KR20020014299A - Reticle having blazed grating for correcting source shift - Google Patents

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KR20020014299A KR1020000047502A KR20000047502A KR20020014299A KR 20020014299 A KR20020014299 A KR 20020014299A KR 1020000047502 A KR1020000047502 A KR 1020000047502A KR 20000047502 A KR20000047502 A KR 20000047502A KR 20020014299 A KR20020014299 A KR 20020014299A
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Abstract

PURPOSE: Provided is a reticle with a blaze lattice placed for correcting lighting system variance which varies blaze lattice pitch in corresponding to each location within a slit as angle error so that it corrects the angle error of source. CONSTITUTION: In the reticle which consists of a first side to form chrome pattern and a second side to form a diffraction lattice to adjust light system variance, the reticle with the blaze lattice placed for correcting lighting system variance is characterized by forming the blaze lattice(81, 82, 83) in a corresponding place within a scanner slit as each different condition such as various pitches for respective place to correct lighting system variance on reticle(80) glass side.

Description

조명계 변위를 보정하기 위한 블레이즈 격자를 갖춘 레티클{Reticle having blazed grating for correcting source shift}Reticle having blazed grating for correcting source shift}

본 발명은 반도체 제조 장치의 제조 공정중 하나인 리소그래피 공정에 사용되는 레티클에 관한 것으로, 특히 스캐너와 같은 노광 장치에서 웨이퍼에 패턴을 형성하기 위하여 사용되는 레티클에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a reticle used in a lithography process, which is one of the manufacturing processes of a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a reticle used to form a pattern on a wafer in an exposure apparatus such as a scanner.

반도체 기술의 진보와 함께, 반도체 소자의 고속화 및 고집적화가 진행되고 있다. 이에 수반하여 패턴의 미세화 필요성이 점차 높아지고 있으며, 패턴의 크기에 있어서도 미세화 및 고정도화(高精度化)가 요구되고 있다. 패턴의 크기가 작아진 만큼 CD(critical dimension) 균일도(uniformity)의 규격(specification)도 비례적으로 줄어들어, 리소그래피 공정에서 기존에는 중요하지 않게 여겼던 인자들을 다시 검토하고 새롭게 발견하려는 노력들이 진행되고 있다.With advances in semiconductor technology, high speed and high integration of semiconductor devices are in progress. In connection with this, the necessity of pattern refinement is gradually increasing, and refinement | miniaturization and high precision are calculated | required also in the size of a pattern. As the size of the pattern decreases, the specification of CD (critical dimension) uniformity also decreases proportionally, and efforts are being made to review and newly discover factors that were previously insignificant in the lithography process.

최근에는, 조명계에 존재하는 수차가 CD 균일도에 미치는 영향에 대한 연구 분야가 주목받고 있다. 이 중, 조명계 변위(source shift)의 측정 및 조명계 변위가 노광 결과에 미치는 영향들에 관한 최근의 연구 결과로부터, 실제 노광계에 조명계 변위가 존재하며, 이로 인해 비초점(defocus) 상태에서 패턴 이상을 유발하고 균일도를 저해한다는 것이 알려졌다. 조명계 변위를 측정하기 위하여는 핀홀(pinhole) 내에 그레이팅 패턴(grating pattern)이 형성되어 있는 그레이팅 핀홀 마스크(grating pinhole mask)를 사용하여 0차광 및 1차광에 의한 소스 이미지(source image) 패턴을 형성하여야 한다. 1차광에 의한 이미지의 경우에는 그레이팅 피치를 조절하여 투영 렌즈(projection lens)의 NA(numerical aperture) 경계와 겹치게 할 수 있으며, 좌우 1차광 이미지가 NA 경계와 어떻게 겹치는지를 관찰하면 조명계 변위 여부를 확인할 수 있다. 조명계 변위가 존재하는 경우, 좌우 1차광의 강도(intensity) 및 광로가 달라지므로, 패턴 변형 및 패턴 이동을 일으킬 수 있다.In recent years, the field of research on the effect of the aberration present in the illumination system on the CD uniformity has attracted attention. Among them, from the recent research on the measurement of the source shift and the effects of the illumination shift on the exposure result, there is an illumination shift in the actual exposure system, which causes a pattern abnormality in the defocused state. It is known that it causes and inhibits uniformity. In order to measure the illumination system displacement, a grating pinhole mask in which a grating pattern is formed in a pinhole is used to form a source image pattern by zero-order light and first-order light. do. For images with primary light, the grating pitch can be adjusted so that it overlaps the NA (numerical aperture) boundary of the projection lens. Observing how the left and right primary light images overlap the NA boundary will confirm the displacement of the illumination system. Can be. When the illumination system displacement is present, since the intensity and the optical path of the left and right primary light are different, it may cause pattern deformation and pattern movement.

