KR200154150Y1 - Heating system of etching apparatus - Google Patents
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Abstract
고안은 반도체 제조장비중 식각장비에 사용되는 가열장치에 관한 것으로 특히, 가열코일의 형태와 배열을 개선함으로써 식각공정시 웨이퍼 전면에 걸친 균일성을 개선하기 위한 가열장치에 관한 것으로, 동일 평면상에 나선형태로 감겨 배열되는 가열코일과 상면에 가열코일이 배치 지지되는 가열판을 포함하는 가열장치에 있어서, 상기 가열코일은 가열판 상에서 나선형태로 감겨 배열되되, 인접한 코일의 간격이 가장자리에서 나선중심부로 갈수록 넓어지게 배열된 것을 특징으로 하여 반응로 내의 온도와 웨이퍼 표면의 열수율을 균일하게 유지하여 웨이퍼 부위별로 균일한 식각을 확보함으로서 식각 실패 등의 공정사고의 위험을 줄여 식각공정의 안정화를 기하는 효과가 있다.The present invention relates to a heating apparatus used for etching equipment in semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to a heating apparatus for improving uniformity over the entire wafer surface during an etching process by improving the shape and arrangement of the heating coil. A heating apparatus including a heating coil arranged in a spiral shape and a heating plate on which a heating coil is disposed and supported on the upper surface, wherein the heating coils are arranged in a spiral shape on the heating plate, and the spacing of adjacent coils moves from the edge to the spiral center. Characterized by the wider arrangement, the temperature in the reactor and the heat yield of the wafer surface are maintained uniformly to ensure uniform etching for each wafer area, reducing the risk of process accidents such as etching failure and stabilizing the etching process. There is.
Description
제1도는 종래 기술에 따른 식각장비의 가열장치의 구성을 나타낸 정단면도.1 is a front sectional view showing a configuration of a heating apparatus of an etching apparatus according to the prior art.
제2도는 종래 기술에 따른 식각장비의 가열장치의 요부인 가열코일의 구성도.2 is a block diagram of a heating coil which is a main part of a heating apparatus of an etching apparatus according to the prior art.
제3도는 본 고안에 의한 식각장비의 가열장치의 일실시예 구성을 나타낸 정단면도.Figure 3 is a front sectional view showing an embodiment configuration of the heating apparatus of the etching equipment according to the present invention.
제4도는 본 고안에 의한 식각장비의 가열장치의 요부인 가열코일의 구성도.4 is a block diagram of a heating coil which is a main part of a heating apparatus of an etching apparatus according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1, 21 : 가열코일 2, 22 : 가열판1, 21: heating coil 2, 22: heating plate
3, 23 : 전극 4, 24 : 전원3, 23: electrode 4, 24: power supply
5, 25 : 웨이퍼 6, 26 : 애노드5, 25: wafer 6, 26: anode
7, 27 : 반응로벽7, 27: reactor wall
본 고안은 반도체 제조장비중 식각장비인 반응로내의 소정 온도를 제공하는 가열장치에 관한 것으로, 특히 가열코일의 형태와 배열을 개선함으로써 식각공정시 웨이퍼 전면에 걸친 균일성을 개선하기 위한 식각장비의 가열장치에 관한 것이다.The present invention relates to a heating apparatus that provides a predetermined temperature in a reaction furnace, which is an etching equipment of semiconductor manufacturing equipment. In particular, by improving the shape and arrangement of a heating coil, an etching apparatus for improving uniformity over the entire wafer surface during an etching process is provided. It relates to a heating device.
일반적으로, 식각장비에는 웨이퍼의 식각을 행하기 위해 반으로 내부의 온도를 일정하게 유지하기 위해 다양한 형태의 코일이 구비되어 있으며, 종래의 가열장치의 구성을 제1도 및 제2도의 도면을 참조하여 간단하게 설명한다.In general, the etching equipment is provided with various types of coils to maintain a constant internal temperature in half to etch the wafer, and the configuration of a conventional heating apparatus is referred to the drawings of FIGS. 1 and 2. This will be explained briefly.
제1도 및 제2도에 도시된 바와 같이, 종래의 가열장치는 소정 직경으로 감긴 스프링형태의 코일을 나선형태로 감아 배열시키되, 인접하는 코일은 간격(h1, h2, h3,)일 일정하게 배열된 가열코일(1)과, 상기 가열코일(1)을 지지하며, 반응로(7) 하부에 위치한 웨이퍼(5)의 위쪽에 위치하는 가열판(2)과, 상기 가열판(2) 상에 배열된 코일(1)의 가장자리부 일단과 중심부의 타단에 각각 구비된 전극(3)과, 상기 전극(3)에 연결되는 전원(4)으로 구성되어 있다. 따라서 상기 전원(4)으로부터의 급전에 의해 가열코일(1)이 발열되교, 상기 가열판(2)에 의한 열의 방출이 반응로 내부에 탑재된 웨이퍼(5) 전면으로 분포되며, 또 반응로 내부가 일정한 온도로 유지된다. 미설명부호 6은 애노드이다.As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the conventional heating apparatus spirally arranges a coil of a spring wound around a predetermined diameter, and adjacent coils are spaced (h 1 , h 2 , h 3 ,). A heating coil 1 arranged uniformly, a heating plate 2 supporting the heating coil 1 and positioned above the wafer 5 positioned below the reactor 7, and the heating plate 2 It consists of an electrode 3 which is provided at one end of the edge part of the coil 1 arranged on the other end and the other end of the center, and a power source 4 connected to the electrode 3, respectively. Therefore, the heating coil 1 heats due to the power supply from the power source 4, and the heat is discharged by the heating plate 2 to the entire surface of the wafer 5 mounted inside the reactor, and the inside of the reactor is Maintained at a constant temperature. Reference numeral 6 is an anode.
상기와 같이 구성되는 종래의 가열장치는 제2도에 도시된 바와 같이, 동일 평면상에 나선형태로 배열된 가열코일(1)이 동일한 간격으로 인접하게 배열되므로, 즉 h1=h2=h3으로 배열되기 때문에 가열판(2)상의 단위 면적당 상기 가열코일(1)이 점유하는 면적은 가장자리보다 나선 중심부로 갈수록 상대적으로 증가하게 된다.이로인해, 상기 가열판(2)의 부분별 발열 온도차이가 발생하여 웨이퍼 표면에서의 부위별 온도차이를 유발한다. 또한 상기 반응로 내부의 부위별 온도차이가 발생하게 되고, 이에 따라 상기 반응로 내부에 형성된 플라즈마에 영향을 주어 웨이퍼의 식각율이 달라지게 된다. 즉, 웨이퍼(5) 중심부분의 식각율이 높게 되고, 가장자리로 갈수록 식각율이 저하되는 현상이 발생한다. 또한, 상기 가열코일(1)은 소정의 직경으로 감긴 형태이므로 원형 도선의 전류에 의해 유도되는 자기장은 반응로내에 형성된 플라즈마의 교란현상을 초래한다. 상기한 바와 같이, 웨이퍼(5)의 부위별 식각율의 차이와, 플라즈마의 교란현상은 웨이퍼 식각의 균일성을 저해시키는 문제점으로 작용한다.In the conventional heating apparatus configured as described above, as shown in FIG. 2, since the heating coils 1 spirally arranged on the same plane are arranged adjacent to each other at equal intervals, that is, h 1 = h 2 = h since the arrangement of three per unit area on the heating plate (2) area in which the heating coil (1) is occupied becomes gradually increased to relative to the center of the spiral than the edge. Thus, the heating temperature difference between each portions of the heating plate (2) To cause a temperature difference for each part on the wafer surface. In addition, a temperature difference for each part inside the reactor occurs, thereby affecting the plasma formed inside the reactor, thereby changing the etching rate of the wafer. That is, the etching rate of the center portion of the wafer 5 becomes high, and the phenomenon that the etching rate decreases toward the edge occurs. In addition, since the heating coil 1 is wound to a predetermined diameter, the magnetic field induced by the current of the circular lead causes a disturbance of the plasma formed in the reactor. As described above, the difference in the etching rate for each part of the wafer 5 and the disturbance of the plasma act as a problem of inhibiting the uniformity of the wafer etching.
따라서, 상기의 제반 문제점을 해결하기 위한 본 고안은 가열코일의 형태와 그 배열을 개선하여 가열장치의 각 부분의 온도 분포를 균일하게 하므로써 식각공정에서 웨이퍼 전면에 걸쳐 균일성을 확보할 수 있는 식각장비의 가열장치를 제고하는 데 그 목적이 있다.Therefore, the present invention for solving the above problems is to improve the shape and arrangement of the heating coil to uniformly distribute the temperature of each part of the heating device by etching to ensure uniformity over the entire wafer surface in the etching process The purpose is to improve the heating of the equipment.
본 고안은 상기 목적을 달성하기 위하여, 동일 평면상에 나선형태로 감겨 배열되는 가열코일과 상면에 상기 가열코일을 배치 지지되는 가열판을 포함하는 가열 장치에 있어서, 상기 가열코일은 가열판 상에서 나선형태로 감겨 배열되되, 인접한 코일의 간격이 가장자리에서 나선중심부로 갈수록 넓어지게 배열된 것을 특징으로 하는 가열장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a heating apparatus including a heating coil arranged in a spiral shape on the same plane and a heating plate arranged to support the heating coil on an upper surface thereof, wherein the heating coil is spirally formed on the heating plate. It is arranged to be wound, but provides a heating apparatus characterized in that the interval of adjacent coils are arranged to be wider from the edge toward the spiral center.
이하, 본 고안에 의한 가열장치의 실시예를 첨부한 제3도 및 제4도의 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the drawings of Figures 3 and 4 attached to an embodiment of the heating apparatus according to the present invention will be described in detail.
제3도 및 제4도는 참조하면, 도면부호 21은 가열코일, 22는 가열판, 23은 전극, 24는 전원, 25는 웨이퍼, 26은 애노드, 27은 반응로벽을 각각 나타낸다.3 and 4, reference numeral 21 denotes a heating coil, 22 a heating plate, 23 an electrode, 24 a power source, 25 a wafer, 26 an anode, and 27 a reactor wall.
도면에 도시된 바와 같이, 본 고안에 의한 가열장치는 종래 기술에서 사용된 스프링 형태의 코일 대신에 단면이 사각형인 막대형 코일을 동일 평면상에 나선형태로 감아 배열한 가열코일(21) 및 상기 막대형태의 가열코일이 배치되고, 지지되는 가열판(22)을 포함하며, 상기 가열판(22)의 단위 면적당 가열코일(21)이 점유하는 면적이 동일하도록 인접 코일간의 설치 간격이 조절된다. 제4도에 도시된 바와 같이, 상기 가열코일(21)의 폭을 늘리고, 가장자리에서 중심부로 갈수록 코일간의 설치간격(h1, h2, h3,)은 넓어지게 배열한다. 즉, h1h2h3가 되게 배열한다. 이때, 상기 가열코일(21)은 저항계수를 고려하여 종래 기술에서의 가열코일(1)과 동일한 열이 발생하도록 한다.As shown in the figure, the heating apparatus according to the present invention is a heating coil 21 and a coil wound in a spiral shape on the same plane instead of a spring-shaped coil used in the prior art arranged in a spiral shape and the The heating coils in the form of rods are arranged and include a supporting heating plate 22, and the installation interval between adjacent coils is adjusted so that the area occupied by the heating coil 21 per unit area of the heating plate 22 is the same. As shown in FIG. 4, the width of the heating coil 21 is increased, and the installation intervals h 1 , h 2 , h 3 , between the coils are widened from the edge to the center. That is, it arranges so that h 1 h 2 h 3 . At this time, the heating coil 21 to generate the same heat as the heating coil 1 in the prior art in consideration of the coefficient of resistance.
상기와 같이 구성함으로써, 상기 가열판(22) 상의 각 부위별 온도가 균일하게 분포되고, 그 아래에 위치한 웨이퍼(25) 표면의 열수율도 균일하게 된다. 또, 상기 가열코일(21)의 폭이 증가됨에 따라 통전 전류에 의해 유도되는 자기장의 균일성도 역시 상대적으로 증가하게 되므로 반응로에 형성된 플라즈마의 교란현상이 감소될 수 있다. 여기서, 상기 가열코일(21)은 막대형태의 단면이므로 그 표면전류에 의해 유도되는 자기장 효과의 특성도 개선되게 된다.By configuring as described above, the temperature for each part on the heating plate 22 is uniformly distributed, and the heat yield of the surface of the wafer 25 located below is also uniform. In addition, as the width of the heating coil 21 is increased, the uniformity of the magnetic field induced by the energizing current is also relatively increased, which may reduce the disturbance of the plasma formed in the reactor. Here, since the heating coil 21 is a rod-shaped cross section, the characteristics of the magnetic field effect induced by the surface current are also improved.
한편, 본 고안에 의한 가열장치는 식각 공정뿐만 아니라, 반응로 내에서 싱글 타입으로 공정이 진행되는 모든 공정에서 적용되어 반응로 내부 온도를 균일하게 유지하고, 또 애노드(26)상에 탑재된 웨이퍼(25)상의 온도를 균일하게 분포시킬 수 있다.On the other hand, the heating apparatus according to the present invention is applied not only to the etching process, but also to all processes in which the process is performed in a single type in the reactor, thereby maintaining the temperature inside the reactor uniformly, and mounting the wafer on the anode 26. The temperature of (25) phase can be distributed uniformly.
상기와 같이 구성되는 본 고안은, 가열코일의 형상과 배열을 간단하게 개선하므로써 반응로 내의 온도와 웨이퍼 표면의 열수율을 균일하게 유지하여 웨이퍼 부위별로 균일한 식각율을 확보할 수 있으며, 식각실패 등의 공정사고의 위험을 줄여 식각공정의 안정화를 기하는 효과가 있다.The present invention configured as described above, by simply improving the shape and arrangement of the heating coil to uniformly maintain the temperature in the reactor and the heat yield of the wafer surface to ensure a uniform etching rate for each wafer portion, etching failure It is effective in stabilizing the etching process by reducing the risk of process accidents.
이상에서 설명한 본 고안은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 고안의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함은 본 고안이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes are possible within the scope without departing from the technical spirit of the present invention. It will be evident to those who have knowledge of.
Claims (2)
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR2019960005697U KR200154150Y1 (en) | 1996-03-23 | 1996-03-23 | Heating system of etching apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019960005697U KR200154150Y1 (en) | 1996-03-23 | 1996-03-23 | Heating system of etching apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR970056069U KR970056069U (en) | 1997-10-13 |
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Family
ID=19452427
Family Applications (1)
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| KR2019960005697U KR200154150Y1 (en) | 1996-03-23 | 1996-03-23 | Heating system of etching apparatus |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR200154150Y1 (en) |
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1996
- 1996-03-23 KR KR2019960005697U patent/KR200154150Y1/en not_active IP Right Cessation
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| KR970056069U (en) | 1997-10-13 |
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