KR200152116Y1 - 마그네트론 - Google Patents

Abstract

본 고안은 안정된 동작특성을 유지하면서 높은 효율과 출력을 갖는 마그네트론에 관한 것으로써, 열전자를 방출하는 필라멘트(17)와, 자속을 발생하는 마그네트(41,43)와, 상기 마그네트(41,43)에서 발생된 자속을 유도하는 폴피스와(33,35)와, 상기 마그네트(41,43)에서 귀환되는 자속을 연결하는 요우크(53,55)와, 마이크로파를 발생하도록 다수의 베인(15)이 배치된 양극통체(13)와, 상기 베인(15)과 필라멘트(17) 사이에 형성된 작용공간(12)과, 상기 필라멘트(17)에 전원을 공급하는 필라멘트전극(23,25)으로 구성된 마그네트론에 있어서, 상기 필라멘트전극(23)에는 상기 마그네트(41,43)로부터 발생한 자속을 인도하여 작용공간(12)내에 균일한 자속밀도를 형성하도록 스틸링(24)이 끼워져 있는 것으로, 작용공간(12)내에 보다 균일한 자속밀도를 형성하여 모딩현상을 방지하므로 안정된 동작특성을 얻을 수 있다.

Description

마그네트론

제1도는 종래에 의한 마그네트론의 종단면도.

제2도는 본 고안의 일실시예에 의한 마그네트론의 종단면도.

제3도는 본 고안에 적용되는 주요구성 부분의 개략적인 구조도.

제4도는 본 고안에 적용되는 작용공간내의 자속분포를 도시한 개략적인 도면.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

12 : 작용공간 13 : 양극통체

15 : 베인 17 : 필라멘트

20 : 상부실드햇 21 : 하부실드햇

23 : 제1필라멘트전극 24 : 스틸링

25 : 제2필라멘트전극 29,31 : 외부접속단자

33,35 : 상부 및 하부폴피스 37,39 : 상부 및 하부실드컵

41,43 : 마그네트 45 : 안테나세라믹

47 : 배기관 49 : 안테나

51 : 안테나캡 53,55 : 상부 및 하부요우크

57 : 냉각핀

본 고안은 안정된 동작특성을 유지하면서 높은 효율과 출력을 갖는 마그네트론에 관한 것이다.

일반적으로, 종래의 마그네트론은 제1도에 도시한 바와같이, 동파이프등에 의해 원통형상으로 형성된 양극통체(13)의 내부에는 고주파 성분을 유기시키도록 복수개의 공진공동을 형성하는 다수(짝수)개의 베인(15)이 축심방향을 향하여 등간격으로 배치되어 있고, 이들 양극통체(13)와 베인(15)에 의해 양극부를 구성한다.

그리고, 상기 베인(15)의 선단부측 근처에는 상하부에 각각 캐패시턴스를 변화시켜 일정한 공진주파수를 얻도록 내측 및 외측균압링(15a, 15b)이 상기 베인(15)을 하나 걸러서 각각 접속배치되어 있고, 상기 양극통체(13)의 중심축상 근처에는 상기 다수개의 베인(15)의 선단부와 필라멘트(17) 사이에 작용공간(12)이 형성되어 있다.

상기 작용공간(12)내에는 고열을 발생하도록 텅스텐(W)과 산화토륨(ThO₂)을 혼합소결시켜 나선형상으로 권회한 필라멘트히터(17;이하, 필라멘트라 한다)가 상기 양극통체(13)와 동축형상으로 배치되어 있다.

상기 필라멘트(17)의 양단부에는 발진에 기여하지 못하는 손실전류인 열전자가 중심축 방향으로 방사되는 것을 방지하도록 상부 및 하부실드햇(20,21)이 고착되어 있고, 상기 하부실드햇(21)의 중앙부에는 몰리브덴제의 중앙지지체인 제1필라멘트전극(23)이 상기 중앙부에 형성된 관통구멍을 통해서 상기 상부실드햇(20)의 하단부에 용접고착되어 있으며, 상기 하부실드햇(21)의 바닥면에는 몰리브덴제의 제2필라멘트전극(25)이 용접고착되어 있다.

여기에서, 상기 제1필라멘트전극(23)은 상기 필라멘트(17)의 중심축을 관통하면서 상기 상부실드햇(20)을 지지하고, 상기 제1 및 제2필라멘트전극(23,25)은 마그네트론의 음극을 지지고정하는 절연세라믹(27)에 형성된 관통구멍을 통해 도시되지 않은 전원단자에 접속되어 있는 제1 및 제2외부접속단자(29,31)에 전기적으로 접속되어 상기 필라멘트(17)에 전류를 공급하는 캐소드지지대이다.

또한, 상기 양극통체(13)의 양측개구부에는 상기 필라멘트(17)와 베인(15)에 의해 형성되는 작용공간(12)내에 균일하게 자속을 형성하도록 자로를 형성하는 자성체인 깔대기형상의 상부 및 하부폴피스(33,35)가 용접고착되어 있다.

상기 상부 및 하부폴피스(33,35)의 상하부에는 상부 및 하부실드컵(shield cup;37,39)이 각각 기밀하게 용접고착되어 있고, 상기 상부 및 하부실드컵(37,39)의 상하부에는 상기 양극통체(13)의 내부를 진공으로 밀봉하기 위하여 안테나세라믹(45) 및 절연세라믹(27)이 기밀하게 용접고착되어 있다.

또, 마그네트론의 출력부를 구성하는 상기 상부실드컵(37)의 상부개구단부에는 후술하는 안테나캡을 절연시키는 원통형상의 안테나세라믹(45)이 접합되어 있고, 상기 안테나세라믹(45)의 상부측 선단부에는 동으로 이루어진 배기관(47)이 접합되어 있으며, 상기 배기관(47)의 내측 중앙부근처에는 공진공동내에 발진된 고주파를 출력하도록 상기 베인(15)으로부터 도출된 안테나(49)가 상기 상부폴피스(33)의 관통구멍을 통과하여 축상으로 연장되면서 상기 안테나(49)의 끝이 상기 배기관(47)내에 고정되어 있다.

그리고, 상기 배기관(47)의 외측면에는 상기 배기관(47)의 용접고착부를 보호함은 물론, 전계집중에 의한 스파크방지 및 고주파안테나의 작용을 함과 동시에 고주파 출력을 외부로 내보내는 창(window)역할을 하는 안테나세라믹(45)과 그 위에 안테나캡(51)이 씌워져 있다.

상기와 같이 구성된 마그네트론에 있어서, 먼저, 제1 및 제2외부접속단자(29,31)를 통해 전원이 인가되면, 상기 제1외부접속단자(29)제1필라멘트전극(23)상부실드햇(20)필라멘트(17)하부실드햇(21)제2필라멘트전극(25)제2외부접속단자(31)에 의해 폐회로가 구성되어 상기 필라멘트(17)에 동작전류가 공급되어 가열된다.

상기 필라멘트(17)가 가열되어 고온상태가 되면, 작용공간(12)내로 열전자를 방출하기 시작한다.

이때, 상기 제2필라멘트전극(25)과 양극에 인가된 구동전압에 의해 필라멘트(17)의 바깥표면과 베인(15)사이의 작용공간(12)내에 강한 전계가 형성되고, 이 강한 전계는 베인(15)에서 출발하여 필라멘트(17)로 이른다.

한편, 도시되지 않은 마그네트로부터 발생한 자속은 하부폴피스(35)를 따라 작용공간(12)쪽으로 인도되고, 작용공간(12)을 통해 상부폴피스(33)로 진행하면서 작용공간(12)내에 높은 자속밀도를 형성한다.