한편, 스캐너와 같은 노광 장치로 웨이퍼에 패턴을 형성하기 위하여는 원판 패턴이 그려져 있는 레티클이 필요하다. 종래 기술에 따른 레티클은 한쪽 면에는 크롬 패턴이 형성되어 있고, 그 반대측의 다른 면은 평탄한 글라스면으로 이루어져 있다. 이와 같은 구성을 가지는 종래 기술에 따른 레티클을 사용하는 경우, 조명계로부터 입사되는 빛의 광량, 방향 등을 자체적으로 조절할 수 없다. 따라서, 종래 기술에 따른 레티클은 그 표면에서 조명계 변위나 광량 변화에 취약하여 웨이퍼에 패턴을 형성할 때 그 영향이 웨이퍼상에 그대로 전사되는 단점이 있다.On the other hand, in order to form a pattern on a wafer with an exposure apparatus such as a scanner, a reticle on which a disc pattern is drawn is required. The reticle according to the prior art is formed with a chrome pattern on one side, the other side of the reticle is made of a flat glass surface. When using the reticle according to the prior art having such a configuration, it is not possible to adjust the amount of light, direction, etc. of the light incident from the illumination system by itself. Therefore, the reticle according to the prior art is vulnerable to illumination system displacement or light quantity change on the surface thereof, so that the influence of the reticle is transferred as it is on the wafer.

본 발명의 목적은 상기한 종래 기술에 따른 문제점을 극복하고자 하는 것으로, 노광 장치에서 조명계 변위를 보정할 수 있는 구성을 가지는 레티클을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to overcome the problems according to the prior art, to provide a reticle having a configuration that can correct the illumination system displacement in the exposure apparatus.

도 1은 그레이팅 핀홀이 형성된 통상의 레티클의 일부 구성을 도시한 도면이다.1 is a view showing a part of a typical reticle in which the grating pinhole is formed.

도 2는 노광 장치에서 조명계 변위를 측정하는 방법을 설명하기 위한 개념도이다.2 is a conceptual diagram illustrating a method of measuring an illumination system displacement in an exposure apparatus.

도 3은 조명계 변위가 실제 공정 마진에 미치는 영향을 평가한 그래프이다.3 is a graph evaluating the effect of the illumination system displacement on the actual process margin.

도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 레티클의 요부 구성을 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing the main part configuration of the reticle according to a preferred embodiment of the present invention.

도 5는 투영 렌즈의 동위치(瞳位置)에서 조명계 변위가 존재하는 경우에 1차 회절광 및 0차 회절광에 의하여 형성된 소스 이미지를 도시한 도면이다.FIG. 5 is a diagram showing a source image formed by first-order diffraction light and zero-order diffraction light when there is an illumination system displacement at the same position of the projection lens.

도 6은 레티클을 구성하는 그레이팅 핀홀 내부에 형성된 그레이팅 패턴을 보여주는 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating a grating pattern formed in the grating pinhole of the reticle.

도 7은 스캐너 슬릿 내 조명계 변위가 위치별로 서로 다른 양상을 보이는 예를 도시한 것이다.FIG. 7 illustrates an example in which the illumination system displacement in the scanner slit is different from one position to another.

도 8은 본 발명에 따른 레티클 글라스면에 조명계 변위를 보정하기 위한 블레이즈 격자를 스캐너 슬릿 내 각각의 위치에 대응하는 각 위치에 따라 다양한 피치로 형성한 단면도이다.FIG. 8 is a cross-sectional view of a blaze grating for correcting illumination system displacement on a reticle glass surface according to the present invention at various pitches according to respective positions corresponding to respective positions in the scanner slit.

