KR20010082955A - micro switches and method for fabricating the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 전자 시스템(electronic system)에 관한 것으로, 특히 정전기력(eletrostatic force)을 이용하여 구동하는 고주파용 마이크로 스위치(micro switch) 및 그의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic system, and more particularly, to a high frequency micro switch and a method for manufacturing the same, which are driven using an electrostatic force.
일반적으로, 고주파 대역에서 사용되는 많은 전자 시스템들은 점차적으로 초소형화, 초경량화, 고성능화가 되어가고 있다.In general, many electronic systems used in the high frequency band are gradually miniaturized, ultralight, and high performance.
이러한 전자 시스템에서는 전기 회로 폐로, 복구, 전환 등의 전기적인 신호(signal)를 제어(control)하기 위하여 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor:FET)나 핀 다이오드(pin diode)와 같은 반도체 스위치(switch) 스위치들이 사용되고 있다.In such an electronic system, a semiconductor switch such as a field effect transistor (FET) or a pin diode is used to control an electrical signal such as an electrical circuit closing, recovery, or switching. Switches are being used.
그러나, 이 반도체 스위치들은 구동될 때에 전력 손실이 크고, 왜곡(distortion)이 있으며, 완전한 온/오프(on/off) 절연(isolation)이 이루어지지 않는 등의 많은 문제점들이 있었다.However, these semiconductor switches have many problems such as high power loss when driven, distortion, and incomplete on / off isolation.
그러므로, 최근에는 이 반도체 스위치들을 대체하기 위하여 마이크로머시닝(micromachining)이라는 새로운 기술을 사용하여 기계적으로 움직이는 초소형 정전 스위치가 널리 연구되고 있다.Therefore, recently, mechanically moving micro electrostatic switches using a new technique called micromachining has been widely studied to replace these semiconductor switches.
이와 같이, 기계적으로 움직이는 마이크로 정전 스위치들은 고주파 대역에서 군사용과 무선 통신 시스템, 위상 변위(phase shifter), 안테나 튜너(antenna tuners), 수신기(receivers), 송신기(transmitters), 위상 배열 안테나(phase array antennas) 등의 분야에 상업적으로 널리 이용되고 있다.As such, mechanically moving micro electrostatic switches are used in military and wireless communication systems, phase shifters, antenna tuners, receivers, transmitters, and phase array antennas in the high frequency band. It is widely used commercially in such fields.
마이크로 스위치는 정전기력을 이용하여 스위칭 하는 저항형 스위치와 용량형 스위치가 있다.Micro switches include resistive switches and capacitive switches that switch using electrostatic force.
이 중에, 용량형 스위치는 정전기력에 의해 움직이는 가동부를 아래로 이동시켜 전송선(transmission line) 위에 형성된 절연막 위에 놓여지게 되어 가동부와 전송선 사이의 정전용량(capacitance)의 변화로 스위칭이 이루어진다.Among them, the capacitive switch is placed on the insulating film formed on the transmission line by moving down the movable part moved by the electrostatic force, and switching is performed by the change of capacitance between the movable part and the transmission line.
그러나, 이상에서 설명한 종래 기술에 따른 마이크로 스위치 및 그의 제조방법에는 다음과 같은 문제점이 있다.However, the micro switch and the manufacturing method thereof according to the related art described above have the following problems.
첫째, 마이크로 스위치 구동 시 전력 손실이 크다.First, the power loss is large when the micro switch is driven.
둘째, 마이크로 스위치 구동 시 신호 왜곡이 생기고 온/오프 비율이 작아서, 완전한 온/오프 절연이 되지 않는다.Second, when the micro switch is driven, signal distortion occurs and the on / off ratio is small, so that full on / off isolation is not achieved.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 구동 시 전력 손실이 적어 낮은 구동 전압에 의해 구동되고, 온/오프 비율이 커 절연 특성이 좋은 마이크로 스위치를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a micro-switch that is driven by a low driving voltage due to low power loss during driving, and has a high on / off ratio and good insulation characteristics.
도 1a는 본 발명에 따른 마이크로 스위치의 구조사시도.1A is a structural perspective view of a micro switch according to the present invention;
도 1b는 도 1의 A-A'의 구조단면도.1B is a structural cross-sectional view of AA ′ of FIG. 1.
