KR20010088073A - 플라즈마 중합처리장치의 자외선신호를 이용한 가스 유량자동 조절 시스템 - Google Patents

플라즈마 중합처리장치의 자외선신호를 이용한 가스 유량자동 조절 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20010088073A
KR20010088073A KR1020000012081A KR20000012081A KR20010088073A KR 20010088073 A KR20010088073 A KR 20010088073A KR 1020000012081 A KR1020000012081 A KR 1020000012081A KR 20000012081 A KR20000012081 A KR 20000012081A KR 20010088073 A KR20010088073 A KR 20010088073A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
mass flow
gas
polymerization
plasma
Prior art date
Application number
KR1020000012081A
Other languages
English (en)
Inventor
안승표
Original Assignee
구자홍
엘지전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구자홍, 엘지전자주식회사 filed Critical 구자홍
Priority to KR1020000012081A priority Critical patent/KR20010088073A/ko
Publication of KR20010088073A publication Critical patent/KR20010088073A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917Plasma diagnostics
    • H01J37/3299Feedback systems
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/62Plasma-deposition of organic layers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45557Pulsed pressure or control pressure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244Gas supply means
    • H01J37/32449Gas control, e.g. control of the gas flow
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/338Changing chemical properties of treated surfaces
    • H01J2237/3382Polymerising

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 플라즈마 중합처리장치의 UV신호를 이용한 가스 유량 자동 조절 시스템에 관한 것으로, 중합챔버의 한 쪽에 연결관을 통하여 연결되며 중합챔버 내의 가스 유량을 조절하는 유량조절기와, 챔버 내부의 압력을 측정하는 UV센서와, 상기 UV센서로부터 측정된 UV신호를 수신하여 실시간으로 디스플레이하는 UV측정컴퓨터, 및 상기 UV측정컴퓨터에서 실시간으로 디스플레이되는 UV측정값과 기준값을 비교하여 그 차이에 따라 상기 유량조절기를 제어하여 챔버 내의 가스 유량을 결정하는 유량제어시스템으로 구성되는 UV신호를 이용한 가스 유량 자동 조절 시스템을 제공한다. 본 발명에 의하면 챔버 내에 연결되는 UV센서로부터 챔버 내의 압력에 대한 UV신호를 받아들여 실시간으로 압력측정 및 압력제어가 가능하고, 이를 통하여 플라즈마 처리시에 챔버 내부의 압력을 항상 최적의 상태로 유지할 수 있다.

Description

플라즈마 중합처리장치의 자외선신호를 이용한 가스 유량 자동 조절 시스템{SYSTEM FOR AUTO-CONTROLLING GAS FLOW USING UV SIGNAL IN PLASMA POLYMERIZING APPARATUS}
본 발명은 플라즈마 중합처리장치의 UV신호를 이용한 가스 유량 자동 조절 시스템에 관한 것이다.
플라즈마를 이용하여 금속판 등의 시료 표면을 박막코팅 처리하면 경도, 내마모성 등이 뛰어난 피복층이 형성된다. 피복층이 형성된 제품은 자기디스크, 광디스크, 초경질공구 등으로 사용된다. 또한 강철판 표면에 형성된 도장막에 플라즈마처리를 하면 경질화되고, 내구성, 내식성 등이 뛰어난 도장 강판이 얻어진다. 특히, 시료 표면에 고분자중합처리를 하여 친수성 또는 소수성을 향상시키는 표면개질 효과를 얻을 수 있으며, 이렇게 표면개질된 물질은 다양한 범위에 응용되고 있다.
고분자 중합체를 합성하여 시료표면을 개질시키기 위하여 종래에는 높은 에너지(수십 keV ~ 수MeV)를 이용한 이온주입(ion implantation)이나 이온빔 조사(ion irradiation)방법을 이용하거나, 비교적 낮은 에너지(0 ~ 수keV)의 입자를 생성하는 이온원(ion source)을 이용하는 이온빔 스퍼터링(ion beam sputtering deposition)이나 다중 이온원 증착(multi ion beam deposition) 또는 이온도움 증착(ion assisted deposition)을 이용하여 고분자를 시료표면에 증착하는 방법을 사용하였다.
그러나 이러한 방법은 비교적 높은 에너지와 저진공상태를 요구하기 때문에, 고분자의 합성이 용이하지 않고, 소요되는 비용이 높은 단점이 있었다.
따라서, 낮은 에너지와 저진공상태에서 시료기판위에 고분자 중합체를 형성시킬 수 있는 플라즈마를 이용한 표면처리방법이 개발되었다. 상기 방법에서는, 챔버내에 진공을 인가하고, 합성하고자 하는 물질의 모노머(monomer)들로 된 반응성 가스를 일정량 챔버 내부로 주입한 후, 전력공급장치를 사용하여 직류 또는 고주파로 방전시키면, 그 반응성 가스의 플라즈마가 발생하고, 그 중 소정의 이온들이 시료기판 또는 전극으로 이동하여 그 위에 소정의 고분자 중합체를 합성시킨다. 이때, 반응가스의 종류 및 혼합비율, 직류전류·전압, 고주파전력 또는 증착시간 등에 따라 여러 가지 다양한 화학결합이 이루어져, 표면강도, 접착·흡착, 친수·소수성과 같은 필요한 물성을 가지는 고분자 중합물을 시료표면에 증착시킴으로써, 시료기판의 고유한 성질에는 영향을 주지 않고 시료표면을 개질시킬 수 있다.
도 1에 플라즈마 중합처리장치의 일예를 나타내었다. 중합챔버(1) 내에 시료(2)가 이동하며, 시료의 상, 하면에 대향되어 있는 전극과의 전계에 의해 반응가스는 플라즈마 상태로 시료 표면에 중합물을 형성한다. 한편, 미반응가스는 배기구(4)를 통하여 진공펌프로 유입되는데, 배기구와 진공펌프 사이에는 자동압력조절장치(automatic pressure control, APC)가 설치되어 있다. 이 자동압력제어장치에는 중합챔버 내부의 진공도를 측정하는 진공도측정센서(6)가 연결되어 있다.
기존의 시스템은 플라즈마 처리시에 챔버내의 압력을 0.3Torr로 균일하게 유지하기 위하여 상기의 자동압력제어장치를 사용하여, 진공도측정센서(6)로부터 전달되는 신호에 따라 챔버의 압력을 조절한다. 챔버 내부의 압력은 플라즈마 중합에 큰 영향을 미치는 요소로 압력의 차이에 따라 중합막의 특성이 달라지게 된다. 그러나, 상기의 자동압력제어장치를 사용하는 경우에는 실제로 플라즈마 처리 동안 시료의 처리 상태를 정확하게 파악하기는 어려움이 있다.
따라서 본 발명은 플라즈마 중합처리시 중합챔버 내의 압력을 정밀하게 측정할 수 있는 수단을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 플라즈마 중합처리장치의 일예를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예를 도시한 구성도이다.
*** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ***
1:중합챔버 2:시료
3:전극 4:배기구
5:자동압력제어장치 6:진공도측정센서
7:진공펌프 11:UV센서
12:유량조절기 13:유량제어시스템
14:UV측정컴퓨터
본 발명은 플라즈마 중합처리장치에 있어서, 중합챔버의 한 쪽에 연결관을 통하여 연결되며 중합챔버 내의 가스 유량을 조절하는 유량조절기(mass flow controller, MFC)와, 챔버 내부의 압력을 측정하는 UV센서와, 상기 UV센서로부터 측정된 UV신호를 수신하여 실시간으로 디스플레이하는 UV측정컴퓨터, 및 상기 UV측정컴퓨터에서 실시간으로 디스플레이되는 UV측정값과 기준값을 비교하여 그 차이에 따라 상기 유량조절기를 제어하여 챔버 내의 가스 유량을 결정하는 유량제어시스템으로 구성되는 UV신호를 이용한 가스 유량 자동 조절 시스템을 제공한다.
본 발명의 특징은 플라즈마 처리시에 시료의 최적의 플라즈마 처리의 유무를 판단하기 위하여 UV스펙트로미터(Spectrometer)를 설치하고 실시간으로 디스플레이하여 챔버 내부의 압력을 판단하는데 있다.
이하, 도면을 참조하며 실시예를 통하여 본 발명의 특징을 구체적으로 설명한다.
도 2에 나타난 본 발명의 일실시예를 살펴보면, 종래의 장치에서 배기구와 진공펌프 사이에 자동압력제어장치가 설치되었던 것과는 달리, 챔버의 한 쪽에 연결관을 통하여 유량조절기(12)가 설치되어 있고, 상기 유량조절기(12)는 다시 유량제어시스템(13)에 연결되며, 유량제어시스템(13)은 UV측정컴퓨터(14)와 연결되어 있다. 또한, 상기 UV측정컴퓨터(14)는 챔버 내부의 압력을 측정하는 UV센서(11)에 연결되어 있다.
이와 같은 시스템에 의한 구체적인 압력 측정을 설명하면, UV센서(11)로부터 전달되는 압력 신호를 UV측정컴퓨터(14)에서 UV 그래프로 실시간 디스플레이한다. 이 때 일정한 파장에서의 UV 피크(peak)가 최적의 상태라고 기준을 정한 값보다 크거나 작으면, UV측정컴퓨터(14)로부터 유량제어시스템(13)이 신호를 받아들여서, 실시간으로 측정되는 UV 피크값이 최적 상태의 값을 나타내도록 유량조절기(12)를 제어하여 챔버 내의 가스 유량을 조절한다. 이와 같은 실시간 압력측정 및 압력제어를 통하여 플라즈마 처리시에 챔버 내부의 압력을 항상 최적의 상태로 유지한다.
본 발명에 의하면 챔버 내에 연결되는 UV센서로부터 챔버 내의 압력에 대한 UV신호를 받아들여 실시간으로 압력측정 및 압력제어가 가능하고, 이를 통하여 플라즈마 처리시에 챔버 내부의 압력을 항상 최적의 상태로 유지할 수 있다.

Claims (1)

  1. 플라즈마 중합처리장치에 있어서,
    중합챔버의 한 쪽에 연결관을 통하여 연결되며 중합챔버 내의 가스 유량을 조절하는 유량조절기(mass flow controller, MFC)와,
    챔버 내부의 압력을 측정하는 UV센서와,
    상기 UV센서로부터 측정된 UV신호를 수신하여 실시간으로 디스플레이하는 UV측정컴퓨터, 및
    상기 UV측정컴퓨터에서 실시간으로 디스플레이되는 UV측정값과 기준값을 비교하여 그 차이에 따라 상기 유량조절기를 제어하여 챔버 내의 가스 유량을 결정하는 유량제어시스템으로 구성되는 플라즈마 중합처리장치의 UV신호를 이용한 가스 유량 자동 조절 시스템.
KR1020000012081A 2000-03-10 2000-03-10 플라즈마 중합처리장치의 자외선신호를 이용한 가스 유량자동 조절 시스템 KR20010088073A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000012081A KR20010088073A (ko) 2000-03-10 2000-03-10 플라즈마 중합처리장치의 자외선신호를 이용한 가스 유량자동 조절 시스템

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000012081A KR20010088073A (ko) 2000-03-10 2000-03-10 플라즈마 중합처리장치의 자외선신호를 이용한 가스 유량자동 조절 시스템

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20010088073A true KR20010088073A (ko) 2001-09-26

Family

ID=19654027

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000012081A KR20010088073A (ko) 2000-03-10 2000-03-10 플라즈마 중합처리장치의 자외선신호를 이용한 가스 유량자동 조절 시스템

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20010088073A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100299403B1 (ko) 물품보호막및이를제공하는방법
EP0299752B1 (en) Plasma thin film deposition process control
US5494712A (en) Method of forming a plasma polymerized film
US5569497A (en) Protective coating of plastic substrates via plasma-polymerization
US20180087142A1 (en) Method for producing coated substrates
US20030012890A1 (en) Method for producing a plasma by microwave irradiation
US6783641B2 (en) Vacuum treatment system and process for manufacturing workpieces
Koerner et al. Influence of RF plasma reactor setup on carboxylated hydrocarbon coatings
KR20010088073A (ko) 플라즈마 중합처리장치의 자외선신호를 이용한 가스 유량자동 조절 시스템
US20180135160A1 (en) Method for controlling a gas supply to a process chamber, controller for controlling a gas supply to a process chamber, and apparatus
CN1244138C (zh) 评估等离子体工艺品质及监控等离子体工艺的方法
Hegemann Macroscopic control of plasma polymerization processes
Lucas et al. Production and preliminary characterization of DC plasma polymerized allylamine film (PPAA) by NRA, ERD and XPS
KR100332802B1 (ko) Uv 스펙트로미터를 이용한 플라즈마로 중합된 고분자막성능 평가 장치
KR20010019025A (ko) 플라즈마중합 연속처리장치
Yu et al. dc cathodic polymerization of trimethylsilane in a closed reactor system
US20030221950A1 (en) Plasma polymerization system and method for plasma polymerization
KR20010088068A (ko) 가스주입라인을 구비하는 플라즈마 중합처리장치
KR20010076992A (ko) 플라즈마 처리 시스템의 아크 측정 장치 및 그 측정 방법
KR20010019008A (ko) 플라즈마중합처리장치의 탄화방지 장치
KR20010019016A (ko) 시료의 성능평가장치가 구비된 플라즈마중합 연속처리장치
KR20010019007A (ko) 플라즈마중합 박막코팅장치
KR20010019011A (ko) 코팅막 측정장치가 구비된 플라즈마중합처리장치
KR20010088080A (ko) 플라즈마중합처리장치의 챔버히팅장치
KR20010019013A (ko) 플라즈마중합처리장치

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination