KR20020035626A - Wireless terminal - Google Patents

Wireless terminal Download PDF

Info

Publication number
KR20020035626A
KR20020035626A KR1020027004266A KR20027004266A KR20020035626A KR 20020035626 A KR20020035626 A KR 20020035626A KR 1020027004266 A KR1020027004266 A KR 1020027004266A KR 20027004266 A KR20027004266 A KR 20027004266A KR 20020035626 A KR20020035626 A KR 20020035626A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
handset
wireless terminal
ground conductor
antenna
impedance
Prior art date
Application number
KR1020027004266A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100818041B1 (en
Inventor
케빈 에르. 보일레
페터 예이. 마세이
로거 힐
Original Assignee
요트.게.아. 롤페즈
코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 요트.게.아. 롤페즈, 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. filed Critical 요트.게.아. 롤페즈
Publication of KR20020035626A publication Critical patent/KR20020035626A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100818041B1 publication Critical patent/KR100818041B1/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/27Adaptation for use in or on movable bodies

Landscapes

  • Transceivers (AREA)
  • Support Of Aerials (AREA)
  • Telephone Set Structure (AREA)

Abstract

무선 터미널은 안테나 급전부에 연결된 접지 컨덕터(1102) 및 트랜시버를 포함하는데, 안테나 급전부는 접지 컨덕터(1102)에 직접 연결된다. 일 실시예에서, 접지 컨덕터는 전도성 케이스(1102)이다. 커플링은 케이스(1102)의 표면(1108) 및 플레이트(506)로 형성된 병렬 플레이트 커패시터(504)를 통해 될 수 있다. 케이스(1102)는 효과적인 광대역 복사체의 역할을 하는데, 이것은 별도의 안테나에 대한 필요성을 제거한다. 이 실시예의 변형에서, 슬롯(1112)은, 트랜시버에 의해 알 수 있듯이 케이스(1102)의 저항을 증가시켜, 터미널의 복사하는 대역폭을 증가시키도록 제공된다.The wireless terminal includes a ground conductor 1102 and a transceiver coupled to the antenna feed, with the antenna feed directly connected to the ground conductor 1102. In one embodiment, the ground conductor is conductive case 1102. Coupling may be through a parallel plate capacitor 504 formed of the surface 1108 of the case 1102 and the plate 506. Case 1102 serves as an effective broadband radiator, which eliminates the need for a separate antenna. In a variation of this embodiment, the slot 1112 is provided to increase the resistance of the case 1102, as seen by the transceiver, to increase the radiating bandwidth of the terminal.

Description

무선 터미널{WIRELESS TERMINAL}Wireless terminal {WIRELESS TERMINAL}

일반적으로, 이동 전화 핸드셋과 같은 무선 터미널은, 정상 모드의 헬릭스(helix) 또는 민더 라인(meander line) 안테나와 같은 외부 안테나, 또는 평면 역-F 안테나(PIFA: Planar Inverted-F Antenna) 또는 이와 유사한 안테나와 같은 내부 안테나와 병합한다.Generally, a wireless terminal, such as a mobile telephone handset, is an external antenna, such as a helix or meander line antenna in normal mode, or a Planar Inverted-F Antenna (PIFA) or similar Merge with an internal antenna, such as an antenna.

그러한 안테나는 소형(파장과 관련하여)이므로, 소형 안테나의 근본적인 한계로 인해 협대역이다. 그러나, 일반적으로, 셀룰러 라디오 통신 시스템은 10% 이상의 비대역폭(fractional bandwidth)을 갖는다. 예를 들어 PIFA로부터 그러한 대역폭을 달성하는 것은, 패치(patch) 안테나의 대역폭과 체적(volume) 사이에 직접적인 관련이 있으므로 상당한 체적을 필요로 하지만, 그러한 체적은, 현재 추세가 소형의 핸드셋으로 향하므로 쉽게 이용가능하지 않다. 따라서, 전술한 한계 때문에, 현재의 무선 터미널에서의 소형 안테나로부터 효과적인 광대역 복사(radiation)를 달성하는 것이 가능하지 않다.Since such antennas are small (in terms of wavelength), they are narrowband due to the fundamental limitations of small antennas. In general, however, cellular radio communication systems have a fractional bandwidth of at least 10%. For example, achieving such bandwidth from PIFA requires a significant volume because there is a direct relationship between the bandwidth and the volume of the patch antenna, but such volume, as the current trend is towards smaller handsets, It is not readily available. Thus, due to the above limitations, it is not possible to achieve effective broadband radiation from small antennas at current wireless terminals.

무선 터미널을 위한 알려진 안테나 장치(arrangements)에 대한 추가 문제는, 일반적으로 상기 장치가 균형이 맞지 않으므로(unbalanced), 터미널 케이스에 튼튼하게 결합되어 있다는 점이다. 그 결과, 상당한 양의 복사선은 안테나보다 터미널 자체로부터 발산된다.A further problem with known antenna arrangements for wireless terminals is that they are generally unbalanced and therefore are firmly coupled to the terminal case. As a result, a significant amount of radiation is emitted from the terminal itself rather than the antenna.

