KR20020039059A - Power supplier and power supplying method for avalanche photo-diode - Google Patents
Power supplier and power supplying method for avalanche photo-diode Download PDFInfo
- Publication number
- KR20020039059A KR20020039059A KR1020000068952A KR20000068952A KR20020039059A KR 20020039059 A KR20020039059 A KR 20020039059A KR 1020000068952 A KR1020000068952 A KR 1020000068952A KR 20000068952 A KR20000068952 A KR 20000068952A KR 20020039059 A KR20020039059 A KR 20020039059A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- avalanche photodiode
- voltage
- avalanche
- temperature
- current
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 63
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 12
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 애벌란치 포토다이오드용 전력 공급기 및 애벌란치 포토다이오드에 전력을 공급하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a power supply for avalanche photodiodes and a method for supplying power to avalanche photodiodes.
광수신기는 광도파로나 자유공간에서 행해지는 광통신에서 광신호를 수신하고, 수신된 광신호를 전기 신호로 변환하여 신호 처리부로 전달한다. 신호 처리부는 광수신기로부터 전달된 전기 신호를 처리하여 필요한 데이터를 생성한다. 광수신기가 광신호를 수신할 수 있는 다이나믹 레인지(Dynamic range)는 주어진 시스템 마진에 대해 허용되는 최소 레벨과 과부하가 일어나기 직전까지의 최대 레벨의 광신호량 범위로 정의되며 일반적으로 광수신기는 제한된 다이나믹 레인지를 갖게 된다.The optical receiver receives an optical signal in an optical communication performed in an optical waveguide or free space, converts the received optical signal into an electrical signal, and transmits the optical signal to a signal processor. The signal processor generates the necessary data by processing the electrical signal transmitted from the optical receiver. The dynamic range in which an optical receiver can receive an optical signal is defined as the minimum level allowed for a given system margin and the maximum amount of optical signal volume up until just before an overload occurs. Generally, the optical receiver is limited in dynamics. You have a range.
자유공간에서 수행되는 광통신에 있어서 광송신기와 광수신기가 어떤 특정한 거리 이하로 설치되는 경우는 광수신기가 받아들이는 광신호량이 너무 크게 되어 애벌란치 포토다이오드에 과부하를 일으키고 정상적인 데이터 송수신을 할 수 없다. 따라서, 이럴 경우에는 광송신기와 광수신기 사이에 광신호량을 줄이기 위한 적절한 감쇄 수단이 부가될 필요가 있다.In the optical communication performed in free space, when the optical transmitter and the optical receiver are installed at a certain distance or less, the optical signal received by the optical receiver is too large to overload the avalanche photodiode and cannot transmit and receive normal data. Therefore, in this case, it is necessary to add appropriate attenuation means between the optical transmitter and the optical receiver to reduce the amount of optical signals.
그러나, 광송신기와 광수신기 사이의 거리가 멀어지게 되면 감쇄 수단의 감쇄 특성 또한 이에 맞게 변화하지 않으면 안된다. 자유 공간에서 전파되는 광신호는 대기류에 의한 교란이나 눈, 비, 안개 등 기상 조건에 의해 영향을 받으므로 광수신기에 수신되는 광신호량은 수시로 변할 수가 있다. 따라서, 감쇄 수단은 광신호의 수신량에 따라 적절히 변화하여 광수신기의 다이나믹 레인지를 증가시켜 주어야 하는데, 실제로 그런 감쇄 수단은 아직까지 개발되지 않고 있는 실정이다.However, when the distance between the optical transmitter and the optical receiver becomes far, the attenuation characteristics of the attenuation means must also change accordingly. Since the optical signal propagated in the free space is affected by the disturbance caused by the air flow, weather conditions such as snow, rain, and fog, the amount of the optical signal received by the optical receiver may change from time to time. Therefore, the attenuation means should be appropriately changed in accordance with the amount of optical signals received to increase the dynamic range of the optical receiver. In fact, such attenuation means have not been developed yet.
본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 애벌란치 포토다이오드를 이용한 광수신기의 다이나믹 레인지를 증가시키고, 상기 애벌란치 포토다이오드가 온도 변화에 대해 안정된 동작을 수행하도록 하는 애벌랜치 포토다이오드용 전력 공급기 및 그 전력 공급 방법을 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to increase the dynamic range of the optical receiver using the avalanche photodiode, avalanche photodiode power supply and power supply method for the avalanche photodiode to perform a stable operation against temperature changes To provide.
본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS In order to better understand the drawings cited in the detailed description of the invention, a brief description of each drawing is provided.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 애벌란치(avalanche) 포토다이오드(photo-diode)용 전력 공급기에 애벌란치 포토다이오드를 포함하는 광수신기가 연결된 상태를 도시한 블록도이다.1 is a block diagram illustrating a state in which an optical receiver including an avalanche photodiode is connected to a power supply for an avalanche photodiode according to a preferred embodiment of the present invention.
도 2는 상기 도 1에 도시된 애벌란치 포토다이오드의 온도 변화에 따른 최대 소모 전력 특성 곡선과 이에 따른 애벌란치 포토다이오드의 전압-전류 특성 곡선을 도시한 도면이다.FIG. 2 is a diagram illustrating a maximum power consumption characteristic curve and a voltage-current characteristic curve of an avalanche photodiode according to temperature changes of the avalanche photodiode shown in FIG. 1.
도 3은 상기 도 1에 도시된 전압 제어부의 회로도이다.3 is a circuit diagram of the voltage controller shown in FIG. 1.
도 4는 상기 도 1에 도시된 전류 제한부의 회로도이다.4 is a circuit diagram of the current limiter shown in FIG. 1.
도 5는 상기 도 1에 도시된 전류 미러의 회로도이다.FIG. 5 is a circuit diagram of the current mirror shown in FIG.
도 6은 상기 도 1에 도시된 모니터부의 상세 블록도이다.6 is a detailed block diagram of the monitor unit illustrated in FIG. 1.
도 7은 본 발명에 따른 애벌란치 포토다이오드에 전력을 공급하는 방법을 도시한 흐름도이다.7 is a flowchart illustrating a method for supplying power to an avalanche photodiode according to the present invention.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은,The present invention to achieve the above technical problem,
애벌란치 포토다이오드에 전력을 공급하는 전력 공급기에 있어서, 상기 애벌란치 포토다이오드의 온도가 변화하더라도 상기 애벌란치 포토다이오드의 온도계수를 소정 범위 내에서 보상해주고, 상기 애벌란치 포토다이오드가 애벌란치 모드에서 동작하기 위해 필요한 최소한의 전압 이하로 상기 애벌란치 포토다이오드 전압이 떨어지는 것을 방지하며, 상기 애벌란치 포토다이오드의 전력 소모가 최대값에 접근할 때 상기 애벌란치 포토다이오드에 흐르는 전류를 제한하여 상기 애벌란치 포토다이오드의 동작을 안정시키는 제어부; 상기 제어부의 출력 전류를 상기 애벌란치 포토다이오드로 전달하는 전류 미러; 및 상기 전류 미러에 연결되며, 상기 애벌란치 포토다이오드에 흐르는 전류와 상기 애벌란치 포토다이오드가 수신하는 광신호량을 모니터링하는 모니터부를 구비하는 애벌란치 포토다이오드용 전력 공급기를 제공한다.In the power supply for supplying power to the avalanche photodiode, even if the temperature of the avalanche photodiode changes the temperature coefficient of the avalanche photodiode within a predetermined range, the avalanche photodiode in avalanche mode Prevent the avalanche photodiode voltage from dropping below the minimum voltage required to operate and limiting the current flowing through the avalanche photodiode when the avalanche photodiode's power consumption approaches a maximum value. A control unit which stabilizes the operation of the photodiode; A current mirror configured to transfer an output current of the controller to the avalanche photodiode; And a monitor unit connected to the current mirror and configured to monitor a current flowing through the avalanche photodiode and an amount of the optical signal received by the avalanche photodiode.
바람직하기는, 상기 제어부는 상온에서 소정 전압을 출력하며, 상기 애벌란치 포토다이오드의 온도가 상승할 때 상기 소정 전압을 승압하여 출력하는 전압 제어부; 상기 전압 제어부에서 출력되는 전압을 승압시키는 직류-직류 변환부; 및 상기 직류-직류 변환부의 출력 전압을 입력하며, 상기 애벌란치 포토다이오드가 애벌란치 모드에서 동작하기 위해 필요한 최소한의 전압 이하로 상기 애벌란치 포토다이오드 전압이 떨어지는 것을 방지하며, 상기 애벌란치 포토다이오드의 전력 소모가 최대값에 접근할 때 상기 애벌란치 포토다이오드에 흐르는 전류를 제한하여 상기 애벌란치 포토다이오드의 동작을 안정시키는 전류 제한부를 구비한다.Preferably, the control unit outputs a predetermined voltage at room temperature, and when the temperature of the avalanche photodiode increases the voltage control unit for boosting the predetermined voltage; A DC-DC converter for boosting the voltage output from the voltage controller; And inputting an output voltage of the DC-DC converter, and preventing the avalanche photodiode voltage from falling below a minimum voltage required for the avalanche photodiode to operate in the avalanche mode. And a current limiting portion that stabilizes the operation of the avalanche photodiode by limiting the current flowing through the avalanche photodiode when power consumption approaches a maximum value.
바람직하기는 또, 상기 모니터부는 상기 전류 미러로부터 출력되는 전류를 전압으로 변환하는 로그 스케일 변환기; 상기 로그 스케일 변환기의 출력을 입력하는 디스플레이 구동기; 및 상기 디스플레이 구동기에 의해 구동되어 상기 애벌란치 포토다이오드가 수신하는 광신호량과 상기 애벌란치 포토다이오드에 흐르는 전류를 시각적으로 표시하는 디스플레이를 구비한다.Preferably, the monitor unit comprises a log scale converter for converting the current output from the current mirror to a voltage; A display driver for inputting an output of the logarithmic scale converter; And a display driven by the display driver to visually display the amount of optical signals received by the avalanche photodiode and a current flowing through the avalanche photodiode.
바람직하기는 또한, 상기 로그 스케일 변환기는 상기 전류 미러로부터 출력되는 전류를 로그 스케일의 전압으로 변환한다.Preferably, the logarithmic scale converter converts the current output from the current mirror into a voltage of a logarithmic scale.
바람직하기는 또한, 상기 애벌란치 포토다이오드의 온도가 변화할 때 상기 제어부는 상기 애벌란치 포토다이오드의 온도계수를 최대 1[V/℃]까자 보상해준다.Preferably, when the temperature of the avalanche photodiode changes, the controller compensates the temperature coefficient of the avalanche photodiode up to 1 [V / ° C.].
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 또한,The present invention also to achieve the above technical problem,
애벌란치 포토다이오드의 전력을 공급하는 방법에 있어서, (a) 초기에 상기 애벌란치 포토다이오드에 소정 전압을 인가하는 단계; (b)상기 애벌란치 포토다이오드가 광신호를 수신하는 단계; (c)상기 애벌란치 포토다이오드의 온도가 소정 온도보다 상승할 때 상기 소정 전압을 승압시키는 단계; 및 (d)상기 애벌란치 포토다이오드의 전력 소모가 최대값에 접근하면 상기 애벌란치 포토다이오드에 흐르는 전류를 제한하고, 상기 애벌란치 포토다이오드의 전압이 상기 애벌란치 포토다이오드가 애벌란치 모드로 동작하기 위해 필요한 최소한의 전압 레벨에 접근할 때 상기 애벌란치 포토다이오드 전압을 감소시키는 단계를 포함하는 애벌란치 포토다이오드로의 전력 공급 방법을 제공한다.A method of supplying power to an avalanche photodiode, the method comprising: (a) initially applying a predetermined voltage to the avalanche photodiode; (b) the avalanche photodiode receiving an optical signal; (c) boosting the predetermined voltage when the temperature of the avalanche photodiode rises above a predetermined temperature; And (d) limiting the current flowing through the avalanche photodiode when the power consumption of the avalanche photodiode approaches a maximum value, and the avalanche photodiode operates in the avalanche mode. A method of supplying power to an avalanche photodiode, the method comprising reducing the avalanche photodiode voltage when approaching a minimum voltage level required for the purpose.
