KR20020023598A - Delay circuit - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A delay circuit is provided to prevent a malfunction of the whole circuit, by making a duty of an input signal correspond to that of an output signal even if a degree of delay at a rising edge is different from that at a falling edge in a low voltage operation. CONSTITUTION: The first exclusive OR gate(XOR11) exclusively ORs an input signal and a delayed input signal through the first delay part(11). The first inverter(INV11) inverts the input signal. The second exclusive OR gate(XOR12) exclusively ORs an output signal of the fist inverter and a delayed output signal of the first inverter through the second delay part(12). A NAND gate(NAND11) NANDs the output signals of the first and second exclusive OR gates. The second inverter(INV12) inverts the output signal of the NAND gate. A latch unit(14) is synchronized by the output signal of the NAND gate and the second inverter, and transits the input signal passing through a buffer(13) to output the transit signal as an output signal. The latch unit maintains the output signal until a next synchronization occurs.

Description

지연회로{DELAY CIRCUIT}Delay circuit {DELAY CIRCUIT}

본 발명은 지연회로에 관한 것으로, 특히 입력신호와 듀티(duty)가 일치하는 지연된 출력신호를 얻기에 적당하도록 한 지연회로에 관한 것이다.The present invention relates to a delay circuit, and more particularly, to a delay circuit suitable for obtaining a delayed output signal whose duty matches the input signal.

일반적으로, 씨모스 트랜지스터를 통해 제조되는 지연회로는 입력신호를 일정하게 지연시키는 다수의 지연 유니트를 직렬조합하여 원하는 지연값을 갖도록 구성되거나 또는 입력신호를 입력버퍼를 통해 버퍼링한 다음 지연회로를 통해 지연시키고, 다시 출력버퍼를 통해 최종적인 지연신호를 얻을 수 있도록 구성되는 등 다양하게 설계되고 있다. 이와같은 일반적인 지연회로는 원하는 지연값을 정확하게 제어하기 어렵고, 특히 저전압에서 입출력 듀티가 달라짐에 따라 회로동작의 불량이 발생하는 문제점이 있었다.In general, a delay circuit manufactured through a CMOS transistor is configured to have a desired delay value by serially combining a plurality of delay units that uniformly delay an input signal, or buffer the input signal through an input buffer and then through a delay circuit. It is designed to be delayed and configured to obtain a final delay signal through the output buffer again. Such a general delay circuit has difficulty in accurately controlling a desired delay value, and in particular, there is a problem in that a circuit operation defect occurs due to a change in input / output duty at a low voltage.

종래의 지연회로를 첨부한 도면을 일 예로 상세히 설명하면 다음과 같다.Referring to the drawings with a conventional delay circuit in detail as follows.

도1은 종래의 지연회로도로서, 이에 도시한 바와같이 입력신호(IN)를 반전하는 인버터(INV1)와; 상기 인버터(INV1)의 출력을 저항(R1)을 통해 드레인에 인가받고, 소스가 접지되며, 상기 입력신호(IN)를 게이트에 인가받아 도통제어되는 엔모스 트랜지스터(NM1)와; 상기 엔모스 트랜지스터(NM1)의 드레인과 접지 사이에 접속되어 엔모스 트랜지스터(NM1)가 턴온되면, 상기 저항(R1)과 함께 엔모스 트랜지스터(NM1)의 드레인 출력을 RC 지연시키는 커패시터(C1)와; 상기 커패시터(C1)를 통해 지연된 엔모스 트랜지스터(NM1)의 드레인 출력을 일측에 입력받고, 사용자로부터 입력되는 초기화신호(RST)를 타측에 입력받아 낸드조합하여 출력신호(OUT)로 출력하는 낸드게이트(NAND1)로 구성된다.Fig. 1 is a conventional delay circuit diagram, which shows an inverter INV1 for inverting an input signal IN as shown therein; An NMOS transistor NM1 which receives the output of the inverter INV1 to a drain through a resistor R1, a source is grounded, and is electrically controlled by applying an input signal IN to a gate; When the NMOS transistor NM1 is turned on and connected between the drain of the NMOS transistor NM1 and ground, a capacitor C1 for RC delaying the drain output of the NMOS transistor NM1 together with the resistor R1; ; The NAND gate receives the drain output of the NMOS transistor NM1 delayed through the capacitor C1 on one side, receives the initialization signal RST input from the user on the other side, and outputs the NAND combination as an output signal OUT. It consists of (NAND1).

이하, 상기한 바와같이 구성된 종래 지연회로의 동작을 도2의 입출력 파형도를 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the operation of the conventional delay circuit configured as described above will be described in detail with reference to the input / output waveform diagram of FIG.

먼저, 입력신호(IN)가 저전위에서 고전위로 천이하면, 인버터(INV1)가 이를 반전하여 저전위를 출력한다. 이때, 입력신호(IN)를 게이트에 인가받는 엔모스 트랜지스터(NM1)가 턴온되므로, 커패시터(C1)는 방전이 이루어진다.First, when the input signal IN transitions from the low potential to the high potential, the inverter INV1 inverts it and outputs the low potential. At this time, since the NMOS transistor NM1 applying the input signal IN to the gate is turned on, the capacitor C1 is discharged.

따라서, 낸드게이트(NAND1)는 타측에 입력되는 초기화신호(RST)에 관계없이 입력신호(IN)가 커패시터(C1)의 방전에 소요된 시간 만큼 지연되어 고전위로 천이하는 출력신호(OUT)를 출력한다.Accordingly, the NAND gate NAND1 outputs an output signal OUT that transitions to a high potential by delaying the input signal IN by the time required for discharging the capacitor C1 regardless of the initialization signal RST input to the other side. do.

그리고, 입력신호(IN)가 고전위에서 저전위로 천이하면, 인버터(INV1)가 이를 반전하여 고전위를 출력한다. 이때, 입력신호(IN)를 게이트에 인가받는 엔모스 트랜지스터(NM1)가 턴오프되므로, 커패시터(C1)는 충전된다.When the input signal IN transitions from a high potential to a low potential, the inverter INV1 inverts it and outputs a high potential. At this time, since the NMOS transistor NM1 applying the input signal IN to the gate is turned off, the capacitor C1 is charged.

따라서, 낸드게이트(NAND1)는 타측에 입력되는 초기화신호(RST)가 고전위로 인가되면, 입력신호(IN)가 커패시터(C1)의 충전 및 저항(R1)과 커패시터(C1)에 기인한 RC 지연 시간만큼 지연되어 저전위로 천이하는 출력신호(OUT)를 출력한다.Accordingly, when the NAND1 NAND1 is supplied with the initialization signal RST input to the other side with high potential, the RC delay due to the charging and resistance R1 of the capacitor C1 and the capacitor C1 is applied to the input signal IN. The output signal OUT which transitions to the low potential with a delay by time is output.

이때, 저전압에서 커패시터(C1)의 충전이 방전에 비해 더 오래 걸리므로, 출력신호(OUT)의 상승에지와 하강에지의 지연정도가 달라짐에 따라 입력신호(IN)와 출력신호(OUT)의 듀티가 일치하지 않게 된다.At this time, since the charging of the capacitor C1 takes longer than the discharge at low voltage, the duty of the input signal IN and the output signal OUT depends on the delay degree of the rising edge and the falling edge of the output signal OUT. Does not match.

그러나, 상기한 바와같은 종래의 지연회로는 도2의 파형도에서 알 수 있는 바와같이 저전압에서 출력신호의 상승에지와 하강에지의 지연정도가 달라져 입력신호와 출력신호의 듀티가 일치하지 않으며, 또한 저전압에서 회로를 이루는 트랜지스터들의 구동능력이 저하됨에 따라 듀티차가 더욱 커지게 되어 불량이 발생하는 문제점이 있었다.However, in the conventional delay circuit as described above, as shown in the waveform diagram of FIG. 2, the delay degree of the rising edge and the falling edge of the output signal is changed at low voltage so that the duty of the input signal and the output signal does not match. As the driving capability of the transistors constituting the circuit at low voltage is lowered, the duty difference is further increased, which causes a problem in that a defect occurs.

본 발명은 상기한 바와같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 창안한 것으로, 본 발명의 목적은 입력신호와 듀티가 일치하는 지연된 출력신호를 얻을 수 있는 지연회로를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the conventional problems as described above, and an object of the present invention is to provide a delay circuit capable of obtaining a delayed output signal in which the input signal and the duty match.

도1은 종래의 지연회로도.1 is a conventional delay circuit diagram.

도2는 도1의 입출력 파형도.2 is an input / output waveform diagram of FIG. 1;

도3은 본 발명의 일 실시예를 보인 블록도.Figure 3 is a block diagram showing an embodiment of the present invention.

도4는 정상적인 전압에서 도3의 각 노드 파형도.4 is a waveform diagram of each node of FIG. 3 at a normal voltage.

도5는 저전압에서 도3의 각 노드 파형도.FIG. 5 is a waveform diagram of each node of FIG. 3 at low voltage. FIG.

***도면의 주요부분에 대한 부호의 설명****** Explanation of symbols for main parts of drawing ***

IN:입력신호 OUT:출력신호IN: input signal OUT: output signal

11,12:제1,제2지연부 XOR11,XOR12:제1,제2배타적 오아게이트11, 12: first and second delayed portions XOR 11, XOR 12: first and second exclusive oragate

NAND11:낸드게이트 INV11,INV12:제1,제2인버터NAND11: NAND gate INV11, INV12: 1st, 2nd inverter

13:버퍼 14:래치부13: Buffer 14: latch

상기한 바와같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 지연회로는 입력신호와 제1지연부를 통해 지연된 입력신호를 배타적 오아조합하는 제1배타적 오아게이트와; 상기 입력신호를 반전하는 제1인버터와; 상기 제1인버터의 출력신호와 제2지연부를 통해 지연된 제1인버터의 출력신호를 배타적 오아조합하는 제2배타적 오아게이트와; 상기 제1,제2배타적 오아게이트의 출력신호를 낸드조합하는 낸드게이트와; 상기 낸드게이트의 출력신호를 반전하는 제2인버터와; 상기 낸드게이트와 제2인버터의 출력신호에 의해 동기되어 버퍼를 통과한 입력신호를 천이시켜 출력신호로 출력하며, 다음 동기가 발생할때까지 출력신호를 유지시키는 래치부를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 한다.A delay circuit for achieving the object of the present invention as described above comprises a first exclusive ora gate for combining the exclusive signal of the input signal and the delayed input signal through the first delay unit; A first inverter for inverting the input signal; A second exclusive oragate which combines an output signal of the first inverter and an output signal of the first inverter delayed through a second delay unit; A NAND gate NAND combining the output signals of the first and second exclusive ogates; A second inverter for inverting an output signal of the NAND gate; And a latch unit for shifting the input signal passed through the buffer in synchronization with the output signal of the NAND gate and the second inverter to output the output signal, and holding the output signal until the next synchronization occurs. .

상기한 바와같은 본 발명에 의한 지연회로를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.When described in detail with reference to the accompanying drawings a delay circuit according to the present invention as follows.

도3은 본 발명의 일 실시예를 보인 블록도로서, 이에 도시한 바와같이 입력신호(IN)와 제1지연부(11)에서 지연된 입력신호(IN)를 배타적 오아조합하는 제1배타적 오아게이트(XOR11)와; 상기 입력신호(IN)를 반전하는 제1인버터(INV11)와; 상기 제1인버터(INV11)의 출력신호와 제2지연부(12)에서 지연된 제1인버터(INV11)의 출력신호를 배타적 오아조합하는 제2배타적 오아게이트(XOR11)와; 상기 제1,제2배타적 오아게이트(XOR11,XOR12)의 출력신호를 낸드조합하는 낸드게이트(NAND11)와; 상기 낸드게이트(NAND11)의 출력신호를 반전하는 제2인버터(INV12)와; 상기 낸드게이트(NAND11)와 제2인버터(INV12)의 출력신호에 의해 동기되어 버퍼(13)를 통과한 입력신호(IN)를 천이시켜 출력신호(OUT)로 출력하며, 다음 동기가 발생할때까지 출력신호(OUT)를 유지시키는 래치부(14)로 구성되며, 미설명부호 'A∼H'는 도4 및 도5의 파형도를 설명하기 위하여 삽입한 노드(node)이다.FIG. 3 is a block diagram showing an embodiment of the present invention. As shown therein, a first exclusive ogate for exclusively combining an input signal IN and an input signal IN delayed by the first delay unit 11 is shown. (XOR11); A first inverter INV11 for inverting the input signal IN; A second exclusive ogate (XOR11) for exclusively combining the output signal of the first inverter (INV11) and the output signal of the first inverter (INV11) delayed by the second delay unit (12); A NAND gate NAND11 for NAND combining the output signals of the first and second exclusive ogates XOR11 and XOR12; A second inverter INV12 for inverting an output signal of the NAND gate NAND11; The input signal IN passing through the buffer 13 is shifted and output as the output signal OUT in synchronization with the output signals of the NAND gate NAND11 and the second inverter INV12, and is output until the next synchronization occurs. A latch 14 is provided to hold the output signal OUT, and reference numerals A to H are nodes inserted to explain the waveform diagrams of FIGS. 4 and 5.

상기한 바와같이 구성되는 본 발명의 일 실시예에 따른 일반적인 전압(3.3V)에서의 동작과정을 도4의 파형도를 참조하여 상세히 설명한다.An operation process at a general voltage (3.3V) according to an embodiment of the present invention configured as described above will be described in detail with reference to the waveform diagram of FIG.

먼저, 노드(A)는 인버터(INV11)를 통해 입력신호(IN)를 반전시킨 신호가 나타나고, 노드(B)는 상기 입력신호(IN)를 지연시킨 신호가 나타나며, 노드(C)는 노드(A)의 신호를 지연시킨 신호가 나타난다.First, node A shows a signal inverting the input signal IN through the inverter INV11, node B shows a signal delaying the input signal IN, and node C shows a node ( The signal which delayed the signal of A) appears.

그리고, 제1배타적 오아게이트(XOR11)는 상기 제1지연부(11)를 통과한 노드(B)의 신호와 입력신호(IN)를 배타적 오아조합하여 노드(D)와 같은 신호를 출력하며, 제2배타적 오아게이트(XOR12)는 상기 제2지연부(12)를 통과한 노드(C)의 신호와 제1인버터(INV12)의 출력인 노드(A)의 신호를 배타적 오아조합하여 노드(E)와 같은 신호를 출력한다.In addition, the first exclusive ogate (XOR11) outputs the same signal as the node (D) by combining the exclusive signal of the node (B) and the input signal (IN) passing through the first delay unit (11), The second exclusive ogate XOR12 combines the signal of the node C passing through the second delay unit 12 with the signal of the node A, which is the output of the first inverter INV12, to node E. Outputs the same signal as).

상기 노드(D,E)의 신호는 낸드게이트(NAND11)를 통해 낸드조합되어 노드(F)와 같은 신호가 출력되며, 제2인버터(INV12)는 이를 반전하여 노드(G)와 같은 신호를 출력한다.The signals of the nodes D and E are NAND-combined through the NAND gate NAND11 to output the same signal as the node F, and the second inverter INV12 inverts the same and outputs the same signal as the node G. do.

한편, 버퍼(13)는 입력신호(IN)를 버퍼링하여 노드(H)와 같은 신호로 출력한다. 이때, 버퍼(13)는 간단하게 입력신호(IN)를 반전하는 제11인버터와; 제11인버터의 출력신호를 순차적으로 버퍼링하는 제11 내지 제13링형 버퍼와; 제13링형 버퍼의 출력을 반전하는 제12인버터로 구성할 수 있다.Meanwhile, the buffer 13 buffers the input signal IN and outputs the same signal as the node H. In this case, the buffer 13 includes an eleventh inverter for simply inverting the input signal IN; An eleventh to thirteenth ring buffer sequentially buffering an output signal of the eleventh inverter; The twelfth inverter may be configured to invert the output of the thirteenth ring buffer.

래치부(14)는 상기 노드(F)의 상승에지 및 노드(G)의 하강에지에 동기되어 노드(H)의 신호를 천이시키고, 그 상태를 노드(F)의 다음 상승에지 및 노드(G)의 다음 하강에지까지 유지하도록 하여 최종적으로 출력신호(OUT)로 출력한다. 이때, 래치부(14)는 간단하게 상기 노드(F,G) 신호를 각각 클럭신호(clock)와 반전된 클럭신호로 입력받아 동기되며, 상기 노드(H)의 신호를 동기에 따라 천이시켜 출력한 후에는 래치시켜 다음 동기가 이루어질때까지 출력값을 유지하도록 한다.The latch unit 14 shifts the signal of the node H in synchronization with the rising edge of the node F and the falling edge of the node G, and changes its state to the next rising edge of the node F and the node G. FIG. ) Is maintained as the next falling edge and finally output as the output signal (OUT). At this time, the latch unit 14 simply receives the node signals F and G as clock signals and inverted clock signals, respectively, and synchronizes the signals. After latching, the output value is held until the next synchronization is made.

상기 도4의 파형도는 입력신호(IN)의 전압레벨이 3.3V 정도의 정상적인 전압에서 각 노드(A∼H) 및 출력신호(OUT)의 파형을 도시한 것으로, 이에 도시한 바와같이 제1,제2지연부(11,12)를 통과한 노드(B,C) 파형의 상승에지와 하강에지의 지연정도가 일치하고 있음을 알 수 있다.The waveform diagram of FIG. 4 illustrates waveforms of the nodes A to H and the output signal OUT at a normal voltage at which the voltage level of the input signal IN is about 3.3 V. As shown in FIG. It can be seen that the delays of the rising edge and the falling edge of the node B and C waveforms passing through the second delay parts 11 and 12 coincide with each other.

반면에, 도5의 파형도는 입력신호(IN)의 전압레벨이 1.1V 정도의 저전압에서 각 노드(A∼H) 및 출력신호(OUT)의 파형을 도시한 것으로, 저전압에서 제1,제2지연부(11,12) 내부 커패시터의 충전이 방전에 비해 더 오래 걸리므로, 노드(B,C) 파형의 상승에지와 하강에지의 지연정도가 달라지는 것을 알 수 있다.On the other hand, the waveform diagram of FIG. 5 shows the waveforms of the nodes A to H and the output signal OUT at the low voltage of about 1.1 V, and the voltage level of the input signal IN. Since the charge of the internal capacitors of the second delay parts 11 and 12 takes longer than that of the discharge, it can be seen that the delays of the rising edge and the falling edge of the node B and C waveforms are different.

상기한 바와같이 상승에지와 하강에지의 지연정도가 달라지더라도, 결과적으로 래치부(14)가 상기 노드(F)의 상승에지 및 노드(G)의 하강에지에 동기되어 노드(H)의 신호를 천이시키고, 그 상태를 노드(F)의 다음 상승에지 및 노드(G)의 다음 하강에지까지 유지하도록 함에 따라 입력신호(IN)에 대한 출력신호(OUT)의 듀티는 일치하게 된다.As described above, even if the delay degree of the rising edge and the falling edge is different, as a result, the latch unit 14 is synchronized with the rising edge of the node F and the falling edge of the node G so as to signal the node H. And the state is maintained until the next rising edge of the node F and the next falling edge of the node G, so that the duty of the output signal OUT with respect to the input signal IN coincides.

상기한 바와같은 본 발명에 의한 지연회로는 저전압 동작시에 지연부의 커패시터에 의한 영향으로 상승에지와 하강에지의 지연정도가 달라지더라도, 이를 보정하여 입력신호와 출력신호의 듀티가 일치하도록 함으로써, 전체 회로의 오동작을 방지할 수 있는 효과가 있다.In the delay circuit according to the present invention as described above, even if the delay degree of the rising edge and the falling edge is changed by the influence of the capacitor of the delay portion during the low voltage operation, by correcting this to match the duty of the input signal and the output signal, There is an effect that can prevent the malfunction of the entire circuit.

Claims (1)

입력신호와 제1지연부를 통해 지연된 입력신호를 배타적 오아조합하는 제1배타적 오아게이트와; 상기 입력신호를 반전하는 제1인버터와; 상기 제1인버터의 출력신호와 제2지연부를 통해 지연된 제1인버터의 출력신호를 배타적 오아조합하는 제2배타적 오아게이트와; 상기 제1,제2배타적 오아게이트의 출력신호를 낸드조합하는 낸드게이트와; 상기 낸드게이트의 출력신호를 반전하는 제2인버터와; 상기 낸드게이트와 제2인버터의 출력신호에 의해 동기되어 버퍼를 통과한 입력신호를 천이시켜 출력신호로 출력하며, 다음 동기가 발생할때까지 출력신호를 유지시키는 래치부를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 지연회로.A first exclusive oragate for combining or exclusive combining the input signal and the input signal delayed through the first delay unit; A first inverter for inverting the input signal; A second exclusive oragate which combines an output signal of the first inverter and an output signal of the first inverter delayed through a second delay unit; A NAND gate NAND combining the output signals of the first and second exclusive ogates; A second inverter for inverting an output signal of the NAND gate; And a latch unit for shifting the input signal passed through the buffer in synchronization with the output signal of the NAND gate and the second inverter to output the output signal, and holding the output signal until the next synchronization occurs. Delay circuit.
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