본 발명은 무선 터미널, 예를 들어 이동 전화 핸드셋에 관한 것이다.The present invention relates to a wireless terminal, for example a mobile telephone handset.

도 1은 안테나 및 무선 터미널의 조합을 나타내는, 비대칭 다이폴 안테나의 모델을 도시한 도면.1 shows a model of an asymmetric dipole antenna, showing a combination of an antenna and a wireless terminal.

도 2는 비대칭 다이폴의 임피던스 성분의 분리성(separability)을 설명하는 그래프.2 is a graph illustrating the separability of impedance components of an asymmetric dipole.

도 3은 핸드셋과 안테나의 조합의 등가 회로도.3 is an equivalent circuit diagram of a combination of a handset and an antenna.

도 4는 용량성 백 커플링(capacitively back-coupled)된 핸드셋의 등가 회로도.4 is an equivalent circuit diagram of a capacitively back-coupled handset.

도 5는 기본 용량성 백 커플링된 핸드셋의 사시도.5 is a perspective view of a basic capacitive bag coupled handset.

도 6은 도 5의 핸드셋에 대해 시뮬레이팅(simulated)된 dB 단위의 리턴 손실(return loss)(S11) 대 MHz 단위의 주파수(f)의 그래프.FIG. 6 is a graph of simulated return loss (S 11 ) versus frequency (f) in MHz for the handset of FIG. 5; FIG.

도 7은 주파수 범위(1000 내지 2800MHz)에 걸쳐 도 5의 핸드셋의 시뮬레이팅된 임피던스를 도시한 스미스 차트(Smith chart).FIG. 7 is a Smith chart showing the simulated impedance of the handset of FIG. 5 over a frequency range (1000-2800 MHz). FIG.

도 8은 도 5의 핸드셋의 시뮬레이팅된 저항을 도시한 도면.FIG. 8 illustrates a simulated resistor of the handset of FIG. 5. FIG.

도 9는 좁은 용량성 백 커플링된 핸드셋의 사시도.9 is a perspective view of a narrow capacitive back coupled handset.

도 10은 도 9의 핸드셋의 시뮬레이팅된 저항을 도시한 그래프.10 is a graph showing simulated resistance of the handset of FIG.

도 11은 슬로팅된(slotted) 용량성 백 커플링된 핸드셋의 사시도.11 is a perspective view of a slotted capacitive back coupled handset.

도 12는 도 11의 핸드셋에 대해 시뮬레이팅된 dB 단위의 리턴 손실(S11) 대 MHz 단위의 주파수(f)의 그래프.FIG. 12 is a graph of simulated return loss S 11 in dB versus frequency f in MHz for the handset of FIG.

도 13은 주파수 범위(1000 내지 2800MHz)에 걸쳐 도 11의 핸드셋의 시뮬레이팅된 임피던스를 도시한 스미스 차트.13 is a Smith chart showing the simulated impedance of the handset of FIG. 11 over a frequency range (1000-2800 MHz).

도 14는 용량성 백 커플링된 시제품의 평면도.14 is a plan view of a capacitive bag coupled prototype.

도 15는 도 14의 시제품에 대해 측정된 dB 단위의 리턴 손실(S11) 대 MHz 단위의 주파수(f)의 그래프.FIG. 15 is a graph of measured return loss (S 11 ) in dB versus frequency (f) in MHz as measured for the prototype of FIG. 14.

도 16은 주파수 범위(800 내지 3000MHz)에 걸쳐 도 14의 시제품의 측정된 임피던스를 도시한 스미스 차트.FIG. 16 is a Smith chart showing the measured impedance of the prototype of FIG. 14 over a frequency range (800-3000 MHz).

도 17은 유도성 소자를 사용하는 용량성 백 커플링된 시제품의 평면도.17 is a plan view of a capacitive back coupled prototype using inductive elements.

도 18은 도 17의 시제품에 대해 측정된 dB 단위의 리턴 손실(S11) 대 MHz 단위의 주파수(f)의 그래프.FIG. 18 is a graph of measured return loss (S 11 ) in dB versus frequency (f) in MHz as measured for the prototype of FIG. 17. FIG.

도 19는 주파수 범위(800 내지 3000MHz)에 걸쳐 도 17의 시제품의 측정된 임피던스를 도시한 스미스 차트.FIG. 19 is a Smith chart showing the measured impedance of the prototype of FIG. 17 over a frequency range (800-3000 MHz). FIG.

본 발명의 목적은 광대역폭에 걸쳐 효과적인 복사 특성을 갖는 무선 터미널을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a wireless terminal having effective radiation characteristics over a wide bandwidth.

본 발명에 따라, 안테나 급전부(feed)에 연결된 트랜시버, 및 접지 컨덕터를 포함하는 무선 터미널을 제공하는 것이며, 여기서 안테나 급전부는 접지 컨덕터에 연결된다.According to the present invention, there is provided a wireless terminal comprising a transceiver connected to an antenna feed, and a ground conductor, wherein the antenna feed is connected to a ground conductor.

본 발명은, 종래 기술에는 존재하지 않는, 안테나 및 무선 핸드셋의 임피던스가 분리가능한 비대칭 다이폴(asymmetric dipole)의 임피던스와 유사하다는 인식과, 안테나 임피던스가 복사하지 않는(non-radiating) 커플링(coupling) 소자로 대체될 수 있다는 추가 인식에 기초한다.The present invention recognizes that the impedance of the antenna and wireless handset is similar to that of a detachable asymmetric dipole, which does not exist in the prior art, and that the antenna impedance is non-radiating coupling. It is based on the further recognition that the device can be replaced.

본 발명의 실시예는 첨부 도면을 참조하여 예로서 이제 설명될 것이다.Embodiments of the present invention will now be described by way of example with reference to the accompanying drawings.

도면에서, 동일한 참조 번호는 대응하는 특징을 나타내는데 사용되었다.In the drawings, like reference numerals have been used to indicate corresponding features.

도 1은 안테나 급전점(feed point)에서의 무선 핸드셋에서 송신 모드에 있는 트랜시버에 의해 알게 되는 임피던스의 모델을 도시한다. 임피던스는 비대칭 다이폴로서 모델링되는데, 여기서 제 1 암(arm)(102)은 안테나의 임피던스를 나타내고, 제 2 암(104)은 핸드셋의 임피던스를 나타내고, 양 쪽 암은 소스(106)에 의해 구동된다. 도면에 도시된 바와 같이, 그러한 장치의 임피던스는, 가상 접지(108)로부터 개별적으로 구동되는 각 암(102, 104)의 임피던스의 합과 실질적으로 동일하다. 이 모델은, 이것이 시뮬레이팅하기 약간 더 어려울지라도, 소스(106)를 트랜시버의 임피던스를 나타내는 임피던스로 대체함으로써 수신을 위해 동일하게 잘 사용될 수 있다.1 shows a model of the impedance seen by a transceiver in transmit mode in a wireless handset at an antenna feed point. Impedance is modeled as an asymmetric dipole, where the first arm 102 represents the impedance of the antenna, the second arm 104 represents the impedance of the handset, and both arms are driven by the source 106. . As shown in the figure, the impedance of such a device is substantially equal to the sum of the impedances of each arm 102, 104 driven separately from the virtual ground 108. This model can equally well be used for reception by replacing the source 106 with an impedance that represents the transceiver's impedance, although this is slightly more difficult to simulate.

이러한 모델의 유효성(validity)은, 길이가 40mm이고 직경이 1mm인 제 1 암(102)과, 길이가 80mm이고 직경이 1mm인 제 2 암(104)에 대한 잘 알려진 NEC(Numerical Electromagnetics Code: 수치 전자기 코드)을 사용하는 시뮬레이션에 의해 검사된다. 도 2는, 임피던스를 개별적으로 시뮬레이팅하고 그 결과를 합산함으로써 얻어진 결과와 함께 조합된 장치(Ref R 및 Ref X)의 임피던스(R+jX)의 실수부 및 허수부에 대한 결과를 도시한다. 시뮬레이션의 결과가 매우 유사하다는 것을 알 수 있다. 임피던스가 정확히 시뮬레이팅하기 어려울 때, 유일하게 현저한 편차는 반파장의 공진 영역에 존재한다.The validity of this model is the well-known Numerical Electromagnetics Code (NEC) values for the first arm 102, 40 mm long and 1 mm in diameter, and the second arm 104, 80 mm in length and 1 mm in diameter. Electromagnetic code) to check by simulation. FIG. 2 shows the results for the real and imaginary parts of the impedance R + jX of the devices Ref R and Ref X combined with the results obtained by individually simulating the impedances and summing the results. It can be seen that the results of the simulations are very similar. When impedance is difficult to accurately simulate, the only significant deviation is in the half-wave resonant region.

안테나의 급전부에서 볼 수 있듯이, 안테나과 핸드셋의 조합을 위한 등가 회로는 도 3에 도시된다. R1및 jX1은 안테나의 임피던스를 나타내는 한편, R2및 jX2는 핸드셋의 임피던스를 나타낸다. 이러한 등가 회로로부터, 안테나(P1) 및 핸드셋(P2)에 의해 복사된 전력비가 다음과 같이 주어지는 것을 추론할 수 있다.As can be seen at the feed of the antenna, an equivalent circuit for the combination of the antenna and the handset is shown in FIG. R 1 and jX 1 represent the impedance of the antenna, while R 2 and jX 2 represent the impedance of the handset. From this equivalent circuit, it can be inferred that the power ratio radiated by the antenna P 1 and the handset P 2 is given as follows.

