KR20010111375A - Liquid jet device and method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액체 분사장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 본 발명의 장치는 반도체 기판과, 반도체 기판 상에 형성된 발열 저항층과, 발열 저항층의 양단에 각각 연결되어 전류를 공급하기 위한 금속층과, 금속층 사이로 노출된 발열 저항층을 덮는 티타늄으로 형성된 금속 보호막과, 금속 보호막 상에 형성되어 상기 발열 저항체 상에 액체 챔버를 한정하는 배리어층과, 배리어층 상에 형성되어 액체 챔버 내의 액체가 외부로 분사되는 오리피스가 형성된 노즐 플레이트를 포함한다. 따라서, 본 발명에서는 액체 분사장치의 금속 보호막을 기존 반도체 메모리 공정에서 주로 사용하는 재질인 티타늄으로 구성함으로써 제조 코스트를 다운시킬 수 있다.The present invention relates to a liquid ejecting apparatus and a manufacturing method thereof, and in particular, the apparatus of the present invention includes a semiconductor substrate, a heat generating resistive layer formed on the semiconductor substrate, and a metal layer connected to both ends of the heat generating resistive layer for supplying current; A metal protective film formed of titanium covering the exothermic resistance layer exposed between the metal layers, a barrier layer formed on the metal protective film to define a liquid chamber on the exothermic resistor, and a liquid in the liquid chamber formed on the barrier layer to the outside. And a nozzle plate having an orifice ejected thereon. Therefore, in the present invention, the manufacturing cost can be reduced by configuring the metal protective film of the liquid injector with titanium, which is a material mainly used in the existing semiconductor memory process.

Description

액체 분사장치 및 그 제조방법 {LIQUID JET DEVICE AND METHOD THEREOF}Liquid injector and its manufacturing method {LIQUID JET DEVICE AND METHOD THEREOF}

본 발명은 액체 분사장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 잉크 제트 프린터 헤드의 액체 분사장치에 있어서 금속 보호막을 반도체 메모리 제조공정에서 주로 사용하는 티타늄 금속막을 사용함으로써, 코스트를 다운시킬 수 있는 액체분사장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid ejecting apparatus and a method for manufacturing the same, and in particular, in a liquid ejecting apparatus of an ink jet printer head, a liquid spray capable of reducing the cost by using a titanium metal film mainly used in a semiconductor memory manufacturing process. An apparatus and a method of manufacturing the same.

잉크 제트 프린터는 미세한 잉크 방울(INK DROP)을 인쇄매체에 분사하여 화상을 인쇄한다. 잉크 방울은 액체분사장치에 의해 형성된다.An ink jet printer sprays fine ink droplets (INK DROP) onto a print medium to print an image. Ink droplets are formed by the liquid spraying device.

액체 분사장치는 반도체 기판 상에 발열 저항층과 액체 챔버와 노즐 플레이트를 포함한다. 발열 저항층는 잉크로부터 화학적 기계적으로 보호되기 위하여 금속 보호막으로 코딩되어 있다.The liquid injector includes a heat generating resistive layer, a liquid chamber, and a nozzle plate on the semiconductor substrate. The exothermic resistive layer is coded with a metal protective film in order to be chemically and mechanically protected from the ink.

발열 저항층에 전류가 인가되면 발열 저항층에서 발생된 열이 액체 챔버 내의 잉크를 기화시켜서 버블을 발생시키고, 발생된 버블에 의해 액체 챔버 내의 압력이 상승하게 되어 오리피스를 통하여 챔버 내의 잉크가 잉크 방울로 형성되어 밖으로 분사되게 되는 것이다.When a current is applied to the heat generating resistive layer, heat generated in the heat generating resistive layer vaporizes the ink in the liquid chamber to generate bubbles, and the pressure in the liquid chamber is increased by the generated bubbles so that the ink in the chamber drops through the orifice. It is formed to be sprayed out.

따라서, 발열 저항체의 정확한 저항값을 유지하는 것이 항상 일정한 크기의 잉크 방울을 형성하는 데 매우 중요하다. 발열 저항체는 짧은 시간주기로 심한 온도변화가 일어나므로 열적 및 기계적으로 심한 스크레스를 받을 뿐만 아니라 잉크로부터 물과 같은 용매가 침투하게 되어 화학적 부식의 위험이 있게 된다.Therefore, maintaining the correct resistance value of the heat generating resistor is very important for always forming ink droplets of constant size. The exothermic resistor undergoes a severe temperature change in a short time period, so that not only thermally and mechanically, but also a solvent such as water penetrates from the ink, thereby causing a risk of chemical corrosion.

따라서, 금속 보호막은 발열 저항체가 기계적, 화학적으로 손상되는 것을 보호하는 기능을 한다. 금속 보호막은 기계적 충격으로부터 발열 저항층을 보호하고, 잉크 성분에 함유된 이온 성분에 대한 화학적 내성이 커서 전기적 부식이나 화학적부식이 없어야 한다. 그리고, 금속 보호막은 발열 저항층으로부터 제공된 열을 잘 전달하여야 하고 심한 온도변화에 대하여 열팽창율이 충분히 작아야 한다.Therefore, the metal protective film functions to protect the exothermic resistor from mechanical and chemical damage. The metal protective film protects the exothermic resistive layer from mechanical shocks and has a high chemical resistance to the ionic components contained in the ink component, so that there is no electrical corrosion or chemical corrosion. In addition, the metal protective film should transfer heat provided from the heat generating resistive layer well and have a sufficiently small coefficient of thermal expansion against severe temperature change.

종래에는 금속 보호막을 탄탈을 사용하기 때문에 원재료값이 비싸고, 탄탈은 기존의 반도체 메모리 제조라인에서는 주로 사용하지 않은 재료들이다. 그러므로, 기존의 반도체 메모리 제조라인을 이용하여 잉크 제트 프린터 헤드의 액체 분사장치를 제조하고자 하는 경우에는 사용재료가 다르기 때문에 재료에 맞는 새로운 장비의 도입이 불가피하여 생산 코스트가 상승하게 되는 문제가 발생하게 된다.Conventionally, since the metal protective film uses tantalum, the raw material is expensive, and tantalum is a material not mainly used in the conventional semiconductor memory manufacturing line. Therefore, when the liquid jetting device of the ink jet printer head is manufactured by using the existing semiconductor memory manufacturing line, the use of materials is different. Therefore, it is inevitable to introduce new equipment suitable for the material, thereby increasing the production cost. do.

본 발명의 목적은 이와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 기존의 반도체 메모리 제조라인을 이용하여 신규 장비의 교체 없이 반도체 메모리에서 주로 사용하는 재료를 이용함으로써, 값싸게 만들 수 있는 액체분사장치 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to solve the problems of the prior art by using a conventional semiconductor memory manufacturing line using a material mainly used in semiconductor memory without replacing the new equipment, the liquid injection device that can be made cheap It is to provide a manufacturing method.

도 1은 본 발명에 의한 잉크 제트 프린터 헤드의 액체 분사장치의 구성을 나타낸 단면도.1 is a cross-sectional view showing the configuration of a liquid jet device of an ink jet printer head according to the present invention.

도 2는 탄탈, 티타늄 및 알루미늄의 기본 물성을 비교한 표를 나타낸 도면.Figure 2 shows a table comparing the basic physical properties of tantalum, titanium and aluminum.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10 : 반도체 기판 12 : 필드 산화막10 semiconductor substrate 12 field oxide film

14 : 액티브 영역 16 : 게이트 산화막14 active region 16 gate oxide film

18 : 게이트 전극 20, 22 : 소오스 및 드레인 영역18: gate electrode 20, 22: source and drain regions

24 : 열산화막 26 : 층간 절연막24: thermal oxide film 26: interlayer insulating film

28 : 발열 저항층 30 : 금속층28: heat generating layer 30: metal layer

34 : 절연 보호막 36 : 개구부34: insulating protective film 36: opening

38 : 금속 보호막 40 : 배리어층38: metal protective film 40: barrier layer

41 : 액체 챔버 42 : 노즐 플레이트41 liquid chamber 42 nozzle plate

43 : 오리피스43: orifice

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 장치는 반도체 기판과, 반도체 기판 상에 형성된 발열 저항층과, 상기 발열 저항층의 양단에 각각 연결되어 전류를 공급하기 위한 금속층과, 상기 금속층 사이로 노출된 발열 저항층을 덮는 티타늄으로 형성된 금속 보호막과, 상기 금속 보호막 상에 형성되어 상기 발열 저항체 상에 액체 챔버를 한정하는 배리어층과, 상기 배리어층 상에 형성되어 액체 챔버 내의 액체가 외부로 분사되는 오리피스가 형성된 노즐 플래이트를 구비한 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object of the present invention, the apparatus of the present invention comprises a semiconductor substrate, a heat generating resistive layer formed on the semiconductor substrate, a metal layer connected to both ends of the heat generating resistive layer for supplying current, and between the metal layer. A metal protective film formed of titanium covering the exposed exothermic resistance layer, a barrier layer formed on the metal protective film to define a liquid chamber on the exothermic resistor, and a liquid in the barrier layer formed on the barrier layer to spray the outside And a nozzle plate having an orifice formed thereon.

본 발명의 방법은 반도체 기판에 액티브영역을 한정하는 필드 산화막을 형성하는 단계와, 상기 액티브 영역에 액티브 소자를 형성하는 단계와, 상기 액티브 소자를 절연하기 위한 층간 절연막을 도포하는 단계와, 상기 액티브 소자의 외부 연결을 위하여 상기 층간 절연막에 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 결과물 상에 발열 저항층 및 금속층을 순차적으로 적층하는 단계와, 상기 발열 저항층과 금속층의 적층구조를 패터닝하여 금속배선을 형성하는 단계와, 상기 결과물 상에 절연 보호막을 도포하는 단계와, 상기 절연 보호막과 금속층을 선택적으로 제거하여 발열 저항층의 일부를 노출시키는 단계와, 상기 노출된 발열 저항층을 티타늄 금속 보호막으로 도포하는 단계와, 상기 금속 보호막 상에 액체 챔버를 한정하는 배리어층을 형성하는 단계와, 상기 배리어층 상에 액체 챔버 내의 액체가 외부로 분사되는 오리피스가 형성된 노즐 플레이트를 형성하는 단계를 구비한 것을 특징으로 한다.The method includes forming a field oxide film defining an active region in a semiconductor substrate, forming an active element in the active region, applying an interlayer insulating film to insulate the active element, and Forming a contact hole in the interlayer insulating film for external connection of the device, sequentially depositing a heat generating resistive layer and a metal layer on the resultant, and patterning a stacked structure of the heat generating resistive layer and the metal layer to form a metal wiring Forming a layer, applying an insulating protective film on the resultant, selectively removing the insulating protective film and the metal layer to expose a portion of the heat generating resistive layer, and applying the exposed heat generating resistive layer to the titanium metal protective film. Forming a barrier layer defining a liquid chamber on the metal protective film; Characterized in that it includes the step of forming the nozzle plate orifices are formed in which liquid is ejected to the outside in the liquid chamber barrier layer on the group.

이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명의 일 실시예를 통해 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in detail the present invention through an embodiment of the present invention.

도 1은 본 발명에 의한 잉크 제트 프린터 헤드의 액체 분사장치의 단면 구성을 나타낸다. 본 발명의 액체 분사장치는 실리콘 기판(10) 상에 게이트 산화막(16), 게이트 전극(18), 소오스 및 드레인 영역(20, 22)로 구성된 액티브 소자와, 탄탈-알루미늄 합금으로 형성된 발열 저항체(28)와, 액체 챔버(41)를 한정하는 배리어층(40)과, 오리피스(43)가 형성된 노즐 플레이트(42)를 포함한다.1 shows a cross-sectional configuration of a liquid ejecting apparatus of an ink jet printer head according to the present invention. The liquid injector of the present invention includes an active element including a gate oxide film 16, a gate electrode 18, source and drain regions 20 and 22 on a silicon substrate 10, and a heat generating resistor formed of tantalum-aluminum alloy ( 28, a barrier layer 40 defining the liquid chamber 41, and a nozzle plate 42 having an orifice 43 formed thereon.

발열 저항체(28)와 기판(10) 사이에는 필드 산화막(12), 열산화막(HTO)(24), 층간 절연막(BPSG)(26)이 형성된다.A field oxide film 12, a thermal oxide film (HTO) 24, and an interlayer insulating film (BPSG) 26 are formed between the heat generating resistor 28 and the substrate 10.

탄탈-알루미늄 합금 발열 저항체(28)는 알루미늄 금속층(30)에 의해 전류를 공급받는다. 발열 저항체(28)는 질화막 및 SiC의 절연 보호막(34)과 티타늄 금속 보호막(38)에 의해 잉크로부터 보호된다.The tantalum-aluminum alloy heating resistor 28 is supplied with current by the aluminum metal layer 30. The heat generating resistor 28 is protected from ink by the nitride film, the insulating protective film 34 of SiC, and the titanium metal protective film 38.

티타늄 금속 보호막(38) 상에 형성된 배리어층(40)에 의해 액체 챔버(41)가 알루미늄 금속층(30)에 형성된 개구부(36)을 통하여 금속 보호막(38)과 직접 접촉하는 발열 저항체(28)의 부분에 얼라인되어 형성된다.By the barrier layer 40 formed on the titanium metal protective film 38, the liquid chamber 41 of the heating resistor 28 is in direct contact with the metal protective film 38 through the opening 36 formed in the aluminum metal layer 30. It is formed aligned with the part.

이와 같이, 본 발명에서는 기존의 반도체 메모리 공정에서 주로 콘택 장벽층으로 제공되는 티타늄을 사용하여 액체분사장치의 발열 저항체 및 금속 보호막을 형성한다.As described above, in the present invention, the heat generating resistor and the metal protective film of the liquid spray device are formed using titanium, which is mainly provided as a contact barrier layer in the conventional semiconductor memory process.

도 2는 탄탈, 티타늄, 알루미늄의 기본 물성을 비교한 표이다. 티타늄이 탄탈이나 알루미늄에 비하여 전기저항이 가장 크고, 탄탈에 비하여 열전도도, 열팽차계수, 융점 등이 다소 떨어지나 화학적 내성이 양호함을 알 수 있다.2 is a table comparing the basic physical properties of tantalum, titanium, and aluminum. Titanium has the highest electrical resistance compared to tantalum or aluminum, and thermal conductivity, thermal swelling coefficient, melting point, etc. are slightly lower than tantalum, but chemical resistance is good.

티타늄 필름을 프린터 잉크에 48시간 가혹 테스트를 실시하여 부식현상을 테스트한 결과 잉크 침투현상이 전혀 없을 알 수 있었다.Corrosion was tested by testing the titanium film for 48 hours on the printer ink and found no ink penetration.

즉, 탄탈을 대체하여 티타늄을 사용하더라도 프린터 헤드용 발열 저항체 및 금속 보호막으로 사용하더라도 프린터 동작상 하자가 없음을 알 수 있고, 인쇄결과도 양호한 결과를 얻었다.That is, even if titanium is used as a substitute for tantalum, it can be seen that there is no defect in the operation of the printer even if it is used as a heat generating resistor and a metal protective film for the print head.

이와 같은 액체분사장치는 다음과 같이 제조된다.Such a liquid jet is prepared as follows.

