KR200195156Y1 - An electrode plate structure - Google Patents
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Abstract
본 고안은 전극판 구조에 관한 것으로, 용기(120)에 전해액(130)을 채우고 용기(120)의 바닥에 전극판(110)을 설치하며 전해액(130)에 탄탈금속(140)을 넣은 상태에서 전극판(110)에 직류전원의 “-”단자를 접속하고 탄탈금속(140)에 “+”단자를 접속하며 전극판(110)의 가장자리에 중앙상측으로 경사지게 다수개의 전극봉(112)를 부착하여 피라미드 형상으로 구성하여 다수개의 탄탈금속에 산화피막을 동시에 골고루 피막시킬 수 있도록 하여 생산성을 향상시키는 효과가 있다.The present invention relates to an electrode plate structure, in which the container 120 is filled with the electrolyte solution 130, the electrode plate 110 is installed on the bottom of the container 120, and the tantalum metal 140 is placed in the electrolyte 130. Connect the "-" terminal of the DC power supply to the electrode plate 110, connect the "+" terminal to the tantalum metal 140, and attach a plurality of electrode bars 112 to the edge of the electrode plate 110 to be inclined upward in the center. It has the effect of improving the productivity by forming a pyramid shape so as to evenly coat the oxide film on a plurality of tantalum metal at the same time.
Description
본 고안은 전극판 구조에 관한 것으로 상세하게는 전해액 중에 소결소자를 넣어서 직류전압(화성전압)을 인가하여 다수개의 탄탈금속 표면에 산화피막(Ta2O5)을 고르게 생성시킬 수 있도록 하는데 있다.The present invention relates to an electrode plate structure, and specifically, to insert a sintered element in an electrolyte solution and apply a direct current voltage (chemical voltage) to uniformly generate an oxide film (Ta 2 O 5 ) on a plurality of tantalum metal surfaces.
일반적으로 콘덴서는 2개의 전극과 그 사이에 있는 유전체로 구성되어 있고 이러한 유전체를 탄탈금속에 생성시키는 것을 화성공정이라 한다.In general, a capacitor is composed of two electrodes and a dielectric between them. The formation of such a dielectric on tantalum metal is called a chemical conversion process.
즉 화성공정은 전해액 중에 소결소자를 넣어서 직류전압(화성전압)을 인가하여 다수개의 탄탈금속 표면에 산화피막(Ta2O5)을 생성시켜 유전체를 형성시키게 된다.That is, in the chemical conversion process, a sintered element is put in an electrolyte to apply a DC voltage (chemical voltage) to generate an oxide film (Ta 2 O 5 ) on a plurality of tantalum metal surfaces to form a dielectric.
화성전압은 콘덴서의 정격전압의 3-4배로서 알루미늄 전해콘덴서에 비하여 상당히 높게 되고 이와 같이 화성 전압이 높은 것은 고체전해질(MnO2)을 사용하고 있기 때문에 산화피막의 손상에 대한 수복효과가 적은 것을 보상하기 위한 것이었다.The harmonic voltage is 3-4 times the rated voltage of the capacitor, which is considerably higher than that of aluminum electrolytic capacitors. Thus, the higher the harmonic voltage is, since the solid electrolyte (MnO 2 ) is used, the recovery effect against damage to the oxide film is less. It was to compensate.
이러한 종래의 화성공정은 용기에 전해액을 채우고 용기의 바닥에 전극판을 설치하며 전해액에 탄탈금속을 넣은 상태에서 전극판에 직류전원의 “-”단자를 접속하고 탄탈금속에 “+”단자를 접속하여 직류전압(화성전압)을 가하여 유전체인 산화피막을 생성시켰다.In the conventional chemical conversion process, the electrolyte is filled in the container, the electrode plate is installed at the bottom of the container, and the tantalum metal is connected to the electrode plate while the “-” terminal of the DC power supply is connected to the electrode plate, and the “+” terminal is connected to the tantalum metal. In this way, an oxide film as a dielectric material was produced by applying a DC voltage (chemical voltage).
그러나 이러한 종래의 화성공정은 직류전원의 흐름이 도체의 가장자리측으로 많이 흐르기 때문에 다수개의 탄탈금속에 유전체를 동시에 생성시키는 경우 용기의 중앙부분과 양측에 위치한 탄탈금속의 산화피막 생성이 다르게 생성되는 문제점이 발생하였다.However, in the conventional chemical conversion process, since the flow of DC power flows a lot toward the edge of the conductor, when the dielectrics are generated in a plurality of tantalum metals at the same time, the oxide film formation of the tantalum metals on both sides of the container is differently generated. Occurred.
따라서 본 고안의 주 목적은 다수개의 탄탈금속에 산화피막을 동시에 골고루 피막시킬 수 있도록 하여 생산성을 향상시키도록 하는데 있다.Therefore, the main purpose of the present invention is to improve the productivity by allowing an even coating of oxide films on a plurality of tantalum metals at the same time.
제1도는 본 고안의 탄탈금속의 표면에 산화피막을 생성시키는 전극판을 나타낸 사시도.1 is a perspective view showing an electrode plate for producing an oxide film on the surface of the tantalum metal of the present invention.
제2도는 본 고안의 전극판을 설치하여 탄탈금속의 표면에 산화피막을 생성시키는 화성공정을 나타낸 전극판 설치 상태도.2 is an electrode plate installation state showing the formation process of forming an oxide film on the surface of the tantalum metal by installing the electrode plate of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
110 : 전극판 111 : 구멍110 electrode plate 111 hole
112 : 전극봉 120 : 용기112: electrode 120: container
130 : 전해액 140 : 탄탈금속130: electrolyte 140: tantalum metal
위와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 고안은 용기에 전해액을 채우고 용기의 바닥에 전극판을 설치하며 전해액에 탄탈금속을 넣은 상태에서 전극판에 직류전원의 “-”단자를 접속하고 탄탈금속에 “+”단자를 접속한 상태에서 직류전압(화성전압)을 인가하여 유전체인 산화피막을 생성시키는 화성공정에 있어서, 상기 전극판에 다수개의 구멍을 순차적으로 형성시키고 전극판의 가장자리에 중앙상측으로 경사지게 다수개의 전극봉을 부착하여 피라미드 형상으로 구성함을 그 기술적 구성상의 기본 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention fills the electrolyte in the container, installs the electrode plate at the bottom of the container, and connects the “-” terminal of the DC power supply to the electrode plate in the state where the tantalum metal is put in the electrolyte and the “+” to the tantalum metal. ”In the chemical conversion process in which an oxide film as a dielectric is formed by applying a direct current voltage (chemical voltage) while the terminals are connected, a plurality of holes are sequentially formed in the electrode plate, and the plurality of holes are inclined upward at the center of the electrode plate. The construction of a pyramid shape by attaching two electrodes is a basic feature of the technical configuration.
위와 같이 구성된 본 고안의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하면서 상세히 설명하면 다음과 같다.When described in detail with reference to the accompanying drawings a preferred embodiment of the present invention configured as described above are as follows.
제1도는 본 고안의 탄탈금속의 표면에 산화피막을 생성시키는 전극판을 나타낸 사시도이고, 제2도는 본 고안의 전극판을 설치하여 탄탈금속의 표면에 산화피막을 생성시키는 화성공정을 나타낸 전극판 설치 상태도이다.1 is a perspective view showing an electrode plate for producing an oxide film on the surface of the tantalum metal of the present invention, Figure 2 is an electrode plate showing a chemical conversion process for producing an oxide film on the surface of the tantalum metal by installing the electrode plate of the present invention This is an installation state diagram.
제1도와 제2도에 나타낸 바와 같이, 본 고안은 용기(120)에 전해액(130)을 채우고 용기(120)의 바닥에 전극판(110)을 설치하며 전해액(130)에 탄탈금속(140)을 넣은 상태에서 전극판(110)에 직류전원의 “-”단자를 접속하고 탄탈금속(140)에 “+”단자를 접속한다.As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the present invention fills the container 120 with the electrolyte solution 130, installs the electrode plate 110 at the bottom of the container 120, and tantalum metal 140 in the electrolyte solution 130. In the state of inserting the "-" terminal of the DC power supply to the electrode plate 110 and the "+" terminal to the tantalum metal 140 is connected.
상기 용기(120)는 부도체 재질로 형성시키되 상부를 개구시켜 형성한다.The container 120 is formed of a non-conductive material, but is formed by opening the upper portion.
상기 전극판(110)에 다수개의 구멍(111)을 순차적으로 형성시켜 다수개의 탄탈금속(140)에 유전체를 동시에 생성시키는 경우 용기의 중앙부분과 양측에 위치한 탄탈금속의 산화피막 생성이 어느 정도 고르게 생성되게 한다.When the plurality of holes 111 are sequentially formed in the electrode plate 110 to simultaneously generate a dielectric in the plurality of tantalum metals 140, the oxide film of tantalum metals located at both the center and both sides of the container is evenly formed to some extent. To be created.
즉, 직류전원의 흐름이 전극판(110)의 가장자리 측으로 많이 흐르기 때문에 전극판(110)에 형성된 다수개의 구멍(11)에 의하여 탄탈금속의 산화피막 어느 정도 고르게 생성되는 것이다.That is, since a large amount of DC power flows toward the edge of the electrode plate 110, the oxide film of tantalum metal is evenly generated by the plurality of holes 11 formed in the electrode plate 110.
또한, 전극판(110)의 가장자리에 중앙상측으로 경사지게 다수개의 전극봉(1120)을 부착하여 피라미드 형상으로 구성하므로 전극봉(1120)의 흐르는 직류전원의 흐름이 중앙에서 탄탈금속(140)에 가장 근접되고 전극판(110)의 가장자리에서 가장 멀어져 직류전원이 탄탈금속(140)에 미치는 영향을 균일화한다.In addition, since a plurality of electrode rods 1120 are attached to the edge of the electrode plate 110 to be inclined upward in the center to form a pyramid shape, the flow of DC power flowing through the electrode rods 1120 is closest to the tantalum metal 140 at the center. The farthest from the edge of the electrode plate 110 to equalize the effect of the direct current power source on the tantalum metal (140).
즉, 전극판(110)에 구멍(111)을 형성하여 전류의 흐름을 어느 정도 일정하게 하고 전극판(110)에 피라미드 형상의 전극봉(112)을 설치하여 전극봉(112)의 꼭지점의 높이를 알맞게 설정하므로 전류가 미치는 영향이 탄탈금속(140)에 일정하도록 한다.That is, the hole 111 is formed in the electrode plate 110 so that the current flows to a certain degree, and the pyramidal electrode rods 112 are installed in the electrode plate 110 so that the heights of the vertices of the electrode rods 112 are appropriately adjusted. Since it is set so that the effect of the current is constant on the tantalum metal (140).
따라서, 전류가 도체의 가장자리로 흐르는 성질로 인하여 전극판(110)에 다수개의 구멍(111)과 피라미드 형상의 전극봉(112)에 의하여 중앙부분 까지도 일정하게 흘러 탄탈금속(140)의 전후좌우 위치와 관계없이 산화피막의 고르게 생성시킨다.Therefore, due to the property that current flows to the edge of the conductor, a plurality of holes 111 and pyramidal electrode 112 are also uniformly flowed up to the center portion of the electrode plate 110 and the front, rear, left and right positions of the tantalum metal 140 and Irrespective of the oxide film, evenly produced.
이러한 본 고안의 작용을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the present invention is as follows.
용기(120)의 바닥에 전극판(110)을 설치하고 전극판(110)에 직류전원의 “-”단자를 접속한다.The electrode plate 110 is installed at the bottom of the container 120 and the “-” terminal of the DC power supply is connected to the electrode plate 110.
상부가 개구된 용기(120)에 전해액(130)을 일정량 채운다.A predetermined amount of the electrolyte 130 is filled in the container 120 having the upper portion opened.
용기(120)에 전해액(130)을 채운 다음 전해액(130)에 탄탈금속(140)을 넣은 상태에서 탄탈금속(140)에 “+”단자를 접속한다.After filling the container 120 with the electrolyte solution 130, the “+” terminal is connected to the tantalum metal 140 while the tantalum metal 140 is put in the electrolyte solution 130.
여기서 직류전압 인가하여 유전체인 산화피막을 탄탈금속(140)에 생성시켰다.In this case, an oxide film as a dielectric material was formed on the tantalum metal 140 by applying a DC voltage.
이때 전극판(110)의 전극봉(1120)에 의하여 탄탈금속(140)의 산화피막이 고르게 형성된다.At this time, the oxide film of the tantalum metal 140 is formed evenly by the electrode rod 1120 of the electrode plate 110.
즉, 전류가 도체의 가장자리로 흐르는 성질로 인한 전류의 편중을 피라미드 형상의 전극봉(112)과 전극판(110)에 형성된 다수개의 구멍(111)으로 인하여 중앙부분까지도 일정하게 흘러 탄탈금속(140)의 위치와 관계없이 산화피막의 고르게 생성시킨다.That is, the tantalum metal 140 flows evenly to the center part due to a plurality of holes 111 formed in the electrode rod 112 and the electrode plate 110 having a pyramidal shape due to the current flowing to the edge of the conductor. Irrespective of the position of, the oxide film is evenly produced.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 고안은 용기(120)에 전해액(130)을 채우고 용기(120)의 바닥에 전극판(110)을 설치하며 전해액(130)에 탄탈금속(140)을 넣은 상태에서 전극판(110)에 직류전원의 “-”단자를 접속하고 탄탈금속(140)에 “+”단자를 접속하며 전극판(110)의 가장자리에 중앙상측으로 경사지게 다수개의 전극봉(112)을 부착하여 피라미드 형상으로 구성하여 다수개의 탄탈금속에 산화피막을 동시에 골고루 피막시킬 수 있도록 하여 생산성을 향상시키는 효과가 있다.As described above, the present invention fills the electrolyte 120 in the container 120, installs the electrode plate 110 at the bottom of the container 120, and puts the tantalum metal 140 in the electrolyte 130. Connect the “-” terminal of the DC power supply to the plate 110, connect the “+” terminal to the tantalum metal 140, and attach a plurality of electrode rods 112 to the edge of the electrode plate 110 to be inclined upward in the center. It has the effect of improving the productivity by allowing the oxide film to be evenly coated on a plurality of tantalum metals at the same time.
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