안테나의 크기가 감소되면, 그 복사 저항(R1)도 또한 감소할 것이다. 안테나가 초소형(infinitesimally small)이 되면, 복사 저항(R1)은 0으로 떨어질 것이고, 모든 복사는 핸드셋으로부터 나올 것이다. 이러한 상태는, 핸드셋 임피던스가 암을 구동하는 소스(106)에 적합한 경우, 및 미소(infinitesimal) 안테나의 용량성 리액턴스가 핸드셋의 용량성 백 커플링을 증가시킴으로써 최소화될 수 있는 경우에 유리한 상태가 될 수 있다.If the size of the antenna is reduced, its radiation resistance R 1 will also decrease. When the antenna is infinitely small, the radiation resistance R 1 will drop to zero and all radiation will come from the handset. This condition will be advantageous if the handset impedance is suitable for the source driving the arm 106 and if the capacitive reactance of the infinitesimal antenna can be minimized by increasing the capacitive back coupling of the handset. Can be.

이러한 변형을 통해, 등가 회로는 도 4에 도시된 회로로 변형된다. 그러므로, 안테나는, 최대 커플링 및 최소 리액턴스를 위한 대용량의 커패시턴스를 갖도록 설계된, 물리적으로 매우 소형의 백 커플링 커패시터로 교체된다. 백 커플링 커패시터의 잔류 리액턴스는 간단한 매칭(matching) 회로로 동조될 수 있다. 핸드셋의 정확한 설계에 의해, 결과로서 생기는 대역폭은 종래의 안테나와 핸드셋의 조합보다 훨씬 더 넓을 수 있는데, 그 이유는, 핸드셋이 낮은 Q의 복사 소자(시뮬레이션은 전형적인 Q가 약 1인 것을 보여준다)의 역할을 하는 반면, 종래의 안테나는 일반적으로 약 50의 Q를 갖기 때문이다.Through this modification, the equivalent circuit is transformed into the circuit shown in FIG. Therefore, the antenna is replaced with a physically very small back coupling capacitor, which is designed to have a large capacitance for maximum coupling and minimum reactance. The residual reactance of the back coupling capacitor can be tuned into a simple matching circuit. Due to the precise design of the handset, the resulting bandwidth can be much wider than a conventional antenna and handset combination, because the handset has a low Q radiation element (simulation shows that typical Q is about 1). While conventional antennas generally have a Q of about 50.

용량성 백 커플링된 핸드셋의 기본 실시예는 도 5에 도시된다. 핸드셋(502)은 일반적으로 최신식 셀룰러 핸드셋의 10×40×100mm의 크기를 갖는다. 2×10×10mm의 크기를 갖는 병렬 플레이트 커패시터(504)는, 훨씬 더 큰 안테나가 일반적으로 차지하는 위치에서 핸드셋(502)의 상부 에지(edge)(508)의 2mm 위에 10×10mm의 플레이트(506)를 장착함으로써 형성된다. 결과로서 생기는 커패시턴스는 약 0.5pF인데, 이것은 커패시턴스{핸드셋(502)과 플레이트(504)의 간격을 감소시킴으로써 증가됨}와 커플링 효율{핸드셋(502)과 플레이트(504)의 간격에 달려있음} 사이의 절충물(compromise)을 나타낸다. 커패시터는, 핸드셋 케이스(502)로부터 절연되는 지지대(510)를 통해 급전된다.A basic embodiment of a capacitive back coupled handset is shown in FIG. 5. Handset 502 generally has a size of 10 × 40 × 100 mm of a modern cellular handset. A parallel plate capacitor 504 with a size of 2 × 10 × 10 mm is a 10 × 10 mm plate 506 above 2 mm of the top edge 508 of the handset 502 at a location typically occupied by a much larger antenna. ) Is formed by mounting. The resulting capacitance is about 0.5pF, which is between the capacitance (increased by reducing the gap between the handset 502 and the plate 504) and the coupling efficiency (depending on the distance between the handset 502 and the plate 504). Represents a compromise. The capacitor is fed through a support 510 that is insulated from the handset case 502.

매칭 이후에 이 실시예의 리턴 손실(S11)은, 안소프트 코포레이션(Ansoft Corporation)으로부터 입수할 수 있는, 고주파수 구조 시뮬레이터(HFSS: High Frequency Structure Simulator)를 사용하여 시뮬레이팅되는데, 그 결과는 1000MHz와 2800MHz 사이의 주파수(f)에 대해 도 6에 도시된다. 종래의 2개의 인덕터 "L"네트워크는 1900MHz에서 매칭하는데 사용된다. 결과로서 생기는 7dB의 리턴 손실(복사된 입력 전력의 대략 90%에 해당함)의 대역폭은 대략 60MHz, 또는 3%인데, 이것은 유용하지만 가능한 한 클 필요는 없다. 동일한 주파수 범위에 걸친 이러한 실시예의 시뮬레이팅된 임피던스를 도시한 스미스 차트는 도 7에 도시된다.After matching, the return loss S 11 of this embodiment is simulated using a High Frequency Structure Simulator (HFSS), available from Ansoft Corporation, which results in 1000MHz and It is shown in Figure 6 for a frequency f between 2800 MHz. Two conventional inductor " L " networks are used to match at 1900 MHz. The resulting 7dB return loss (approximately 90% of the copied input power) has a bandwidth of approximately 60MHz, or 3%, which is useful but need not be as large as possible. A Smith chart showing the simulated impedance of this embodiment over the same frequency range is shown in FIG. 7.

대역폭이 낮은 것은, 핸드셋(502)이 1900MHz에서 대략 3-j90Ω의 임피던스를 제공하기 때문이다. 도 8은 HFSS를 사용하여 시뮬레이팅된, 이전과 동일한 주파수 범위에 걸친 저항 변동(variation)을 도시한다. 이것은 저항을 증가시키기 위해 케이스를 재설계함으로써 향상될 수 있다.The low bandwidth is because the handset 502 provides an impedance of approximately 3-j90 Hz at 1900 MHz. 8 shows resistance variation over the same frequency range as before, simulated using HFSS. This can be improved by redesigning the case to increase the resistance.

이것이 이루어질 수 있는 한가지 방식은 핸드셋(502)의 폭을 감소시키는 것인데, 그 이유는, 다이폴의 반경이 감소할 때 저항이 다이폴과 대체로 동일한 방식으로 증가하기 때문이다. 도 9는 좁은 용량성 백 커플링된 핸드셋(902)을 갖는 제 2 실시예를 도시한다. 핸드셋(902)은 10×10×100mm의 크기를 갖는 한편, 플레이트(506)와, 핸드셋(902)의 상부 표면(908)과, 지지대(510)로부터 형성된 커패시터(504)의 크기는 이전의 실시예로부터 변하지 않는다. 이러한 실시예의 저항의 변동을 결정하기 위해 시뮬레이션이 다시 수행되는데, 그 결과는 도 10에 도시되어 있다. 이것은, 폭이 좁은 핸드셋의 사용이, 저항이 기본 구성의 저항보다 더 높아지는 곳에 더 넓은 대역폭을 제공하는 것을 명백하게 설명한다. 핸드셋의 길이는, 구조의 공진 주파수를 변화시킴으로써(shifting) 특정 주파수에 중심을 둔 광대역폭을 제공하도록 최적화될 수 있다. 고정된 길이의 핸드셋에 대해, 수평 슬롯(즉, 핸드셋의 폭을 가로지르는 슬롯)은 핸드셋을 전기적으로 단락시키거나 연장시키기 위해 사용될 수 있다.One way this can be done is to reduce the width of the handset 502 because the resistance increases in much the same way as the dipole when the radius of the dipole is reduced. 9 shows a second embodiment with a narrow capacitive back coupled handset 902. The handset 902 has a size of 10 × 10 × 100 mm, while the size of the plate 506, the top surface 908 of the handset 902, and the capacitor 504 formed from the support 510 is the size of the previous implementation. It does not change from ancient times. The simulation is again performed to determine the variation of the resistance of this embodiment, the result of which is shown in FIG. 10. This clearly demonstrates that the use of a narrow handset provides a wider bandwidth where the resistance is higher than the resistance of the basic configuration. The length of the handset can be optimized to provide a wide bandwidth centered on a particular frequency by shifting the resonant frequency of the structure. For handsets of fixed length, horizontal slots (ie, slots across the width of the handset) can be used to electrically short or extend the handset.

케이스의 저항을 증가시키는 대안적인 방식은, 수직 슬롯(즉, 핸드셋의 길이, 또는 주축에 평행한 슬롯)을 삽입하는 것이다. 도 11은, 커패시터(504)와 함께 케이스에서 깊이가 33mm인 슬롯(1112)을 구비하는 슬로팅된 용량성 백 커플링된 핸드셋(1102)을 갖는 제 3 실시예를 도시한다. 핸드셋(1102)의 플레이트(506) 및 상부 표면(1108)으로부터 형성된 커패시터(504)와, 지지대(510)의 크기는 이전 실시예로부터 변하지 않는다. 슬롯(1112)의 제공은, 트랜시버에 의해 알 수 있듯이, 1900MHz의 영역에서 케이스의 저항을 상당히 증가시키고, 낮은-Q 케이스로 하여금 대역폭에서 상당한 손실을 입지 않고도 50Ω에 매칭되도록 한다.An alternative way to increase the resistance of the case is to insert a vertical slot (ie, the length of the handset, or a slot parallel to the major axis). FIG. 11 shows a third embodiment with a slotted capacitive back coupled handset 1102 having a capacitor 504 and a slot 1112 with a depth of 33 mm in the case. The size of the support 510 and the capacitor 504 formed from the plate 506 and the top surface 1108 of the handset 1102 do not change from the previous embodiment. The provision of slot 1112, as can be seen by the transceiver, significantly increases the resistance of the case in the region of 1900 MHz and allows the low-Q case to match 50 Hz without significant loss in bandwidth.

이러한 실시예의 리턴 손실(S11)은 HFSS를 사용하여 다시 시뮬레이팅되고, 그 결과는, 기본 실시예에 사용된 것과 유사한 2개의 인덕터 매칭 네트워크를 사용하여 1000과 2800MHz 사이의 주파수(f)에 대해 도 12에 도시된다. 그 결과로서 생기는 7dB의 리턴 손실에서의 대역폭은 대략 350MHz, 또는 18%에서 크게 증가되는데, 이것은 UMTS 및 DCS 1800 대역을 동시에 커버하는데 필요한 대역폭에 도달한다. 동일한 주파수 범위에 걸쳐 이 실시예의 시뮬레이팅된 임피던스를 도시한 스미스 차트는 도 13에 도시된다.The return loss S 11 of this embodiment is simulated again using HFSS, and the result is for frequencies f between 1000 and 2800 MHz using two inductor matching networks similar to those used in the base embodiment. 12 is shown. The resulting bandwidth at 7dB return loss is greatly increased at approximately 350MHz, or 18%, which reaches the bandwidth needed to simultaneously cover the UMTS and DCS 1800 bands. A Smith chart showing the simulated impedance of this embodiment over the same frequency range is shown in FIG. 13.

시제품은 전술한 시뮬레이션 결과의 실제 적용을 증명하도록 제작된다. 도 14는 시제품의 평면도인데, 상기 시제품은, 0.8mm 두께의 FR4 회로 보드(측정된 4.1의 유전 상수를 갖는)상에서 40×100mm의 크기를 갖는 구리 접지면(1402)을 포함한다. 3×29.5mm의 슬롯(1412)은 접지면에 제공되고, 10×10mm의 플레이트(506)는 접지면(1402)의 코너 2mm 위에 위치한다. 접지면(1402)의 동일한 면상에 걸친(co-extensive) 부분, 및 상기 플레이트는 전술한 실시예에서와 같이 병렬 플레이트 커패시터를 형성한다. 커패시터는 회로 보드의 배면부(rear surface)에 부착된 동축 케이블(1404), 및 수직 핀(510)을 통해 급전된다.Prototypes are built to demonstrate the practical application of the simulation results described above. 14 is a top view of a prototype, which includes a copper ground plane 1402 having a size of 40 × 100 mm on a 0.8 mm thick FR4 circuit board (with a dielectric constant of 4.1 measured). A slot 1412 of 3 × 29.5 mm is provided in the ground plane, and a plate 506 of 10 × 10 mm is located 2 mm above the corner of the ground plane 1402. The co-extensive portion of the ground plane 1402, and the plate, form a parallel plate capacitor as in the embodiment described above. The capacitor is fed through a coaxial cable 1404 and a vertical pin 510 attached to the rear surface of the circuit board.

이 실시예의 리턴 손실(S11)은 매칭없이 측정되고, 그 다음에 상기 매칭은 시뮬레이션에 추가된다. 추가된 매칭은 전술한 시뮬레이션에 사용된 것과 유사한, 3.5nH 직렬 인덕터 및 4nH 션트(shunt) 인덕터이다. 그 결과는 800과 3000MHz 사이의 주파수(f)에 대한 도 15에 도시되어 있다. 결과로서 생기는 7dB의 리턴 손실에서의 대역폭은 1600MHz에 중심을 둔 대략 350MHz, 또는 22%인데, 이것은 대략 UMTS 및 DCS 1800 대역을 동시에 커버하는데 필요한 비대역폭이다. 동일한 주파수 범위에 걸쳐 이 실시예의 임피던스를 도시한 스미스 차트는 도 16에 도시되어 있다.The return loss S 11 of this embodiment is measured without a match, and then the match is added to the simulation. Added matches are 3.5 nH series inductors and 4 nH shunt inductors, similar to those used in the simulations described above. The result is shown in FIG. 15 for the frequency f between 800 and 3000 MHz. The resulting bandwidth at 7 dB return loss is approximately 350 MHz, or 22%, centered at 1600 MHz, which is approximately the non-bandwidth needed to cover the UMTS and DCS 1800 bands simultaneously. A Smith chart showing the impedance of this embodiment over the same frequency range is shown in FIG.

전술한 실시예는 용량성 커플링에 기초한다. 그러나, 임의의 다른 희생(sacrificial)(복사되지 않음) 커플링 소자는 예를 들어 유도성 커플링 대신 사용될 수 있다. 또한, 커플링 소자는 임피던스 매칭에 도움을 주기 위해 변경될 수 있다. 예를 들어, 용량성 커플링은 어떠한 추가 매칭 성분을 필요로 하지 않는 장점을 갖는 유도성 소자를 통해 달성될 수 있다.The above described embodiment is based on capacitive coupling. However, any other sacrificial (not copied) coupling element can be used, for example, instead of inductive coupling. In addition, the coupling element can be modified to assist in impedance matching. For example, capacitive coupling can be achieved through inductive elements that have the advantage of not requiring any additional matching components.

이러한 기술의 일례로서, 추가 시제품이 제작되고, 이것은 도 17에 평면도로 도시되어 있다. 이러한 시제품은 도 14에 도시된 것과 유사한데, 그 차이점은, 플레이트(506)가 접지면(1402)의 코너로부터 다소 오프셋(offset)되고, 더 이상 완전히 금속화되지 않고, 그 대신 급전 핀(510)에 한 단부가 연결된 나선형 트랙(1706)이 제공된다는 점이다. 상기 트랙(1706)의 길이는 요구되는 주파수, 이 실시예에서는 대략 1600MHz에서 공진하도록 선택된다. 상기 트랙(1706)은 회로 보드의 배면부 위의 스트립라인(stripline)(1704)을 통해 급전된다.As an example of this technique, additional prototypes are fabricated, which are shown in plan view in FIG. This prototype is similar to that shown in FIG. 14, with the difference that the plate 506 is slightly offset from the corner of the ground plane 1402 and is no longer fully metallized, instead the feed pin 510 Is provided with a spiral track 1706 connected at one end. The length of the track 1706 is chosen to resonate at the required frequency, in this embodiment approximately 1600 MHz. The track 1706 is fed through a stripline 1704 on the back of the circuit board.

이 실시예의 리턴 손실(S11)은 매칭없이 측정된다. 그 결과는 800과 3000MHz 사이의 주파수(f)에 대해 도 18에 도시되어 있다. 결과로서 생기는 7dB의 리턴 손실에서의 대역폭은 1580MHz에 중심을 둔 대략 135MHz, 또는 9%이고, 이러한 대역폭이 추가 최적화 및 매칭에 의해 상당히 개선될 수 있다고 생각된다. 동일한 주파수 범위에 걸쳐 이 실시예의 임피던스를 도시한 스미스 차트는 도 19에 도시되어 있다.The return loss S 11 of this embodiment is measured without matching. The result is shown in FIG. 18 for a frequency f between 800 and 3000 MHz. The resulting bandwidth at 7dB return loss is approximately 135MHz, or 9% centered at 1580MHz, and it is believed that this bandwidth can be significantly improved by further optimization and matching. A Smith chart showing the impedance of this embodiment over the same frequency range is shown in FIG. 19.

전술한 실시예에서, 전도성 핸드셋 케이스는 복사 소자이다. 그러나, 무선 터미널에서의 다른 접지 전도체는 유사한 기능을 수행할 수 있다. 그 예는, EMC 차폐 및 인쇄 회로 기판(PCB: Printed Circuit Board)의 금속화 영역에 사용된 전도체, 예를 들어 접지면을 포함한다.In the above embodiment, the conductive handset case is a radiation element. However, other grounding conductors at the wireless terminal may perform similar functions. Examples include conductors, such as ground planes, used in the metallization region of EMC shielding and printed circuit boards (PCBs).

본 명세서를 읽음으로써, 다른 변형은 당업자에게 명백할 것이다. 그러한 변형은, 무선 터미널 및 무선 터미널의 구성 부품의 설계, 제조 및 사용에서 이미 알려지고, 본 명세서에서 이미 설명한 특징 대신 또는 특징에 부가하여 사용될 수 있는 다른 특징을 포함할 수 있다. 청구항이 본 명세서에서 특징의 특정한 조합에 대해 기재될지라도, 본 명세서의 개시의 범주가, 본 명세서에서 명백히 또는 함축적으로 개시된 특징의 임의의 새로운 특징 또는 임의의 새로운 조합, 또는 이들의 일반화를 역시 포함하는데, 임의의 청구항에서 현재 청구된 동일한 발명에 관한 것인 지의 여부 및 본 발명이 해결한 동일한 기술적 문제를 일부 또는 모두를 완화시키는 지의 여부에 관계없이 포함한다는 것을 이해할 수 있다. 본 명세서 또는 본 명세서에서 유도되는 임의의 추가 응용의 수행동안 새로운 청구항이 그러한 특징 및/또는 특징의 조합으로 형성될 수 있다는 것을 출원인은 이에 따라 주의해야 한다.By reading this specification, other variations will be apparent to those skilled in the art. Such modifications may include other features that are already known in the design, manufacture, and use of wireless terminals and components of the wireless terminal, and that may be used instead of or in addition to the features already described herein. Although the claims are described herein for a particular combination of features, the scope of the disclosure herein also includes any new feature or any new combination of features disclosed explicitly or implicitly herein, or a generalization thereof. It is to be understood that the present invention includes whether or not it relates to the same invention currently claimed in any claim and whether or not to alleviate some or all of the same technical problems solved by the present invention. Applicants should therefore note that new claims may be formed of such features and / or combinations of features during the performance of this specification or any further application derived herein.

본 명세서 및 청구항에서, 단수로 기재된 요소는 복수의 그러한 요소의 존재를 배제하지 않는다. 더욱이, 단어 "포함하는"은 기입된 것보다 다른 요소 또는 단계의 존재를 배제하지 않는다.In the specification and claims, the elements described in the singular do not exclude the presence of a plurality of such elements. Moreover, the word "comprising" does not exclude the presence of other elements or steps than those written.

상술한 바와 같이, 본 발명은 무선 터미널, 예를 들어 이동 전화 핸드셋 등에 이용된다.As mentioned above, the present invention finds use in wireless terminals such as mobile telephone handsets.

Claims (9)

안테나 급전부(feed)에 연결된 트랜시버, 및 접지 전도체를 포함하는, 무선 터미널로서,A wireless terminal comprising a transceiver coupled to an antenna feed, and a ground conductor, 상기 안테나 급전부는 상기 접지 전도체에 연결되는, 무선 터미널.And the antenna feed portion is connected to the ground conductor. 제 1항에 있어서, 상기 안테나 급전부는 커패시터를 통해 상기 접지 전도체에 연결되는 것을 특징으로 하는, 무선 터미널.The wireless terminal of claim 1, wherein the antenna feed portion is connected to the ground conductor via a capacitor. 제 2항에 있어서, 상기 커패시터는 상기 접지 전도체의 부분과 전도성 플레이트(plate)로 형성된 병렬 플레이트 커패시터인 것을 특징으로 하는, 무선 터미널.3. The wireless terminal of claim 2, wherein the capacitor is a parallel plate capacitor formed of a portion of the ground conductor and a conductive plate. 제 1항에 있어서, 상기 안테나 급전부는 유도성 소자와 상기 접지 전도체 사이의 커패시턴스에 의해 상기 접지 전도체에 연결되는 것을 특징으로 하는, 무선 터미널.The wireless terminal of claim 1, wherein the antenna feed portion is connected to the ground conductor by a capacitance between an inductive element and the ground conductor. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 슬롯(slot)은 상기 접지 전도체에 제공되는 것을 특징으로 하는, 무선 터미널.5. A wireless terminal according to any one of the preceding claims, wherein a slot is provided in the ground conductor. 제 5항에 있어서, 상기 슬롯은 상기 터미널의 주축(major axis)에 평행한 것을 특징으로 하는, 무선 터미널.6. The wireless terminal of claim 5, wherein the slot is parallel to the major axis of the terminal. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접지 전도체는 핸드셋 케이스인 것을 특징으로 하는, 무선 터미널.The wireless terminal of claim 1, wherein the ground conductor is a handset case. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접지 전도체는 인쇄 회로 기판(printed circuit board)의 접지면인 것을 특징으로 하는, 무선 터미널.7. A wireless terminal according to any one of claims 1 to 6, wherein the ground conductor is a ground plane of a printed circuit board. 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서, 매칭(matching) 네트워크는 상기 트랜시버와 상기 안테나 급전부 사이에 제공되는 것을 특징으로 하는, 무선 터미널.9. A wireless terminal according to any one of claims 1 to 8, wherein a matching network is provided between the transceiver and the antenna feed.
KR1020027004266A 2000-08-08 2001-07-20 Wireless terminal KR100818041B1 (en)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GBGB0019335.9A GB0019335D0 (en) 2000-08-08 2000-08-08 Wireless terminal
GB0019335.9 2000-08-08
GB0108899.6 2001-04-10
GBGB0108899.6A GB0108899D0 (en) 2000-08-08 2001-04-10 Wireless terminal

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020035626A true KR20020035626A (en) 2002-05-11
KR100818041B1 KR100818041B1 (en) 2008-03-31

Family

ID=9897117

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020027004266A KR100818041B1 (en) 2000-08-08 2001-07-20 Wireless terminal

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR100818041B1 (en)
GB (2) GB0019335D0 (en)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2498819B1 (en) * 1981-01-23 1985-05-31 Thomson Csf SMALL ANTENNA
SE507077C2 (en) * 1996-05-17 1998-03-23 Allgon Ab Antenna device for a portable radio communication device
GB2344969B (en) * 1998-12-19 2003-02-26 Nec Technologies Mobile phone with incorporated antenna

Also Published As

Publication number Publication date
GB0108899D0 (en) 2001-05-30
GB0019335D0 (en) 2000-09-27
KR100818041B1 (en) 2008-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100903445B1 (en) Wireless terminal with a plurality of antennas
KR101031052B1 (en) Multiband antenna component
US6025805A (en) Inverted-E antenna
US6700543B2 (en) Antenna element with conductors formed on outer surfaces of device substrate
US6593897B1 (en) Wireless GPS apparatus with integral antenna device
US7835776B2 (en) Wireless terminal
JP2005503705A (en) Wireless terminal
US20020177416A1 (en) Radio communications device
WO2007043941A1 (en) Antenna arrangement provided with a wave trap
JP3982692B2 (en) Antenna device
JP3539288B2 (en) Antenna structure and communication device having the antenna structure
KR100861865B1 (en) Wireless terminal
KR100818041B1 (en) Wireless terminal
KR101708570B1 (en) Triple Band Ground Radiation Antenna
CN117594986B (en) Miniaturized multiband antenna
KR20030020407A (en) Radio communication device with slot antenna

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130227

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140227

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150227

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151230

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161229

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee