KR20020060340A - Method for testing a rambus memory - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로서, 좀 더 구체적으로는 실장 환경에 따른 램버스 메모리를 테스트할 수 있는 테스트 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor memory device, and more particularly, to a test method capable of testing a rambus memory according to a mounting environment.
전 세계적으로 시스템 환경에서 시스템의 성능을 판단하는 프로그램은 많이 존재한다. 하지만, 메모리 전용 테스트를 위하여 이의 특성에 적합하도록 개발된 프로그램은 많지 않다. 특히, 기존의 EDO/SDRAM에서 사용되고 있는 메모리 테스트 프로그램을 이용하여 램버스 메모리의 특성을 충분히 테스트하는 것이 상당히 어렵다. 즉, 램버스 전용 테스트 프로그램의 개발이 요구된다. 램버스 메모리는 램버스 채널과 병행하여 시스템에서 구현되는데, 램버스 메모리의 특성 민감도가 매우 높기 때문에, 채널의 품위와 메모리 셀의 특성을 동시에 테스트할 수 있는 도구가 절실히 요구되고 있다.There are many programs around the world that determine the performance of a system in the system environment. However, not many programs have been developed to suit their characteristics for memory-only testing. In particular, it is very difficult to fully test the characteristics of Rambus memory using memory test programs used in existing EDO / SDRAM. That is, development of a test program dedicated to Rambus is required. Rambus memory is implemented in the system in parallel with the Rambus channel. Since the sensitivity of the Rambus memory is very high, tools are needed to test the quality of the channel and the characteristics of the memory cell at the same time.
본 발명의 목적은 많은 노이즈가 채널에 유발되게 하는 환경을 구현할 수 있는 테스트 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a test method that can implement an environment in which a lot of noise is caused on a channel.
본 발명의 다른 목적은 메모리 특성의 판단을 위하여 특정 메모리 신호를 실장 환경에서 자유자래로 구현할 수 있는 테스트 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a test method capable of freely implementing a specific memory signal in a mounting environment for determining memory characteristics.
본 발명의 또 다른 목적은 불량이 발생할 때 정확한 메모리의 위치와 메모리 액세스를 자동으로 산출할 수 있는 테스트 방법을 제공하는 것이다.It is yet another object of the present invention to provide a test method that can automatically calculate the correct memory location and memory access when a failure occurs.
도 1은 본 발명에 따라 구현된 동시 스위칭 노이즈 신호를 보여주는 도면; 그리고1 shows a simultaneous switching noise signal implemented in accordance with the present invention; And
도 2는 본 발명에 따라 구현된 패턴 입출력을 보여주는 도면이다.2 is a view showing a pattern input and output implemented according to the present invention.
(구성)(Configuration)
상술한 제반 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 2-바이트의 8-버스트 형태로 구성된 패킷의 채널을 갖는 램버스 메모리 장치를 테스트하는 방법은 상기 램버스 메모리 장치의 모든 메모리들에/로부터 동일한 패턴의 32-비트 데이터를 반복적으로 기입/독출하는 단계 및; 하나의 데이터 출력 패드에 대해 시간축상으로 "01010101"로 토글되도록, 상위 16 비트와 하위 16 비트를 상보적으로 바꾸어주는 단계를 포함한다.According to a feature of the present invention for achieving the above objects, a method of testing a Rambus memory device having a channel of packets configured in a 2-byte 8-burst form is identical to / from all memories of the Rambus memory device. Repeatedly writing / reading 32-bit data of the pattern; Complementarily swapping the upper 16 bits and the lower 16 bits so as to toggle to "01010101" on the time axis for one data output pad.
(작용)(Action)
이러한 방법에 의하면, 먼저, 많은 노이즈가 채널에 유발되게 하는 환경을 구현할 수 있기 때문에, 램버스 채널에 충분한 스트레스를 가할 수 있는 신호를 구현할 수 있다.According to this method, first, since an environment in which a lot of noise is caused to a channel can be implemented, a signal capable of applying sufficient stress to the Rambus channel can be implemented.
(실시예)(Example)
이하 본 발명의 바람직한 실시예들이 참조 도면들에 의거하여 상세히 설명된다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings.
본 발명의 신규한 테스트 방법에 따르면, 먼저, 많은 노이즈가 채널에 유발되게 하는 환경을 구현할 수 있기 때문에, 램버스 채널에 충분한 스트레스를 가할 수 있는 신호를 구현할 수 있다. 그 다음에, 메모리 특성의 판단을 위하여 특정 메모리 신호를 실장 환경에서 자유자래로 구현할 수 있기 때문에, 메모리 테스트를 위하여 각종 패턴들을 메모리 채널에서 정확하게 구현할 수 있다. 마지막으로, 불량이 발생할 때 정확한 메모리의 위치와 메모리 액세스를 자동으로 산출할 수 있기 때문에, 불량 분석을 위한 페일 발생시 정확한 메모리 어드레스 및 위치를 자동적으로 컨버젼할 수 있다. 이는 이하 참조 도면들을 기초로 하여 상세히 설명될 것이다.According to the novel test method of the present invention, since an environment in which a lot of noise is caused on a channel can be implemented first, a signal capable of applying sufficient stress to a Rambus channel can be implemented. Then, since a specific memory signal can be freely implemented in a mounting environment for determining memory characteristics, various patterns can be accurately implemented in a memory channel for memory testing. Finally, since the correct memory location and memory access can be calculated automatically when a failure occurs, the correct memory address and location can be automatically converted when a failure occurs for failure analysis. This will be described in detail on the basis of the reference drawings below.
먼저, 램버스 채널에 스트레스를 가하는 방법은 다음과 같다. 동시 스위칭 노이즈 (simultaneous switching noise, SSN)를 극대로 유발시킬 수 있는 신호의 구현으로 채널과 메모리에 충분한 스트레스를 가할 수 있다. 램버스 채널은 하나의 패킷 (packet)으로 구성되며, 하나의 패킷은 16Byte로 구성되어 있는데 2Byte의 8 버스트 (burst) 형태로 구성되어 있다.First, the stress on the Rambus channel is as follows. Implementing a signal that can cause simultaneous simultaneous switching noise (SSN) can put enough stress on the channel and memory. The Rambus channel consists of one packet, and one packet consists of 16 bytes. It consists of 8 bursts of 2 bytes.
이에 램버스 채널의 특성을 효과적으로 판단할 수 있는 신호는 신호가 "01010101" 형태로 토글하는 것에 있다는 점을 이용하여 동시 스위칭 노이즈 환경 하에서 이의 신호를 구동시킬 수 있는 기능 패턴 (function pattern)이 구현된다. 입력 패턴은 32비트로서 모든 메모리에 동일한 패턴으로 독출/기입을 반복하는데이때 상위 16 비트와 하위 16 비트를 상보적으로 바꾸어줌으로써 하나의 DQ에 대해서 시간축상으로 01010101로 토글하게 된다. 여기서 추출된 패턴 상보 기능을 테스트 기능의 입력 패턴에 적용함으로써 테스트 효과를 극대화할 수 있다.Accordingly, the signal capable of effectively determining the characteristics of the Rambus channel is implemented in that the signal is toggled in the form of “01010101”, thereby implementing a function pattern capable of driving the signal in a simultaneous switching noise environment. The input pattern is 32 bits and repeats reading / writing with the same pattern in all memories. At this time, it toggles to 01010101 on the time axis for one DQ by changing the upper 16 bits and the lower 16 bits complementarily. The test effect can be maximized by applying the extracted pattern complementarity function to the input pattern of the test function.
메모리 테스트를 위한 의도 패턴 신호를 구현하는 방법은 다음과 같다. 램버스 메모리의 패킷을 어드레스별로 분석하여 각 어드레스에 해당하는 패턴을 연속적으로 발생시켜 메모리 특성 평가에 유용한 환경을 제공한다. 램버스 1 패킷은 중앙 처리 장치의 데이터 패턴의 (32 비트 * 4)로 구성되어 있다. 이에 대해서 중앙 처리 장치의 어드레스 맵핑을 분석한 결과 고유한 어드레스에 해당하는 위치에 동일한 출력을 보여준다. 즉, 하나의 패킷 중에서, 첫 번째 열은 CPU 어드레스가 -00h, 두 번째 열은 -02h, 세 번째 열은 -04h로서 CPU 어드레스의 순서에 따라 일정한 출력을 보여준다.The method of implementing the intention pattern signal for the memory test is as follows. By analyzing the packets of the RAM bus memory by address, it generates a pattern corresponding to each address continuously to provide a useful environment for evaluating memory characteristics. The Rambus 1 packet consists of (32 bits * 4) the data pattern of the central processing unit. As a result of analyzing the address mapping of the central processing unit, the same output is displayed at the position corresponding to the unique address. That is, in one packet, the first column has a CPU address of -00h, the second column of -02h, and the third column of -04h, showing constant output in the order of the CPU addresses.
이때, 하나의 패킷의 어드레스와 패턴간의 조합을 계산하여 CPU 명령을 구동할 때 반복적인 패턴을 구동하게끔 조작하면 항상 일정한 위치의 일정한 패턴을 메모리로부터 얻을 수 있다. CPU는 메모리에다 일정한 영역 (캐쉬 크기보다 큰 영역)을 원하는 패턴으로 기입하고 다시 일정한 영역 (캐쉬 크기보다 큰 영역)을 독출하면 메모리로부터 반복적인 독출 사이클을 얻어낼 수 있다.At this time, when a combination of addresses and patterns of one packet is calculated to operate a repetitive pattern when driving a CPU command, a constant pattern of a predetermined position can always be obtained from the memory. The CPU writes a predetermined area (larger than the cache size) into the memory in a desired pattern and reads the constant area (larger than the cache size) again to obtain a repetitive read cycle from the memory.
여기서, 입력되는 패턴을 정확하게 위치별로 제어할 수 있으므로 원하는 패턴을 연속적으로 얻어낼 수 있다. 이러한 툴을 이용하여 시스템에서의 램버스 메모리 특성을 정확하게 파악할 수 있으며, CPU 어드레스 영역을 조절하여 시스템의 특정 디바이스를 선택적으로 구동시킬 수 있다. 이를 활용하여 각 구성의 모든 특성을 시스템에서 파악할 수 있는 환경을 제공한다.Here, since the input pattern can be precisely controlled for each position, a desired pattern can be obtained continuously. These tools can be used to accurately determine Rambus memory characteristics in the system and to selectively drive specific devices in the system by adjusting the CPU address area. By utilizing this, it provides an environment where the system can understand all the characteristics of each configuration.
페일 발생시 자동적인 컨버젼 구현을 위한 방법은 다음과 같다.The following is the method for automatic conversion when a failure occurs.
메모리 테스트시 시스템에서 페일이 발생하였을 시 중앙 처리 장치의 어드레스 및 패턴만을 출력하는데 이로서는 정확한 디바이스 및 위치를 알 수 없다. 중앙 처리 장치의 어드레스 맵핑을 분석한 결과 램버스 채널에서의 메모리 영역은 램버스 구성의 순차적인 나열로 구성되어 잇다는 것이 밝혀졌고, 중앙 처리 장치의 어드레스가 발생되면 칩셋 (CHIPSET)에 저장되어 있는 구성 정보, 즉 크기 및 종류를 CPU 어드레스의 메모리 어드레스로서의 자동적인 컨버젼을 구현하였다. 메모리 맵은 각 칩셋마다 일정하게 구성되어 있고, 이에 대하여 소프트웨어적으로 환산하여 주는 아래의 코드를 개발하여 소프트웨어에 첨가함으로써 이루어진다.When a system fails during memory testing, it only outputs the address and pattern of the central processing unit, which does not know the exact device and location. Analysis of the address mapping of the central processing unit revealed that the memory area in the Rambus channel consists of a sequential sequence of Rambus configurations. When the address of the central processing unit is generated, the configuration information stored in the chipset (CHIPSET) In other words, the automatic conversion of the size and type as a memory address of the CPU address is implemented. The memory map is configured uniformly for each chipset, and is developed by developing and adding the following code that is converted into software.
0000 99-01-19 04:45:11 [Start] long run test0000 99-01-19 04:45:11 [Start] long run test
0500 99-01-19 04:47:51 Adjacent column Disturbance test : Error!0500 99-01-19 04:47:51 Adjacent column Disturbance test: Error!
Error physical address = 057D9288hError physical address = 057D9288h
Expected pattern data = EFEFEFEFhExpected pattern data = EFEFEFEFh
Actual pattern data = EFEFEDEFhActual pattern data = EFEFEDEFh
Actual Group ID = 02hActual Group ID = 02h
Actual Device ID = 02hActual Device ID = 02h
Actual Bank address = 03hActual Bank address = 03h
Actual Row address = 006FhActual Row address = 006Fh
Actual Column Address = 0028hActual Column Address = 0028h
0001 99-01-19 05:03:16 [End] long run test0001 99-01-19 05:03:16 [End] long run test
이러한 코드로부터 알 수 있듯이, CPU 어드레스 표시 및 메모리의 정확한 위치와 메모리 어드레스로의 변환이 구현될 수 있다.As can be seen from this code, the CPU address indication and the exact location of the memory and the translation into the memory address can be implemented.
상술한 바와 같이, 먼저, 많은 노이즈가 채널에 유발되게 하는 환경을 구현할 수 있기 때문에, 램버스 채널에 충분한 스트레스를 가할 수 있는 신호를 구현할 수 있다. 그 다음에, 메모리 특성의 판단을 위하여 특정 메모리 신호를 실장 환경에서 자유자래로 구현할 수 있기 때문에, 메모리 테스트를 위하여 각종 패턴들을 메모리 채널에서 정확하게 구현할 수 있다. 마지막으로, 불량이 발생할 때 정확한 메모리의 위치와 메모리 액세스를 자동으로 산출할 수 있기 때문에, 불량 분석을 위한 페일 발생시 정확한 메모리 어드레스 및 위치를 자동적으로 컨버젼할 수 있다.As described above, since an environment in which a lot of noise is caused to the channel can be implemented first, a signal capable of applying sufficient stress to the Rambus channel can be implemented. Then, since a specific memory signal can be freely implemented in a mounting environment for determining memory characteristics, various patterns can be accurately implemented in a memory channel for memory testing. Finally, since the correct memory location and memory access can be calculated automatically when a failure occurs, the correct memory address and location can be automatically converted when a failure occurs for failure analysis.
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KR1020010001364A KR20020060340A (en) | 2001-01-10 | 2001-01-10 | Method for testing a rambus memory |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030083488A (en) * | 2002-04-23 | 2003-10-30 | 삼성전자주식회사 | Method for testing action of a integrated circuit |
US9099166B2 (en) | 2013-02-07 | 2015-08-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory module and memory system comprising same |
-
2001
- 2001-01-10 KR KR1020010001364A patent/KR20020060340A/en not_active Application Discontinuation
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US9099166B2 (en) | 2013-02-07 | 2015-08-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory module and memory system comprising same |
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