도 9는 도 8에 도시한 블레이즈 격자를 적용하여 조명계 변위를 보정한 후 스캐너 슬릿의 위치별로 형성되어 있는 보정된 소스 이미지를 나타낸다.FIG. 9 illustrates a corrected source image formed for each position of a scanner slit after correcting illumination system displacement by applying the blaze grating shown in FIG. 8.

도 10a 내지 도 10f는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 레티클을 제조하는 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시한 단면도들이다.10A through 10F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a reticle according to a preferred embodiment of the present invention in order of process.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

30: 글라스 기판, 30a: 제1면, 30b: 제2면, 32: 회절 격자, 80: 레티클, 81, 82, 83, 블레이즈 격자.30: glass substrate, 30a: first surface, 30b: second surface, 32: diffraction grating, 80: reticle, 81, 82, 83, blaze grating.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 레티클은 크롬 패턴이 형성되는 제1면과, 상기 제1면의 반대측 면을 구성하고, 조명계 변위를 조절하기 위한 회절 격자가 형성되어 있는 제2면을 포함한다.In order to achieve the above object, the reticle according to the present invention comprises a first surface on which a chromium pattern is formed, and a second surface on which an opposite side of the first surface is formed, and a diffraction grating for adjusting illumination system displacement is formed. Include.

상기 회절 격자는 삼각형 프로파일 또는 사각형 프로파일을 가지는 블레이즈 격자의 형태로 구성될 수 있다.The diffraction grating may be configured in the form of a blaze grating having a triangular profile or a square profile.

또한, 상기 블레이즈 격자는 소스 변위량에 따라 다양한 피치로 형성될 수 있다.In addition, the blaze grating may be formed at various pitches according to the amount of source displacement.

본 발명에 의하면, 스캐너 슬릿 내 위치별로 변하는 소스의 각도 오차에 따라 슬릿 내 각 위치에 대응하여 블레이즈 격자의 피치를 다양하게 함으로써 상기 소스의 각도 오차를 보정할 수 있는 레티클을 제공한다.According to the present invention, a reticle capable of correcting the angle error of the source by varying the pitch of the blaze grating corresponding to each position in the slit according to the angle error of the source that varies for each position in the scanner slit.

다음에, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Next, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

집광 렌즈의 논-텔레센트리시티(non-telecentricity)로 인한 조명계 변위를 측정하기 위하여, 통상적으로 도 1에 도시한 바와 같이 그레이팅 핀홀(11)이 형성된 통상의 레티클(10) 즉 그레이팅 핀홀 마스크를 사용한다. 조명계 변위를 측정하기 위하여, 상기 그레이팅 핀홀(11)의 내부에 그레이팅(12)을 형성하며, 상기 그레이팅(12)의 피치는 1차광의 회절 빔이 투영 렌즈의 NA 경계 영역에 이를 수 있도록 설정한다.In order to measure the illumination system displacement due to the non-telecentricity of the condenser lens, a conventional reticle 10 or a grating pinhole mask, in which a grating pinhole 11 is formed, is typically used as shown in FIG. 1. do. In order to measure the illumination system displacement, a grating 12 is formed inside the grating pinhole 11, and the pitch of the grating 12 is set such that the diffracted beam of the primary light reaches the NA boundary region of the projection lens. .

도 2는 노광 장치에서 조명계 변위를 측정하는 방법을 설명하기 위한 개념도로서, 조명계의 소스(source)(21)에서 조명계 변위가 존재할 때 상기 레티클(10)에 의해 회절된 빔의 0차광 및 1차광의 동위치(瞳位置)(22) 및 웨이퍼(23)상에서의 결상 이미지를 나타낸 것이다. 조명계 변위를 측정하기 위하여, 웨이퍼(23)상에 소스 이미지 패턴을 결상시켜서 동위치(22)의 NA 경계 영역과의 중첩 정도를 측정하고, 이 중첩 정도를 통하여 소스 이미지의 중심이 동위치(22)의 중심에서 얼마나 떨어져 있는지 측정한다. 이 때, 상기 레티클(10)은 패턴이 형성된 상면이 아래를 향하도록 노광 장치의 마스크 스테이지 위에 놓고, 통상의 포토레지스트 물질로 도포된 상기 웨이퍼(23)를 상기 레티클(10)을 통하여 노광시킨다. 상기 레티클(10)의 그레이팅(12) 패턴에 의하여 각각의 회절 빔이 발생된다. 상기 소스(21)의 형상 및 광 강도의 비균일성은 상기 그레이팅 핀홀(11)을 직선적으로 통과하는 0차광에 의하여 전사된다. 상기 동위치(22)의 경계 부분에는 1차 회절빔이 조사된다. 이들 회절빔의 형상으로부터 조명계 변위를 측정하는 것이다.FIG. 2 is a conceptual diagram illustrating a method of measuring illumination system displacement in an exposure apparatus, wherein the zero-order light and the first-order light of a beam diffracted by the reticle 10 when there is an illumination system displacement at a source 21 of the illumination system. The imaging image on the same position 22 and the wafer 23 is shown. In order to measure the illumination system displacement, a source image pattern is formed on the wafer 23 to measure the degree of overlap with the NA boundary region of the same position 22, and through this degree of overlap, the center of the source image is moved to the same position (22). Measure how far from the center it is. At this time, the reticle 10 is placed on the mask stage of the exposure apparatus so that the upper surface on which the pattern is formed is exposed, and the wafer 23 coated with the conventional photoresist material is exposed through the reticle 10. Each diffraction beam is generated by the grating 12 pattern of the reticle 10. The non-uniformity of the shape and the light intensity of the source 21 is transferred by the zero-order light passing through the grating pinhole 11 linearly. The first diffraction beam is irradiated to the boundary portion of the same position 22. The illumination system displacement is measured from the shape of these diffraction beams.

상기와 같은 조명계 변위가 존재하는 경우에는, 패턴 주기에 따라 이미지 변위량(shift amount)이 달라진다. 따라서, 예를 들면 활성 영역 패턴에서와 같이 2개 이상의 주기로 구성된 패턴의 경우, 비초점면에서 이미지 왜곡(distortion)이 발생한다. 또한, 노광 영역 내에서 위치에 따라 조명계 변위량이 달라질 수 있다.이 경우, 패턴의 CD 균일도에 영향을 미치게 된다.When the illumination system displacement as described above exists, the image shift amount varies depending on the pattern period. Thus, for example, in the case of a pattern composed of two or more periods, such as in an active region pattern, image distortion occurs in the non-focal plane. Also, the amount of illumination system displacement may vary depending on the position within the exposure area. In this case, the CD uniformity of the pattern is affected.

도 3은 조명계 변위가 실제 공정 마진(margin)에 미치는 영향을 평가한 것으로, 0.20 μm 라인 앤드 스페이스 패턴(line and space pattern)을 환형(annular type) 조명계를 사용하여 노광할 때, 변위 없는 경우, 변위량이 0.1σ인 경우, 및 변위량이 0.2σ인 경우로 구분하여, 이들 조명계 변위량에 대하여 프로세스 윈도우(process window) 변화를 시뮬레이션(simulation)한 결과를 보여주는 도면이다. 도 3의 결과로부터 변위량이 증가함에 따라 최적 포커스, DOF(depth of focus) 및 광 강도가 변화되는 것을 확인하였으며, 이로 인하여 변위량이 증가함에 따라 패턴 균일도가 저하될 수 있음을 예측할 수 있다.3 is an evaluation of the effect of the illumination system displacement on the actual process margin, when the 0.20 μm line and space pattern is exposed using an annular type illumination system, when there is no displacement, It is a figure which shows the result of simulating a process window change with respect to these illumination system displacements, when it is divided into the case where the displacement amount is 0.1 (sigma) and the displacement amount is 0.2 (sigma). From the results of FIG. 3, it was confirmed that the optimum focus, depth of focus, and light intensity change as the amount of displacement increases, thereby predicting that pattern uniformity may decrease as the amount of displacement increases.

도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 레티클의 요부 구성을 도시한 단면도이다. 본 발명에 따른 레티클은 글라스 기판(30)상의 크롬 패턴이 형성되는 제1면(30a)의 반대측 면인 제2면(30b)에 조명계 변위를 보정하기 위한 복수의 회절 격자(diffraction grating)(32)가 형성되어 있다. 상기 회절 격자(32)들은 조명계 변위량에 따라서 다양한 피치를 가지도록 형성될 수 있다. 상기 회절 격자(32)는 삼각형 프로파일 또는 사각형 프로파일을 가지는 블레이즈 격자(blazed grating)의 형태로 구성될 수 있다. 상기 회절 격자(32)가 삼각형 프로파일을 가지는 블레이즈 격자의 형태로 구성되는 경우 조명계 변위량에 따라 적절한 범위의 가공 각도 γ를 가지도록 형성될 수 있다.4 is a cross-sectional view showing the main part configuration of the reticle according to a preferred embodiment of the present invention. The reticle according to the present invention includes a plurality of diffraction gratings 32 for correcting the illumination system displacement on the second surface 30b, which is the opposite surface of the first surface 30a on which the chrome pattern on the glass substrate 30 is formed. Is formed. The diffraction gratings 32 may be formed to have various pitches according to the amount of illumination system displacement. The diffraction grating 32 may be configured in the form of a blazed grating having a triangular profile or a square profile. When the diffraction grating 32 is configured in the form of a blaze grating having a triangular profile, the diffraction grating 32 may be formed to have an appropriate range of machining angles γ depending on the amount of displacement of the illumination system.

슬릿(slit) 내 위치별 조명계 변위량은 도 1 및 도 2를 참조하여 상술한 방법으로 측정 가능하다. 이러한 조명계 변위는 곧 광원이 레티클 면에 수직이 아닌각도로 오차를 가지고 입사되는 것으로 이해될 수 있다. 따라서, 조명계 변위는 물리적으로 보정 가능한 각도 오차량으로 변환 가능하다.The amount of illumination system displacement per position in the slit can be measured by the method described above with reference to FIGS. 1 and 2. Such illumination system displacement may soon be understood as the incident light source with an error at an angle that is not perpendicular to the reticle plane. Therefore, the illumination system displacement can be converted into an angle error amount that can be physically corrected.

도 5 및 도 6을 참조하여 조명계 변위량과 각도 오차간의 관계식을 전개함으로써 조명계 변위량을 상기 회절 격자(32)에 의해 보정할 수 있는 양으로 변환시키는 과정을 설명하기 위한 도면들로서, 도 5는 투영 렌즈의 동위치(41)에서 조명계 변위가 존재하는 경우에 1차 회절광 및 0차 회절광에 의하여 형성된 소스 이미지(42, 43)를 각각 도시한 도면이고, 도 6은 레티클(50)을 구성하는 그레이팅 핀홀 내부에 그레이팅 패턴(51)이 형성된 상태를 도시한 단면도이다.5 and 6 are diagrams for explaining a process of converting an illumination system displacement into an amount that can be corrected by the diffraction grating 32 by developing a relationship between the illumination system displacement and an angle error, and FIG. 5 is a projection lens. FIG. 6 shows source images 42 and 43 formed by first-order diffraction light and zero-order diffraction light, respectively, when an illumination system displacement exists at the same position 41 of FIG. It is sectional drawing which shows the state in which the grating pattern 51 was formed in the grating pinhole.

도 5에서 1차 회절광에 의하여 형성된 소스 이미지(42)의 중심과 0차 회절광에 의하여 형성된 소스 이미지(43)의 중심간 거리 P는 브래그의 법칙(Bragg's law)에 따라 수학식 1로 주어진다.In FIG. 5, the distance P between the center of the source image 42 formed by the first-order diffraction light and the center of the source image 43 formed by the zero-order diffraction light is given by Equation 1 according to Bragg's law. .

