KR20020062074A - Temperature controlling system for the surface of an electrostatic chuck using heaters - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 전열기를 이용한 정전척의 표면 온도 제어 시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 웨이퍼 공정에 사용되는 정전척의 내부(바람직하기로는 정전척 본체와 정전기 발생부 사이)에 다수개의 전열기를 장착하고, 정전척의 표면 온도를 검출하여 온도 구배가 발생된 부분에 설치된 전열기가 컨트롤러의 제어를 받아 작동가능하도록 구성함으로써, 정전척의 상부 표면의 온도를 일정하게 유지시켜 온도 구배가 발생되는 것을 막을 수 있게 한 전열기를 이용한 정전척의 표면 온도 제어 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a surface temperature control system of an electrostatic chuck using an electric heater, and more particularly, a plurality of electric heaters are mounted inside an electrostatic chuck (preferably between an electrostatic chuck body and an electrostatic generator) used in a semiconductor wafer process, The heater that detects the surface temperature of the electrostatic chuck and is configured to be operated under the control of the controller to control the temperature of the electrostatic chuck, thereby maintaining the temperature of the upper surface of the electrostatic chuck to prevent the temperature gradient from occurring. It relates to a surface temperature control system of the electrostatic chuck using.
일반적으로 반도체를 제조하는데 있어서 반도체 칩은 원판 형상의 웨이퍼로 제공하고, 이들 칩을 낱개로 절단한 다음 반도체 패키지를 제조하는데 사용하게 된다.In general, in manufacturing a semiconductor, the semiconductor chip is provided as a disk-shaped wafer, and these chips are cut into pieces and then used to manufacture a semiconductor package.
이러한 웨이퍼는 두께가 얇은 원판 형상으로 제공되기 때문에 반도체 제조 공정에서 이 웨이퍼 공정, 예를 들어 성막이나 에칭 처리 등을 하게 되며, 이때 이 웨이퍼가 공정이 진행되는 도중에 들뜨는 현상을 막아 주고 정확한 위치에 안착되도록 하기 위한 한가지 방법으로 정전척을 많이 이용하고 있다.Since the wafer is provided in a thin disk shape, the wafer process, for example, a film forming or etching process, is performed in a semiconductor manufacturing process, and this wafer is prevented from being lifted during the process and settled in the correct position. One way to do this is to use electrostatic chucks a lot.
즉, 상기 웨이퍼는 반도체 디바이스의 제조 공정중 성막 처리나 에칭 처리를 하게 되는데, 이러한 처리는 웨이퍼를 정전척 본체 위에 올려 놓고 정전기를 발생시켜 고정시킨 다음, 플라즈마 이온을 발생시켜 성막 처리나 에칭 처리를 하게 되는 것이다.That is, the wafer is subjected to a film forming process or an etching process during the manufacturing process of the semiconductor device. The process is performed by placing the wafer on the electrostatic chuck main body, generating static electricity, and then generating plasma ions to generate the film forming process or etching process. Will be done.
이러한 상기 정전척은, 첨부도면 도 3에서 도시한 바와 같이, 알루미늄 재질로 이루어진 정전척 본체(100)와, 이 정전척 본체(100)의 상부에 장착되어 정전기를 발생시켜 실질적으로 웨이퍼(W)를 척킹시켜 주는 정전기 발생부(200)와, 상기 정전척 본체(100) 내부에 냉각제를 제공하여 웨이퍼(W)를 냉각시켜 주는 냉각수단(300)으로 구성되어 있다.As shown in FIG. 3, the electrostatic chuck is mounted on an electrostatic chuck body 100 made of aluminum, and is mounted on top of the electrostatic chuck body 100 to generate static electricity to substantially generate a wafer (W). Electrostatic generating unit 200 for chucking and the cooling means 300 for cooling the wafer (W) by providing a coolant in the electrostatic chuck body 100.
특히, 상기 정전기 발생부(200)는 미도시된 전원의 인가로 정전기를 발생시켜 주는 도전제(210)와 이 도전제(210)를 감싸주는 유전층(220)으로 구성되어 있으며, 그 상부 표면에는 방사상으로 구멍(미도시됨)이 형성되어 헬륨 가스를 분사시킬 수 있도록 구성되어 있다.In particular, the static electricity generating unit 200 is composed of a conductive agent 210 for generating static electricity by application of a power not shown, and a dielectric layer 220 surrounding the conductive agent 210, the upper surface of the A hole (not shown) is formed radially so that helium gas can be injected.
또한, 상기 냉각수단(300)은 정전척 본체(100) 내부에 형성되어 웨이퍼(W)의 하부를 냉각시켜 주기 위한 냉각 공간부(310)와, 이 공간부(310)에 냉각수나 냉각기체와 같은 냉각제의 유동량으로 온도를 조절해 주는 컨트롤러(320)로 구성되어 있다.In addition, the cooling means 300 is formed in the electrostatic chuck main body 100 to cool the lower portion of the wafer (W), the space portion 310 in the cooling water or the cooling gas and Consists of a controller 320 for controlling the temperature by the flow amount of the same coolant.
이러한 상기 냉각수단(300)은 미도시된 온도 감지 수단을 통해 정전척의 표면 온도를 감지하고 감지된 온도를 바탕으로 컨트롤러(320)의 제어로 냉각 공간부(310)에 제공되는 냉각제의 유동량을 조절하여 냉각 효과를 얻게 된다.The cooling means 300 detects the surface temperature of the electrostatic chuck through a temperature sensing means (not shown) and adjusts the flow amount of the coolant provided to the cooling space 310 under the control of the controller 320 based on the sensed temperature. The cooling effect is obtained.
이와 같이 이루어진 정전척은 그 상부로 이송된 웨이퍼(W)를 성막 처리 또는 에칭 처리를 하는 공정을 수행할 수 있도록 척킹시켜 주게 되는데, 이때 정전척의 표면에서 발생된 플라즈마 이온이 진공관의 구성 특성상 웨이퍼(W)의 표면에 대해골고루 조사되지 않기 때문에 웨이퍼(W) 표면에 온도 구배(5∼15℃)를 발생시키게 되며, 이러한 온도 구배는 상기 냉각수단(300)을 통해 냉각제의 유동량을 제어함으로써 냉각 온도를 제어하게 된다.The electrostatic chuck made as described above chucks the wafer W transferred to the upper portion so as to perform a film forming process or an etching process, in which plasma ions generated on the surface of the electrostatic chuck are formed on the wafer ( Since it is not evenly irradiated with respect to the surface of W), a temperature gradient (5 to 15 ° C.) is generated on the surface of the wafer W. The temperature gradient is controlled by controlling the flow rate of the coolant through the cooling means 300. Will be controlled.
즉, 상술한 바와 같이 정전척의 표면으로부터 발생된 플라즈마 이온은 성막이나 에칭 처리를 하는데 있어서 웨이퍼(W)의 전체 표면에 골고루 제공되어야 웨이퍼 수율의 저하를 막을 수 있게 되는데, 실제로 플라즈마 이온은 실제 웨이퍼(W) 표면에 균일하게 제공되지 않아 정전척의 표면에 온도 구배가 발생하기 때문에 상기 냉각수단(300)을 통해 정전척의 표면 온도를 제어하게 되는 것이다.That is, as described above, the plasma ions generated from the surface of the electrostatic chuck should be uniformly provided on the entire surface of the wafer W in the film forming or etching process to prevent the decrease in wafer yield. W) Since the temperature gradient is generated on the surface of the electrostatic chuck because it is not uniformly provided on the surface, the surface temperature of the electrostatic chuck is controlled through the cooling means 300.
그러나, 기존의 냉각 방식은 냉각제를 이용하는 간접 냉각 방식인 열교환 방식으로 이루어지기 때문에, 온도 구배와 상관없이 정전기 표면에 대해 전체적으로 냉각시켜 주게 되어 냉각제의 유동에 의해 온도 구배가 발생할 뿐만 아니라 정전척 표면을 냉각시키는데에도 일정한 시간이 필요하게 되었다.However, since the conventional cooling method is made of heat exchange method, which is an indirect cooling method using a coolant, the cooling is performed on the electrostatic surface as a whole regardless of the temperature gradient. It takes a certain time to cool down.
또한, 근래에 들어 웨이퍼 크기가 대형화되면서 이를 척킹시켜 주는 정전척의 크기도 같이 커지고 있는데, 이로 인해 정전척의 상부 표면적이 증가하게 되어 웨이퍼 표면에서 발생되는 온도 구배가 더욱 현저하게 커지게 되는 문제가 발생하게 되었다.In addition, in recent years, as the size of the wafer becomes larger, the size of the electrostatic chuck that chucks it also increases, which causes an increase in the upper surface area of the electrostatic chuck, resulting in a problem that the temperature gradient generated on the wafer surface becomes more significant. It became.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 안출한 것으로, 정전척의 내부(바람직하기로는 정전척 본체와 정전기 발생수단 사이)에 다수개의 전열기를 설치하고, 컨트롤러의 제어로 정전척의 표면 온도를 검출하여 온도 구배가 발생된 곳에 설치된 전열기가 독립적으로 작동하도록 구성함으로써, 웨이퍼의 크기에 상관없이 그 표면에서 발생되는 온도 구배를 없앨 수 있는 전열기를 이용한 정전척의 표면 온도 제어 시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been devised in view of this point, and a plurality of electric heaters are installed inside the electrostatic chuck (preferably between the main body and the electrostatic chuck generating means), and the temperature gradient is increased by detecting the surface temperature of the electrostatic chuck under the control of a controller. It is an object of the present invention to provide a surface temperature control system of an electrostatic chuck using a heater that can eliminate the temperature gradient generated on the surface regardless of the size of the wafer by configuring the heater installed in the generated place to operate independently.
도 1은 본 발명에 따르는 표면 온도 제어 시스템의 구성을 나타내는 단면도,1 is a cross-sectional view showing the configuration of a surface temperature control system according to the present invention;
도 2는 본 발명에 따르는 전열기의 설치 상태를 보여주는 평면도,2 is a plan view showing the installation state of the heater according to the present invention,
도 3은 종래의 표면 온도 제어 시스템의 구성을 나타내는 단면도,3 is a cross-sectional view showing the configuration of a conventional surface temperature control system;
[도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명][Description of Symbols for Main Parts of Drawing]
10, 100 : 정전척 본체 20, 200 : 정전기 발생부10, 100: electrostatic chuck body 20, 200: static electricity generating unit
30 : 전열수단 31 : 전열기30: heating means 31: heater
32 : 온도 감지 센서 33, 320 : 컨트롤러32: temperature sensor 33, 320: controller
34 : 전원 공급 유니트 210 : 도전제34: power supply unit 210: conductive agent
220 : 유전층 300 : 냉각수단220: dielectric layer 300: cooling means
310 : 냉각 공간부 W : 웨이퍼310: cooling space portion W: wafer
이를 실현하기 위한 본 발명은 정전척 본체와, 이 정전척 본체의 상부에 장착되어 정전기를 발생시켜 웨이퍼를 척킹시켜 주는 정전기 발생부를 포함하여 이루어지되, 상기 정전기 본체와 정전기 발생부 사이에는 정전척의 표면 온도를 검출하고 이로부터 온도 구배가 발생된 지점에 대해 독립적으로 발열가능하도록 전열수단이 구비되어 이루어진 것을 특징으로 한다.The present invention for realizing this includes the electrostatic chuck body and the electrostatic chuck body mounted on top of the electrostatic chuck body to generate the static electricity to chuck the wafer, wherein the surface of the electrostatic chuck between the electrostatic body and the electrostatic generator It is characterized in that the heating means is provided to detect the temperature and to be able to generate heat independently from the point where the temperature gradient is generated therefrom.
본 발명의 바람직한 구현예에서, 상기 전열수단은 정전기 발생부와 분할된 각 표면적 사이에 장착되는 다수의 전열기와, 정전척 본체의 표면 온도를 감지하는 온도 감지 센서와, 이 센서의 입력신호를 받아 상기 전열기를 독자적으로 발열시켜 주는 컨트롤러와, 상기 각 전열기에 전원을 공급해 주는 전원 공급 유니트를 포함하는 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment of the present invention, the heating means is a plurality of heaters mounted between the electrostatic generator and each divided surface area, a temperature sensor for sensing the surface temperature of the electrostatic chuck body, and receives the input signal of the sensor And a power supply unit for supplying power to each of the heaters.
또한, 상기 전열기는 띠편 형상의 원호 형태로 형성하여 이루어진 것을 특징으로 한다.In addition, the heater is characterized in that formed in the form of a strip-shaped circular arc.
또한, 상기 전열기는 히터인 것을 특징으로 한다.In addition, the heater is characterized in that the heater.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 구성 및 작용에 대해 설명하면 다음과같다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the configuration and operation of the present invention will be described.
첨부도면 도 1은 본 발명에 따르는 표면 온도 제어 시스템의 구성을 나타내는 단면도로, 도면부호 10은 정전척 본체를, 20은 정전기 발생부를, W는 웨이퍼를 각각 나타낸다.1 is a cross-sectional view showing the configuration of a surface temperature control system according to the present invention, wherein reference numeral 10 denotes an electrostatic chuck body, 20 denotes an electrostatic generator, and W denotes a wafer.
본 발명은 상기 웨이퍼(W)가 안착되는 정전척 본체(10)의 상면에 정전기를 발생시켜 주는 정전기 발생부(20)가 구비된 정전척에 있어서, 상기 정전척 본체(10)와 정전기 발생부(20) 사이에 등간격으로 구획된 분할 표면적에 대해 독자적으로 전열시켜 주도록 전열수단(30)을 구비하여 이루어진 것이다.The electrostatic chuck is provided with an electrostatic chuck 20 for generating static electricity on an upper surface of the electrostatic chuck main body 10 on which the wafer W is seated. The heat transfer means 30 is provided so as to independently heat the divided surface area partitioned at equal intervals.
여기서, 상기 전열수단(30)은 다수의 전열기(31)와, 정전척 본체(10)의 표면 온도를 검출하는 온도 감지 센서(32)와, 이 센서(32)의 입력 신호를 받아 온도 구배가 발생시 이에 상응하는 전열기(31)를 독자적으로 전열시켜 주는 컨트롤러(33)와, 상기 각 전열기(31)에 전원을 공급해 주는 전원 공급 유니트(34)로 구성되어 있다.Here, the heat transfer means 30 has a plurality of heaters 31, a temperature sensor 32 for detecting the surface temperature of the electrostatic chuck main body 10, and a temperature gradient in response to the input signal of the sensor 32 It is composed of a controller 33 that independently heats the corresponding heater 31 when generated, and a power supply unit 34 that supplies power to the heaters 31.
본 발명의 바람직한 구현예에서, 상기 전열기(31)는 첨부도면 도 2에서 도시한 바와 같이, 띠편 형상의 원호 형태로 제작하여 사용하는 것이 가장 바람직하다.In the preferred embodiment of the present invention, the heater 31 is most preferably used in the form of a strip-shaped circular arc shape, as shown in Figure 2 attached.
또한, 온도 감지 센서(32)는 첨부도면 도 1에서 하나가 장착된 것을 보여주고 있으나 바람직하기로는 정전척 본체(10)의 상면에 일정한 간격으로 다수개를 설치하고, 각각의 온도 감지 센서(32)로부터 검출된 값은 상기 컨트롤러(33)에 제공하여 컨트롤러(33)가 상기 전열기(31)에 전원 공급 여부를 결정할 수 있게 하는 것이 바람직하다.In addition, one of the temperature sensor 32 is shown in Figure 1 attached to the drawing, but preferably a plurality of at regular intervals on the upper surface of the electrostatic chuck main body 10, each temperature sensor 32 It is preferable that the detected value is provided to the controller 33 so that the controller 33 can determine whether to supply power to the heater 31.
여기서, 상기 컨트롤러(33)는 상술한 다수개의 온도 감지 센서(32)로부터 입력되는 온도값을 비교하여 정전척 본체(10)의 상면에서 온도 구배가 발생하였는지 여부를 판단하게 되며, 만일 온도 구배가 발생하였다고 판단하게 되면 온도가 낮은 온도 감지 센서(32)가 장착된 근방에 있는 전열기(31)를 독자적으로 전열시켜 온도 구배가 발생되는 것을 막아 주게 된다.Here, the controller 33 compares the temperature values input from the plurality of temperature sensors 32 described above to determine whether a temperature gradient has occurred on the upper surface of the electrostatic chuck body 10, and if the temperature gradient is If it is determined that the occurrence occurs, the electric heater 31 in the vicinity where the temperature sensor 32 is installed with low temperature is independently transferred to prevent the occurrence of a temperature gradient.
본 발명의 바람직한 구현예에서, 상기 전열기(31)는 분할된 면적에 맞도록 모양이나 형상을 쉽게 제작할 수 있으며 전열효과를 쉽게 조절하여 사용할 수 있는 히터를 사용하는 것이 바람직하다.In a preferred embodiment of the present invention, the heater 31 can be easily produced in the shape or shape to fit the divided area, it is preferable to use a heater that can be used to easily control the heat transfer effect.
또한, 상기 전원 공급 유니트(34)는 컨트롤러(33)의 제어에 의해 선택된 전열기(31)에 전원을 제공하는 일종의 전원이다.In addition, the power supply unit 34 is a kind of power supply for supplying power to the electric heater 31 selected by the control of the controller 33.
따라서, 상기 정전척은 정전척 본체(10)의 상면이 소정의 면적으로 분할되고 여기에 독자적으로 전열할 수 있도록 전열기(31)가 구비되어 있기 때문에 분할된 면적에 대해 열전달률 등의 변수를 고려하여 온도 제어가 가능하게 되는 것이다.Therefore, the electrostatic chuck has an electric heater 31 so that the upper surface of the electrostatic chuck main body 10 is divided into a predetermined area and heats independently thereof, so that variables such as heat transfer rate are considered for the divided area. Temperature control becomes possible.
이상에서 본 바와 같이 본 발명은 정전척 본체의 상면에 대해 소정의 크기를 갖는 분할 면적으로 분할하여 다수개의 전열기를 장착하여 각 전열기를 독자적으로 제어할 수 있게 함으로써 다음과 같은 효과를 얻게 된다.As described above, the present invention achieves the following effects by dividing the upper surface of the electrostatic chuck main body into a divided area having a predetermined size so that a plurality of heaters can be mounted to control each heater independently.
1) 온도 구배가 발생된 정전척 본체의 일부 영역에 대해서 전열이 가능하게 되어 정전척 본체의 온도를 일정하게 조절하는 것을 용이하게 할 수 있게 된다.1) It is possible to conduct heat transfer to a part of the area of the electrostatic chuck body in which the temperature gradient is generated, thereby facilitating the constant control of the temperature of the electrostatic chuck body.
2) 이에 따라 표면 온도 조절이 용이할 뿐만 아니라 웨이퍼의 크기가 큰 경우에도 정전척의 표면 온도를 균일하게 유지시켜 웨이퍼의 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.2) As a result, the surface temperature can be easily adjusted, and even when the size of the wafer is large, the surface temperature of the electrostatic chuck can be maintained uniformly, thereby improving the yield of the wafer.
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|---|---|---|---|---|
| CN113110644A (en) * | 2021-04-26 | 2021-07-13 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Temperature control method and temperature control system for electrostatic chuck |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57169244A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-18 | Canon Inc | Temperature controller for mask and wafer |
| US4971653A (en) * | 1990-03-14 | 1990-11-20 | Matrix Integrated Systems | Temperature controlled chuck for elevated temperature etch processing |
| KR20000071410A (en) * | 1999-03-04 | 2000-11-25 | 조셉 제이. 스위니 | Method and apparatus for reducing thermal gradients within a substrate support |
-
2001
- 2001-01-19 KR KR1020010003300A patent/KR20020062074A/en not_active Application Discontinuation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57169244A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-18 | Canon Inc | Temperature controller for mask and wafer |
| US4971653A (en) * | 1990-03-14 | 1990-11-20 | Matrix Integrated Systems | Temperature controlled chuck for elevated temperature etch processing |
| KR20000071410A (en) * | 1999-03-04 | 2000-11-25 | 조셉 제이. 스위니 | Method and apparatus for reducing thermal gradients within a substrate support |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113110644A (en) * | 2021-04-26 | 2021-07-13 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Temperature control method and temperature control system for electrostatic chuck |
| CN113110644B (en) * | 2021-04-26 | 2022-09-16 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Temperature control method and temperature control system for electrostatic chuck |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |