KR20020043943A - Fringe field swiching mode lcd - Google Patents

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KR20020043943A
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주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지
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Abstract

PURPOSE: A fringe field switching mode liquid crystal display is provided to remove color shift and to eliminate black smear. CONSTITUTION: An upper substrate and a lower substrate(20) are arranged having a predetermined distance between the two substrates. Gate bus lines(21) and data bus lines(23) are formed on the lower substrate and arranged in matrix form to define pixel regions. A thin film transistor(TFT) is placed at each of the intersections of the gate bus lines and the data bus lines. A liquid crystal layer including liquid crystal molecules is interposed between the upper and lower substrates. A counter electrode(25) is formed at each pixel of the lower substrate. A pixel electrode(27) forms a fringe field together with the counter electrode. The first horizontal alignment film is formed on the inner side of the lower substrate and has the rubbing axis at 45 degrees to the gate bus lines. The second horizontal alignment film is formed on the inner side of the upper substrate and has the rubbing axis that is not parallel with the rubbing axis of the first horizontal alignment film. A polarizer having a predetermined polarizing axis is formed on the outer side of the lower substrate. A decomposer having an absorption axis perpendicular to the polarizing axis is formed on the outer side of the upper substrate.

Description

프린지 필드 구동 모드 액정 표시 장치{FRINGE FIELD SWICHING MODE LCD}Fringe field drive mode liquid crystal display device {FRINGE FIELD SWICHING MODE LCD}

본 발명은 프린지 필드 구동 액정 표시 장치(Fringe field switching mode LCD: 이하, FFS-LCD)에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 컬러 쉬프트 및 흑선 얼룩을 방지할 수 있는 FFS-LCD에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a fringe field switching liquid crystal display (FFS-LCD), and more particularly to an FFS-LCD capable of preventing color shift and black line unevenness.

일반적으로 FFS-LCD는 일반적인 IPS(in-plane switching)모드 LCD의 낮은 개구율 및 투과율을 개선시키기 하여 제안된 것으로, 이에 대하여 대한민국 특허출원제98-9243호로 출원되었다.In general, FFS-LCD has been proposed to improve the low aperture ratio and transmittance of the general in-plane switching (IPS) mode LCD, which has been filed in Korean Patent Application No. 98-9243.

도 1은 FFS-LCD의 하부 기판 구조를 나타낸 평면도이다.1 is a plan view showing a lower substrate structure of an FFS-LCD.

도 1을 참조하여, 게이트 버스 라인(3) 및 데이터 버스 라인(7)은 하부 기판(1) 상부에 교차 배열되어, 단위 화소(Pix)가 한정된다. 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 버스 라인(3)과 데이터 버스 라인(7)의 교차점 부근에는 박막 트랜지스터(TFT)가 배치된다. 카운터 전극(2)은 투명한 도전체로 형성되고, 단위 화소(pix)별로 각각 형성된다. 이때, 카운터 전극(2)은 사각 플레이트 형상으로 형성되거나, 빗 형태로 형성될수 있다. 공통 신호선(30)은 카운터 전극(2)에 지속적으로 공통 신호를 공급하기 위하여, 카운터 전극(2)과 콘택되도록 배치된다. 이때, 공통 신호선(30)은 신호 전달 특성이 우수한 금속막으로 형성되며, 일반적으로는 게이트 버스 라인용 금속막으로 형성된다. 아울러, 공통 신호선(30)은 게이트 버스 라인(3)과 평행하면서 카운터 전극(2)의 소정 부분과 콘택되는 제 1 부분(30a)과, 제 1 부분(30a)으로 부터 데이타 버스 라인(7)과 평행하게 연장되면서 카운터 전극(2)과 데이타 버스 라인(7) 사이에 각각 배치되는 제 2 부분(30b)을 포함한다. 화소 전극(9)은 카운터 전극(2)과 오버랩되도록, 단위 화소(pix)에 형성된다. 이때, 화소 전극(9)과 카운터 전극(2)은 전기적으로 절연되어 있다. 화소 전극(9)은 빗 형상으로 형성되며, 데이타 버스 라인(7)과 평행하면서 등간격으로 형성된 다수개의 빗살부(9a)와, 빗살부(9a)의 일단을 연결하면서 박막 트랜지스터(TFT)의 소정 부분과 콘택되는 바(9b)를 포함한다. 한편, 도면에는 도시되지 않았지만, 하부 기판(1)과 대향하는 상부 기판은 화소 전극(9)과 카운터 전극(5)과의 거리 보다 큰 폭으로대향,대치되고, 하부 기판(1)과 상부 기판 사이에는 수개의 액정 분자를 포함하는 액정층이 개재된다. 아울러, 하부 기판(1)의 내측 표면 및 상부 기판(도시되지 않음)의 내측 표면에는 수평 배향막이 배치된다. 이들중 하부 기판의 수평 배향막은 예를들어, 유전율 이방성이 음인 액정 분자를 이용하는 경우, 최대 투과율을 얻기 위하여, 프린지 필드의 투영선(즉, 게이트 버스 라인)과 12°를 이루는 러빙축을 갖고, 상부 기판의 수평 배향막은 하부 기판의 수평 배향막의 러빙축과 비병렬한 러빙축을 갖는다.Referring to FIG. 1, the gate bus line 3 and the data bus line 7 are cross-arranged on the lower substrate 1 to define a unit pixel Pix. In the thin film transistor TFT, the thin film transistor TFT is disposed near an intersection point of the gate bus line 3 and the data bus line 7. The counter electrode 2 is formed of a transparent conductor and is formed for each unit pixel pix. In this case, the counter electrode 2 may be formed in the shape of a square plate or in the form of a comb. The common signal line 30 is disposed in contact with the counter electrode 2 in order to continuously supply the common signal to the counter electrode 2. In this case, the common signal line 30 is formed of a metal film having excellent signal transmission characteristics, and is generally formed of a metal film for a gate bus line. In addition, the common signal line 30 includes a first portion 30a parallel to the gate bus line 3 and in contact with a predetermined portion of the counter electrode 2, and the data bus line 7 from the first portion 30a. And a second portion 30b extending in parallel with each other and disposed between the counter electrode 2 and the data bus line 7, respectively. The pixel electrode 9 is formed in the unit pixel pix so as to overlap with the counter electrode 2. At this time, the pixel electrode 9 and the counter electrode 2 are electrically insulated. The pixel electrode 9 is formed in a comb shape, and connects a plurality of comb portions 9a formed at equal intervals in parallel with the data bus line 7 and one end of the comb portion 9a of the thin film transistor TFT. And a bar 9b in contact with the predetermined portion. On the other hand, although not shown in the figure, the upper substrate facing the lower substrate 1 is opposed and replaced with a width greater than the distance between the pixel electrode 9 and the counter electrode 5, the lower substrate 1 and the upper substrate In between, a liquid crystal layer containing several liquid crystal molecules is interposed. In addition, a horizontal alignment layer is disposed on the inner surface of the lower substrate 1 and the inner surface of the upper substrate (not shown). Among them, the horizontal alignment layer of the lower substrate has a rubbing axis that forms 12 ° with the projection line (ie, the gate bus line) of the fringe field in order to obtain the maximum transmittance when using liquid crystal molecules having a negative dielectric anisotropy, for example. The horizontal alignment film of has a rubbing axis that is in parallel with the rubbing axis of the horizontal alignment film of the lower substrate.

이러한 구성을 갖는 FFS-LCD는 다음과 같이 동작한다.The FFS-LCD having such a configuration operates as follows.

카운터 전극(5)과 화소 전극(9) 사이에 전계가 형성되면, 카운터 전극(5)과 화소 전극(9) 사이의 거리, 즉, 게이트 절연막의 두께 보다 상하부 기판 간의 거리가 크므로, 두 전극 사이 및 전극 상부에 프린지 필드가 형성된다. 이 프린지 필드는 카운터 전극(5) 및 화소 전극(9) 상부에 전역에 미치게 되어, 전극 상부에 있는 액정 분자들은 모두 동작시킨다. 이에따라, 고개구율 및 고투과율을 실현할 수 있다.When an electric field is formed between the counter electrode 5 and the pixel electrode 9, the distance between the counter electrode 5 and the pixel electrode 9, that is, the distance between the upper and lower substrates is larger than the thickness of the gate insulating film, so that the two electrodes are larger. Fringe fields are formed between and over the electrodes. This fringe field extends over the counter electrode 5 and the pixel electrode 9 so that all of the liquid crystal molecules on the electrode are operated. Thereby, a high opening rate and a high transmittance can be realized.

그러나, 상술한 FFS-LCD는 단위 화소에 있는 대부분의 액정 분자이 동작되어, 고개구율 및 고투과율을 달성할 수 있었다. 하지만, 카운터 전극과 화소 전극 사이에 필드가 형성되면, 굴절율 이방성을 갖는 액정 분자들이 동일한 방향으로 일제히 동작되므로, 극각이 0°근처이고 방위각이 0°,90°,180°,270° 부근에서는 화이트 상태인데도 불구하고 소정의 색상이 나타난다. 이러한 현상을 컬러 쉬프트라 하며, 컬러 쉬프트는 다음의 식1에 의하여 더 자세히 설명된다.However, in the above-described FFS-LCD, most liquid crystal molecules in the unit pixel were operated to achieve high opening ratio and high transmittance. However, when a field is formed between the counter electrode and the pixel electrode, the liquid crystal molecules having refractive index anisotropy operate simultaneously in the same direction, so that the polar angle is near 0 ° and the azimuth is near 0 °, 90 °, 180 °, and 270 °. In spite of the condition, a certain color appears. This phenomenon is called color shift, and the color shift is explained in more detail by the following equation (1).

T≒T0sin2(2χ)·sin2(π·Δnd/λ)..............(식 1)T ≒ T 0 sin2 (2χ) · sin2 (π · Δnd / λ) .............. (Equation 1)

T: 투과율T: transmittance

T0: 참조(reference)광에 대한 투과율T 0 : Transmittance for reference light

χ: 액정 분자의 광축과 편광자의 편광축이 이루는 각χ: angle formed between the optical axis of the liquid crystal molecules and the polarization axis of the polarizer

Δn : 굴절율 이방성Δn: refractive index anisotropy

d : 상하 기판사이의 거리 또는 갭(액정층의 두께)d: distance or gap between the upper and lower substrates (thickness of the liquid crystal layer)

λ: 입사되는 광 파장λ: incident light wavelength

식 1에 의하면, 최대 투과율(T)을 얻기 위하여, χ가 π/4이든지, Δnd/λ가 π/2이 되어야 한다. 이때, Δnd가 변화되면(액정 분자의 굴절율 이방성값이 보는 방향에 따라 변화되기 때문이다.), λ값이 π/2를 만족시키기 위하여 변화된다. 이에따라, 변화된 광파장(λ)에 해당하는 색상이 화면에 나타내어진다.According to Equation 1, in order to obtain the maximum transmittance T, χ should be π / 4 or Δnd / λ should be π / 2. At this time, when Δnd is changed (because the refractive index anisotropy value of the liquid crystal molecules changes depending on the viewing direction), the λ value is changed to satisfy π / 2. Accordingly, the color corresponding to the changed light wavelength [lambda] is displayed on the screen.

따라서, 도면의 α방향에서는, Δn이 상대적으로 감소됨에 따라, 최대 투과율에 이르기 위한 입사광의 파장이 상대적으로 짧아진다. 이에 따라, 사용자는 화이트의 파장보다 더 짧은 파장을 갖는 파란색을 보게 된다.Therefore, in the? Direction in the figure, as? N is relatively reduced, the wavelength of incident light for reaching the maximum transmittance is relatively shortened. Accordingly, the user sees blue having a wavelength shorter than that of white.

한편, 도면의 β방향에서는, Δn이 상대적으로 증대됨에 따라, 입사광의 파장이 상대적으로 길어진다. 이에따라, 사용자는 화이트의 파장보다 더 긴 파장을 갖는 노란색을 보게된다. 이로 인하여, 화이트 상태의 화질 특성이 저하된다.On the other hand, in the beta direction of the figure, as Δn is relatively increased, the wavelength of the incident light becomes relatively long. Accordingly, the user sees yellow with a wavelength longer than that of white. For this reason, the image quality characteristic of a white state falls.

또한, 일반적으로 FFS-LCD의 흑선 얼룩은 도 2에 도시된 바와 같이, 프린지필드의 투영선과 러빙축이 이루는 각도(이하 러빙각)가 45°에 가까울수록 감소된다. 그러나, 상술한 종래의 FFS-LCD는 유전율 이방성이 음인 액정을 사용할 경우, 러빙각이 12°를 이루므로, 흑선 얼룩이 필연적으로 발생된다.Also, as shown in FIG. 2, the black line unevenness of the FFS-LCD generally decreases as the angle between the projection line of the fringe field and the rubbing axis (hereinafter referred to as the rubbing angle) approaches 45 °. However, in the conventional FFS-LCD described above, when a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy is used, the rubbing angle is 12 °, and black line unevenness is inevitably generated.

따라서, 본 발명의 목적은 컬러 쉬프트를 제거함과 동시에, 흑선 얼룩을 제거할 수 있는 FFS-LCD를 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide an FFS-LCD capable of removing black spots while at the same time removing color shift.

도 1은 종래의 프린지 필드 구동 모드 액정 표시 장치를 나타낸 평면도.1 is a plan view showing a conventional fringe field drive mode liquid crystal display device.

도 2는 FFS-LCD의 러빙각에 따른 흑선 얼룩 정도를 나타낸 그래프.2 is a graph showing the degree of black line staining according to the rubbing angle of the FFS-LCD.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 FFS-LCD의 평면도.3 is a plan view of an FFS-LCD in accordance with an embodiment of the present invention.

도 4는 러빙각에 따른 투과율을 나타낸 그래프.4 is a graph showing the transmittance according to the rubbing angle.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 FFS-LCD의 평면도.5 is a plan view of an FFS-LCD according to another embodiment of the present invention;

-도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명-Explanation of symbols on main parts of drawing

20 - 하부 기판 25 - 카운터 전극20-lower substrate 25-counter electrode

27,270 - 화소 전극27,270-pixel electrode

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 소정 거리를 두고 배치되는 상,하부 기판; 상기 하부 기판상에 형성되며, 단위 화소를 한정하도록 매트릭스 형태로 배치되는 게이트 버스 라인과 데이터 버스 라인; 상기 게이트 버스 라인과 데이터 버스 라인의 교차점 각각에 배치되는 박막 트랜지스터; 상하 기판 사이에 개재되는 수개의 액정 분자를 포함하는 액정층; 상기 하부 기판의 각 단위 화소에 각각 형성되는 카운터 전극; 상기 카운터 전극과 함께 프린지 필드를 형성하고, 수개의 빗살을 포함하는 화소 전극; 상기 하부 기판의 내측 표면에 형성되며, 상기 게이트 버스 라인과 45°를 이루는 러빙축을 갖는 제 1 수평 배향막; 상기 상부 기판의 내측 표면에 형성되며, 상기 제 1 수평 배향막의 러빙축과 비병렬한 러빙축을 갖는 제 2 수평 배향막; 상기 하부 기판의 외측면에 형성되며, 소정의 편광축을 갖는 편광자; 및 상기 상부 기판의 외측면에 형성되며, 편광축과 수직을 이루는 흡수축을 갖는 분해자를 포함하며, 상기 화소 전극의 빗살은 선택된 단위 화소내에서는 게이트 버스 라인과 45+α°를 이루고, 상기 선택된 단위 화소와 상하 좌우 인접한 단위 화소 내에서는 게이트 버스 라인과 45-α°를 이루는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object of the present invention, the present invention, the upper and lower substrates disposed at a predetermined distance; A gate bus line and a data bus line formed on the lower substrate and disposed in a matrix to define unit pixels; A thin film transistor disposed at each intersection of the gate bus line and the data bus line; A liquid crystal layer comprising several liquid crystal molecules interposed between the upper and lower substrates; A counter electrode formed on each unit pixel of the lower substrate; A pixel electrode forming a fringe field together with the counter electrode and including several comb teeth; A first horizontal alignment layer formed on an inner surface of the lower substrate and having a rubbing axis formed at 45 ° with the gate bus line; A second horizontal alignment layer formed on an inner surface of the upper substrate and having a rubbing axis that is non-parallel to a rubbing axis of the first horizontal alignment layer; A polarizer formed on an outer surface of the lower substrate and having a predetermined polarization axis; And a decomposer formed on an outer surface of the upper substrate and having an absorption axis perpendicular to the polarization axis, wherein the comb teeth of the pixel electrode form 45 + α ° with a gate bus line in the selected unit pixel. And 45-α degrees with the gate bus line in upper, lower, left, and right unit pixels.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 의하면, 소정 거리를 두고 배치되는 상,하부 기판; 상기 하부 기판상에 형성되며, 단위 화소를 한정하도록 매트릭스 형태로 배치되는 게이트 버스 라인과 데이터 버스 라인; 상기 게이트 버스 라인과 데이터 버스 라인의 교차점 각각에 배치되는 박막 트랜지스터; 상하 기판 사이에 개재되는 수개의 액정 분자를 포함하는 액정층; 상기 하부 기판의 각 단위 화소에 각각 형성되는 카운터 전극; 상기 카운터 전극과 함께 프린지 필드를 형성하고, 수개의 빗살을 포함하는 화소 전극; 상기 하부 기판의 내측 표면에 형성되며, 상기 게이트 버스 라인과 -45°를 이루는 러빙축을 갖는 제 1 수평 배향막; 상기 상부 기판의 내측 표면에 형성되며, 상기 제 1 수평 배향막의 러빙축과 비병렬한 러빙축을 갖는 제 2 수평 배향막; 상기 하부 기판의 외측면에 형성되며, 소정의 편광축을 갖는 편광자; 및 상기 상부 기판의 외측면에 형성되며, 편광축과 수직을 이루는 흡수축을 갖는 분해자를 포함하며, 상기 화소 전극의 빗살은 선택된 단위 화소내에서는 게이트 버스 라인과 -(45+α°)를 이루고, 상기 선택된 단위 화소와 상하 좌우 인접한 단위 화소 내에서는 게이트 버스 라인과 -(45-α°)를 이루는 것을 특징으로 한다.In addition, according to another embodiment of the present invention, the upper and lower substrates disposed at a predetermined distance; A gate bus line and a data bus line formed on the lower substrate and disposed in a matrix to define unit pixels; A thin film transistor disposed at each intersection of the gate bus line and the data bus line; A liquid crystal layer comprising several liquid crystal molecules interposed between the upper and lower substrates; A counter electrode formed on each unit pixel of the lower substrate; A pixel electrode forming a fringe field together with the counter electrode and including several comb teeth; A first horizontal alignment layer formed on an inner surface of the lower substrate and having a rubbing axis forming −45 ° with the gate bus line; A second horizontal alignment layer formed on an inner surface of the upper substrate and having a rubbing axis that is non-parallel to a rubbing axis of the first horizontal alignment layer; A polarizer formed on an outer surface of the lower substrate and having a predetermined polarization axis; And a decomposer formed on an outer surface of the upper substrate and having an absorption axis perpendicular to the polarization axis, wherein the comb teeth of the pixel electrode form a-(45 + α °) with the gate bus line in the selected unit pixel. The unit bus may be connected to the gate bus line at − (45−α °) within the selected unit pixel.

또한, 소정 거리를 두고 배치되는 상,하부 기판; 상기 하부 기판상에 형성되며, 단위 화소를 한정하도록 매트릭스 형태로 배치되는 게이트 버스 라인과 데이터 버스 라인; 상기 게이트 버스 라인과 데이터 버스 라인의 교차점 각각에 배치되는 박막 트랜지스터; 상하 기판 사이에 개재되는 수개의 액정 분자를 포함하는 액정층; 상기 하부 기판의 각 단위 화소에 각각 형성되는 카운터 전극; 상기 카운터 전극과 함께 프린지 필드를 형성하고, 수개의 빗살을 포함하는 화소 전극; 상기 하부 기판의 내측 표면에 형성되며, 상기 게이트 버스 라인과 45°를 이루는 러빙축을 갖는 제 1 수평 배향막; 상기 상부 기판의 내측 표면에 형성되며, 상기 제 1 수평 배향막의 러빙축과 비병렬한 러빙축을 갖는 제 2 수평 배향막; 상기 하부 기판의 외측면에 형성되며, 소정의 편광축을 갖는 편광자; 및 상기 상부 기판의 외측면에 형성되며, 편광축과 수직을 이루는 흡수축을 갖는 분해자를 포함하며, 상기 단위 화소내에 배치되는 화소 전극의 빗살중 일부분은 게이트 버스 라인과 45+α°를 이루고, 상기 단위 화소내에 배치된 화소 전극의 빗살중 나머지 부분은 게이트 버스 라인과 45-α°를 이루는 것을 특징으로 한다.In addition, the upper and lower substrates disposed at a predetermined distance; A gate bus line and a data bus line formed on the lower substrate and disposed in a matrix to define unit pixels; A thin film transistor disposed at each intersection of the gate bus line and the data bus line; A liquid crystal layer comprising several liquid crystal molecules interposed between the upper and lower substrates; A counter electrode formed on each unit pixel of the lower substrate; A pixel electrode forming a fringe field together with the counter electrode and including several comb teeth; A first horizontal alignment layer formed on an inner surface of the lower substrate and having a rubbing axis formed at 45 ° with the gate bus line; A second horizontal alignment layer formed on an inner surface of the upper substrate and having a rubbing axis that is non-parallel to a rubbing axis of the first horizontal alignment layer; A polarizer formed on an outer surface of the lower substrate and having a predetermined polarization axis; And a decomposer formed on an outer surface of the upper substrate, the decomposer having an absorption axis perpendicular to the polarization axis, wherein a part of the comb teeth of the pixel electrode disposed in the unit pixel form 45 + α ° with a gate bus line. The remaining portion of the comb teeth of the pixel electrode arranged in the pixel is characterized by forming a 45-? Degree with the gate bus line.

(실시예)(Example)

이하 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명하도록 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

첨부한 도면 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 FFS-LCD의 평면도이고, 도 4는 러빙각에 따른 투과율을 나타낸 그래프이며, 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 FFS-LCD의 평면도이다.Figure 3 is a plan view of the FFS-LCD according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a graph showing the transmittance according to the rubbing angle, Figure 5 is a plan view of the FFS-LCD according to another embodiment of the present invention to be.

도 3을 참조하여, 하부 기판(20) 상부에 다수개의 게이트 버스 라인(21)과 데이터 버스 라인(23)이 교차 배열되어, 매트릭스 형태의 단위 화소가 한정된다. 게이트 버스 라인(21) 및 데이터 버스 라인(23)의 교차점 부근에는 스위칭 소자로서의 박막 트랜지스터(TFT)가 배치된다.Referring to FIG. 3, a plurality of gate bus lines 21 and data bus lines 23 are intersected on the lower substrate 20 to define a unit pixel in a matrix form. The thin film transistor TFT as a switching element is disposed near the intersection of the gate bus line 21 and the data bus line 23.

카운터 전극(25)은 각 단위 화소내에 플레이트 형태로 배치된다. 이때, 카운터 전극(25)은 투명 도전 물질 예를들어, ITO(indium tin oxide) 물질로 형성되며, 단위 화소를 한정하는 게이트 버스 라인(21) 및 데이터 버스 라인(23)과 소정 거리만큼 이격된다.The counter electrode 25 is arranged in a plate form in each unit pixel. In this case, the counter electrode 25 is formed of a transparent conductive material, for example, an indium tin oxide (ITO) material, and is spaced apart from the gate bus line 21 and the data bus line 23 defining a unit pixel by a predetermined distance. .

공통 신호선(25a)은 카운터 전극(25)에 공통 신호를 전달하기 위하여 카운터 전극(25)과 콘택된다. 이때, 공통 신호선(25a)은 게이트 버스 라인(21)과 평행하게 연장된다.The common signal line 25a is in contact with the counter electrode 25 to transmit a common signal to the counter electrode 25. At this time, the common signal line 25a extends in parallel with the gate bus line 21.

화소 전극(27)은 단위 화소 각각에 카운터 전극(25)과 오버랩되도록 형성된다. 이러한 화소 전극(27)은 카운터 전극(25)과 마찬가지로 투명 도전 물질로 형성되고, 소정 부분이 박막 트랜지스터(TFT)와 콘택된다. 이때, 화소 전극(27)은 다수개의 빗살을 갖는 빗 형상으로 형성되며, 이들 빗살은 게이트 버스 라인(21,또는 공통 전극선)에 대하여 소정 각도를 이루도록 사선 형태로 연장된다. 아울러, 선택된 어느 하나의 단위 화소내에 형성된 빗살(27-1, 이하 제 1 빗살)은 게이트 버스 라인(21)과 45+α°를 이루도록 형성되고, 선택된 단위 화소와 상하좌우 인접하는 다른 단위 화소내에 형성되는 빗살(27-2, 이하 제 2 빗살)은 게이트 버스 라인(21)과 45-α°를 이루도록 형성되며, 이러한 규칙이 수개의 단위 화소에 동일하게 적용된다. 여기서, 도 4는 FFS-LCD에서 러빙각(프린지 필드의 투영선과 러빙축이 이루는 각)의 변화에 따른 투과율을 나타낸 그래프로서, 본 도면은 러빙각(Rd)을 12°, 25°,30°로 각각 변화시켰을 때, 투과율을 측정한 것이다. 본 실험에 의하면, FFS-LCD에서 러빙각(Rd)이 12°일 때 2.5 내지 5.5V의 전압에서 최대 투과율을 보였다. 이를 근거로 하여, 최대 투과율을 얻을 수 있도록, 제 1 빗살(27-1)은 게이트 버스 라인(21)과 57°(45+12°)를 이루고, 제 2 빗살(27-2)은 게이트 버스 라인(21)과 33°(45-12°)를 이루도록 배치된다. 또한, 각 단위 화소내에 형성되는 다수의 빗살(27-1,27-2)은 등간격으로 이격되도록 배치되고, 각 빗살(27-1 또는 27-2)에, 박막 트랜지스터(TFT) 스위칭시 데이터 버스 라인(23)의 신호가 모두 전달될 수 있도록, 그 단부가 부분적으로 연결된다. 여기서, 단부의 연결은 여러 가지 형태로 변화시킬 수 있다.The pixel electrode 27 is formed to overlap the counter electrode 25 in each unit pixel. Like the counter electrode 25, the pixel electrode 27 is formed of a transparent conductive material, and a predetermined portion is in contact with the thin film transistor TFT. In this case, the pixel electrode 27 is formed in a comb shape having a plurality of comb teeth, and these comb teeth extend in a diagonal shape to form a predetermined angle with respect to the gate bus line 21 or the common electrode line. In addition, the comb teeth 27-1 (hereinafter referred to as the first comb teeth) formed in any one selected unit pixel are formed to form 45 + α degrees with the gate bus line 21 and in other unit pixels adjacent to the selected unit pixel. The formed comb 27-2 (hereinafter referred to as the second comb) is formed to form a 45-? Degree with the gate bus line 21, and this rule is equally applied to several unit pixels. Here, FIG. 4 is a graph showing the transmittance according to the change of the rubbing angle (the angle formed between the projection line of the fringe field and the rubbing axis) in the FFS-LCD, and the drawing shows the rubbing angle Rd of 12 °, 25 °, and 30 ° The transmittance was measured when each changed to. According to the present experiment, the maximum transmittance was shown at a voltage of 2.5 to 5.5V when the rubbing angle Rd was 12 ° in the FFS-LCD. Based on this, the first comb 27-1 forms 57 ° (45 + 12 °) with the gate bus line 21 so that the maximum transmittance can be obtained, and the second comb 27-2 forms the gate bus. 33 ° (45-12 °) with line 21. In addition, the plurality of comb teeth 27-1 and 27-2 formed in each unit pixel are arranged to be spaced at equal intervals, and the data at the time of switching the thin film transistor TFT to each comb 27-1 or 27-2. The ends are partially connected so that all the signals of the bus line 23 can be transmitted. Here, the connection of the ends can be changed in various forms.

이러한 하부 기판(20) 결과물 상부에는 제 1 수평 배향막(도시되지 않음)이 덮혀진다. 이 제 1 수평 배향막은 10°이하의 프리틸트각을 가지며, 소정의 러빙축(R)을 갖는다. 여기서, 제 1 수평 배향막의 러빙축(R)은 단위 화소와 상관없이, 게이트 버스 라인(21)에 대하여 45°를 이룬다.The first horizontal alignment layer (not shown) is covered on the result of the lower substrate 20. This first horizontal alignment film has a pretilt angle of 10 ° or less and has a predetermined rubbing axis R. As shown in FIG. Here, the rubbing axis R of the first horizontal alignment layer is 45 ° with respect to the gate bus line 21 regardless of the unit pixel.

한편, 상부 기판(도시되지 않음)은 상술한 하부 기판(20)과 소정 거리를 두고 대향된다. 여기서, 상부 기판의 내측면에는 컬러화를 실현하기 위한 컬러 필터(도시되지 않음)이 배치되고, 컬러 필터의 표면에는 제 2 수평 배향막(도시되지 않음)이 형성된다. 여기서, 제 2 수평 배향막은 제 1 수평 배향막의 러빙축(R)과 비병렬한 러빙축을 갖는다.On the other hand, the upper substrate (not shown) is opposed to the above-described lower substrate 20 at a predetermined distance. Here, a color filter (not shown) for realizing colorization is disposed on the inner surface of the upper substrate, and a second horizontal alignment film (not shown) is formed on the surface of the color filter. Here, the second horizontal alignment layer has a rubbing axis that is not parallel to the rubbing axis R of the first horizontal alignment layer.

액정층(도시되지 않음)은 상부 기판과 하부 기판(20) 사이에 개재된다. 여기서, 액정층은 수개의 액정 분자들(100a,100b)로 구성된다. 아울러, 액정층의 위상 지연(dΔn)은 투과율을 고려하여, 0.2 내지 0.4㎛를 만족하도록 한다.A liquid crystal layer (not shown) is interposed between the upper substrate and the lower substrate 20. Here, the liquid crystal layer is composed of several liquid crystal molecules 100a and 100b. In addition, the phase retardation dΔn of the liquid crystal layer is set to satisfy 0.2 to 0.4 μm in consideration of transmittance.

편광자(도시되지 않음)은 하부 기판(20)의 외측면에 배치되며, 노말리 블랙 모드로 구동되도록 러빙축(R)과 일치하는 편광축을 갖는다. 한편, 편광자와 광학적으로 관련되는 분해자(도시되지 않음)은 상부 기판의 외측면에 배치되며, 편광축과 직교하는 흡수축을 갖는다.The polarizer (not shown) is disposed on the outer surface of the lower substrate 20 and has a polarization axis coincident with the rubbing axis R to be driven in the normally black mode. On the other hand, an optically related decomposer (not shown) is disposed on the outer surface of the upper substrate and has an absorption axis orthogonal to the polarization axis.

이러한 본 발명의 FFS-LCD는 다음과 같이 동작된다.This FFS-LCD of the present invention operates as follows.

먼저, 카운터 전극(25)과 화소 전극(27) 사이에 전압차가 발생되지 않으면, 액정 분자(100a,100b)는 그 장축이 러빙축(R)과 일치하도록 배열된다.First, if no voltage difference is generated between the counter electrode 25 and the pixel electrode 27, the liquid crystal molecules 100a and 100b are arranged such that their long axes coincide with the rubbing axis R. As shown in FIG.

그후, 카운터 전극(25)과 제 2 화소 전극(27) 사이에 전압차가 발생되면, 각 단위 화소에 프린지 필드가 형성된다. 이때, 선택된 단위 화소에서는 제 1 빗살(27-1) 및 카운터 전극(25)에 의하여, 제 1 빗살(27-1)에 대하여 법선 형태의 프린지 필드(E1)가 형성된다. 한편, 선택된 단위 화소에 인접하는 다른 단위 화소에서는 제 2 빗살(27-2) 및 카운터 전극(25)에 의하여, 제 2 빗살(27-2)에 대하여 법선 형태의 프린지 필드(E2)가 형성된다. 즉, 선택된 단위 화소와 인접하는 다른 단위 화소에서는 서로 러빙축을 기준으로 대칭된 프린지 필드(E1,E2)가 발생된다. 이에따라, 선택된 단위 화소내의 액정 분자(100a)는 시계 방향으로 트위스트되고, 그와 인접한 다른 단위 화소내의 액정 분자(100b)는 반시계 방향으로 트위스트된다.Thereafter, when a voltage difference is generated between the counter electrode 25 and the second pixel electrode 27, a fringe field is formed in each unit pixel. At this time, in the selected unit pixel, a fringe field E1 having a normal shape is formed on the first comb 27-1 by the first comb 27-1 and the counter electrode 25. On the other hand, in another unit pixel adjacent to the selected unit pixel, a fringe field E2 having a normal form is formed on the second comb 27-2 by the second comb 27-2 and the counter electrode 25. . That is, the fringe fields E1 and E2 symmetrical with respect to the rubbing axis are generated in the selected unit pixel and other adjacent unit pixels. Accordingly, the liquid crystal molecules 100a in the selected unit pixel are twisted in the clockwise direction, and the liquid crystal molecules 100b in another unit pixel adjacent thereto are twisted in the counterclockwise direction.

이에따라, 필드 인가시, 단위 화소 별로 액정 분자들(100a,100b)이 대칭적으로 트위스트되어 액정 분자의 굴절율 이방성을 보상시킬 수 있어, 컬러 쉬프트 문제점이 감소된다.Accordingly, when the field is applied, the liquid crystal molecules 100a and 100b are symmetrically twisted for each unit pixel to compensate for the refractive anisotropy of the liquid crystal molecules, thereby reducing the color shift problem.

더욱이, 러빙축(R)이 게이트 버스 라인(21)과 45°를 이루도록 러빙되어, 흑선 얼룩 문제점이 개선된다.Furthermore, the rubbing axis R is rubbed to form 45 ° with the gate bus line 21, so that the problem of black line staining is improved.

본 발명은 상술한 실시예에만 한정되는 것은 아니다.This invention is not limited only to the above-mentioned embodiment.

본 실시예는 단위 화소별로, 러빙축에 대하여 대칭된 프린지 필드가 형성되도록 하였다. 하지만, 도 4에서와 같이, 단위 화소내에 러빙축에 대칭된 프린지 필드가 형성되도록 구성하여도 동일한 효과를 거둘수 있다. 즉, 게이트 버스 라인(21), 데이터 버스 라인(23), 박막 트랜지스터(TFT) 및 카운터 전극(25)의 배치는 동일하게 하고, 화소 전극(270)은 단위 화소의 일 부분에 형성되고 게이트 버스 라인(21)과 45+α°를 이루는 제 1 빗살(270-1)과, 단위 화소의 나머지 부분에 형성되고, 게이트 버스 라인(21)과 45-α°를 이루는 제 2 빗살(270-2)을 포함하도록 형성된다. 이와같이 구성하여도라, 단위 화소내에 러빙축에 대하여 대칭인 두 방향의 프린지 필드가 형성되어, 컬러 쉬프트 및 흑선 얼룩을 개선할 수 있다.In this embodiment, fringe fields symmetrical with respect to the rubbing axis are formed for each unit pixel. However, as shown in FIG. 4, the same effect can be obtained when the fringe field symmetrical to the rubbing axis is formed in the unit pixel. That is, the arrangement of the gate bus line 21, the data bus line 23, the thin film transistor TFT, and the counter electrode 25 are the same, and the pixel electrode 270 is formed on a portion of the unit pixel and the gate bus First comb teeth 270-1 forming 45 + α degrees with the line 21, and second combs 270-2 formed in the remaining portion of the unit pixel and forming 45-α degrees with the gate bus line 21; It is formed to include). In this way, the fringe fields in two directions symmetrical with respect to the rubbing axis are formed in the unit pixel, thereby improving color shift and black line unevenness.

또한, 본 실시예들에서는 화소 전극의 빗살을 게이트 버스 라인(21)에 대하여 45+α° 및 45-α°를 이루도록 구성하였지만, 러빙축은 게이트 버스 라인과 -45°를 이루고, 화소 전극의 빗살들은 게이트 버스 라인과 -(45+α°) 및 -(45-α°)를 이루도록 구성하여도 동일한 효과를 거둘수 있다.Further, in the present embodiments, the comb teeth of the pixel electrodes are configured to form 45 + α degrees and 45-α degrees with respect to the gate bus lines 21, but the rubbing axis forms -45 degrees with the gate bus lines, and the comb teeth of the pixel electrodes are formed. The same effect can be obtained when the gate bus line is configured to form-(45 + α °) and-(45-α °).

이상에서 자세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, FFS-LCD에서, 러빙축이 게이트 버스 라인과 45°를 이루고, 필드 인가시, 러빙축에 대하여 대칭인 두 방향의 프린지 필드가 형성되어, 컬러 쉬프트 및 흑선 얼룩의 발생이 방지된다.As described in detail above, according to the present invention, in the FFS-LCD, the rubbing axis forms 45 ° with the gate bus line, and when the field is applied, fringe fields in two directions symmetrical with respect to the rubbing axis are formed, thereby providing color shift. And black line staining is prevented.

따라서, FFS-LCD의 화질 특성이 개선된다.Thus, the image quality characteristic of the FFS-LCD is improved.

기타, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.In addition, this invention can be implemented in various changes within the range which does not deviate from the summary.

Claims (7)

소정 거리를 두고 배치되는 상,하부 기판;Upper and lower substrates disposed at a predetermined distance; 상기 하부 기판상에 형성되며, 단위 화소를 한정하도록 매트릭스 형태로 배치되는 게이트 버스 라인과 데이터 버스 라인;A gate bus line and a data bus line formed on the lower substrate and disposed in a matrix to define unit pixels; 상기 게이트 버스 라인과 데이터 버스 라인의 교차점 각각에 배치되는 박막 트랜지스터;A thin film transistor disposed at each intersection of the gate bus line and the data bus line; 상하 기판 사이에 개재되는 수개의 액정 분자를 포함하는 액정층;A liquid crystal layer comprising several liquid crystal molecules interposed between the upper and lower substrates; 상기 하부 기판의 각 단위 화소에 각각 형성되는 카운터 전극;A counter electrode formed on each unit pixel of the lower substrate; 상기 카운터 전극과 함께 프린지 필드를 형성하고, 수개의 빗살을 포함하는 화소 전극;A pixel electrode forming a fringe field together with the counter electrode and including several comb teeth; 상기 하부 기판의 내측 표면에 형성되며, 상기 게이트 버스 라인과 45°를 이루는 러빙축을 갖는 제 1 수평 배향막;A first horizontal alignment layer formed on an inner surface of the lower substrate and having a rubbing axis formed at 45 ° with the gate bus line; 상기 상부 기판의 내측 표면에 형성되며, 상기 제 1 수평 배향막의 러빙축과 비병렬한 러빙축을 갖는 제 2 수평 배향막;A second horizontal alignment layer formed on an inner surface of the upper substrate and having a rubbing axis that is non-parallel to a rubbing axis of the first horizontal alignment layer; 상기 하부 기판의 외측면에 형성되며, 소정의 편광축을 갖는 편광자; 및A polarizer formed on an outer surface of the lower substrate and having a predetermined polarization axis; And 상기 상부 기판의 외측면에 형성되며, 편광축과 수직을 이루는 흡수축을 갖는 분해자를 포함하며,A decomposer formed on an outer surface of the upper substrate and having an absorption axis perpendicular to the polarization axis, 상기 화소 전극의 빗살은 선택된 단위 화소내에서는 게이트 버스 라인과 45+α°를 이루고,The comb teeth of the pixel electrode form 45 + α ° with the gate bus line in the selected unit pixel. 상기 선택된 단위 화소와 상하 좌우 인접한 단위 화소 내에서는 게이트 버스 라인과 45-α°를 이루는 것을 특징으로 하는 FFS-LCD.And a gate bus line having a 45-? Degree angle in upper, lower, left, and right adjacent unit pixels with the selected unit pixel. 제 1 항에 있어서, 상기 α°는 12°인 것을 특징으로 하는 FFS-LCD.The FFS-LCD of claim 1, wherein the α ° is 12 °. 제 1 항에 있어서, 상기 액정층의 위상 지연은 0.2 내지 0.4㎛인 것을 특징으로 하는 FFS-LCD.The FFS-LCD of claim 1, wherein the phase retardation of the liquid crystal layer is 0.2 to 0.4 mu m. 소정 거리를 두고 배치되는 상,하부 기판;Upper and lower substrates disposed at a predetermined distance; 상기 하부 기판상에 형성되며, 단위 화소를 한정하도록 매트릭스 형태로 배치되는 게이트 버스 라인과 데이터 버스 라인;A gate bus line and a data bus line formed on the lower substrate and disposed in a matrix to define unit pixels; 상기 게이트 버스 라인과 데이터 버스 라인의 교차점 각각에 배치되는 박막 트랜지스터;A thin film transistor disposed at each intersection of the gate bus line and the data bus line; 상하 기판 사이에 개재되는 수개의 액정 분자를 포함하는 액정층;A liquid crystal layer comprising several liquid crystal molecules interposed between the upper and lower substrates; 상기 하부 기판의 각 단위 화소에 각각 형성되는 카운터 전극;A counter electrode formed on each unit pixel of the lower substrate; 상기 카운터 전극과 함께 프린지 필드를 형성하고, 수개의 빗살을 포함하는 화소 전극;A pixel electrode forming a fringe field together with the counter electrode and including several comb teeth; 상기 하부 기판의 내측 표면에 형성되며, 상기 게이트 버스 라인과 -45°를 이루는 러빙축을 갖는 제 1 수평 배향막;A first horizontal alignment layer formed on an inner surface of the lower substrate and having a rubbing axis forming −45 ° with the gate bus line; 상기 상부 기판의 내측 표면에 형성되며, 상기 제 1 수평 배향막의 러빙축과비병렬한 러빙축을 갖는 제 2 수평 배향막;A second horizontal alignment layer formed on an inner surface of the upper substrate and having a rubbing axis that is non-parallel to a rubbing axis of the first horizontal alignment layer; 상기 하부 기판의 외측면에 형성되며, 소정의 편광축을 갖는 편광자; 및A polarizer formed on an outer surface of the lower substrate and having a predetermined polarization axis; And 상기 상부 기판의 외측면에 형성되며, 편광축과 수직을 이루는 흡수축을 갖는 분해자를 포함하며,A decomposer formed on an outer surface of the upper substrate and having an absorption axis perpendicular to the polarization axis, 상기 화소 전극의 빗살은 선택된 단위 화소내에서는 게이트 버스 라인과 -(45+α°)를 이루고,The comb teeth of the pixel electrode form-(45 + α) with the gate bus line in the selected unit pixel. 상기 선택된 단위 화소와 상하 좌우 인접한 단위 화소 내에서는 게이트 버스 라인과 -(45-α°)를 이루는 것을 특징으로 하는 FFS-LCD.And-(45-α) of the gate bus line in the unit pixels vertically and horizontally adjacent to the selected unit pixel. 제 4 항에 있어서, 상기 α°는 12°인 것을 특징으로 하는 FFS-LCD.5. The FFS-LCD of claim 4, wherein the α is 12 degrees. 소정 거리를 두고 배치되는 상,하부 기판;Upper and lower substrates disposed at a predetermined distance; 상기 하부 기판상에 형성되며, 단위 화소를 한정하도록 매트릭스 형태로 배치되는 게이트 버스 라인과 데이터 버스 라인;A gate bus line and a data bus line formed on the lower substrate and disposed in a matrix to define unit pixels; 상기 게이트 버스 라인과 데이터 버스 라인의 교차점 각각에 배치되는 박막 트랜지스터;A thin film transistor disposed at each intersection of the gate bus line and the data bus line; 상하 기판 사이에 개재되는 수개의 액정 분자를 포함하는 액정층;A liquid crystal layer comprising several liquid crystal molecules interposed between the upper and lower substrates; 상기 하부 기판의 각 단위 화소에 각각 형성되는 카운터 전극;A counter electrode formed on each unit pixel of the lower substrate; 상기 카운터 전극과 함께 프린지 필드를 형성하고, 수개의 빗살을 포함하는 화소 전극;A pixel electrode forming a fringe field together with the counter electrode and including several comb teeth; 상기 하부 기판의 내측 표면에 형성되며, 상기 게이트 버스 라인과 45°를 이루는 러빙축을 갖는 제 1 수평 배향막;A first horizontal alignment layer formed on an inner surface of the lower substrate and having a rubbing axis formed at 45 ° with the gate bus line; 상기 상부 기판의 내측 표면에 형성되며, 상기 제 1 수평 배향막의 러빙축과 비병렬한 러빙축을 갖는 제 2 수평 배향막;A second horizontal alignment layer formed on an inner surface of the upper substrate and having a rubbing axis that is non-parallel to a rubbing axis of the first horizontal alignment layer; 상기 하부 기판의 외측면에 형성되며, 소정의 편광축을 갖는 편광자; 및A polarizer formed on an outer surface of the lower substrate and having a predetermined polarization axis; And 상기 상부 기판의 외측면에 형성되며, 편광축과 수직을 이루는 흡수축을 갖는 분해자를 포함하며,A decomposer formed on an outer surface of the upper substrate and having an absorption axis perpendicular to the polarization axis, 상기 단위 화소내에 배치되는 화소 전극의 빗살중 일부분은 게이트 버스 라인과 45+α°를 이루고,A part of the comb teeth of the pixel electrode disposed in the unit pixel make 45 + α ° with the gate bus line, 상기 단위 화소내에 배치된 화소 전극의 빗살중 나머지 부분은 게이트 버스 라인과 45-α°를 이루는 것을 특징으로 하는 FFS-LCD.And the remaining portion of the comb teeth of the pixel electrode arranged in the unit pixel forms a 45-? Degree with the gate bus line. 제 6 항에 있어서, 상기 α°는 12°인 것을 특징으로 하는 FFS-LCD.7. The FFS-LCD of claim 6, wherein the α is 12 degrees.
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