P * sin(θ) = nλP * sin (θ) = nλ

수학식 1에서 n은 정수이다. 따라서, 1차 회절광에 의하여 형성된 소스 이미지(42)의 중심과 0차 회절광에 의하여 형성된 소스 이미지(43)의 중심간 거리 P는 각도량 θ에 대응 가능하다. 도 5에서, 0차 회절광에 의하여 형성된 소스 이미지(43)의 중심과 동위치(41)의 중심을 잇는 거리의 벡터량을r이라 가정한다.In Equation 1, n is an integer. Therefore, the distance P between the center of the source image 42 formed by the first-order diffraction light and the center of the source image 43 formed by the zero-order diffraction light can correspond to the angle amount θ. In FIG. 5, it is assumed that the vector amount of the distance between the center of the source image 43 formed by the zeroth order diffracted light and the center of the same position 41 is r .

도 6에서 레티클(50)상의 그레이팅 패턴(51)의 주기를p라고 하면, 수평 방향으로의 조명계 변위에 해당하는 각도 오차 φ는 수학식 2로 나타낼 수 있다.In FIG. 6, when the period of the grating pattern 51 on the reticle 50 is p , the angle error φ corresponding to the displacement of the illumination system in the horizontal direction may be represented by Equation 2.

계산된 각도 오차를 블레이즈 격자를 사용하여 보정하기 위하여는 블레이즈 격자의 폭과 깊이로 주어지는 가공 각도 γ가 주어져야 한다. 도 4에 가공 각도 γ의 정의가 나타나 있다. 가공 각도 γ는 주어진 영역에서의 소스 각도 오차를 보정할 수 있어야 하므로 레티클(10)을 구성하는 글라스면으로부터 수직 방향으로 굴절되어야 하는 조건으로부터 계산 가능하다. 상온에서 노광 파장인 248 nm에서의 공기의 굴절율 및 글라스의 굴절율을 각각 no및 nq라 할 때 소스의 각도 오차 φ를 보정할 수 있는 블레이즈 격자 가공 각도 γ는 수학식 3과 같이 주어진다.In order to correct the calculated angular error using the blaze grating, the machining angle γ given by the width and depth of the blaze grating must be given. 4 shows the definition of the machining angle γ. Since the machining angle γ must be able to correct the source angle error in a given region, it can be calculated from the conditions that should be refracted in the vertical direction from the glass surface constituting the reticle 10. When the refractive index of air at 248 nm, the exposure wavelength at room temperature, and the refractive index of glass are n o and n q , respectively, the lattice processing angle γ that can correct the angle error φ of the source is given by Equation (3).

노광 영역 내에서의 각도 오차 분포에 따라 가공 각도 γ는 달라지므로 글라스 표면의 좌표에 의존하는 γ(x,y) 함수를 계산할 수 있다.Since the machining angle γ varies depending on the distribution of angular errors in the exposure area, the γ (x, y) function depending on the coordinates of the glass surface can be calculated.

도 7은 스캐너 슬릿(71) 내 조명계 변위가 위치별로 서로 다른 양상을 보이는 예를 도시한 것이다. 상기 스캐너 슬릿(71) 내에서 조명계 변위가 존재하는 경우 그레이팅 핀홀을 사용할 때 웨이퍼상에는 다양한 패턴의 소스 이미지(72, 73, 74)가 형성된다. 여기서, 조명계 변위량은 임의로 설정하였다. 도 7에서 측정된 시프트 양을 바탕으로 하여, 상기 스캐너 슬릿(71) 내 각각의 위치별로 대응하는 레티클(80) 글라스 면에 조명계 변위를 보정하기 위한 블레이즈 격자(81, 82, 83)를형성한 결과를 도 8에 나타내었다. 도 8에서는, 레티클 글라스면에 조명계 변위를 보정하기 위한 블레이즈 격자(81, 82, 83)가 스캐너 슬릿(71) 내 각각의 위치에 대응하는 각 위치에 따라 서로 다른 조건 즉 다양한 피치로 형성되어 있다. 각 소스 이미지(72, 73, 74)에서의 조명계 변위량에 대응하는 블레이즈 격자의 구조는 각각 "81", "82" 및 "83"으로 도시한 바와 같다. 도 9는 도 8에 도시한 블레이즈 격자(81, 82, 83)를 적용하여 조명계 변위를 보정한 후 상기 스캐너 슬릿(71)의 위치별로 형성되어 있는 보정된 소스 이미지(92, 93, 94)를 나타낸다.FIG. 7 illustrates an example in which the illumination system displacement in the scanner slit 71 is different from one position to another. When there is an illumination system displacement in the scanner slit 71, various patterns of source images 72, 73, and 74 are formed on the wafer when the grating pinhole is used. Here, the illumination system displacement was arbitrarily set. Based on the shift amount measured in FIG. 7, blaze gratings 81, 82, and 83 are formed on the glass surface of the reticle 80 corresponding to each position in the scanner slit 71. The results are shown in FIG. In FIG. 8, blaze gratings 81, 82, and 83 for correcting the illumination system displacement on the reticle glass surface are formed under different conditions, that is, various pitches, according to respective positions corresponding to respective positions in the scanner slit 71. In FIG. . The structure of the blaze grating corresponding to the amount of illumination system displacement in each source image 72, 73, 74 is as shown by "81", "82" and "83", respectively. FIG. 9 illustrates corrected source images 92, 93, and 94 formed by positions of the scanner slits 71 after correcting illumination system displacement by applying the blaze gratings 81, 82, and 83 shown in FIG. 8. Indicates.

다음에, 도 10a 내지 도 10f를 참조하여 레티클을 구성하는 글라스 기판(100)상에 주어진 γ를 만족하는 블레이즈 격자를 형성하는 방법을 설명한다. 본 예에서는 사각형 프로파일을 가지는 블레이즈 격자가 형성된 레티클을 제조하는 방법을 설명한다.Next, a method of forming a blaze grating satisfying the given gamma on the glass substrate 100 constituting the reticle will be described with reference to FIGS. 10A to 10F. In this example, a method of manufacturing a reticle in which a blaze grating having a rectangular profile is formed will be described.

도 10a를 참조하면, 크롬 패턴(112)이 형성된 제1면(110)을 갖춘 글라스 기판(100)중 상기 제1면(110)의 반대측 면인 제2면(120) 위에 제1 식각 영역(102)을 노출시키는 제1 포토레지스트 패턴(122)을 형성한다.Referring to FIG. 10A, a first etching region 102 is formed on a second surface 120 of the glass substrate 100 having the first surface 110 on which the chrome pattern 112 is formed, which is the opposite surface of the first surface 110. ) To form a first photoresist pattern 122.

도 10b를 참조하면, 상기 제1 포토레지스트 패턴(122)을 식각 마스크로 하여 상기 제1 식각 영역(102)을 식각하여 상기 제2면(120)으로부터 제1 깊이(d1) 만큼 낮아진 제1 단차부(102a)를 형성하고, 상기 제1 포토레지스트 패턴(122)을 제거한다.Referring to FIG. 10B, a first step lowered by the first depth d1 from the second surface 120 by etching the first etching region 102 by using the first photoresist pattern 122 as an etching mask. A portion 102a is formed and the first photoresist pattern 122 is removed.

도 10c를 참조하면, 상기 제1 단차부(102a)가 형성된 상기 제2면(120) 위에 제2 식각 영역(104)을 노출시키는 제2 포토레지스트 패턴(132)을 형성한다.Referring to FIG. 10C, a second photoresist pattern 132 exposing the second etching region 104 is formed on the second surface 120 on which the first stepped portion 102a is formed.

도 10d를 참조하면, 상기 제2 포토레지스트 패턴(132)을 식각 마스크로 하여 상기 제2 식각 영역(104)을 식각하여 상기 제2면(120)으로부터 제2 깊이(d2) 만큼 낮아진 제2 단차부(104a)를 형성하고, 상기 제2 포토레지스트 패턴(132)을 제거한다.Referring to FIG. 10D, a second step lowered by the second depth d2 from the second surface 120 by etching the second etching region 104 using the second photoresist pattern 132 as an etching mask. A portion 104a is formed and the second photoresist pattern 132 is removed.

도 10e를 참조하면, 상기 제1 단차부(102a) 및 제2 단차부(104a)가 형성된 상기 제2면(120) 위에 제3 식각 영역(106)을 노출시키는 제3 포토레지스트 패턴(142)을 형성한다.Referring to FIG. 10E, a third photoresist pattern 142 exposing a third etching region 106 on the second surface 120 on which the first stepped portion 102a and the second stepped portion 104a are formed. To form.

도 10f를 참조하면, 상기 제3 포토레지스트 패턴(142)을 식각 마스크로 하여 상기 제3 식각 영역(106)을 식각하여 상기 제2면(120)으로부터 제3 깊이(d3) 만큼 낮아진 제3 단차부(106a)를 형성하고, 상기 제3 포토레지스트 패턴(142)을 제거한다. 이로써 레티클을 구성하는 글라스 기판(100)상에 블레이즈 격자가 형성된 단면 구조가 얻어진다.Referring to FIG. 10F, a third step lowered by the third depth d3 from the second surface 120 by etching the third etching region 106 using the third photoresist pattern 142 as an etching mask. A portion 106a is formed and the third photoresist pattern 142 is removed. Thereby, the cross-sectional structure in which the blaze grating is formed on the glass substrate 100 which comprises a reticle is obtained.

상기 글라스 기판(100)의 식각량 즉 제1, 제2 및 제3 단차부(102a, 104a, 106a)에 의하여 형성되는 각 블레이즈 격자의 깊이는 고정되어 있으므로, 주어진 깊이에 대하여 γ를 변화시키기 위하여는 상기 각 격자간의 피치 변화를 주어야 한다. 스캐너 슬릿 내 위치별로 변하는 소스의 각도 오차에 따라 슬릿 내 각 위치에 대응하여 격자 피치를 다양하게 함으로써 상기 소스의 각도 오차를 보정할 수 있다.Since the depth of each lattice grating formed by the etching amount of the glass substrate 100, that is, the first, second and third stepped portions 102a, 104a and 106a is fixed, in order to change γ for a given depth Should give a change in pitch between the grids. The angle error of the source may be corrected by varying the lattice pitch corresponding to each position in the slit according to the angle error of the source that varies for each position in the scanner slit.

본 발명에 따른 레티클은 스캐너와 같은 노광 장치에서의 조명계 변위를 보정하기 위하여 크롬 패턴이 형성되는 제1면의 반대측면에 블레이즈 격자가 형성되어 있다. 상기 블레이즈 격자는 조명계 변위량에 따라서 다양한 구조 및 피치를 가지고 형성될 수 있다. 따라서, 스캐너 슬릿 내 위치별로 변하는 소스의 각도 오차에 따라 슬릿 내 각 위치에 대응하여 블레이즈 격자 피치를 다양하게 함으로써 상기 소스의 각도 오차를 보정할 수 있다.In the reticle according to the present invention, a blaze grating is formed on the side opposite to the first surface on which the chrome pattern is formed in order to correct the illumination system displacement in an exposure apparatus such as a scanner. The blaze grating may have various structures and pitches according to the amount of displacement of the illumination system. Accordingly, the angle error of the source may be corrected by varying the blaze lattice pitch corresponding to each position in the slit according to the angle error of the source that varies for each position in the scanner slit.

이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.The present invention has been described in detail with reference to preferred embodiments, but the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made by those skilled in the art within the scope of the technical idea of the present invention. Do.

Claims (3)

크롬 패턴이 형성되는 제1면과,A first surface on which a chrome pattern is formed, 상기 제1면의 반대측 면을 구성하고, 조명계 변위를 조절하기 위한 회절 격자가 형성되어 있는 제2면을 포함하는 것을 특징으로 하는 레티클.And a second surface constituting a surface opposite to the first surface, and having a diffraction grating for adjusting illumination system displacement. 제1항에 있어서, 상기 회절 격자는 삼각형 프로파일 또는 사각형 프로파일을 가지는 블레이즈 격자의 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 레티클.The reticle of claim 1, wherein the diffraction grating is configured in the form of a blaze grating having a triangular profile or a square profile. 제2항에 있어서, 상기 블레이즈 격자는 소스 변위량에 따라 다양한 피치로 형성되는 것을 특징으로 하는 레티클.The reticle of claim 2, wherein the blaze grating is formed at various pitches according to a source displacement amount.
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