiency so that the gas of the raw material can be stably supplied, and obtain a constant deposition rate. .

본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해서 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to one embodiment shown in the drawings, this is merely exemplary and will be understood by those skilled in the art that various modifications and variations can be made therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

Claims (18)

기판에 대한 박막 공정이 이루어지는 반응챔버와;A reaction chamber in which a thin film process is performed on the substrate; 원료물질을 담아 수송기체에 의하여 고체원료물질을 기화시켜 원료증기를 발생시키는 것으로, 원료물질 사이에 혼합되어 위치하여 원료물질이 서로 엉겨붙는것을 방지하기 위한 금속 볼과, 원료물질을 지지할 수 있도록 상기 컨테이너내부의 바닥면으로부터 일정높이 이격되어 설치되는 지지벽과, 상기 지지벽에 의하여 구획되는 공간으로, 원료물질에 수송기체를 일정 압력으로 공급하는 완충부를 구비하는 원료공급장치와;It contains the raw materials and vaporizes the solid raw materials by the transport gas to generate raw steam.They are mixed and placed between the raw materials to support the metal balls to prevent the raw materials from tangling with each other. A raw material supply device including a support wall spaced apart from the bottom surface of the container by a predetermined height, and a buffer for supplying a transport gas to the raw material at a predetermined pressure into a space partitioned by the support wall; 상기 원료공급장치의 일측에 연결되어 수송기체를 상기 완충부에 공급하기 위한 것으로, 수송기체를 상기 원료공급장치의 원료물질과 동일온도로 가열하기 위한 가열수단을 구비하는 인입부와;An inlet part connected to one side of the raw material supply device to supply a transport gas to the buffer part, and having a heating means for heating the transport gas to the same temperature as the raw material of the raw material supply device; 상기 원료공급장치와 상기 반응챔버의 사이에 설치되어, 상기 원료공급장치에서 수송기체에 의하여 증발된 고체원료물질의 증기를 상기 반응챔버에 공급하는 공급부와;A supply unit installed between the raw material supply device and the reaction chamber to supply vapor of the solid raw material material evaporated by a transport gas in the raw material supply device to the reaction chamber; 상기 원료공급장치의 하부에 인접되게 설치되어, 상기 금속 볼이 자전과 공전운동 되도록 유도하는 자장형성수단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.And a magnetic field forming means installed adjacent to the lower portion of the raw material supply device to induce the metal ball to rotate and revolve. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 인입부의 가열수단은 인입부의 내부에 위치하며 수송기체에 열전도가 잘 이루어지도록 헬리컬형상으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.The heating means of the inlet is located in the inlet and the chemical vapor deposition apparatus, characterized in that the helical shape so that the heat conduction to the transport gas is made well. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 가열수단은 수송기체를 저항 가열에 의하여 가열하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.The heating means is a chemical vapor deposition apparatus, characterized in that for heating the transport gas by resistance heating. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 인입부는 수송기체의 불순물을 1ppm 이하로 제어하기 위한 필터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.Wherein the inlet portion further comprises a filter for controlling the impurity of the transport gas to 1ppm or less chemical vapor deposition apparatus. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 지지벽은 수 μm이하의 미세한 복수 개의 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.The support wall is a chemical vapor deposition apparatus, characterized in that a plurality of fine holes of several μm or less are formed. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 지지벽은 자장이 통과할 수 있는 상자성을 가지는 물질로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.The support wall is a chemical vapor deposition apparatus, characterized in that made of a material having a paramagnetic pass through the magnetic field. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속 볼의 전체 체적은 원료물질의 체적의 1/2를 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.Chemical vapor deposition apparatus, characterized in that the total volume of the metal ball does not exceed 1/2 of the volume of the raw material. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 금속 볼은 그 직경이 3 mm 이하인 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.Chemical vapor deposition apparatus, characterized in that the metal ball has a diameter of 3 mm or less. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 금속 볼은 강자성체인 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.Chemical vapor deposition apparatus, characterized in that the metal ball is a ferromagnetic material. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 자장형성수단은 이를 회전시키는 구동수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.The magnetic field forming means further comprises a driving means for rotating it. 제 10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 자장형성수단은 5rpm 내지 20 rpm으로 회전하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.The magnetic field forming means is a chemical vapor deposition apparatus, characterized in that for rotating at 5rpm to 20rpm. 제 10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 자장형성수단은 일정한 온도를 유지할 수 있도록 냉각하는 냉각수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.The magnetic field forming means further comprises a cooling means for cooling to maintain a constant temperature. 제 10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 자장형성수단은 상기 컨테이너와 마주보는 면을 제외하고 그 외부를 감싸는 자장쉴드가 더 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.Wherein the magnetic field forming means is a chemical vapor deposition apparatus further comprises a magnetic shield surrounding the outside of the surface facing the container. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 컨테이너는 그 외부를 감싸도록 설치되어, 원료물질이 기화될 수 있는 온도에 도달되도록 가열하는 히터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.The container is installed to surround the outside, the chemical vapor deposition apparatus further comprises a heater for heating to reach a temperature at which the raw material can be vaporized. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 공급부는 원료물질의 미세분말입자의 증발을 촉진하여 미세분말이 반응챔버에 직접 공급되는 것을 방지하기 위한 증발기를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.The supply unit further comprises an evaporator for promoting the evaporation of the fine powder particles of the raw material to prevent the fine powder is directly supplied to the reaction chamber. 제 15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 증발기는 분말입자가 통과하지 못하도록 1/100μm 이하인 복수개의 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.Wherein the evaporator is a chemical vapor deposition apparatus, characterized in that a plurality of holes are formed in 1 / 100μm or less so that the powder particles do not pass. 제 15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 증발기의 표면적은 1000 mm2인 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.Chemical vapor deposition apparatus, characterized in that the surface area of the evaporator is 1000 mm 2 . 제 15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 증발기의 온도는 상기 컨테이너의 온도보다 5 내지 50 ℃ 이상의 온도로 가열되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.Chemical vapor deposition apparatus characterized in that the temperature of the evaporator is heated to a temperature of 5 to 50 ℃ or more than the temperature of the container.
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KR101075569B1 (en) * 2009-06-25 2011-10-21 주식회사 테라세미콘 Apparatus for uniformly supplying of deposition material

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100390539B1 (en) * 2002-10-05 2003-07-04 에이엔 에스 주식회사 Heating unit for vaporized material transfer tube in organic semiconductor device
KR100767296B1 (en) * 2006-01-16 2007-10-17 주식회사 테라세미콘 Source-Powder Compensating Apparatus for Chemical Vapour Deposition System

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