따라서, 고온의 필라멘트(17) 표면으로부터 작용공간(12)으로 방출되는 열전자는 작용공간(12)내에 존재하는 강한 전계에 의해 베인(15) 또는 양극통체(13)쪽으로 진행함과 동시에 작용공간(12)내에 존재하는 강한 자속밀도에 의해 진행방향에 대해 수직으로 힘을 받아 전자가 양극쪽으로 진행함에 따라 원운동을 한다.

이러한 전자의 운동은 모든 작용공간(12)에서 이루워져 베인(15)의 구조적 공진회로에 따라 전자들이 전자군을 형성하면서 높은 전위인 베인(15)으로의 진행을 반복적으로 수행하여 상기 베인(15)에는 전자군이 회전하는 속도에 대응하는 공진주파수인 2450MHz대(기본파) 마이크로파를 발생한다.

그런데, 작용공간(12)내에 존재하는 자속밀도가 불균일한 경우에는 작용공간(12)내 전자운동이 원활하지 못하여 모드(Mode)가 파괴되는 모딩현상으로 베인(15)에서 많은 열이 발생하므로 마그네트론의 발진시 안정성이 떨어지고, 효율이 저하된다는 문제점이 있었다.

따라서, 본 고안은 상기완 같은 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로써, 본 고안의 목적은 필라멘트전극의 외주면에 스틸링을 끼워 작용공간내에 보다 균일한 자속밀도를 형성하여 모딩현상을 방지하므로 안정된 동작특성을 얻을 수 있는 마그네트론을 제공하는데 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 고안에 의한 마그네트론은 열전자를 방출하는 필라멘트와, 상기 피라멘트로부터 방출되는 전자를 편향하여 회전운동을 유지하도록 자속을 발생하는 마그네트와, 상기 마그네트에서 발생된 자속을 유도하도록 자로를 형성하는 폴피스와, 상기 마그네트에서 귀환하는 자속을 연결하도록 자속량을 결정하는 요우크와, 상기 필라멘트를 외측에서 둘러싸서 마이크로파를 발생하도록 다수의 베인이 배치된 양극통체와, 상기 베인과 필라멘트 사이에 형성된 작용공간과, 상기 양극통체에서 발생된 마이크로파를 유도하는 안테나와, 상기 필라멘트에 전원을 공급하는 필라멘트전극으로 구성된 마그네트론에 있어서, 상기 필라멘트전극에는 상기 마그네트로부터 발생한 자속을 인도하여 작용공간내에 균일한 자속밀도를 형성하도록 스틸링이 끼워져 있는 것을 특징으로 한다.

이하, 본 고안의 일실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

종래의 구성과 동일한 부분에 대해서는 동일부호를 붙인다.

제2도 및 제3도에 도시한 바와같이, 동파이프등에 의해 원통형상으로 형성된 양극통체(13)의 내부에는 고주파 성분을 유기시키도록 복수개의 공진공동을 형성하는 다수(짝수)개의 베인(15)이 축심방향을 향하여 등간격으로 배치되어 있고, 이들 양극통체(13)와 베인(15)에 의해 양극부를 구성한다.

그리고, 상기 양극통체(13)의 중심축상 근처에는 상기 다수개의 베인(15)의 선단부와 필라멘트(17) 사이에 작용공간(12)이 형성되어 있고, 상기 작용공간(12)내에는 고열을 발생하도록 텅스텐(W)과 산화토륨(ThO₂)을 혼합소결시켜 나선형상으로 권회한 필라멘트히터(17;이하, 필라멘트라 한다)가 상기 양극통체(13)와 동축형상으로 배치되어 있다.

상기 필라멘트(17)의 양단부에는 발진에 기여하지 못하는 손실전류인 열전자가 중심축 방향으로 방사되는 것을 방지하도록 상부 및 하부실드햇(20,21)이 고착되어 있고, 상기 하부실드햇(21)의 중앙부에는 몰리브덴제의 중앙지지체인 제1필라멘트전극(23)이 상기 중앙부에 형성된 관통구멍(22)을 통해서 상기 상부실드햇(20)의 하단부에 용접고착되어 있으며, 상기 하부실드햇(21)의 바닥면에는 몰리브덴제의 제2필라멘트전극(25)이 용접고착되어 있다.