바람직하기는, 상기 (c) 단계에서 상기 애벌란치 포토다이오드의 온도가 상기 소정 온도로 낮아지면 상기 애벌란치 포토다이오드에 상기 소정 전압을 인가한다.Preferably, when the temperature of the avalanche photodiode is lowered to the predetermined temperature in step (c), the predetermined voltage is applied to the avalanche photodiode.
상기 본 발명의 전력 공급기를 적용함으로써 애벌랜치 포토다이오드를 이용한 광수신기의 다이나믹 레인지가 증가하며, 애벌란치 포토다이오드는 온도 변화에 대해서 안정된 동작을 수행한다.By applying the power supply of the present invention, the dynamic range of the optical receiver using the avalanche photodiode increases, and the avalanche photodiode performs stable operation against temperature changes.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.In order to fully understand the present invention, the operational advantages of the present invention, and the objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings which illustrate preferred embodiments of the present invention and the contents described in the accompanying drawings.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings denote like elements.
도 1은 본 발명에 따른 애벌란치 포토다이오드용 전력 공급기에 애벌란치 포토다이오드를 포함하는 광수신기가 연결된 상태를 도시한 블록도이다. 도 1을 참조하면, 애벌란치 포토다이오드용 전력 공급기(101)는 제어부(108), 전류 미러(141) 및 모니터부(151)를 구비한다. 전류 미러(141)에 애벌란치 포토다이오드(161)가 연결되며, 광수신기(105)는 애벌란치 포토다이오드(161)와 신호 처리부(171) 및 캐패시터(151)를 포함한다.1 is a block diagram illustrating a state in which an optical receiver including an avalanche photodiode is connected to a power supply for avalanche photodiode according to the present invention. Referring to FIG. 1, the avalanche photodiode power supply 101 includes a controller 108, a current mirror 141, and a monitor 151. The avalanche photodiode 161 is connected to the current mirror 141, and the optical receiver 105 includes an avalanche photodiode 161, a signal processor 171, and a capacitor 151.
애벌란치 포토다이오드(161)는 자유공간을 통해 전송되는 광신호를 수신하고, 상기 수신된 광신호를 전기 신호로 변환한 다음 신호 처리부(171)로 전송한다. 캐패시터(163)는 애벌란치 포토다이오드(161)에 인가되는 전압에 포함된 교류 성분을 제거한다. 애벌란치 포토다이오드(161)란 캐쏘드(cathode)에 높은 역방향 전압을 인가하여 캐리어(자유전자, 정공)의 이동 속도를 증대시키는 동시에 애벌란치 증배에 의해서 감도를 높인 것이다. 애벌란치 포토다이오드(161)는 광전자 증배관을 고체화한 장치라고 생각할 수 있다.The avalanche photodiode 161 receives the optical signal transmitted through the free space, converts the received optical signal into an electrical signal, and transmits the received optical signal to the signal processor 171. The capacitor 163 removes an AC component included in the voltage applied to the avalanche photodiode 161. The avalanche photodiode 161 applies a high reverse voltage to the cathode to increase the moving speed of the carrier (free electrons, holes) and to increase the sensitivity by avalanche multiplication. The avalanche photodiode 161 can be considered as a device in which the photomultiplier tube is solidified.
주위 온도가 높아져서 애벌란치 포토다이오드(161)의 온도가 상승하게 되면 애벌란치 포토다이오드(161)에 흐르는 전류가 감소하게 되고 그로 인하여 광수신기(105)의 수신 감도가 저하된다. 상기 감도는 수신된 단위 광신호량에 대해 생성되는 애벌란치 포토다이오드(161)의 전류이다. 온도가 상승하여 애벌란치 포토다이오드(161)의 수신 감도가 저하하는 것을 방지하기 위해 제어부(108)가 적용된다.When the ambient temperature increases and the temperature of the avalanche photodiode 161 rises, the current flowing through the avalanche photodiode 161 decreases, thereby reducing the reception sensitivity of the optical receiver 105. The sensitivity is the current of the avalanche photodiode 161 generated for the amount of unit optical signal received. The controller 108 is applied to prevent the temperature from rising so that the reception sensitivity of the avalanche photodiode 161 is lowered.
제어부(108)는 애벌란치 포토다이오드(161)의 온도가 변화하더라도 애벌란치 포토다이오드(161)의 온도계수를 소정 범위, 예컨대 최대 1[V/℃]까지 보상해주고,애벌란치 포토다이오드(161)가 애벌란치 모드에서 동작하기 위해 필요한 최소한의 전압 이하로 애벌란치 포토다이오드 전압이 떨어지는 것을 방지하며, 애벌란치 포토다이오드(161)의 전력 소모가 최대값에 접근할 때 애벌란치 포토다이오드(161)에 흐르는 전류를 제한하여 애벌란치 포토다이오드(161)의 동작을 안정시킨다.The controller 108 compensates the temperature coefficient of the avalanche photodiode 161 to a predetermined range, for example, up to 1 [V / ° C.] even when the temperature of the avalanche photodiode 161 changes, and the avalanche photodiode 161 Prevents the avalanche photodiode voltage from dropping below the minimum voltage required to operate in the avalanche mode, and reduces the avalanche photodiode 161 when the power consumption of the avalanche photodiode 161 approaches its maximum value. By limiting the flowing current, the operation of the avalanche photodiode 161 is stabilized.
제어부(108)는 전압 제어부(111), 직류-직류 변환부(121) 및 전류 제한부(131)를 구비한다.The controller 108 includes a voltage controller 111, a DC-DC converter 121, and a current limiter 131.
전압 제어부(111)는 소정 온도, 예컨대 상온에서 소정 전압을 출력하며, 애벌란치 포토다이오드(161)의 온도가 상승할 때 상기 소정 전압을 승압하여 출력한다. 직류-직류 변환부(121)는 전압 제어부(111)에서 출력되는 전압을 보다 높은 전압, 예컨대 100볼트 이상으로 승압시킨다. 전압 제어부(111)에서 출력되는 전압이 높아지면, 직류-직류 변환부(121)에서 출력되는 전압도 따라서 높아진다. 전류 제한부(131)는 직류-직류 변환기(121)의 출력 전압을 입력하며, 애벌란치 포토다이오드(161)가 애벌란치 모드에서 동작하기 위해 필요한 최소한의 전압 이하로 애벌란치 포토다이오드 전압이 떨어지는 것을 방지하며, 애벌란치 포토다이오드(161)의 전력 소모가 최대값에 접근할 때 애벌란치 포토다이오드(161)에 흐르는 전류를 제한하여 애벌란치 포토다이오드(161)의 동작을 안정시킨다.The voltage controller 111 outputs a predetermined voltage at a predetermined temperature, for example, room temperature, and boosts and outputs the predetermined voltage when the temperature of the avalanche photodiode 161 rises. The DC-DC converter 121 boosts the voltage output from the voltage controller 111 to a higher voltage, for example, 100 volts or more. When the voltage output from the voltage controller 111 increases, the voltage output from the DC-DC converter 121 also increases. The current limiter 131 inputs the output voltage of the DC-DC converter 121, and indicates that the avalanche photodiode voltage falls below the minimum voltage required for the avalanche photodiode 161 to operate in the avalanche mode. When the power consumption of the avalanche photodiode 161 approaches a maximum value, the current flowing through the avalanche photodiode 161 is limited to stabilize the operation of the avalanche photodiode 161.
전류 미러(141)는 제어부(108)의 출력 전류(I2)를 애벌란치 포토다이오드(161)로 전달한다.The current mirror 141 transmits the output current I2 of the controller 108 to the avalanche photodiode 161.
모니터부(151)는 전류 미러(141)에 연결되며, 애벌란치 포토다이오드(161)에 흐르는 전류와 애벌란치 포토다이오드(161)가 수신하는 광신호량을 모니터링하여시각적으로 표시한다.The monitor unit 151 is connected to the current mirror 141 and monitors the current flowing through the avalanche photodiode 161 and the amount of optical signals received by the avalanche photodiode 161 and displays them visually.
도 2는 상기 도 1에 도시된 애벌란치 포토다이오드(161)의 온도 변화에 따른 최대 소모 전력 특성 곡선과 이에 따른 애벌란치 포토다이오드(161)의 전압-전류 특성 곡선을 도시한 도면이다. 도 2에 도시된 바와 같이 애벌란치 포토다이오드(161)의 온도가 소정 온도일 때는 애벌란치 포토다이오드(161)의 최대 소모 전력 특성 곡선은 P1과 같고, 이 때의 애벌란치 포토다이오드(161)의 전압-전류 특성 곡선은 S1과 같다. 그러다가 애벌란치 포토다이오드(161)의 온도가 소정 온도보다 높아지면 애벌란치 포토다이오드(161)의 최대 소모 전력이 감소하여 애벌란치 포토다이오드(161)의 최대 소모 전력 특성 곡선은 P2와 같이 된다. 애벌란치 포토다이오드의 최대 소모 전력(Pmax)은 다음 수식으로 표현된다.FIG. 2 is a diagram illustrating a maximum power consumption characteristic curve according to temperature change of the avalanche photodiode 161 and the voltage-current characteristic curve of the avalanche photodiode 161 shown in FIG. 1. As shown in FIG. 2, when the temperature of the avalanche photodiode 161 is a predetermined temperature, the maximum power consumption characteristic curve of the avalanche photodiode 161 is equal to P1, and the avalanche photodiode 161 of the avalanche photodiode 161 is The voltage-current characteristic curve is equal to S1. Then, when the temperature of the avalanche photodiode 161 is higher than a predetermined temperature, the maximum power consumption of the avalanche photodiode 161 is reduced, so that the maximum power consumption characteristic curve of the avalanche photodiode 161 is equal to P2. The maximum power consumption (Pmax) of the avalanche photodiode is expressed by the following equation.
이와 같이 본 발명에 따르면, 애벌란치 포토다이오드(161)의 최대 소모 전력 특성 곡선이 안쪽으로 치우치는 것에 맞추어 애벌란치 포토다이오드(161)의 전압-전류 특성 곡선도 S2와 같이 변화된다. 즉, 애벌란치 포토 다이오드의 온도가 상승할 때 애벌란치 포토다이오드(161)의 전압-전류 특성 곡선이 애벌란치 포토다이오드(161)의 최대 소모 전력 특성 곡선보다 안쪽에 위치하게 되며, 애벌란치 포토다이오드(161)가 애벌란치 모드에서 동작하기 위해 필요한 최소한의 전압(Vc) 이하로 애벌란치 포토다이오드 전압이 떨어지는 것이 방지되며, 애벌란치 포토다이오드(161)의 소모 전력이 최대값에 접근할 때 애벌란치 포토다이오드(161)에 흐르는 전류가 제한되어, 즉, Ia에서 Ib로 감소되어 애벌란치 포토다이오드(161)의 동작은 안정된다. 또한, 애벌란치 포토다이오드(161)에 인가되는 전압도 애벌란치 포토다이오드(161)가 소정 온도일 때보다 더 높다.As described above, according to the present invention, the voltage-current characteristic curve of the avalanche photodiode 161 is also changed as S2 as the maximum power consumption characteristic curve of the avalanche photodiode 161 is biased inward. That is, when the temperature of the avalanche photodiode increases, the voltage-current characteristic curve of the avalanche photodiode 161 is located inside the maximum power consumption characteristic curve of the avalanche photodiode 161, and the avalanche photodiode The avalanche photodiode voltage is prevented from dropping below the minimum voltage Vc necessary for the 161 to operate in avalanche mode, and the avalanche when the power consumption of the avalanche photodiode 161 approaches its maximum value. The current flowing through the photodiode 161 is limited, i.e., reduced from Ia to Ib so that the operation of the avalanche photodiode 161 is stabilized. In addition, the voltage applied to the avalanche photodiode 161 is also higher than when the avalanche photodiode 161 is at a predetermined temperature.