도 1c는 도 1의 B-B'의 구조단면도.FIG. 1C is a cross-sectional view of BB ′ of FIG. 1. FIG.
도 2a 와 도 2b는 본 발명에 따른 마이크로 스위치의 동작원리를 보여주는 회로도.2A and 2B are circuit diagrams showing the operation principle of a micro switch according to the present invention;
도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로 스위치의 제조 공정단면도.Figure 3a to 3g is a cross-sectional view of the manufacturing process of the micro switch according to the embodiment of the present invention.
도 4a와 도 4b는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 마이크로 스위치의 제조 공정사시도.Figure 4a and Figure 4b is a perspective view of the manufacturing process of the micro switch according to another embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 마이크로 스위치의 구조단면도.5 is a structural cross-sectional view of a micro switch according to another embodiment of the present invention.
도 6e 내지 도 6g는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 마이크로 스위치의 제조 공정단면도.Figure 6e to 6g is a cross-sectional view of the manufacturing process of the micro switch according to another embodiment of the present invention.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : 기판 2 : 접지부1 board 2 ground part
3 : 입력단 7 : 힌지3: input terminal 7: hinge
4 : 출력단 8 : 시드금속층4: output terminal 8: seed metal layer
5 : 절연막 9 : 희생층5 insulating film 9 sacrificial layer
6 : 가동부 10 : 비아 몰드6: movable part 10: via mold
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 마이크로 스위치는 기판과, 기판 위에 일정 간격을 가지고 형성되는 접지부와, 접지부 사이에 분리되어 형성되는 전송선과, 전송선의 일정 영역 상에 형성되는 절연막과, 전송선 위의 일정 거리를 두고 상기 전송선과의 정전기력에 의해 상하로 움직이는 가동부와, 접지부에 고정되어 가동부를 지지하는 구불구불한 형태의 힌지를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.Micro-switch according to the present invention for achieving the above object is a substrate, a ground portion formed at a predetermined interval on the substrate, a transmission line formed separately between the ground portion, an insulating film formed on a predetermined region of the transmission line And a movable part moving up and down by an electrostatic force with the transmission line at a predetermined distance above the transmission line, and a winding-type hinge fixed to the ground part and supporting the movable part.
위와 같이 구성된 본 발명의 마이크로 스위치의 제조방법은 기판 위에 입력단과 출력단이 분리된 전송선과 접지부를 형성하는 단계와, 전송선 상의 일부분에 강유전체를 증착하고 선택적으로 식각하여 절연막을 형성하는 단계와, 접지부 위에 전기적으로 연결된 시드금속층을 형성하는 단계와, 전면에 희생층을 형성하는 단계와, 희생층을 선택적으로 식각하여 시드금속층이 형성된 접지부가 노출되도록 비아 몰드를 형성하고, 형성된 비아 몰드 안에 금속을 증착하는 단계와, 전면에 단결정층을 증착하고 몰드를 형성하는 단계와, 형성된 몰드 안에 금속을 채워 힌지를 형성하는 단계와, 희생층을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The manufacturing method of the micro switch of the present invention configured as described above comprises the steps of: forming a transmission line and a ground portion having an input terminal and an output terminal separated on a substrate; Forming a seed metal layer electrically connected thereon; forming a sacrificial layer on the front surface; selectively etching the sacrificial layer to form a via mold to expose a ground portion on which the seed metal layer is formed; and depositing a metal in the formed via mold And forming a mold by depositing a single crystal layer on the entire surface, forming a hinge by filling a metal in the formed mold, and removing the sacrificial layer.
본 발명의 또 다른 특징은 전송선의 입력단과 출력단 사이의 기판을 식각할 수 있도록 창을 갖는 가동부와 힌지를 형성하고, 희생층과 기판을 선택적으로 식각한 후, 희생층을 제거하는 단계를 포함하여 기판을 식각하는 데 있다.Another feature of the invention includes forming a hinge with a window to etch a substrate between the input and output ends of the transmission line, selectively etching the sacrificial layer and the substrate, and then removing the sacrificial layer. In etching the substrate.