또한, 상기 하부실드햇(21)의 중앙부에 형성된 관통구멍(22)을 통과하는 상기 제1필라멘트전극(23)의 외주면에는 후술하는 마그네트로부터 발생한 자속을 중심부까지 인도하여 작용공간(12)내에 보다 균일한 자속밀도를 형성하도록 스틸링(24)이 하부실드햇(21)과 일정간격을 두고 끼워져 있다.

상기 제1필라멘트전극(23)은 필라멘트(17)의 중심축을 관통하면서 상부실드햇(20)을 지지하고, 상기 제1 및 제2필라멘트전극(23,25)은 마그네트론의 음극을 지지고정하는 절연세라믹(27)에 형성된 관통구멍을 통해 전원단자(30b,32b)에 접속되어 있는 제1 및 제2외부접속단자(29,31)에 전기적으로 접속되어 상기 필라멘트(17)에 전류를 공급한다.

그리고, 상기 제1 및 제2외부접속단자(29,31)에는 쵸크코일(30,32)의 일단부가 전기적으로 접속되어 있고, 상기 쵸크코일(30,32)의 타단부는 박스필터의 측벽부에 배설되어 있는 캐패시터(34)와 접속되어 있으며, 상기 쵸크코일(30,32)내에는 노이즈를 흡수하는 페라이트(30a,32a)가 상기 쵸크코일(30,32)의 길이방향을 따라 삽입고정되어 있다.

또한, 상기 양극통체(13)의 양측개구부에는 상기 필라멘트(17)와 베인(15)에 의해 형성되는 작용공간(12)내에 균일하게 자속을 형성하도록 자로를 형성하는 자성체인 깔대기형상의 상부 및 하부폴피스(33,35)가 용접고착되어 있다.

상기 상부 및 하부폴피스(33,35)의 상하부에는 상부 및 하부실드컵(37,39)이 각각 기밀하게 용접고착되어 있고, 상기 상부 및 하부실드컵(37,39)의 외측면에는 상기 양극통체(13)내에 일정한 자계분포를 유지하도록 링형상의 마그네트(41,43)가 배치되어 있다.

또, 상기 양극통체(13)의 외부에는 귀환되는 자속을 연결하기 위해 상기 양극통체(13)내의 자속량을 결정하는 상부 및 하부요우크(53,55)가 설치되어 있고, 상기 양극통체(13) 및 하부요우크(55)사이에는 복수개의 알루미늄 냉각핀(57)이 상기 양극통체(13) 및 하부요우크(55)에 고정된 클램프부재(55a)에 의해 감합배치되어 상기 마그네트(41,43)와 함께 자로 형성용 상부 및 하부요우크(53,55)에 의해 덮여 있다.

이하, 상기와 같이 구성된 마그네트론의 작용효과를 설명한다.

먼저, 제1 및 제2외부접속단자(29,31)를 통해 전원이 인가되면, 상기 제1외부접속단자(29)제1필라멘트전극(23)상부실드햇(20)필라멘트(17)하부실드햇(21)제2필라멘트전극(25)제2외부접속단자(31)에 의해 폐회로가 구성되어 상기 필라멘트(17)에 동작전류가 공급되어 가열된다.

상기 필라멘트(17)가 가열되어 고온상태가 되면, 작용공간(12)내로 열전자를 방출하기 시작한다.

이때, 상기 제2필라멘트전극(25)과 양극에 인가된 구동전압에 의해 필라멘트(17)의 바깥표면과 베인(15) 사이의 작용공간(12)내에 강한 전계가 형성되고, 이 강한 전계는 베인(15)에서 출발하여 필라멘트(17)로 이른다.

한편, 두 개의 마그네트(41,43)로부터 발생한 자속은 하부폴피스(35)를 따라 작용공간(12)쪽으로 인도되고, 인도된 자속을 필라멘트(17)의 중심부까지 좀더 이끌기위해 필라멘트전극(3)의 외주면에 스틸링(24)을 끼워 하부폴피스(35)와 스틸링(24)까지 인도된 자속이 작용공간(12)쪽으로 통과하면서 상부폴피스(33)로 진행하여 상부요우크(53), 하부요우크(55), 상부폴피스(33), 하부폴피스(35) 및 작용공간(12)으로 이루어지는 자기회로내에 분포하여 제4도의 굵은 실선으로 도시한 바와같이, 작용공간(12)내에 보다 균일한 자속밀도를 형성한다.

따라서, 고온의 필라멘트(17) 표면으로부터 작용공간(12)으로 방출되는 열전자는 작용공간(12)내에 존재하는 강한 전계에 의해 베인(15) 또는 양극통체(13)쪽으로 진행함과 동시에 작용공간(12)내에 존재하는 균일한 자속밀도에 의해 진행방향에 대해 수직으로 힘을 받아 전자가 양극쪽으로 진행함에 따라 원운동을 한다.

이러한 전자의 운동은 모든 작용공간(12)에서 이루어져 베인(15)의 구조적 공진회로에 따라 전자들이 전자군을 형성하면서 높은 전위인 베인(15)으로의 진행을 반복적으로 수행하여 상기 베인(15)에는 전자군이 회전하는 속도에 대응하는 공진주파수인 2450MHz대(기본파) 마이크로파를 발생하는데, 필라멘트(17)와 베인(15)의 양단에 4KV의 동작전압(Va)이 인가될 경우, 마그네트론은 70% 이상의 높은 효율을 갖는다.

상기의 설명에서와 같이 본 고안에 의한 마그네트론에 의하면, 필라멘트전극의 외주면에 스틸링을 끼워 작용공간내에 보다 균일한 자속밀도를 형성하여 모딩현상을 방지하므로 안정된 동작특성을 얻을 수 있다는 뛰어난 효과가 있다.

Claims (3)

1. 열전자를 방출하는 필라멘트(17)와, 상기 피라멘트(17)로부터 방출되는 전자를 편향하여 회전운동을 유지하도록 자속을 발생하는 마그네트(41,43)와, 상기 마그네트(41,43)에서 발생된 자속을 유도하도록 자로를 형성하는 폴피스와(33,35), 상기 마그네트(41,43)에서 귀환하는 자속을 연결하도록 자속량을 결정하는 요우크(53,55)와, 상기 필라멘트(17)를 외측에서 둘러싸서 마이크로파를 발생하도록 다수의 베인(15)이 배치된 양극통체(13)와, 상기 베인(15)과 필라멘트(17) 사이에 형성된 작용공간(12)과, 상기 양극통체(13)에서 발생된 마이크로파를 유도하는 안테나(49)와, 상기 필라멘트(17)에 전원을 공급하는 필라멘트전극(23,25)으로 구성된 마그네트론에 있어서, 상기 필라멘트전극(23)에는 상기 마그네트(41,43)로부터 발생한 자속을 인도하여 작용공간(12)내에 균일한 자속밀도를 형성하도록 스틸링(24)이 끼워져 있는 것을 특징으로 하는 마그네트론.
2. 제1항에 있어서, 상기 스틸링(24)은 상기 필라멘트(17)의 중심축을 통과하는 제1필라멘트전극(23)의 외주면에 끼워져 있는 것을 특징으로 하는 마그네트론.
3. 제1항에 있어서, 상기 스틸링(24)은 상기 마그네트(41,43)로부터 발생한 자속을 상기 필라멘트(17)의 중심부까지 인도하는 것을 특징으로 하는 마그네트론.