KR200181362Y1 - Reticle for detecting wafer overlay - Google Patents
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Abstract
본 고안은 웨이퍼의 정렬상태를 검사할 때 여러부분을 하나의 패턴으로 검사하여 소요되는 검사시간을 단축하도록 하는 패턴이 형성된 웨이퍼의 층간정렬상태 검사용 레티클에 관한 것으로 종래의 층간정렬상태를 검사하는 항목 중 샷 회전과 샷 확대는 웨이퍼가 아닌 노광장치의 렌즈나 레티클의 상태에 기인하는 것으로 중앙부위의 기준샷에 해당되는 라무 키의 측정만으로도 데이타를 얻을 수 있음에도 불구하고 기타 오프셋 항목에서 요구되는 5샷의 20개 측정점을 모두 검출하므로써 측정시간의 증대에 의한 측정장비의 효율을 감소시키는 동시에 노광장치의 생산성이 저하되는 문제점이 있었던바 본 고안은 레티클의 중앙에 라무 키를 형성하여 각 항목에서 최소한의 측정점에 의한 데이타만으로도 웨이퍼의 층간정렬상태를 측정할 수 있도록하는 웨이퍼의 층간정렬상태 검사용 레티클이다.The present invention relates to a reticle for inspecting an interlayer alignment state of a wafer on which a pattern is formed to reduce inspection time required by inspecting several parts in a single pattern when inspecting an arrangement state of a wafer. Shot rotation and shot magnification are due to the state of the lens or reticle of the exposure apparatus, not the wafer, and although the data can be obtained only by measuring the Lamu key corresponding to the center shot, 5 Detecting all 20 measuring points of the shot reduces the efficiency of the measuring equipment by increasing the measuring time and decreases the productivity of the exposure apparatus. It is possible to measure the interlayer alignment state of the wafer with only the data by measuring points of Is a reticle for interlayer alignment inspection of a wafer.
Description
본 고안은 웨이퍼의 층간정렬상태 검사용 레티클에 관한 것으로 더욱 상세하게는 웨이퍼의 정렬상태를 검사할 때 여러부분을 하나의 패턴으로 검사하여 소요되는 검사시간을 단축하도록 하는 패턴이 형성된 웨이퍼의 층간정렬상태 검사용 레티클에 관한 것이다.The present invention relates to a reticle for inspecting the interlayer alignment state of a wafer. More specifically, the interlayer alignment of a wafer on which a pattern is formed to reduce the inspection time required by inspecting several parts in one pattern when inspecting the alignment state of the wafer. A reticle for condition checking.
일반적으로 웨이퍼의 노광작업시 웨이퍼의 층간정렬상태를 검사하기 위해서는 웨이퍼상에 형성된 전체 샷(Shot) 중에서 소정의 기준샷을 레티클의 패턴과 비교하여 각 패턴상의 특정부위가 상호 일치하는지의 여부로 판단한다.In general, in order to inspect the interlayer alignment state of wafers during the exposure operation of a wafer, a predetermined reference shot is compared with a pattern of a reticle among all shots formed on the wafer, and it is determined whether or not a specific part of each pattern coincides with each other. do.
이렇게 레티클에 형성되어 상기 각 기준샷과 비교되는 패턴인 종래의 라무 키(Lamu key)는 도 1에서 도시된 바와같이 레티클(1)의 사방 모서리부분에 각각 형성된다.The conventional Lamu key, which is a pattern formed on the reticle and compared with the respective reference shots, is formed at four corners of the reticle 1 as shown in FIG. 1.
이러한 종래의 라무 키가 형성된 레티클에 의한 층간정렬상태 검사과정은 도 2에서 도시된 바와같이 웨이퍼(5)상에 다 수개 형성되는 전체 샷 중에 상하좌우 및 중앙위치에 형성된 5 지점의 기준샷(7)(9)(11)(13)(15)을 상기 레티클(1)과 상호 비교하여 정렬상태를 검사한다.In the conventional interlayer alignment state inspection process using a reticle having a lamu key, five reference shots formed at the top, bottom, left, and right sides of a plurality of shots formed on the wafer 5 as shown in FIG. (9) (11) (13) and (15) are compared with the reticle (1) to check the alignment.
이때 상기 각 기준샷(7)(9)(11)(13)(15)의 측정점(17)과 레티클(1)의 사방 모서리부에 형성된 라무 키(3)가 상호 일치되어야 하므로 총 검사부위는 5지점의 기준샷에 대한 4개의 라무 키(3)에 해당되는 20개의 측정점(17)에 달한다.In this case, since the measurement points 17 of the reference shots 7, 9, 11, 13, and 15 and the lamu keys 3 formed on the four corners of the reticle 1 must coincide with each other, the total inspection area is Twenty measurement points 17 corresponding to four Lamu keys 3 for a five point reference shot are reached.
이렇게 검출된 20 개의 측정점에 대한 데이타는 라무 키(3)와 웨이퍼(1)상의 층간정렬상태의 검사에 해당되는 오프셋(offset)항목인 축간이동(Shift), 샷 회전(Shot rotation), 샷 확대(Shot magnification), 웨이퍼 회전(Wafer rotation), 웨이퍼 확대(Wafer magnification) 및 직교도(Orthogonal)의 오프셋을 계산할 때 각각 사용된다.The data on the 20 measurement points thus detected are offset, shift rotation, shot rotation, and shot magnification, which are offset items corresponding to inspection of the interlayer alignment state on the lamu key (3) and the wafer (1). (Shot magnification, Wafer rotation, Wafer magnification, and Orthogonal offsets are used, respectively).
상기 축간이동을 예로 들어 오프셋 계산을 설명하면 1차노광시에 웨이퍼의 기준샷과 레티클에 형성된 라무 키가 상호 일치될 때 검출된 20개의 측정점에 대한 데이타를 가지고 2차노광시 1차노광의 각 지점에 해당되는 기준샷의 20개의 측정점 이동에 대한 오프셋을 계산하여 결과치를 비교하므로써 웨이퍼의 층간정렬상태를 검사하는 것이다.Taking the axis-shift as an example, the offset calculation is described. Each point of the first exposure during the second exposure has data for 20 measurement points detected when the reference shot of the wafer and the lamu key formed on the reticle coincide with each other during the first exposure. The interlayer alignment of the wafer is examined by calculating the offsets of the 20 measurement point movements of the reference shot corresponding to and comparing the results.
즉, 2차노광되면서 노광부위가 1차노광부위에서 얼마만큼 축을 중심으로 이동되었는가를 파악하기 위해서 5지점의 기준샷에서 측정된 20개의 측정점에 대한 데이터와 2차노광시 이동된 5지점의 기준샷에서 측정된 20개의 측정점에 대한 현재 데이터를 상호 비교하므로써 정렬상태를 알 수 있는 것이다.That is, in order to determine how much the exposure area was moved about the axis in the primary exposure area during the second exposure, data about 20 measurement points measured in five reference shots and the reference shot of five points moved during the second exposure By comparing the current data for the 20 measuring points measured at, we can see the alignment.
따라서 시험하고자하는 웨이퍼의 기준샷과 레티클이 상호 일치되는지를 정확하게 검사하기 위해서는 최소한 20개의 측정점을 상호 비교하여 데이타를 검출한 후 각 항목에 이를 적용한다.Therefore, in order to accurately check whether the reference shot of the wafer to be tested and the reticle are coincident with each other, at least 20 measurement points are compared with each other and the data are detected and applied to each item.
그러나, 종래의 층간정렬상태를 검사하는 항목 중 샷 회전과 샷 확대는 웨이퍼가 아닌 노광장치의 렌즈나 레티클의 상태에 기인하는 것으로 중앙부위의 기준샷에 해당되는 라무 키의 측정만으로도 데이타를 얻을 수 있음에도 불구하고 기타 오프셋 항목에서 요구되는 5샷의 20개 측정점을 모두 검출하므로써 측정시간의 증대에 의한 측정장비의 효율을 감소시키는 동시에 노광장치의 생산성이 저하되는 문제점이 있다.However, the shot rotation and shot magnification among the items for inspecting the interlayer alignment state are due to the state of the lens or the reticle of the exposure apparatus, not the wafer, and data can be obtained only by measuring the Lamu key corresponding to the reference shot of the center portion. Nevertheless, all 20 measurement points of five shots required by other offset items are detected, thereby reducing the efficiency of the measurement equipment by increasing the measurement time and reducing the productivity of the exposure apparatus.
본 고안의 목적은 레티클의 중앙에 라무 키를 형성하여 각 항목에서 최소한의 측정점에 의한 데이타만으로도 웨이퍼의 층간정렬상태를 측정할 수 있도록하는 웨이퍼의 층간정렬상태 검사용 레티클을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a reticle for inspecting the interlayer alignment state of a wafer to form a lamu key in the center of the reticle so that the interlayer alignment state of the wafer can be measured with only a minimum number of data points in each item.
따라서, 본 고안은 상기의 목적을 달성하고자, 웨이퍼의 지정된 기준샷부위에 투사되어 웨이퍼의 층간정렬상태를 검사하는 패턴인 라무 키가 사방 모서리부분에 형성되는 레티클에 있어서, 상기 레티클의 중앙부에 형성된 라무 키를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.Therefore, in order to achieve the above object, the present invention is a reticle in which a lamu key, which is a pattern projected onto a designated reference shot portion of a wafer and inspecting the interlayer alignment state of the wafer, is formed at four corners, the center portion of the reticle is formed. It is characterized in that it further comprises a lamu key.
도 1은 종래의 레티클을 도시한 구성도이고,1 is a block diagram showing a conventional reticle,
도 2는 종래의 층간정렬상태 검사시 각 라무 키의 위치를 도시한 상태도이고,Figure 2 is a state diagram showing the position of each Lamu key in the conventional interlayer alignment state inspection,
도 3은 본 고안의 레티클을 도시한 구성도이고,3 is a block diagram showing a reticle of the present invention,
도 4는 본 고안의 층간정렬상태 검사시 사용되는 각 라무 키의 위치를 도시한 상태도이고,Figure 4 is a state diagram showing the position of each lamu key used in the inspection of the interlayer alignment state of the present invention,
도 5a 내지 도 5f는 본 고안의 층간정렬상태 검사시의 오프셋 항목을 도시한 예시도이다.5A to 5F are exemplary views illustrating offset items in the interlayer alignment state inspection of the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
1, 101 : 레티클, 3, 103, 105 : 라무 키,1, 101: reticle, 3, 103, 105: lamu key,
5 : 웨이퍼, 7, 9, 11, 13, 15 : 기준샷,5: wafer, 7, 9, 11, 13, 15: reference shot,
17, 117a 내지 117i : 측정점, 107, 109, 111, 113, 115 : 기준샷.17, 117a to 117i: measuring point, 107, 109, 111, 113, 115: reference shot.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 고안을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention with reference to the accompanying drawings as follows.
도 3은 본 고안의 레티클을 도시한 구성도이고, 도 4는 본 고안의 층간정렬상태 검사시 사용되는 각 라무 키의 위치를 도시한 상태도이고, 도 5a 내지 도 5f는 본 고안의 층간정렬상태 검사시의 오프셋 항목을 도시한 예시도이다.Figure 3 is a block diagram showing the reticle of the present invention, Figure 4 is a state diagram showing the position of each lamu key used in the inspection of the interlayer alignment state of the present invention, Figure 5a to 5f is an interlayer alignment state of the present invention It is an exemplary figure which shows the offset item at the time of an inspection.
웨이퍼(5)의 노광작업시 웨이퍼(5)에 형성되는 각 노광층의 층간정렬상태를 측정하기 위하여 웨이퍼(5)상의 소정부위에 위치하는 기준샷(107)(109)(111)(113)(115)과 상호 비교하여 각 지점에 대한 데이타를 검출하는 패턴인 라무 키(103)(105)가 레티클(101)의 사방 모서리부와 중앙부에 각각 형성된다.Reference shots 107, 109, 111, and 113 positioned at predetermined portions on the wafer 5 to measure the interlayer alignment state of each exposure layer formed on the wafer 5 during the exposure operation of the wafer 5. Lamu keys 103 and 105, which are patterns for detecting data for each point in comparison with 115, are formed in the four corners and the center of the reticle 101, respectively.
이러한 레티클(101)은 웨이퍼(5)상에 상하좌우 그리고 중앙부위에 위치하는 5부분의 기준샷(107)(109)(111)(113)(115)에 형성된 9개의 측정점(117a 내지 117i)과 비교되어 필요한 부분에 대한 데이터를 검출하므로써 각 오프셋 항목에 의한 층간정렬상태를 검사할 때 오프셋 계산되어 사용된다.The reticle 101 has nine measurement points 117a to 117i formed on five reference shots 107, 109, 111, 113, and 115 positioned up, down, left, and right on the wafer 5. The offset is calculated and used when checking the inter-layer alignment by each offset item by detecting data for the required part compared with
본 고안의 레티클에 의한 층간정렬과정을 알아보면 다음과 같다.The interlayer alignment process by the reticle of the present invention is as follows.
도면을 참조하면 레티클(101)에 의하여 점선으로 표시된 2차 노광시의 층간정렬상태를 상호 비교하기 위해서는 실선으로 표시된 1차 노광시 각 라무 키(103)(105)가 기준샷(107)(109)(111)(113)(115) 중 하나의 기준샷의 측정점(117a 내지 117i)에 위치한 상태에서 검출된 데이타를 기준으로 오프셋 계산하여 2차 노광층의 정렬여부를 검사한다.Referring to the drawings, in order to compare the interlayer alignment state in the second exposure indicated by the dotted line by the reticle 101, each lamu key 103, 105 in the first exposure indicated by the solid line is a reference shot 107 (109). The alignment of the secondary exposure layer is inspected by calculating an offset based on the detected data in a state of being positioned at the measurement points 117a to 117i of one reference shot of one of the reference numerals 111, 113, and 115.
이때 해당하는 오프셋 항목에는 도 5a 내지 도 5f에서 도시된 바와같이 축간이동,샷 회전, 샷 확대, 웨이퍼 회전, 웨이퍼 확대 및 직교도 등이 있다.At this time, the corresponding offset items include axial movement, shot rotation, shot magnification, wafer rotation, wafer magnification and orthogonality, as shown in FIGS. 5A to 5F.
이러한 각 오프셋 항목에 의한 층간정렬상태의 검사는 상기 레티클(101)에 형성된 사방 모서리부와 중앙부의 라무 키(103)(105)가 웨이퍼(5)의 지정된 소정부위에 형성된 5지점의 기준샷(107)(109)(111)(113)(115)에 해당되는 측정점(117a 내지 117i)에 위치하였을 때 검출된 데이타중 최소한의 데이타를 사용하여 오프셋 계산하므로써 노광층의 정렬 여부를 검사한다.The inspection of the interlayer alignment by each of the offset items is a reference shot of five points where the four corner portions formed in the reticle 101 and the lamu keys 103 and 105 in the central portion are formed at predetermined portions of the wafer 5. The alignment of the exposure layer is examined by offset calculation using the minimum data among the detected data when located at the measurement points 117a to 117i corresponding to 107, 109, 111, 113 and 115. FIG.
즉, 도 5a에서 도시된 축간이동의 오프셋 항목을 계산하는데 필요한 데이타는 도 4에서 도시된 웨이퍼(5)의 5 부분에 대한 기준샷(107)(109)(111)(113)(115)에서 중앙에 형성된 5개의 측정점(117a내지 117e)에 의하여 검출된 데이터만을 사용하더라도 2차노광시의 축간이동에 대한 정렬상태를 검출할 수 있다.That is, the data required to calculate the offset item of the interaxial movement shown in FIG. 5A is obtained from the reference shots 107, 109, 111, 113, and 115 for the five portions of the wafer 5 shown in FIG. 4. Even if only the data detected by the five measurement points 117a to 117e formed in the center is used, the alignment state with respect to the interaxial movement during the second exposure can be detected.
또한 도 5b와 도 5c에서 도시된 샷 회전과 샷 확대의 오프셋 항목을 계산하는데 필요한 최소한의 데이타는 도 4에서 도시된 바와같이 웨이퍼의 중앙부위에 위치하는 기준샷(107)(109)(111)(113)(115)의 모서리부에 형성된 4개의 측정점(117f 내지 117i)에서 검출된 것이고 이러한 데이터만을 가지고도 오프셋 계산이 가능하여 층간정렬상태를 확인할 수 있다.In addition, the minimum data required to calculate the offset items of the shot rotation and shot magnification shown in FIGS. 5B and 5C is the reference shots 107, 109, 111 located at the center of the wafer as shown in FIG. 4. It is detected at the four measurement points 117f to 117i formed at the corners of the 113 and 115, and the offset calculation can be performed using only this data, so that the interlayer alignment state can be confirmed.
이러한 오프셋 항목 이외에도 도 5d 내지 도 5f에 해당하는 웨이퍼 회전이나 웨이퍼 확대 그리고 직교도 등의 오프셋 항목에 사용되는 데이터도 상기 샷 회전시와 마찬가지로 웨이퍼의 5 부분에 대한 기준샷(107)(109)(111)(113)(115)에서 중앙에 형성된 5개의 측정점(117a내지 117e)에 의하여 검출된 데이터만을 사용한다.In addition to these offset items, data used for offset items such as wafer rotation, wafer magnification, and orthogonality corresponding to FIGS. 5D to 5F may also be used for reference shots 107 and 109 for five portions of the wafer as in the case of the shot rotation. Only the data detected by the five measuring points 117a to 117e formed at the center at 111, 113 and 115 are used.
따라서 각 오프셋 항목을 모두 만족하기 위하여 사전에 측정되는 측정점의 숫자는 상하좌우의 기준샷(107)(109)(111)(113) 중앙에 형성된 4개의 측정점(117a)(117b)(117d)(117e)과 중앙의 기준샷(115)에 형성된 각 모서리부 및 중앙부의 5개 측정점(117c)(117f)(117g)(117h)(117i)을 포함하여 9개에 지나지 않는다.Therefore, the number of measurement points that are measured in advance in order to satisfy each of the offset items is four measurement points 117a, 117b, 117d formed at the center of the reference shots 107, 109, 111, and 113 on the top, bottom, left, and right sides. 117e) and only nine, including five measuring points 117c, 117f, 117g, 117h and 117i formed at each corner and center formed at the reference shot 115 in the center.
이러한 9개의 측정점에 의하여 상기 오프셋 항목에서의 층간정렬상태가 측정된다.By these nine measurement points, the interlayer alignment state in the offset item is measured.
상기에서 상술된 바와 같이, 본 고안은 레티클의 중앙에 라무 키를 형성하여 각 항목에서 최소한의 측정점에 의한 데이타만으로도 웨이퍼의 층간정렬상태를 측정할 수 있도록하여 측정시간의 감소에 의한 측정장비의 효율 및 노광장치의 생산성을 증대시키는 잇점이 있다.As described above, the present invention forms a lamu key in the center of the reticle so that the interlayer alignment state of the wafer can be measured only by the data of the minimum measuring point in each item, thereby reducing the measurement time. And the productivity of the exposure apparatus.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019970039785U KR200181362Y1 (en) | 1997-12-23 | 1997-12-23 | Reticle for detecting wafer overlay |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019970039785U KR200181362Y1 (en) | 1997-12-23 | 1997-12-23 | Reticle for detecting wafer overlay |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990033856U KR19990033856U (en) | 1999-08-16 |
| KR200181362Y1 true KR200181362Y1 (en) | 2000-05-15 |
Family
ID=19517980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019970039785U KR200181362Y1 (en) | 1997-12-23 | 1997-12-23 | Reticle for detecting wafer overlay |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200181362Y1 (en) |
-
1997
- 1997-12-23 KR KR2019970039785U patent/KR200181362Y1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990033856U (en) | 1999-08-16 |
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