본 발명에 따르면, 마이크로 스위치의 힌지를 구불구불한 형태로 하고, 전송선을 입력단과 출력단으로 분리하여, 전송선에 흐르는 신호가 낮은 제어 신호에 의해서 스위칭을 잘 하게 하고, 스위치의 절연 특성을 극대화 할 수 있다.According to the present invention, the hinge of the micro switch has a serpentine shape, and the transmission line is separated into an input terminal and an output terminal, so that the signal flowing through the transmission line can be switched well by a low control signal, and the insulation characteristics of the switch can be maximized. have.
본 발명의 다른 목적, 특성 및 이점들은 첨부한 도면을 참조한 실시 예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.Other objects, features and advantages of the present invention will become apparent from the following detailed description of embodiments taken in conjunction with the accompanying drawings.
본 발명에 따른 마이크로 스위치 및 그의 제조방법의 바람직한 실시 예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.A preferred embodiment of the micro switch and its manufacturing method according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1a는 본 발명에 따른 마이크로 스위치의 구조사시도이고, 도 1b는 도 1에서 보여준 마이크로 스위치의 A-A'의 단면도이고, 도 1c는 도 1에서 보여준 마이크로 스위치의 B-B'의 단면도이다.1A is a structural perspective view of a micro switch according to the present invention, FIG. 1B is a cross-sectional view of A-A 'of the micro switch shown in FIG. 1, and FIG. 1C is a cross-sectional view of B-B' of the micro switch shown in FIG.
먼저, 도 1a 내지 도 1c에 도시한 바와 같이, 기판(1)과, 기판(1) 위에 일정 간격을 가지고 형성되는 접지부(2)와, 접지부(2) 사이에 입력단(3)과 출력단(4)으로 분리되어 형성되는 전송선과, 전송선의 일정 영역 상에 형성되는 절연막(5)과, 전송선 위의 일정 거리를 두고 상기 전송선과의 정전기력에 의해 상하로 움직이는 가동부(6)와, 접지부(2)에 고정되어 가동부(6)를 지지하는 구불구불한 형태의 힌지(7)를 포함하여 구성된다.First, as shown in FIGS. 1A to 1C, an input end 3 and an output end between a substrate 1, a ground part 2 formed at a predetermined interval on the substrate 1, and the ground part 2. A transmission line separated and formed by (4), an insulating film 5 formed on a predetermined region of the transmission line, a movable portion 6 moving up and down by an electrostatic force with the transmission line at a predetermined distance above the transmission line, and a ground portion It comprises a hinge 7 of a serpentine shape which is fixed to (2) and supports the movable part 6.
도 2a와 도 2b는 본 발명에 따른 마이크로 스위치의 동작원리를 보여주는 회로도이다.2A and 2B are circuit diagrams showing the operation principle of the micro switch according to the present invention.
도 2a에 도시한 바와 같이, 제어 부분(control part)에 전압이 인가되면, 인가된 RF 신호가 용량형 결합(capacitive coupling)을 통하여 출력단에 전달된다.As shown in FIG. 2A, when a voltage is applied to the control part, the applied RF signal is transmitted to the output terminal through capacitive coupling.
또한, 도 2b에 도시한 바와 같이, 제어 부분에 전압이 인가되지 않으면, 입력단에 인가된 RF 신호가 출력단으로 흐르지 않게 되어 완전한 절연(isolation)이이루어진다.In addition, as shown in FIG. 2B, when no voltage is applied to the control portion, the RF signal applied to the input terminal does not flow to the output terminal, thereby providing complete isolation.
이와 같이 구성된 본 발명의 마이크로 스위치의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.Referring to the manufacturing method of the micro switch of the present invention configured as described above is as follows.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명에 따른 마이크로 스위치의 제조 공정단면도이다.3A to 3G are cross-sectional views of the manufacturing process of the micro switch according to the present invention.
도 3a에서 도시한 바와 같이, 절연 기판(1) 상에 Cr 혹은 Ti 금속을 이용하여 Ti/Pt/Au/Pt, Ti/Cu/Pt, 혹은 Ti/Pt 형태의 멀티층(multi-layer) 구조를 갖는 접지부-전송선-접지부(ground-signal-ground) 패턴을 형성하기 위한 절연 패드(isolated pad)를 형성한다.As shown in FIG. 3A, a multi-layer structure having a Ti / Pt / Au / Pt, Ti / Cu / Pt, or Ti / Pt type using Cr or Ti metal on the insulating substrate 1 An insulating pad is formed to form a ground portion-transmission line-ground portion having a ground-signal-ground pattern.
이 때, 형성되는 전송선(3,4)은 입력단(3)과 출력단(4)으로 분리되어 형성된다.At this time, the transmission lines 3 and 4 formed are separated into the input terminal 3 and the output terminal 4.
도 3b에 도시한 바와 같이, 전송선(3,4)과 접지부(2)가 형성된 기판 상에 유전체를 증착하고, 포토레지스트를 이용하여 패턴닝한 후, BOE나 붉은 불산을 이용하여 불필요한 부분을 식각한다.As shown in FIG. 3B, a dielectric is deposited on a substrate on which the transmission lines 3 and 4 and the ground portion 2 are formed, patterned using a photoresist, and then unnecessary portions are removed using BOE or red hydrofluoric acid. Etch it.
그리하여, 증착된 유전체가 전송선(3,4)의 일부분에만 남도록 함으로서, 전송선(3,4) 위의 일정 영역에 절연막(5)을 형성한다.Thus, the deposited dielectric remains in only a portion of the transmission lines 3 and 4, thereby forming the insulating film 5 in a predetermined region above the transmission lines 3 and 4.
여기서, 절연막(5)은 폴리머(polymer), 실리콘 질화물(silicon nitride), 실리콘 산화물(silicon oxide), 또는 높은 유전율을 갖는 강 유전물질을 사용한다.Here, the insulating film 5 uses a polymer, silicon nitride, silicon oxide, or a high dielectric constant material.
절연막(5)이 증착되는 전송선(3,4)의 표면(surface)는 거친 것(roughness)이 없이 평평해야만 스위치를 완성한 후에 원하는 높은 정전 용량(high oncapacitance)을 얻을 수 있다.The surface of the transmission lines 3 and 4 on which the insulating film 5 is deposited should be flat without roughness to achieve the desired high oncapacitance after completing the switch.
도 3c에 도시한 바와 같이, 접지부(2) 상에 패턴된 시드금속층(patterned seed metal)(8)을 형성한다.As shown in FIG. 3C, a patterned seed metal layer 8 is formed on the ground portion 2.
여기서, 시드금속층(8)은 Ti/Cu 또는 Ti/Au로 이루어지고, 전기적으로 연결되어 있어야 한다.Here, the seed metal layer 8 is made of Ti / Cu or Ti / Au and must be electrically connected.
도 3d에 도시한 바와 같이, 전면에 희생층(9)으로 코팅(coating)하고 큐어링(curing)한다.As shown in FIG. 3D, the sacrificial layer 9 is coated and cured on the front surface thereof.
여기서, 희생층(9)은 포토레지스트(photoresist)나 폴리이미드(polyimide)를 이용하여 형성한다.Here, the sacrificial layer 9 is formed using photoresist or polyimide.
도 3e에 도시한 바와 같이, 희생층(9)을 선택적으로 식각하여 비아 몰드(via mold)(10)를 형성한다.As shown in FIG. 3E, the sacrificial layer 9 is selectively etched to form a via mold 10.
여기서, 희생층(9)을 포토레지스트로 형성했을 경우는, 포토리소그래피(photolithography) 공정을 통하여 비아 몰드(10)를 형성하고, 희생층(9)을 폴리이미드로 형성했을 경우는, 건식 식각(dry etching) 공정을 사용하여 비아 몰드(10)를 형성한다.Here, when the sacrificial layer 9 is formed of photoresist, the via mold 10 is formed through a photolithography process, and when the sacrificial layer 9 is formed of polyimide, dry etching ( The dry mold) is used to form the via mold 10.
그리고 나서, 형성된 비아 몰드(10) 안으로 전기도금을 이용하여, Au 또는 Cu와 같은 금속들을 채운다.Then, electroplating is used into the formed via mold 10 to fill metals such as Au or Cu.
도 3f에 도시한 바와 같이, 전면에 단결정층으로 코팅한 후, 포토레지스트 또는 폴리이미드를 전면에 코팅하고, 선택적으로 식각하여, 힌지(hinge)(7)를 위한 몰드를 형성한다.As shown in FIG. 3F, after coating with a single crystal layer on the front surface, the photoresist or polyimide is coated on the front surface and selectively etched to form a mold for the hinge 7.
그리고 나서, 형성된 몰드 안에 전기도금을 이용하여 Ni, Au, Cu 등을 채워 힌지(7)를 형성한다.Then, the hinge 7 is formed by filling Ni, Au, Cu, etc. using electroplating in the formed mold.
여기서, 힌지(7)는 스퍼터링(sputtering) 이나 애바포래이션(evaporation)을 이용하여 증착된 금속들을 패턴닝함에 의해서 형성할 수도 있다.Here, the hinge 7 can also be formed by patterning the deposited metals using sputtering or evaporation.
이어, 힌지(7) 위에 포토레지스트를 이용하여 매스(mass) 형성을 위한 몰드를 형성하고, 형성된 몰드 안에 전기도금으로 금속들을 증착하여, 매스를 형성할 수 있다.Subsequently, a mold for forming a mass may be formed on the hinge 7 using photoresist, and metals may be deposited by electroplating in the formed mold to form a mass.
마지막으로, 도 3g에 도시한 바와 같이, 희생층(9), 시드금속층(8)을 제거함으로서 본 발명에 따른 마이크로 스위치가 제작된다.Finally, as shown in FIG. 3G, the microswitch according to the present invention is manufactured by removing the sacrificial layer 9 and the seed metal layer 8.
여기서, 폴리이미드로 이루어진 희생층(9)은 건식 식각 공정을 이용하여 제거되고, 포토레지스트로 이루어진 희생층은 건식 식각 공정이나 아세톤을 사용하여 제거된다.Here, the sacrificial layer 9 made of polyimide is removed using a dry etching process, and the sacrificial layer made of photoresist is removed using a dry etching process or acetone.
또 다른 실시 예는 고주파 대역에서 마이크로 스위치의 보다 좋은 절연 특성을 갖기 위해서 입력단과 출력단 사이의 기판을 선택적으로 식각한 형태의 마이크로 스위치 및 그의 제조방법이다.Another embodiment is a micro switch and a method for manufacturing the same by selectively etching a substrate between an input terminal and an output terminal in order to have better insulation characteristics of the micro switch in a high frequency band.
도 4a와 도 4b는 입력단(3)과 출력단(4) 사이의 기판을 선택적으로 식각할 수 있는 가동부(6)를 형성한 마이크로 스위치의 구조사시도이다.4A and 4B are structural perspective views of a micro switch in which a movable part 6 capable of selectively etching a substrate between the input end 3 and the output end 4 is formed.
도 4a와 도 4b에 도시한 바와 같이, 전송선의 입력단(3)과 출력단(4) 사이에 있는 기판을 선택적으로 식각할 수 있도록 가동부(movable plate)(6)를 설계한다.As shown in Figs. 4A and 4B, a movable plate 6 is designed to selectively etch the substrate between the input end 3 and the output end 4 of the transmission line.
도 5는 도 4a와 도 4b의 방법으로 전송선의 입력단(3)과 출력단(4) 사이에있는 기판을 선택적으로 식각하였을 때의 마이크로 스위치의 구도단면도이다.FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the micro switch when the substrate between the input terminal 3 and the output terminal 4 of the transmission line is selectively etched by the method of FIGS. 4A and 4B.
전송선의 입력단(3)과 출력단(4) 사이의 기판을 선택적으로 식각하는 방법은 위에서 언급한 실시 예의 제조과정 중, 기판(1) 위에 전송선(3,4)과 접지부(2)를 형성하고, 전송선(3,4) 상의 일부분에 절연막(5)을 형성하고, 접지부(2) 위에 시드금속층(8)을 형성하고, 전면에 희생층(9)을 형성하고, 희생층(9)을 선택적으로 식각하여 비아 몰드(10)를 형성하고, 비아 몰드(10) 안에 금속을 증착하는 단계까지는 동일하다.The method of selectively etching the substrate between the input terminal 3 and the output terminal 4 of the transmission line forms the transmission lines 3 and 4 and the ground part 2 on the substrate 1 during the manufacturing process of the above-described embodiment. , An insulating film 5 is formed on a portion of the transmission lines 3 and 4, a seed metal layer 8 is formed on the ground portion 2, a sacrificial layer 9 is formed on the entire surface, and the sacrificial layer 9 is formed. It is the same until the step of selectively etching to form the via mold 10 and depositing the metal in the via mold 10.
그러나, 입력단(3)과 출력단(4) 사이의 기판을 식각하는 과정이 추가된다.However, a process of etching the substrate between the input terminal 3 and the output terminal 4 is added.
도 6a에 도시한 바와 같이, 전면에 단결정층으로 코팅한 후, 포토레지스트 또는 폴리이미드를 전면에 코팅하고, 선택적으로 식각하여, 창(window)을 갖는 가동부(6)와 힌지(7)를 위한 몰드를 형성한다.As shown in FIG. 6A, after coating with a single crystal layer on the front surface, the photoresist or polyimide is coated on the front surface and selectively etched to provide a movable part 6 having a window and a hinge 7. Form a mold.
그리고 나서, 형성된 몰드 안에 전기도금을 이용하여 Ni, Au, Cu 등을 채워 창을 갖는 가동부(6)와 힌지(7)를 형성한다.Then, electroplating is used to form Ni, Au, Cu, and the like to form the movable part 6 and the hinge 7 having windows.
이 때, 힌지(7)는 스퍼터링이나 애바포레이션을 이용하여 증착된 금속들을 패턴닝함에 의해서 형성할 수도 있다.At this time, the hinge 7 may be formed by patterning the deposited metals using sputtering or ablation.
도 6b에 도시한 바와 같이, 가동부(6)의 창을 통해 희생층(9)과 기판(1)을 선택적으로 식각한다.As shown in FIG. 6B, the sacrificial layer 9 and the substrate 1 are selectively etched through the window of the movable part 6.
마지막으로, 도 6c에 도시한 바와 같이, 희생층(9), 시드금속층(8)을 제거함으로서 본 발명에 따른 또 다른 실시 예인 마이크로 스위치가 제작된다.Finally, as shown in Figure 6c, by removing the sacrificial layer (9), seed metal layer (8) is a micro switch which is another embodiment according to the present invention.
여기서, 폴리이미드로 이루어진 희생층(9)은 건식 식각 공정을 이용하여 제거되고, 포토레지스트로 이루어진 희생층(9)은 건식 식각 공정이나 아세톤을 사용하여 제거된다.Here, the sacrificial layer 9 made of polyimide is removed using a dry etching process, and the sacrificial layer 9 made of photoresist is removed using a dry etching process or acetone.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 마이크로 스위치 및 그의 제조방법에는 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the micro switch and the manufacturing method thereof according to the present invention have the following effects.
마이크로 스위치의 힌지를 구불구불한 형태로 하여 전송선에 흐르는 낮은 제어 신호에 의해서도 스위칭을 잘 하도록 하고, 전송선을 입력단과 출력단으로 분리하여, 스위치의 절연 특성을 극대화 할 수 있다.The hinge of the micro-switch has a meandering shape so that the switch can be easily switched even by a low control signal flowing through the transmission line, and the transmission line can be separated into an input terminal and an output terminal to maximize the insulation characteristics of the switch.
즉, 스위치의 온/오프 비율(on/off ratio)이 크고, 온(on) 정전용량이 크면서 오프(off) 정전용량이 작은 마이크로 스위치를 제공할 수 있다.That is, it is possible to provide a micro switch having a large on / off ratio of the switch, a large on capacitance, and a small off capacitance.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시 예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the embodiments, but should be defined by the claims.
Claims (10)
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| KR1020000008537A KR100587289B1 (en) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | micro switches and method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000008537A KR100587289B1 (en) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | micro switches and method for fabricating the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010082955A true KR20010082955A (en) | 2001-08-31 |
| KR100587289B1 KR100587289B1 (en) | 2006-06-08 |
Family
ID=19648816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020000008537A KR100587289B1 (en) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | micro switches and method for fabricating the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100587289B1 (en) |
-
2000
- 2000-02-22 KR KR1020000008537A patent/KR100587289B1/en not_active IP Right Cessation
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| KR100587289B1 (en) | 2006-06-08 |
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