반도체 기판(10)에 LOCOS 공정으로 필드산화막(12)을 형성하여 액티브 영역(14)를 한정한다. 액티브 영역(14)에 게이트 산화막(16)을 형성한 다음에 폴리실리콘으로 게이트 전극(18)을 형성한다 게이트 전극(18)가 필드 산호막을 이온주입 마스크로 사용하여 액티브 영역(14)에 불순물을 주입하여 소오스 드레인 영역(20, 22)을 형성한다.The field oxide film 12 is formed on the semiconductor substrate 10 by a LOCOS process to define the active region 14. After the gate oxide film 16 is formed in the active region 14, the gate electrode 18 is formed of polysilicon. The gate electrode 18 uses the field coral film as an ion implantation mask to deposit impurities into the active region 14. The source drain regions 20 and 22 are formed by implantation.

이어서, 결과물 상에 열산화막(24)을 덮고, 그 다음에 BPSG와 같은 층간 절연막(26)을 덮는다.Subsequently, the thermal oxide film 24 is covered on the resultant, and then an interlayer insulating film 26 such as BPSG is covered.

층간 절연막(26), 열산화막(24), 게이트 산화막(16)을 차례로 선택적으로 식각하여 소오스 및 드레인 콘택을 형성한다. 다음에 탄탈-알루미늄을 스퍼터링공정으로 침적시키고, 이어서 알루미늄을 스퍼터링 방식으로 침적시킨다. 이들 적층된 탄탈-알루미늄 합금층(28)과 알루미늄 금속층(30)을 사진 식각공정으로 패터닝하여 금속배선을 형성한다.The interlayer insulating film 26, the thermal oxide film 24, and the gate oxide film 16 are selectively etched in order to form source and drain contacts. Next, tantalum-aluminum is deposited by sputtering, and then aluminum is deposited by sputtering. These stacked tantalum-aluminum alloy layers 28 and aluminum metal layers 30 are patterned by a photolithography process to form metal wirings.

금속 배선이 형성된 결과물 상에 절연 보호막(34)으로 질화막과 SiC를 순차적으로 적층시킨다. 절연 보호막(34) 및 금속층(30)을 사진 식각공정으로 식각하여 발열 저항체로 제공된 부위를 오픈시킨다. 따라서, 다른 부위에서는 탄탈-알루미늄 합금층과 알루미늄 금속층이 적층되어 금속 배선으로 제공되나, 개구부(38)에 노출된 부분은 탄탈-알루미늄 합금층만 존재하게 되므로 다른 금속 배선 부분에 비하여 저항이 증가하게 되므로 발열 저항체로 제공되게 되는 것이다.The nitride film and the SiC are sequentially stacked on the resultant metal wiring with the insulating protective film 34. The insulating protective film 34 and the metal layer 30 are etched by a photolithography process to open a portion provided as a heat generating resistor. Therefore, in other portions, the tantalum-aluminum alloy layer and the aluminum metal layer are laminated and provided as metal wires, but the portion exposed to the opening 38 has only a tantalum-aluminum alloy layer, so that the resistance increases as compared with the other metal wire parts. It is to be provided as a heat generating resistor.

이어서, 개구부(36)와 절연 보호막(34) 상에 티타늄을 스퍼터링 공정으로 침적시키고 사진 식각 공정에 의해 패터닝하여 금속 보호막(38)을 형성한다.Subsequently, titanium is deposited on the opening 36 and the insulating protective film 34 by a sputtering process and patterned by a photolithography process to form a metal protective film 38.

형성된 금속 보호막(38)과 절연 보호막(34) 상에 배리어층(40)을 형성하고 사진 공정에 의해 액체 챔버(41)를 형성한다. 따라서, 액체챔버(42)는 개구부(36)상에 얼라인되어 형성된다. 액체 챔버(41)가 형성된 배리어층(40)상에 오리피스(43)가 형성된 노즐 플레이트(42)를 부착하여 액체 분사장치를 완성한다.The barrier layer 40 is formed on the formed metal protective film 38 and the insulating protective film 34, and the liquid chamber 41 is formed by a photographic process. Thus, the liquid chamber 42 is formed to be aligned on the opening 36. The nozzle plate 42 having the orifice 43 is attached to the barrier layer 40 on which the liquid chamber 41 is formed to complete the liquid ejection apparatus.

이상, 설명한 바와 같이 본 발명에서는 기존의 반도체 메모리 공정에서 주로 사용하는 티타늄을 이용하여 잉크에 노출되는 금속 보호막을 형성함으로써 새로운 장비의 추가없이 기존의 반도체 메모리 제조라인에서 잉크 제트 프린터 헤드의 액체분사장치를 제조할 수 있으므로 저렴하게 만들 수 있다.As described above, in the present invention, by forming a metal protective film exposed to ink using titanium mainly used in the conventional semiconductor memory process, the liquid jet device of the ink jet printer head in the existing semiconductor memory manufacturing line without the addition of new equipment Because it can be manufactured can be made cheap.

Claims (2)

반도체 기판;Semiconductor substrates; 상기 반도체 기판 상에 형성된 발열 저항층;A heat generating resistive layer formed on the semiconductor substrate; 상기 발열 저항층의 양단에 각각 연결되어 전류를 공급하기 위한 금속층;Metal layers connected to both ends of the heating resistance layer to supply current; 상기 금속층 사이로 노출된 발열 저항층을 덮는 티타늄으로 형성된 금속 보호막;A metal protective film formed of titanium covering the heating resistance layer exposed between the metal layers; 상기 금속 보호막 상에 형성되어 상기 발열 저항체 상에 액체 챔버를 한정하는 배리어층;A barrier layer formed on the metal protective film to define a liquid chamber on the heat generating resistor; 상기 배리어층 상에 형성되어 액체 챔버 내의 액체가 외부로 분사되는 오리피스가 형성된 노즐 플레이트를 구비한 것을 특징으로 하는 액체 분사장치.And a nozzle plate formed on the barrier layer and having an orifice through which liquid in the liquid chamber is sprayed to the outside. 반도체 기판에 액티브영역을 한정하는 필드 산화막을 형성하는 단계;Forming a field oxide film defining an active region on the semiconductor substrate; 상기 액티브 영역에 액티브 소자를 형성하는 단계;Forming an active element in the active region; 상기 액티브 소자를 절연하기 위한 층간 절연막을 도포하는 단계;Applying an interlayer insulating film for insulating the active element; 상기 액티브 소자의 외부 연결을 위하여 상기 층간 절연막에 콘택홀을 형성하는 단계;Forming a contact hole in the interlayer insulating layer for external connection of the active element; 상기 결과물 상에 발열 저항층 및 금속층을 순차적으로 적층하는 단계;Sequentially stacking a heating resistance layer and a metal layer on the resultant product; 상기 발열 저항층과 금속층의 적층구조를 패터닝하여 금속배선을 형성하는 단계;Patterning the stacked structure of the heat generating layer and the metal layer to form a metal wiring; 상기 결과물 상에 절연 보호막을 도포하는 단계;Applying an insulating protective film on the resultant product; 상기 절연 보호막과 금속층을 선택적으로 제거하여 발열 저항층의 일부를 노출시키는 단계;Selectively removing the insulating protective film and the metal layer to expose a portion of the heat generating resistive layer; 상기 노출된 발열 저항층을 티타늄 금속 보호막으로 도포하는 단계;Applying the exposed heat generating resistive layer to the titanium metal protective film; 상기 금속 보호막 상에 액체 챔버를 한정하는 배리어층을 형성하는 단계; 및Forming a barrier layer defining a liquid chamber on the metal protective film; And 상기 배리어층 상에 액체 챔버 내의 액체가 외부로 분사되는 오리피스가 형성된 노즐 플레이트를 형성하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 액체 분사장치의 제조방법.And forming a nozzle plate having an orifice on which the liquid in the liquid chamber is sprayed to the outside on the barrier layer.
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