도 3은 상기 도 1에 도시된 전압 제어부(111)의 회로도이다. 도 3을 참조하면, 전압 제어부(111)는 저항(R1), 가변 저항들(VR1,VR2), 제너 다이오드(ZD1) 및 NPN 트랜지스터(Q1)를 구비한다.3 is a circuit diagram of the voltage controller 111 shown in FIG. Referring to FIG. 3, the voltage controller 111 includes a resistor R1, variable resistors VR1 and VR2, a zener diode ZD1, and an NPN transistor Q1.
제너 다이오드(ZD1)는 전원 전압(Vcc)보다 낮은 전압 범위 내에서 가변 저항들(VR1,VR2)에 인가되는 전압이 일정하도록 한다.The zener diode ZD1 allows the voltage applied to the variable resistors VR1 and VR2 to be constant within a voltage range lower than the power supply voltage Vcc.
NPN 트랜지스터(Q1)는 에미터와 베이스 사이에 소정 전압, 예컨대 0.4∼0.6볼트가 인가되면 턴온(turn-on)된다. NPN 트랜지스터(Q1)의 에미터-베이스 전압은 NPN 트랜지스터(Q1)의 반도체 종류에 따라 달라진다. 예컨대, NPN 트랜지스터(Q1)가 저마늄(Gernanium)으로 구성될 경우, 에미터-베이스 전압은 0.6볼트이고, NPN 트랜지스터(Q1)가 실리콘으로 구성될 경우, 에미터-베이스 전압은 0.4볼트이다. 가변 저항(VR1)을 조절하여 NPN 트랜지스터(Q1)의 에미터-베이스 전압을 조절한다.The NPN transistor Q1 is turned on when a predetermined voltage is applied between the emitter and the base, for example, 0.4 to 0.6 volts. The emitter-base voltage of the NPN transistor Q1 depends on the semiconductor type of the NPN transistor Q1. For example, when the NPN transistor Q1 is composed of germanium, the emitter-base voltage is 0.6 volts, and when the NPN transistor Q1 is composed of silicon, the emitter-base voltage is 0.4 volts. The variable resistor VR1 is adjusted to adjust the emitter-base voltage of the NPN transistor Q1.
가변 저항들(VR1,VR2)의 가변 범위는 전압 제어부(111)의 출력 전압(V1)이 최대가 되도록 초기에 조정되어 고정된다.The variable range of the variable resistors VR1 and VR2 is initially adjusted and fixed so that the output voltage V1 of the voltage controller 111 becomes maximum.
전압 제어부(111)의 동작을 설명하기로 한다. 애벌란치 포토다이오드(161)의 온도가 상승하면, NPN 트랜지스터(Q1)의 온도도 상승한다. NPN 트랜지스터(Q1)는 부(-) 온도 계수를 가지므로 NPN 트랜지스터(Q1)의 온도가 상승하면, NPN 트랜지스터(Q1)의 에미터-베이스 전압은 낮아진다. 그러면, 가변 저항(VR1)에 인가되는 전압은 낮아지고, 가변 저항(VR2)에 인가되는 전압은 상대적으로 높아진다. 따라서, 가변 저항(VR2)을 통해서 출력되는 전압(V1)은 애벌란치 포토다이오드(161)의 온도가 소정 온도일 때보다 승압되어 출력된다.The operation of the voltage controller 111 will be described. When the temperature of the avalanche photodiode 161 rises, the temperature of the NPN transistor Q1 also rises. Since the NPN transistor Q1 has a negative temperature coefficient, when the temperature of the NPN transistor Q1 rises, the emitter-base voltage of the NPN transistor Q1 decreases. Then, the voltage applied to the variable resistor VR1 is low, and the voltage applied to the variable resistor VR2 is relatively high. Therefore, the voltage V1 output through the variable resistor VR2 is boosted and output than when the temperature of the avalanche photodiode 161 is a predetermined temperature.
이와 같이, 애벌란치 포토다이오드(161)의 온도가 상승하면 NPN 트랜지스터(Q1)의 온도도 상승한다. 그에 따라 전압 제어부(111)의 출력 전압이 소정 레벨 승압됨으로써 애벌란치 포토다이오드(161)의 온도가 상승할 때 애벌란치 포토다이오드(161)에 인가되는 최대 전압(도 2의 Vb)은 도 2에 도시된 바와 같이 평상시의 최대 전압(Va)보다 높아진다.In this manner, when the temperature of the avalanche photodiode 161 rises, the temperature of the NPN transistor Q1 also rises. Accordingly, the maximum voltage (Vb in FIG. 2) applied to the avalanche photodiode 161 when the temperature of the avalanche photodiode 161 increases by increasing the output voltage of the voltage controller 111 by a predetermined level is shown in FIG. 2. As shown, the voltage is higher than the normal maximum voltage Va.
도 4는 상기 도 1에 도시된 전류 제한부(131)의 회로도이다. 도 4를 참조하면, 전류 제한부(131)는 저항들(R2,R3), PNP 트랜지스터(Q2), 제너 다이오드(ZD2) 및 다이오드 체인(411)을 구비한다.4 is a circuit diagram of the current limiter 131 shown in FIG. Referring to FIG. 4, the current limiter 131 includes resistors R2 and R3, a PNP transistor Q2, a zener diode ZD2, and a diode chain 411.
전류 제한부(131)에 전압(V1)이 인가된 상태에서 애벌란치 포토다이오드(161)에 광신호가 입력되지 않으면 전류(I1)는 출력되지 않는다. 그러다가 애벌란치 포토다이오드(161)에 광신호가 입력되면 애벌란치 포토다이오드(161)가 도통되어 전류 제한부(131)도 활성화된다. 초기에는 전류가 저항(R2)과 트랜지스터(Q2)를 통해 전류가 흐르다가 저항(R2)에 인가되는 전압이 점차 증가하여 다이오드 체인(411)에 구비되는 다이오드들이 모두 도통하는 시점이 되면 전류는 다이오드 체인(411)과 저항(R3)을 통해서 흐르게 된다. 다이오드 체인(411)에 구비되는 다이오드의 수 또는 다이오드들의 빌트인(built-in) 전압에 따라 도 2의 전압 전류 특성 곡선들(S1,S2)의 전류 기울기가 시작된다. 전류 제한부(131)의 한계저항은 애벌란치 포토다이오드(161)의 전압-전류 특성 곡선이 애벌란치 포토다이오드(161)의 최대 소모 전력 특성 곡선에 가깝게 접근하도록 그 저항값이 설계된다. 따라서, 광수신기(108)의 다이나믹 레인지가 확장된다.If the optical signal is not input to the avalanche photodiode 161 in the state where the voltage V1 is applied to the current limiting unit 131, the current I1 is not output. Then, when an optical signal is input to the avalanche photodiode 161, the avalanche photodiode 161 is turned on to activate the current limiting unit 131. Initially, when the current flows through the resistor R2 and the transistor Q2, the voltage applied to the resistor R2 gradually increases, and when the diodes provided in the diode chain 411 are all conductive, the current becomes a diode. Flow through the chain 411 and the resistor (R3). The current slopes of the voltage current characteristic curves S1 and S2 of FIG. 2 are started according to the number of diodes provided in the diode chain 411 or the built-in voltage of the diodes. The limit resistance of the current limiter 131 is designed such that the voltage-current characteristic curve of the avalanche photodiode 161 approaches the maximum power consumption characteristic curve of the avalanche photodiode 161. Thus, the dynamic range of the optical receiver 108 is expanded.
애벌란치 포토다이오드(161)가 애벌란치 모드로 동작하기 위해 필요한 최소한의 레벨 이하로 애벌란치 포토다이오드 전압이 떨어지게 되면 애벌란치 포토다이오드(161)의 내부 캐패시턴스가 증가되고 그로 인하여 차단 주파수가 낮아진다. 그 결과 애벌란치 포토다이오드(161)에서 출력되는 전기 신호의 품질이 저하되는 결과를 가져온다.When the avalanche photodiode 161 drops below the minimum level necessary for the avalanche photodiode 161 to operate in avalanche mode, the internal capacitance of the avalanche photodiode 161 is increased, thereby lowering the cutoff frequency. As a result, the quality of the electrical signal output from the avalanche photodiode 161 is degraded.
그러나, 제너 다이오드(ZD2)는 애벌란치 포토다이오드 전압이 애벌란치 포토다이오드(161)가 애벌란치 모드로 동작하기 위한 최소한의 레벨 이하로 떨어지지 않도록 한다. 즉, 제너 다이오드(ZD2)는 애벌란치 포토다이오드 전류와 수신된 광신호량을 애벌란치 포토다이오드(161)의 허용된 최대 소모 전력 이상으로 일시적으로 증가시켜서 애벌란치 포토다이오드(161)로부터 출력되는 전기 신호의 품질 저하를 방지한다. 허용되는 애벌란치 포토다이오드 전류의 평균값에 비해 훨씬 큰 전류를 짧은 시간 동안 흘리는 것은 통상적으로 애벌란치 포토다이오드(161)의 사양에 의해서도 허용된다. 예를 들면, 연속된 동작에서 상기 전류의 평균값은 0.2[㎃]이지만 반복되지 않는 신호를 1초간 줄 때의 피크 값은 1[㎃]이다. 그리고 애벌란치 포토다이오드(161)가 애벌란치 모드로 동작하기 위한 최소 전압은 권장하는 동작 전압의 대략 절반 정도이다. 자유 공간 통신 시스템에서는 대기류에 의한 교란으로 인해 수신된 광신호량이 일시적으로 평균치를 훨씬 상회하는 일이 나기 때문에 이는 매우 중요한 사항이다.However, the zener diode ZD2 does not allow the avalanche photodiode voltage to fall below a minimum level for the avalanche photodiode 161 to operate in avalanche mode. That is, the zener diode ZD2 temporarily increases the avalanche photodiode current and the amount of received optical signal beyond the maximum allowed power consumption of the avalanche photodiode 161 to output the electric power from the avalanche photodiode 161. Prevent signal degradation. Flowing a much larger current for a shorter time than the average value of the avalanche photodiode current that is allowed is typically also allowed by the specifications of the avalanche photodiode 161. For example, in the continuous operation, the average value of the current is 0.2 [kV], but the peak value when giving a non-repeating signal for 1 second is 1 [kV]. The minimum voltage for avalanche photodiode 161 to operate in avalanche mode is approximately half of the recommended operating voltage. This is very important in the free space communication system because the amount of received optical signal temporarily exceeds the average due to disturbance caused by atmospheric flow.
전력 공급기(101)는 애벌란치 포토다이오드(161)에 입력되는 광신호량이 최대값에 가깝게 되도록 설계되기 때문에 전력 공급기(101)를 탑재한 광수신기(105)는 대기류의 교란이나 실효 다이나믹 레인지에 대한 추가적인 마진이 필요없다. 또한, 애벌란치 포토다이오드(161)에 수신되는 광신호량이 최대값에 가까울 때에도 광수신기(105)의 감도는 안정된 값을 갖는다.Since the power supply 101 is designed so that the amount of the optical signal input to the avalanche photodiode 161 is close to the maximum value, the optical receiver 105 equipped with the power supply 101 is subjected to atmospheric disturbance or effective dynamic range. No extra margin is required. In addition, even when the amount of optical signals received by the avalanche photodiode 161 is close to the maximum value, the sensitivity of the optical receiver 105 has a stable value.
도 5는 상기 도 1에 도시된 전류 미러(141)의 블록도이다. 도 5를 참조하면, 전류 미러(141)는 두 개의 PNP 트랜지스터들(Q3,Q4)을 구비한다. 전류 미러(141)는 NPN 트랜지스터나 전계 효과 트랜지스터들을 구비하여 구성할 수도 있다. 전류 미러(141)로부터 출력되는 전류들(I2,I3)은 동일한 전류값을 갖는다.5 is a block diagram of the current mirror 141 shown in FIG. Referring to FIG. 5, the current mirror 141 includes two PNP transistors Q3 and Q4. The current mirror 141 may be configured with NPN transistors or field effect transistors. The currents I2 and I3 output from the current mirror 141 have the same current value.
도 6은 상기 도 1에 도시된 모니터부(151)의 상세 블록도이다. 도 6을 참조하면, 모니터부(151)는 로그 스케일(log scale) 변환기(611), 디스플레이(display) 구동기(621) 및 디스플레이(631)를 구비한다.6 is a detailed block diagram of the monitor unit 151 shown in FIG. Referring to FIG. 6, the monitor unit 151 includes a log scale converter 611, a display driver 621, and a display 631.
로그 스케일 변환기(611)는 전류 미러(141)로부터 출력되는 전류를 로그 스케일의 전압으로 변환하여 전압 신호(A1)를 출력한다.The log scale converter 611 converts a current output from the current mirror 141 into a log scale voltage and outputs a voltage signal A1.
디스플레이 구동기(621)는 로그 스케일 변환기(611)의 출력 신호(A1)를 받아서 디스플레이(631)를 구동하기 위한 신호(A2)를 출력한다.The display driver 621 receives the output signal A1 of the log scale converter 611 and outputs a signal A2 for driving the display 631.
디스플레이(631)는 디스플레이 구동기(621)에 구동되어 애벌란치 포토다이오드(161)가 수신하는 광신호량과 애벌란치 포토다이오드(161)에 흐르는 전류를 시각적으로 표시한다.The display 631 is driven by the display driver 621 to visually display the amount of light signal received by the avalanche photodiode 161 and the current flowing through the avalanche photodiode 161.
모니터부(151)에 의해 넓은 대역에 걸쳐 애벌란치 포토다이오드(161)에 수신된 광신호량과 애벌란치 포토다이오드(161)에 흐르는 전류를 로그 스케일로 모니터링할 수 있다.The monitor unit 151 monitors the amount of optical signals received by the avalanche photodiode 161 and the current flowing through the avalanche photodiode 161 over a wide band at a logarithmic scale.
도 7은 본 발명에 따른 애벌란치 포토다이오드(161)에 전력을 공급하는 방법을 도시한 흐름도이다. 도 1을 참조하여 도 6에 도시된 애벌란치 포토다이오드(161)로 전력을 공급하는 방법을 설명하기로 한다.7 is a flowchart illustrating a method of supplying power to the avalanche photodiode 161 according to the present invention. A method of supplying power to the avalanche photodiode 161 shown in FIG. 6 will be described with reference to FIG. 1.
먼저, 애벌란치 포토다이오드(161)가 광신호를 수신할 수 있도록 애벌란치 포토다이오드(161)에 소정 전압, 예컨대 100볼트 이상의 전압을 공급한다(711).First, the avalanche photodiode 161 supplies a predetermined voltage, for example, a voltage of 100 volts or more, to the avalanche photodiode 161 so as to receive an optical signal (711).
애벌란치 포토다이오드(161)에 광신호가 수신되면 애벌란치 포토다이오드(161)는 상기 광신호를 전기 신호로 변환하여 출력한다(721).When the avalanche photodiode 161 receives an optical signal, the avalanche photodiode 161 converts the optical signal into an electrical signal and outputs the electrical signal (721).
이 상태에서 애벌란치 포토다이오드(161)의 온도가 상승할 경우가 발생할 수가 있다. 만일 애벌란치 포토다이오드(161)의 온도가 상승하여 소정 온도, 예컨대 상온보다 높아지면(731) 애벌란치 포토다이오드(161)에 인가되는 상기 소정 전압을 승압시킨다(741).In this state, the temperature of the avalanche photodiode 161 may increase. If the temperature of the avalanche photodiode 161 rises and becomes higher than a predetermined temperature, for example, room temperature (731), the predetermined voltage applied to the avalanche photodiode 161 is boosted (741).
상기 승압된 소정 전압이 애벌란치 포토다이오드(161)에 인가된 상태에서 애벌란치 포토다이오드(161)의 전력 소모가 최대값에 접근할 때는 애벌란치 포토다이오드(161)에 흐르는 전류를 제한하고, 애벌란치 포토다이오드(161)의 전압이 애벌란치 포토다이오드(161)가 애벌란치 모드로 동작하기 위해 필요한 최소한의 레벨에 접근할 때는 애벌란치 포토다이오드 전압을 감소시킨다(751).When the boosted predetermined voltage is applied to the avalanche photodiode 161, when the power consumption of the avalanche photodiode 161 approaches a maximum value, current flowing through the avalanche photodiode 161 is limited, and the avalan The avalanche photodiode voltage is reduced (751) when the voltage of the photodiode 161 approaches the minimum level required for the avalanche photodiode 161 to operate in the avalanche mode.
그러다가 애벌란치 포토다이오드(161)의 온도가 상기 소정 온도로내려가면(761) 상기 첫 번째 단계(711)로 돌아가고, 애벌란치 포토다이오드(161)의 온도가 계속해서 상기 소정 온도보다 높으면 애벌란치 포토다이오드(161)는 현 상태에서 계속해서 광신호를 수신한다. 애벌란치 포토다이오드(161)가 광신호의 수신을 완료하면 동작을 중지하고, 그렇지 않으면 단계(751)로 돌아가서 그 이후의 과정을 수행한다.Then, when the temperature of the avalanche photodiode 161 falls to the predetermined temperature (761), the process returns to the first step 711. If the temperature of the avalanche photodiode 161 continues to be higher than the predetermined temperature, the avalanche photodiode Diode 161 continues to receive the optical signal in the current state. When the avalanche photodiode 161 completes the reception of the optical signal, the operation stops. Otherwise, the avalanche photodiode 161 returns to step 751 to perform the subsequent process.
도면과 명세서에서 최적 실시예들이 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.The best embodiments have been disclosed in the drawings and the specification. Although specific terms have been used herein, they are used only for the purpose of describing the present invention and are not intended to limit the scope of the invention as defined in the claims or the claims. Therefore, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible from this. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.
상술한 바와 같이 본 발명의 전력 공급기(101)를 애벌란치 포토다이오드(161)에 연결하여 사용함으로써, 애벌란치 포토다이오드(161)의 온도가 상승하더라도 애벌란치 포토다이오드(161)의 감도가 저하되지 않으며, 온도에 무관하게 다이나믹 레인지가 향상된다. 뿐만 아니라 애벌란치 포토다이오드(161)의 온도가 상승하더라도 애벌란치 포토다이오드(161)의 전력 소모량이 최대 전력 소모량을 초과하지 않으며, 애벌란치 포토다이오드(161)가 애벌란치 모드에서 동작하기 위해 필요한 최소한의 전압 이하로 애벌란치 포토다이오드 전압이 떨어지지 않는다. 또, 애벌란치 포토다이오드 전류와 애벌란치 포토다이오드(161)에 수신되는 광신호량을 로그 스케일로 넓은 다이나믹 레인지에 대해 모니터링할 수가 있다. 또한, 본 발명의 전력 공급기(101)는 회로 구성이 간단하여 제작비가 적게 든다.As described above, the power supply 101 of the present invention is connected to the avalanche photodiode 161 so that the sensitivity of the avalanche photodiode 161 does not decrease even when the avalanche photodiode 161 rises in temperature. And dynamic range is improved regardless of temperature. In addition, even if the temperature of the avalanche photodiode 161 rises, the power consumption of the avalanche photodiode 161 does not exceed the maximum power consumption, and the minimum required for the avalanche photodiode 161 to operate in the avalanche mode. The avalanche photodiode voltage does not drop below the voltage of. In addition, the avalanche photodiode current and the amount of optical signals received by the avalanche photodiode 161 can be monitored for a wide dynamic range on a logarithmic scale. In addition, the power supply 101 of the present invention has a simple circuit configuration and low production cost.
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0068952A KR100390342B1 (en) | 2000-11-20 | 2000-11-20 | Power supplier and power supplying method for avalanche photo-diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0068952A KR100390342B1 (en) | 2000-11-20 | 2000-11-20 | Power supplier and power supplying method for avalanche photo-diode |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020039059A true KR20020039059A (en) | 2002-05-25 |
| KR100390342B1 KR100390342B1 (en) | 2003-07-07 |
Family
ID=19700051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0068952A KR100390342B1 (en) | 2000-11-20 | 2000-11-20 | Power supplier and power supplying method for avalanche photo-diode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100390342B1 (en) |
-
2000
- 2000-11-20 KR KR10-2000-0068952A patent/KR100390342B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100390342B1 (en) | 2003-07-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7265333B2 (en) | Light-receiving circuit | |
| US6081558A (en) | Apparatus and method for low power operation with high sensitivity in a communications receiver | |
| US5802089A (en) | Laser diode driver having automatic power control with smooth enable function | |
| US8958445B2 (en) | DC-coupled laser drive circuit and method for driving laser diode device | |
| US4369525A (en) | Device for automatic regulation of the output power of a transmitter module in an optical-fiber transmission system | |
| US10122469B2 (en) | Optical transmitter, active optical cable, and optical transmission method | |
| WO1995026128A3 (en) | Common mode compensation circuit | |
| US7081609B2 (en) | Light-receiving circuit capable of compensating a temperature dependence of an optical sensitivity of a photodiode | |
| US9900960B1 (en) | Dual color temperature-controlling system | |
| US20100231295A1 (en) | Electronic circuit | |
| US8095015B2 (en) | Optical transceiver with reduced peak power consumption and a method to reduce peak power consumption | |
| US20070268642A1 (en) | Integrated programmable over-current protection circuit for optical transmitters | |
| NZ200193A (en) | Optical receiver | |
| JP2004336320A (en) | Light receiving amplifier device | |
| US7211780B2 (en) | Light receiving circuit using avalanche photodiode with a controlled voltage divider | |
| JP3423115B2 (en) | Optical signal transmission device | |
| US20060139736A1 (en) | Optical receiver | |
| US20050224697A1 (en) | Light-receiving circuit capable of expanding a dynamic range of an optical input | |
| US6107850A (en) | Output pulse width control system | |
| KR100390342B1 (en) | Power supplier and power supplying method for avalanche photo-diode | |
| EP0626106A1 (en) | Laser control method and apparatus | |
| US10826491B1 (en) | Control circuit for load switch | |
| JP3982463B2 (en) | Terminal device for fieldbus signal transmission system | |
| US11811542B1 (en) | Galvanic isolation circuitry and associated low power wakeup methods | |
| CN211556422U (en) | Circuit for adjusting constant output of optical power of coaxial laser |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20070625 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |