KR20020066877A - Bake Apparatus having Heating Compensation Ability for Semiconductor Wafer - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼의 베이크장치에 관한 것으로서, 특히, 웨이퍼를 소정의 온도에서 베이크하는 공정과정에서 웨이퍼의 가장자리측에 온도를 보상해주는 보조히터를 설치하여 웨이퍼 에지부분이 온도가 저하되는 것을 방지하여 웨이퍼표면의 온도를 균일하게 유지시키는 열보상기능을 갖는 반도체 웨이퍼 베이크장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a baking apparatus for a semiconductor wafer. In particular, in the process of baking the wafer at a predetermined temperature, an auxiliary heater for compensating the temperature is installed on the edge of the wafer to prevent the wafer edge portion from deteriorating. A semiconductor wafer baking apparatus having a thermal compensation function for maintaining a uniform temperature on a wafer surface.
종래의 반도체 웨이퍼 베이크장치는 도 1에 도시된 바와 같이 웨이퍼를 가열하는 플레이트(1)가 있고, 상기 플레이트(1)의 상면에는 상기 웨이퍼(W)가 상기 플레이트(1)의 바닥과 접촉되지 않고 소정의 간격을 유지하도록 하는 웨이퍼지지부(2)가 설치되어 있고, 상기 웨이퍼지지부(2)의 상측에는 상기 웨이퍼(2)를 플레이트(1)상에 적절하게 정렬되도록 가이드하는 경사면(3a)을 갖는 웨이퍼안내부 (3)가 설치되어 있다.A conventional semiconductor wafer baking apparatus has a plate 1 for heating a wafer as shown in FIG. 1, and the wafer W is not in contact with the bottom of the plate 1 on the upper surface of the plate 1. A wafer support portion 2 is provided to maintain a predetermined interval, and an inclined surface 3a is provided above the wafer support portion 2 to guide the wafer 2 to be properly aligned on the plate 1. The wafer guide part 3 is provided.
또한, 상기 플레이트(1)의 외측으로는 상부가 개방되어 플레이트(1)에서 웨이퍼안내부(3)까지 감싸며 상·하로 이동하는 측벽(4)이 설치되어 있고, 그 측벽(4)의 상측에는 수직방향으로 상하 이동하는 덮개(5)가 설치되어 있다.In addition, an outer side of the plate 1 is opened, and a side wall 4 is provided which moves from the plate 1 to the wafer guide part 3 and moves up and down, and above the side wall 4. The cover 5 which moves up and down in the vertical direction is provided.
그러나, 이와 같이 구성된 종래의 베이크장치는 플레이트(1)에서 전달되는 열에 의해 베이크되는 웨이퍼(W)는 대기 중에 노출되어 가열된 웨이퍼(W)에서 열이 방출되어 온도분포가 불균일하게 된다.However, in the conventional baking apparatus configured as described above, the wafer W baked by the heat transferred from the plate 1 is exposed to the atmosphere and heat is released from the heated wafer W, resulting in uneven temperature distribution.
즉, 웨이퍼(W)의 중심부분보다 에지부분에서 열방출량이 많아 웨이퍼(W)의에지부분으로 갈수록 웨이퍼(W)의 온도가 낮아지게 되어 웨이퍼(W)의 온도가 균일하지 못함에 따라 균일한 미세 패턴을 정확하게 형성할 수 없기 때문에 수율이 저하된다는 문제점이 있다.That is, since the amount of heat dissipation is greater at the edge portion than the central portion of the wafer W, the temperature of the wafer W is lowered toward the edge portion of the wafer W, so that the temperature of the wafer W is not uniform. Since a fine pattern cannot be formed correctly, there exists a problem that a yield falls.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출 된 것으로서, 웨이퍼 에지의 온도저하를 막음으로서 웨이퍼 표면의 온도를 균일하게 유지시키는 열보상기능을 갖는 반도체 웨이퍼 베이크장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and provides a semiconductor wafer baking apparatus having a thermal compensation function that maintains the temperature of the wafer surface uniformly by preventing the temperature drop at the wafer edge.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 웨이퍼를 상면에 안착시켜 상기 웨이퍼를 소정의 온도로 가열하는 히팅플레이트와, 상기 히팅플레이트의 상면에 상기 웨이퍼의 가장자리를 감싸도록 설치되어 상기 웨이퍼 가장자리 부분의 온도를 보상하는 보조히터를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a heating plate for heating the wafer to a predetermined temperature by seating the wafer on the upper surface, and is installed to surround the edge of the wafer on the upper surface of the heating plate, the temperature of the wafer edge portion It characterized in that it comprises an auxiliary heater to compensate.
도 1은 종래의 베이크장치의 구성을 도시한 도면,1 is a view showing the configuration of a conventional baking apparatus,
도 2는 본 발명의 일실시 예에 의한 베이크장치의 구성을 도시한 도면,2 is a view showing the configuration of a baking apparatus according to an embodiment of the present invention,
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 의한 보조히터가 히팅플레이트의 상면에 설치된 상태를 일부 확대해서 도시한 도면,3 is an enlarged view of a state in which an auxiliary heater according to another embodiment of the present invention is installed on an upper surface of a heating plate;
도 4는 종래의 베이크장치에 따른 웨이퍼 표면의 중앙부의 온도 및 에지부분의 온도를 시간에 대해서 비교 도시한 도면,4 is a view showing a comparison of the temperature of the center portion and the temperature of the edge portion of the wafer surface with respect to time according to the conventional baking apparatus;
도 5는 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼 베이크장치에 따른 웨이퍼 표면의 중앙부의 온도 및 에지부분의 온도를 시간에 대해서 비교 도시한 도면이다.FIG. 5 is a view showing the temperature of the center portion and the edge portion of the wafer surface with respect to time according to the semiconductor wafer baking apparatus according to the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
11 : 히팅플레이트17 : 보조히터11: heating plate 17: auxiliary heater
15 : 웨이퍼안내부W : 웨이퍼15: wafer guide W: wafer
17b : 경사면17b: slope
H : 히팅플레이트 및 보조히터간 간격H: Space between heating plate and auxiliary heater
T : 히팅플레이트상면으로부터 보조히터의 상면까지의 거리T: Distance from the upper surface of the heating plate to the upper surface of the auxiliary heater
이하, 첨부도면 도 2 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 대한 구성 및 작용에 대해서 설명한다.Hereinafter, the configuration and operation of one embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
상기 도면에 도시된 바와 같이 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼 베이크 장치는 상면에 웨이퍼지지부(13)가 마련된 히팅플레이트(11)와, 상기 웨이퍼지지부(13)의 상면에 설치됨과 동시에 상기 웨이퍼(W)의 에지부분을 감싸도록 설치되어 상기 웨이퍼(W) 에지부분의 방출열을 보상해주는 보조히터(17)로 구성된다.As shown in the drawing, the semiconductor wafer baking apparatus according to the present invention is provided with a heating plate 11 having a wafer support portion 13 provided on an upper surface thereof, and a wafer plate 13 provided on an upper surface of the wafer support portion 13. It is installed to surround the edge portion is composed of an auxiliary heater 17 to compensate for the heat of emission of the edge portion of the wafer (W).
상기 히팅플레이트(11) 및 보조히터(17)는 별도로 온도조절이 가능하도록 구성되며, 간격(H)조절이 가능토록 설치된다.The heating plate 11 and the auxiliary heater 17 is configured to be separately adjustable temperature, it is installed to enable the interval (H) adjustment.
상기에 있어 간격(H)을 두는 이유는 상기 히팅플레이트(11) 및 보조히터(17)가 온도 간섭되는 것을 방지하여 별도의 온도를 유지시키기 위함이고, 또한, 그 간격(H)을 조절가능케하는 이유는 히팅플레이트(11) 면으로부터 보조히터(17)의 상면까지 거리(T) 조절을 가능하게 하여 최적의 온도보상 조건을 구현시키는 공기의 흐름을 적절히 유도하기 위함이다.The reason for the spacing (H) in the above is to prevent the temperature of the heating plate 11 and the auxiliary heater 17 to maintain a separate temperature, and also to adjust the spacing (H) The reason is to allow the distance (T) adjustment from the heating plate 11 surface to the upper surface of the auxiliary heater 17 to properly induce the flow of air to achieve the optimum temperature compensation conditions.
상기 보조히터(17)는 소정의 폭과 두께를 갖는 도우넛 형태의 링으로 구성되어 있고, 그 내주면은 그 중심을 향하여 소정의 각도로 기울어진 경사면(17b)을 갖도록 형성된다.The auxiliary heater 17 is formed of a donut shaped ring having a predetermined width and thickness, and its inner circumferential surface is formed to have an inclined surface 17b inclined at a predetermined angle toward its center.
또한, 보조히터(17)는 도 3에 도시된 바와 같이 다수의 웨이퍼안내부(15)가 마련된 종래의 반도체 웨이퍼 베이크장치에 적용할 경우 웨이퍼안내부(15)의 일측이 상기 보조히터(17)의 내주면측에 위치한 부분이 노출되도록 일측이 트여지게 형성된 다수의 삽입홀(17c)을 추가로 구성함이 바람직하다.In addition, when the auxiliary heater 17 is applied to a conventional semiconductor wafer baking apparatus in which a plurality of wafer guides 15 are provided as shown in FIG. 3, one side of the wafer guide 15 may be the auxiliary heater 17. It is preferable to further configure a plurality of insertion holes (17c) formed so that one side is opened so that the portion located on the inner peripheral surface side of the.
한편, 상기 보조히터(17)의 저면에는 상기 히팅플레이트(11) 및 보조히터(17)간의 온도 간섭이 일어나는 것을 방지하도록 단열재(미도시)를 추가로 구성할 수 있다.On the other hand, the bottom surface of the auxiliary heater 17 may further comprise a heat insulator (not shown) to prevent the temperature interference between the heating plate 11 and the auxiliary heater 17 occurs.
미설명부호(19)는 상부가 개방되어 플레이트(11)에서 웨이퍼안내부(15)까지 감싸며 상·하로 이동하는 측벽을 나타내고, 부호(21)는 수직방향으로 상하 이동하는 덮개를 나타낸다.Unexplained reference numeral 19 denotes a sidewall of which the upper part is opened to move from the plate 11 to the wafer guide part 15 and moves up and down, and reference numeral 21 denotes a cover moving up and down in the vertical direction.
다음 이와 같이 구성된 본 발명에 의한 열보상기능을 갖는 반도체 웨이퍼 베이크장치의 동작원리에 대해서 설명한다.Next, the operation principle of the semiconductor wafer baking apparatus having the thermal compensation function according to the present invention configured as described above will be described.
먼저, 측벽(19)이 하방으로 이동하고 덮개(21)가 상방으로 이동한 상태에서 웨이퍼 이송아암(미도시)이 웨이퍼(W)를 히팅플레이트(11)의 상면에 안착시킨다.First, a wafer transfer arm (not shown) seats the wafer W on the upper surface of the heating plate 11 while the sidewall 19 moves downward and the lid 21 moves upward.
이때, 이송아암으로부터 전달되는 웨이퍼(W)가 정위치에 놓이지 않고 뒤틀려지게 놓이게 되더라도 웨이퍼(W)가 보조히터(17)의 경사면(17b) 또는 그 경사면(17b) 안쪽으로 그 일부가 노출된 상기 웨이퍼안내부(15)의 외면을 따라 슬라이딩되면서 그 위치가 정렬되어 웨이퍼지지부(13)에 안착되게 되어 웨이퍼(W)와 보조히터(17) 사이의 간격(L)이 일정하게 유지된다.(도 2 및 도 3참조)At this time, even if the wafer W transferred from the transfer arm is placed to be distorted rather than in position, the wafer W is partially exposed to the inclined surface 17b or the inclined surface 17b of the auxiliary heater 17. Sliding along the outer surface of the wafer guide 15, the position is aligned and seated on the wafer support 13 so that the distance L between the wafer W and the auxiliary heater 17 is kept constant. 2 and FIG. 3)
상기에서 웨이퍼안내부(15)를 링형상으로 형성시키지 않고, 소정의 간격을 두고 다수개로 형성시킴은 상기 웨이퍼(W)와의 접촉면적을 줄이면서도 그 가이드를 효과적으로 진행하도록 하기 위함이다.The wafer guide 15 is not formed in a ring shape, but a plurality of wafer guides are formed at predetermined intervals so as to effectively advance the guide while reducing the contact area with the wafer (W).
다음, 웨이퍼(W)가 웨이퍼지지부(13)에 안착되고 측벽(19)이 상방으로 이동하고 덮개(21)가 하방으로 이동하면, 소정온도로 가열되어 있는 히팅플레이트(11)에 의해 웨이퍼지지부(13)에 안착된 웨이퍼(W)가 베이크된다.Next, when the wafer W is seated on the wafer support 13, the side wall 19 moves upward and the lid 21 moves downward, the wafer support portion (heated by the heating plate 11 heated to a predetermined temperature) ( The wafer W seated on 13) is baked.
한편, 상기와 같이 히팅플레이트(11)가 가열되면, 보조히터(17) 또한 소정의 온도로 가열되어 있어 방출열이 상대적으로 높은 상기 웨이퍼(W)의 에지 부분측의 온도를 보상해주게 된다.On the other hand, when the heating plate 11 is heated as described above, the auxiliary heater 17 is also heated to a predetermined temperature to compensate for the temperature on the side of the edge portion of the wafer (W) with a high emission heat.
그에 대해 좀더 자세히 설명하면, 웨이퍼(W)의 온도분포는 그 중앙부분에 비교하여 그 에지부분의 열 방출량이 많아 에지부분으로 갈수록 온도가 낮아지게 되는 데, 이때, 상기 보조히터(17)의 가열작용에 의해 그 빼앗긴 열을 보상하게 된다.In more detail, the temperature distribution of the wafer (W) is lower in temperature toward the edge portion due to the greater amount of heat dissipation at the edge portion compared to the central portion thereof, in which case the heating of the auxiliary heater 17 is performed. The action compensates for the lost heat.
따라서, 그 중앙부에 비해 에지부위의 온도가 상대적으로 낮은 문제점을 해소시켜 웨이퍼(W)의 온도분포가 균일하게 된다.Therefore, the problem that the temperature of the edge portion is relatively lower than that of the center portion is solved, so that the temperature distribution of the wafer W is uniform.
상기와 같이 열을 보상해주는 보조히터(17)는 히팅플레이트(11)로부터 소정의 높이(T)를 두고 상기 웨이퍼(W)를 에워싸듯 설치되어 있어 공기가 도 2에 도시된 바와 같이 화살표 방향을 따라 우회되어 상기 보조히터(17)의 벽을 타고 넘어 흐르게 됨으로써, 차가운 공기와 직접적으로 접촉되는 것을 해소시킴에 따라 보조히터(17)가 없던 종래에 비해 열 손실량을 줄일 수 있게 된다.(도 2참조)As described above, the auxiliary heater 17 which compensates heat is installed to surround the wafer W at a predetermined height T from the heating plate 11 so that the air is in the direction of the arrow as shown in FIG. 2. By bypassing and flowing over the wall of the auxiliary heater 17, the heat loss can be reduced as compared with the prior art without the auxiliary heater 17 by eliminating direct contact with cold air. Reference)
또한, 상기와 같이 소정의 높이(T)로 설치된 보조히터(17)로 인해 웨이퍼(W)의 에지부분에서 열손실을 유발하는 공기층이 보조히터(17)에 의해 열을 공급받아 에지에서의 열손실을 줄일 수 있고, 오히려 웨이퍼 에지로 열을 공급하는 층으로 바꾸어 주게되어 히팅플레이트(11) 및 보조히터(17)로부터 웨이퍼(W)로 전달되는 열을 균일하게 만들고, 이러한 공기층은 급격한 히팅플레이트(11) 및 보조히터(17)의 온도변화에 탄력적으로 대처할 수 있게 됨에 따라 웨이퍼(W)표면의 급격한 온도변화를 막아줄 수 있게 된다.In addition, due to the auxiliary heater 17 installed at a predetermined height T as described above, an air layer causing heat loss at the edge portion of the wafer W is supplied with heat by the auxiliary heater 17 to heat at the edge. Losses can be reduced, but rather converted into a layer that supplies heat to the wafer edge to make the heat transferred from the heating plate 11 and the auxiliary heater 17 to the wafer W uniform, and this air layer is a sudden heating plate. By being able to flexibly cope with the temperature change of the 11 and the auxiliary heater 17, it is possible to prevent a sudden temperature change on the surface of the wafer (W).
상기와 같이 열 보상기능을 하는 보조히터(17)는 상기 히팅플레이트(11)와 소정의 간격(H)을 두고 설치됨에 따라 히팅플레이트(11)와 온도 간섭되는 것을 방지할 수 있게 된다.As described above, the auxiliary heater 17 having a heat compensation function may be prevented from interfering with the heating plate 11 by being installed at a predetermined interval H from the heating plate 11.
또한, 그 간격(H)을 조절에 따라 히팅플레이트(11)의 상면으로부터 보조히터(17)의 상면까지의 거리(T)를 가변시킬 수 있어 최적의 온도보상조건을 만족시키는 공기의 흐름을 유도할 수 있다.In addition, the distance T can be varied from the upper surface of the heating plate 11 to the upper surface of the auxiliary heater 17 by adjusting the distance H, thereby inducing the flow of air that satisfies the optimum temperature compensation condition. can do.
다음, 아래의 결과표는 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼 베이크 장치에 대한 실험을 위해 히팅플레이트 및 보조히터의 모델을 간략하게 형상화하여 웨이퍼 표면온도 분포에 대한 시뮬레이션 결과치를 나타낸 것으로서 보조히터의 높이(T)와 간격(L)에 따른 웨이퍼(W) 표면의 최대온도차 변화를 나타내고 있다.Next, the results table below shows the simulation results of the wafer surface temperature distribution by briefly shaping the model of the heating plate and the auxiliary heater for the experiment on the semiconductor wafer baking apparatus according to the present invention. The maximum temperature difference of the surface of the wafer W with respect to the space | interval L is shown.
아래의 결과표에 기재된 ()표시의 %수치는 보조히터가 없을 경우에 대한 최대온도차 감소율을 나타낸 것으로서, 보조히터(17)의 높이(T)를 2㎜로 하고, 그 간격(L)을 1㎜로 했을 때 최대온도차가 가장 작게 나타나며, 보조히터(17)가 없을 경우에 대하여 그 감소율을 15.5%로 할 수 있음을 알 수 있다.The% value in the () mark shown in the following result table shows the maximum temperature difference reduction rate when there is no auxiliary heater, and the height T of the auxiliary heater 17 is 2 mm, and the interval L is 1 mm. When the maximum temperature difference is the smallest, it can be seen that the reduction rate can be set to 15.5% for the absence of the auxiliary heater (17).
다음, 도 4는 종래의 베이크 장치에 따른 웨이퍼 표면의 중앙부의 온도 및 에지부분의 온도변화를 시간에 대해서 비교 도시한 도면을 나타낸다.Next, FIG. 4 shows a comparison of the temperature of the center portion of the wafer surface and the temperature of the edge portion with respect to time according to the conventional baking apparatus.
상기 도면에 도시된 ■표시선은 웨이퍼 표면의 중앙에서의 온도변화를 도시한 선을 의미하고, ●표시선은 웨이퍼 표면의 에지부분에서의 온도변화를 도시한 선을 의미한 것으로서, 도시된 바와 같이 온도가 상승되는 과정을 진행한 후 120초~300초 시간대에서 온도가 거의 일정하게 유지됨을 알 수 있고, 그 120초~300초 시간대에서 웨이퍼(W)의 중앙부의 온도를 측정한 평균치가 151.47℃인데 반하여 웨이퍼(W)의 에지부분에서 측정한 평균치는 약 149.80℃로서 그 평균온도차가 1.67℃로 나타났다.The display line shown in the figure means a line showing the temperature change at the center of the wafer surface, and the display line means the line showing the temperature change at the edge portion of the wafer surface. It can be seen that the temperature is almost constant after 120 seconds to 300 seconds after the process of rising, and the average value of the temperature measured in the center of the wafer W in the 120 seconds to 300 seconds is 151.47 ℃. On the contrary, the average value measured at the edge of the wafer W was about 149.80 ° C, and the average temperature difference was 1.67 ° C.
다음, 도 5는 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼 베이크 장치에 따른 웨이퍼 표면의 중앙부의 온도 및 에지부분의 온도변화를 시간에 대해서 도시한 도면을 나타내는 것으로서, ■표시선은 웨이퍼 표면의 중앙에서의 온도변화를 도시한 선을 의미하고, ●표시선은 웨이퍼 표면의 에지부분에서의 온도변화를 시간에 대해서 도시한 선을 나타낸다Next, FIG. 5 is a view showing the temperature change of the temperature of the center portion and the edge portion of the wafer surface with respect to time according to the semiconductor wafer baking apparatus according to the present invention, and the display line indicates the temperature change at the center of the wafer surface. Indicate the line shown, and the display line represents the line showing the temperature change at the edge portion of the wafer surface with respect to time.
도시된 바와 같이 120초~300초에서의 웨이퍼(W) 중앙부의 온도를 측정한 평균값이 150.17℃이고, 그 웨이퍼(W)의 에지부분에서 측정한 평균값이 150.03℃로서 그 평균온도차가 0.14℃로 나타났다.As shown, the average value of the temperature measured at the center of the wafer W in 120 seconds to 300 seconds was 150.17 ° C. The average value measured at the edge of the wafer W was 150.03 ° C, and the average temperature difference was 0.14 ° C. appear.
상술한 결과를 비교해 보면, 종래의 온도차를 100%로 가정하였을 때 본 발명에 의한 베이크장치의 온도차는 8.4%로서, 그 온도차가 월등히 줄어들었음을 알 수 있다.Comparing the above results, it can be seen that when the conventional temperature difference is assumed to be 100%, the temperature difference of the baking apparatus according to the present invention is 8.4%, and the temperature difference is greatly reduced.
한편, 상술한 구조에서 히팅플레이트(11) 및 보조히터(17)가 각각 동시에 가열될 경우 히팅플레이트(11)의 온도변화를 시키게 될 가능성이 존재하게 되는 데, 이를 방지하기 위하여 보조히터(17)의 접합부를 단열처리하여 히팅플레이트(11) 및 보조히터(17)간의 온도간섭이 일어나는 것을 차단하도록 할 수도 있다.On the other hand, when the heating plate 11 and the auxiliary heater 17 is heated at the same time in the above-described structure, there is a possibility that the temperature change of the heating plate 11 is present, in order to prevent this auxiliary heater 17 Insulating the junction of the may be to prevent the temperature interference between the heating plate 11 and the auxiliary heater 17 to occur.
상술한 바와 같이 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼 베이크 장치는 보조히터를 채용함에 따라 웨이퍼의 에지부분에서 열방출에 의해 온도가 낮아지는 것을 효과적으로 보상해 주게 된다.As described above, the semiconductor wafer baking apparatus according to the present invention effectively compensates that the temperature is lowered by heat dissipation at the edge portion of the wafer as the auxiliary heater is employed.
또한, 보조히터를 채용함에 따라 웨이퍼 에지부분에서의 열손실을 유발하는공기층이 보조히터에 의해 열을 공급받아 에지에서의 열손실을 줄일 수 있고, 오히려 웨이퍼 에지로 열을 공급하는 층으로 바꾸어 줄 수 있고, 그 공기층의 두께를 일정하게 유지시켜 히팅플레이트 및 보조히터로부터 웨이퍼로 전달되는 열을 균일하게 만들고, 또한, 그 공기층으로 인해 히팅플레이트 및 보조히터의 급격한 온도변화에 탄력적으로 대처할 수 있도록 하여 웨이퍼 표면의 급격한 온도변화를 방지할 수 있게 된다.In addition, by adopting the auxiliary heater, the air layer causing the heat loss at the wafer edge portion is supplied with heat by the auxiliary heater to reduce the heat loss at the edge. The thickness of the air layer can be kept constant so that the heat transferred from the heating plate and the auxiliary heater to the wafer can be made uniform, and the air layer can also flexibly cope with the sudden temperature change of the heating plate and the auxiliary heater. It is possible to prevent a sudden temperature change on the wafer surface.
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ID=27694370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020010007323A KR20020066877A (en) | 2000-06-26 | 2001-02-14 | Bake Apparatus having Heating Compensation Ability for Semiconductor Wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20020066877A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100601988B1 (en) * | 2005-02-05 | 2006-07-18 | 삼성전자주식회사 | Apparatus of heating wafer |
| KR20180127585A (en) * | 2017-05-18 | 2018-11-29 | 세메스 주식회사 | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58169906A (en) * | 1982-01-18 | 1983-10-06 | Nec Corp | Vapor growth device |
| US5225663A (en) * | 1988-06-15 | 1993-07-06 | Tel Kyushu Limited | Heat process device |
| KR19980016834A (en) * | 1996-08-29 | 1998-06-05 | 김광호 | Rapid heat treatment equipment |
| KR19980039946A (en) * | 1996-11-28 | 1998-08-17 | 김광호 | Bake Device for Semiconductor Manufacturing |
| KR20000009969U (en) * | 1998-11-13 | 2000-06-15 | 김영환 | Semiconductor Wafer Baking Equipment |
-
2001
- 2001-02-14 KR KR1020010007323A patent/KR20020066877A/en not_active Application Discontinuation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58169906A (en) * | 1982-01-18 | 1983-10-06 | Nec Corp | Vapor growth device |
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| KR19980039946A (en) * | 1996-11-28 | 1998-08-17 | 김광호 | Bake Device for Semiconductor Manufacturing |
| KR20000009969U (en) * | 1998-11-13 | 2000-06-15 | 김영환 | Semiconductor Wafer Baking Equipment |
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| KR100601988B1 (en) * | 2005-02-05 | 2006-07-18 | 삼성전자주식회사 | Apparatus of heating wafer |
| KR20180127585A (en) * | 2017-05-18 | 2018-11-29 | 세메스 주식회사 | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
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