KR20010067194A - 산화물/질화물 인터페이스를 ｉｒ 시스템을 사용해서검출하는 ｃｍｐ 프로세스의 최적화 - Google Patents

산화물/질화물 인터페이스를 ｉｒ 시스템을 사용해서검출하는 ｃｍｐ 프로세스의 최적화 Download PDF

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포만 제프리 엘
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Abstract

질화 실리콘을 함유하는 막 위에서 중단하는 산화층을 제거하기 위한 CMP(Chemical Mechanical Planarization) 어셈블리에서, 본 발명은 종래의 폴리싱 테이블 유닛에는 가스 샘플을 적외선 분광계에 보내는 가스 추출 유닛이 구비된다. 질화 실리콘을 함유하는 중단층이 높은 pH 조건에서 연마될 때 발생하는 슬러리내의 암모니아의 존재가 적외선 분광법을 사용해서 검출될 수 있고 따라서 인 시투(in situ) 종료점 검출 방법에 대비한다.

Description

산화물/질화물 인터페이스를 ＩＲ 시스템을 사용해서 검출하는 ＣＭＰ 프로세스의 최적화{Optimization of CMP Process by Detection of Oxide/Nitride Interface Using IR System}
본 발명은 다음의 동시 계류중인 미국 특허 출원에 관련된다.
"Indirect End Point Detection by Chemical Reaction and Chemiluminescence" 을 명칭으로한 출원 제 09/073,604호;
"End Point Detection by Chemical Reaction and Photoionization" 을 명칭으로한 출원 제 09/073,606호;
"Improved Chemical-Mechanical Polishing End Point Process Control" 을 명칭으로한 출원 제 09/129,003호;
"Probe for Slurry Gas Sampling"을 명칭으로한 출원 제 09/129,102호이고,그 각각은 본원의 참고 문헌으로 된다.
본 발명은 CMP(Chemical Mec이nical Planarization) 프로세스 및 특히, 그 위에 중단층(stop layer)이 있는 질화 실리콘을 함유하는 산화막의 제거와 관련해서 CMP 프로세스의 조절을 개선하는 것과 관련된다.
집적 회로용 웨이퍼를 제조하는 제조 기술에는 실리콘 웨이퍼상에 일련의 층을 형성하는 것이 포함되어 있다. 통상적인 제조 프로세스에서, 웨이퍼는 광 레지스트 단계를 거친 후 광 리소그래피 단계가 이어진다. 다음에, 웨이퍼는 에칭된후, 스트립되고 그후 확산 단계를 거친다. 웨이퍼가 웨이퍼상에 다수의 층을 만드는 상기 단계를 반복하기 전에, CMP 프로세스를 사용하여 웨이퍼의 표면을 평탄화한다. CMP는 웨이퍼의 표면을 평탄하게 폴리싱하도록 웨이퍼의 표면을 "습식 샌딩 (sanding)"하는 것으로 설명되고 평탄화 프로세스의 목적은 웨이퍼상에서 매우 일정한 평면 표면을 이루게 하는 것이다.
CMP 프로세스동안 종료점을 정확하게 검출하는 것은 다수층으로된 집적 회로의 프로세싱에서 중요한 단계이다. 표면을 개선시킨다는 것이 광 리소그래프 프로세스를 향상시키고 층들간의 금속 상호연결 신뢰도를 개선시킨다는 것이기 때문에, 각 연속층의 생성전에 웨이퍼상의 각 층을 매우 평탄하거나 평면으로 되도록 하는 것이 바람직하다. CMP 프로세스전에, 웨이퍼의 토포로지는 불규칙하고, 결과적으로, 웨이퍼상에 형성된 리소그래픽 이미지는 촛점을 벗어난다. 촛점이 벗어나는 것은 층들간의 상호연결에서 문제를 야기하는 연속 에칭 단계를 방해하게 되고 결과적으로 칩 성능이 저하하고 수율이 감소한다. 또한, 큰 막과 관련된 적층및 에치백의 오차가 누적되므로, 레지스트의 비-평면성을 연속 산화 표면에서 복제한다.
CMP 프로세스에서 사용된 통상적인 장치에는 캐리어상에서 유지되는 웨이퍼용 홀더가 포함된다. 상기 어셈블리는 캐리어와 다른 축상에서 및 캐리어와 반대 방향으로 회전하는 플래튼상에 설치된 연마 패드상에 회전되고 아래로 밀어진다. 적은 연마 입자를 함유하는 화학적 활동도 슬러리는 회전 패드에 유입되고 그 회전 패드는 화학적 및 기계적 요소를 프로세스에 기여하게 한다. CMP 프로세스가 웨이퍼상의 산화층에 이루어질 때, 슬러리는 KOH를 함유하고 10.5의 pH를 갖는 수용액에서 부유된 훈증 실리카를 함유한다. 그 pH는 고레벨로 유지되어 수용액에 부유된 훈증 실리카 입자를 유지시킨다. 슬러리가 금속층을 폴리싱하려 할 때, 슬러리는 통상적으로 산화제를 함유하고 낮은 pH(0.5 내지 4)를 갖는 다. 통상적으로, 슬러리의 입자는 화학적으로 불활성으로 되고 보통 알루미나, 실리카 또는 그 둘다로 구성되어 있다. 오래된 슬러리가 제거될 때 새로운 슬러리는 프로세스에 계속 유입된다. 오래된 슬러리에는 패드 및 웨이퍼의 연마된 입자와 화학적 반응의 최종 생산품이 포함된다. CMP 프로세스에 따라서, 웨이퍼를 벗겨서 슬러리를 제거하고 웨이퍼를 세척하여 웨이퍼가 평탄한 최종 마무리로 되도록 한다.
CMP 프로세스가 유전체 및 금속층을 평탄화하기위해 사용된다. CMP 프로세스가 금속층 표면에 적용될 때, 슬러리에 부유된 입자에 의한 기계적 연마에 더 민감한 표면을 남기는 웨이퍼의 표면에서 화학적 반응이 포함된다.
평탄화 작업의 속도 및 균일성에 영향을 미치는 많은 변수가 있다. 프로세스에 포함된 기계적 변수는 플래튼 및 캐리어의 회전 속도, 패드에 가해진 백(back) 압력, 패드 및 캐리어의 프로파일, 및 플래튼에 가해진 하향력을 포함한다. 또한, 프로세스에서 사용된 각종의 구성요소는 작업시 부가적인 변수로 작용한다. 통상적으로, 플래튼상의 폴리싱 패드는 폴리우레탄으로 제조되고 그 표면은 폴리싱되는 통상적인 웨이퍼보다 더 거칠다. 프로세스에서 사용된 제거용 패드 또는 기타 소모품이 변경됨에 따라 웨이퍼상에서 층을 제거하는 속도가 상당히 변경되어질 수 있다. 기계적 제어 파라미터에 덧붙여서, 슬러리의 특성에는 추가의 변수가 더해지고, 그 변수는 입자 분포, 온도, pH 및 그 유입 속도이다. 슬러리 온도가 변화함에 따라 패드가 굳어져서, 제거 속도를 증가시키고 또한 화학적 활동성(dynamics)에 영향을 미친다. 상기 식별된 다수의 변수의 영향을 계산하는 것에 덧붙여서, 프로세스 자체는 활동적으로 되며, 또한 반복가능한 결과를 이루기 위해 프로세스를 정확하게 제어하는 것을 어렵게 한다. 상기 관계에서, CMP 패드는 처음에 사용할 때 지수 함수 속도로 마모하고 그후에 선형 형태로 마모한다. CMP 폴리싱 패드가 노후됨에 따라, 웨이퍼에서 재료를 제거하는 것은 항상 일정하지 않다. 제조 프로세스에서 반복된 열적 사이클에 의해 야기될 수 있는 웨이퍼의 뒤틀림은 CMP 프로세스에서 층의 제거 속도를 변화시킨다.
전체 폴리싱 시간은 초기 막 두께 및 막 제거 속도에 따라 달라진다. 제거 속도는 상기 식별된 각종의 프로세스 파라미터뿐만 아니라 웨이퍼의 각 층을 형성하는 적층 기술의 변화에 따라 달라진다. 새로운 장치가 개발되는 동안, 폴리싱 패드 특성, 슬러리 특성, 및 플래튼 및 캐리어간의 속도 및 힘을 포함하는 CMP 프로세스용의 최적의 기계적 파라미터를 선택하는 데에는 상당한 시간이 소요된다. 상기 프로세스는 균일성 및 막 제거 속도에 관한 실험 데이터에 상당히 의존한다.
장치의 배치를 고려하여 볼때, CMP 프로세스 종료점의 실시간 인-시투(in-situ) 결정에서는 어려움이 나타난다. 예전의 결과를 토대로 작업 조건을 정확하게 반복하려는 시도에서 신뢰하거나 만족할만한 결과가 이루어지지 못한다. 주기적인 검사 및 분석용 폴리싱 테이블에서 웨이퍼를 제거하는 것은 작업 처리량을 상당히 감소시키고 부가적인 변수를 프로세스에 유입시켜서, 폴리싱 속도를 변경한다.
CMP 프로세스의 진행을 조절 및 제어하고, 특히 프로세스의 종료점을 정확하게 식별할 필요성에 대응해서, 다수의 인-시투 기술은 제거 속도을 조절하도록 개발되었다. 금속 성분을 갖는 층에서, 다수의 기술은 웨이퍼의 정전용량의 변화를 측정하는 것이다. 앞선 기술에서 비효율적인 유전체층의 측정에 대해, (1) 층들간의 웨이퍼 및 패드간의 마찰력의 변화를 측정하려는 것과, (2) 층들간의 웨이퍼의 광 특성 변화 측정을 윈도우로 하여금 폴리싱 패드를 통해 이루어지게 하는 것과, (3) 폴리싱 패드 및 각종의 층간의 음향적 변화를 감지하는 것과 같은 노력이 기울여왔다.
BPSG 리플로우(reflow), 스핀-온 필리밍(spin-on filming), 레지스트 에치백 기술, ECR(electron cyclotron resonant deposition), 및 HDP(high density plasma)를 포함하는 제조 단계동안의 토포로지의 불규칙성을 감소시키는 노력이 기울여왔으나, 상기 기술에서는 웨이퍼 전체에 걸친 표면 평면성의 품질은 CMP와 정합할 수 없었다. 액체화하고 리플로우하도록 적층되었던 산화물 재료로 하여금 평탄도가 증가되도록 매우 높은 온도에서 웨이퍼를 굽는 것을 포함하는 기술에서는 온도를 낮추기위해 산화물에 바람직하지 않은 불순물을 유입시켜서 산화물을 유리로 만들어지게한다. 또한, 장치를 매우 높은 온도에 반복해서 노출시키는 것은 장치의 성능에 영향을 미칠수 있다. 다수의 연결 레벨이 장치내에서 바람직하게 형성될 때, 평탄화에 대해 CMP를 토대로 하지 않는 방법만이 부적절하게 된다. CMP는 대안적인 방법을 사용하는 것에 의해 가능한 것보다 더 평면적인 표면을 제공할 수 있고 레벨간 유전체 재료에서 도핑할 필요성을 감소 또는 제거할 수 있어서, 층의 미세결정을 제거한다.
상기 방법 및 검출 기술이 평탄화를 개선하는 데 기여하지만, 그럼에도 불구하고 CMP 프로세스의 인 시투 조절에서 개선된 방법 및 장치를 연속적으로 사용할 필요성이 있다. CMP 프로세스에서 정확하고 신뢰할만한 제어는 제조 프로세스에서 높은 수율을 얻을 때 중요하게 된다.
본 발명은 화학적 폴리싱 시스템에서 사용된 수용성 슬러리로부터 타켓 구성요소를 인출하고 그후 상기 타켓된 구성요소의 존재를 검출하도록 적외선 측광 기술을 사용하는 것에 관한 것이다. 가스 상태로 인출되었던 타켓 구성요소의 빠른 검출에서 운용자 또는 자동화된 제어기가 집적 회로에 사용된 다수층 웨이퍼상의 층들간의 인터페이스를 정확하게 식별하도록 한다. 특정한 층에서 타켓 구성요소의 존재가 매우 낮은 레벨에서 발생되기 때문에, 검출기는 고감도를 나타내야한다. 양호한 실시예에서, 타켓 구성요소는 연속 조절되는 슬러리내의 암모니아이다. 질화 실리콘층이 CMP 프로세스를 사용해서 폴리싱될 때, 매우 적은 암모니아량이 생성되어 가스 상태로 인출될 수 있다. 슬러리내의 암모니아의 존재 또는 부재는 웨이퍼상의 산화 실리콘/질화 실리콘 인터페이스간의 변이를 표시하고, 결과적으로, 폴리싱 프로세스의 종료점을 식별할 수 있게 한다. 양호한 실시예에서, 암모니아 가스와 연관된 특정한 흡수 대역을 검출하도록 최적화되는 레이져 다이오드 흡수 분광시스템이 이용되어, 질화막층의 제거를 표시한다.
도 1은 본 발명에 의해 사용된 CMP 장치의 개략도.
도 2는 본 발명에 의한 검출 장치의 개략도.
도 3은 폴리싱 패드와 맞물리는 질화층을 포함하는 웨이퍼의 측단면도.
도 1의 CMP(chemical mechnical planarization) 장치는 모터(17)에 의해 터언되는 플래튼(10)을 포함한다. 폴리우레탄 등의 합성 수지로 통상적으로 형성되는 폴리싱 패드(12)가 플래튼(10)의 상부에 설치된다. 캐리어(34)에 의해 알맞게 유지되는 웨이퍼(26)가 폴리싱 패드(12)와 대향하여 맞물려 있다. 모터(32)에 의해 캐리어(34)가 회전되고 캐리어(34)에 의해 폴리싱 패드(12)에 하향력이 가해진다.
CMP 작업동안, 슬러리 저장소(18)로부터 노즐(24)을 통해 폴리싱 패드(12)에는 슬러리가 연속 유입된다. 양호한 본 실시예에서, 질화 실리콘의 종료점을 포함하는 이산화 실리콘은 제거해야할 대상이며, 선택된 슬러리는 pH 10 및 11을 갖는 수용액이고 훈증 실리카를 함유한다. 슬러리에서 부유된 실리카 입자는 상대적으로 불활성이고 막 표면의 기계적 연마에 도움을 주기위해 주로 존재하게 된다.
도 3에서, CMP 프로세스를 거치게되는 웨이퍼(180)의 표면은 일련의 층 또는 막으로 구성되어 있다. 기판(200)상에 질화 실리콘층(93)이 적층된다. 질화 실리콘층의 상부에는 산화물층(89)이 적층된다. 웨이퍼상에 적층된 비금속 표면의 구성요소가 실제로 불활성되기 때문에 웨이퍼상에 적층된 비금속 표면의 화학적 활동도는 일반적으로 최소의 화학적 활동도를 갖게 되지만, 질화층을 제거함에 의해 적으나 감지할 정도의 암모니아량이 생성됨이 밝혀졌다. "End Point Detection by Chemical Reaction and Photoionization"을 명칭으로 하여 동시 계류중인 미국 출원 제 09/073,606호를 참조하면 된다. 질화 실리콘을 폴리싱할 때, 다음의 반응이 발생한다.
Si3N4+ 6 KOH + 3 H20 → 3 K2SiO3+ 4 NH3
슬러리가 높은 pH일 때 상기 암모니아는 수용성 슬러리에서 쉽게 인출될 수 있다. 액체 암모니아는 다음의 프로세스에 의해 자가이온화된다.
2NH3↔ 4 NH4+ + NH2-
그러나, 강 염기를 함유하는 수용액에서, 암모니아를 생성하고 다음의 반응이 우측으로 이루어진다.
NH4+ + OH-↔ NH3+ H2O
부분적으로 CMP 프로세스의 고유 특성인 노출된 대규모 표면 영역의 존재로 인해, CMP 프로세스에서 암모니아의 반응 형성을 향상시킨다. 웨이퍼의 CMP 프로세싱과 관련된 프로세스 종료점에 대한 암모니아 방출 및 그 관계가 발견됨으로써 개선된 검출 기술의 개발에 진전이 이루어졌다.
도 3에서, 웨이퍼(180)는 폴리싱 패드(12) 및 특히 산화물층(89)의 표면(86)과 맞물려져 도시되어 있다. 폴리싱 패드가 산화물층(89) 및 질화 실리콘층(93)간의 인터페이스(90)에 도달할 때, 암모니아가 생성되고 슬러리로 유입된다.
폴리싱 작업동안, 슬러리 주입 펌프(22)는 수용성 폴리싱 슬러리를 노즐(24)을 통해 연속 및 정상 속도로 회전 폴리싱 패드(12)로 유입시킨다. 웨이퍼 표면 및 폴리싱 패드간의 인터페이스의 하류에서, 암모니아 추출 유닛(50)이 슬러리에 담그어진다. 추출 유닛(50)은 폴리프로필렌의 미세공으로된 텅빈 파이버로 제조되고 소수성(hydrophobic)을 갖는 다. 본 발명의 양호한 실시예에서 사용되는 추출 유닛에서 사용된 파이버는 Hoechst Celeanse사에서 시판중이다. 대안적인 실시예에서, 추출 유닛은 Gortex ⓡ, 또는 다공성 폴리에틸렌, 또는 Teflon ⓡ 등의 합성 수지로 제조된 미세공 소수성 패드뒤를 진공시켜서 구성된다. 본 발명과 연결해서 사용되는 추출 유닛은 "Probe for Slurry Gas Sampling"을 명칭으로한 동시 계류중인 미국 출원 제 09/129,102호에서 또한 설명되고 그 출원이 본원에서 참고문헌으로 된다.
암모니아를 가스 상태로 유지하고 가스 분자가 도관벽에 점착하는 것을 최소화하기위해, 멤브레인의 하류에 건조하고 깨끗한 캐리어 가스가 유입된다. 적은 샘플 크기 및 그 샘플을 더 희석시키는 캐리어 가스의 유입을 고려하여, 질화층의 폴리싱에서 시험을 가능하게 하는 암모니아 농도는 1 내지 100 ppb의 범위내이다.
검출용으로 사용할 수 있는 타겟 가스의 저농도를 고려해서, 매우 민감한 검출기 및 멀티패스 플로우(multipass flow) 셀은 가스 구성요소의 존재를 검출하기위해 사용되야한다. 질량 분석법과 같은 가스 상태에서 화학적 검출용으로 사용된종래의 검출 기술은 본 출원에서는 특히 효과적이지 않다. 그 점에 있어서, 질량 분광계를 사용하는 것은 매우 민감해질 수 있고 빠른 결과를 나타내지만, 물 및 암모니아간의 원자 질량 단위를 단일 단위만큼만 달라지게 하기 때문에 암모니아 가스를 검출할 때 순간적인 환경에서 특정한 문제점이 야기된다. 더구나, 물 분자를 분열시키는 것은 종래의 질량 분광계의 결과에서는 통상적인 것인데, 그 물 분자를 이온화시키고 그 수소 원자를 유리화시켜서, 암모니아와 같은 질량을 갖는 종(species)을 발생시킨다. 샘플에서 17인 동일한 질량 및 많은 하이드록시 이온 프라그먼트의 결합에 의해 암모니아 신호를 완전히 마스크할 수 있고 종래의 질량 분광 측정법 기술에 의해 암모니아를 직접적으로 검출하게 하는 것을 불가능하게 한다.
IR 분광법은 중간-적외선광의 흡수 파장 및 세기를 샘플마다 측정하는 것이다. IR 흡수 대역의 파장은 특정한 형태의 화학적 결합의 특성이고, IR 분광법이 유기-금속 분자를 식별하는 데 가장 큰 실용성을 가지지만, N-H 결합을 검출할 수 있다. 분자 진동을 더 높은 에너지 레벨로 여기시키기에 충분하도록 중간-적외선 광(2.5 - 50 μm, 4000 - 200 cm-1)이 활성화된다. 원자 또는 분자가 광을 흡수할 때, 들어오는 에너지는 양자화된 구조를 더 높은 에너지 레벨로 여기시키고 광 파장에 따라 여기 형태가 달라진다. 자외선광 또는 가시광에 의해 전자가 더 높은 궤도로 올라가고, 적외선광에 의해 진동되고, 마이크로파에 의해 회전된다. 흡수 스펙트럼은 광 흡수를 파장의 함수로 한 것이다. 원자 또는 분자의 스펙트럼은 그 에너지 레벨 구조에 따라 달라지며, 혼합물을 식별하는 데 흡수 스펙트라가 사용된다. 종래의 적외선 기술이 공지되고 신뢰되지만, 그 방법의 감도는 불량하다.
본 발명에 의해, 선택된 검출기는 적외선 분광법, 특히 레이저 다이오드 흡수 기술을 사용한다. IR 대역에서 NH3는 1.97μ, 2.3μ, 3μ 및 또한 6-7μ대역에서 통상적인 흡수 최고치를 갖는 다. 최근에, 적외선 레이져 흡수 기술은 3μ영역에서 1 미터 경로 길이를 사용해서 1 ppm보다 더 양호한 감도를 갖는 것으로 개발되어 왔다. 그럼에도 불구하고, 작업에서 요구되는 저온(액체 질소 온도 또는 더 낮은)으로 인해, 그 영역내의 시판중인 레이져 및 검출기는 주로 신뢰할 수 없게 된다. 대안적인 방법으로서, NH3와 관련된 분자 오버톤(overtone) 및 결합 대역을 나타내는 1.5 미크론 영역에 있게 하는 것이다. 상기 대역은 원래부터 약하나, 그것은 상기 영역에서 사용가능한 우수한 다이오드 레이져 및 검출기에 의해 보상된다. 그 점에 있어서, 특정한 진동 분자 변이를 겹쳐지게 할 수 있는 협대역 단일 모드 레이져가 유용성을 가짐으로써 그 검출을 가능하게 한다. 주파수 로킹 기술에서는 레이져 주파수의 드리프트없이 특정한 변이를 확장된 주기동안 조절하게 할 수 있다. 또한, 제 2 유도(derivative) 로크-인 검출을 갖는 특정한 주파수 변조에서 사용할 수 있는 복잡한 검출 기술이 있다. 다이오드 레이져의 주파수를 빠르게 제거할 수 있고 그 신호를 변조와 동상으로 검출할 수 있다. 상기 기술에 의해 잡음을 크게 감소시키고 1미터 경로 길이를 2초의 응답 시간으로써 사용해서 1 ppm 보다 양호한 검출 감도를 가질 수 있게 한다. 이 출원에 사용되는 상업적 시스템은 스웨덴, 괴테버그402 73, 박스 8910 소재의 Altopric ab 사에 의해 현재 시판된다. NH3를 포함하는 트레이스(trace) 가스의 적외선 흡수 측정용으로 동조가능한 다이오드 레이져를 사용하는 장비는 미국, MA 01821-3976, 매닝 로드 45 소재의 Aerodyne Research, Inc 사에 의해 시판중이고 넓은 스펙트랄 커버리지(최대 감도 0.1 내지 1.0 ppb의 검출도를 갖는 3 내지 15m)를 갖는 다.
도 2에서, 진공부(103)를 추출 유닛(50)을 통해 끌어내서 슬러리에서 가스 샘플을 추출하고, 그 추출 유닛(50)을 폴리싱 슬러리(60)로 담근다. 추출된 암모니아 가스는 건조한 캐리어 가스(105)와 결합되어 플로우 셀(107)로 끌어내어진다. 동조가능한 레이져 다이오드(109)로부터의 적외선 방사는 분산되어 기준 빔 및 측정 빔(112)을 제공한다. 검출기(117 및 119)는 광의 세기를 측정하고 그 신호를 같은 증가분으로 증폭하고 그 신호를 디지타이저(123)로 전송한다. 기준 빔 및 측정 빔으로부터의 신호는 프로세스되어 결과적으로 흡수 측정된다. 그 측정이 프로세스 제어기(104)에 표시, 기록 및/또는 관련되어 CMP 프로세스를 자동적으로 종료한다.
특정한 실시예가 본원에서 설명 및 예시되었지만, 당업자에 의해 본원에서 설명한 특정한 실시예를 대신하는 본 발명을 구체화하는 부가적 배열 및 적용예가 있음을 인식하게 된다. 본 발명 및 그 양호한 실시예를 상세하게 설명할 때, 본 발명에 대한 부가적 변형예가 현재 청구된 본 발명의 정신 및 범위에서 벗어남이 없이 이루짐을 당업자는 쉽게 알 수 있게 된다.
본 발명은 폴리싱 프로세스의 종료점을 식별할 수 있게 되어 암모니아 가스와 연관된 특정한 흡수 대역을 검출하도록 최적화되는 레이져 다이오드 흡수 분광시스템이 이용되어 질화막층의 제거가 표시된다.

Claims (15)

  1. 폴리싱 패드를 구비하는 폴리싱 테이블에 슬러리를 유입하는 CMP(Chemical Mechanical Planarization) 프로세스에서 중단층(stop layer)상에 적층되었던 타켓층의 제거를 검출하고, 웨이퍼의 표면을 상기 폴리싱 패드와 맞물리고, 상기 슬러리는 상기 슬러리 및 상기 중단층간의 화학 반응으로부터 반응물을 생성하는 방법에 있어서,
    상기 슬러리에서 상기 반응물을 인출하고 상기 반응물을 가스 상태로 되게 하는 단계와,
    상기 반응물 가스의 존재를 적외선 분광법을 사용해서 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 적외선 분광법 검출 단계는 1 및 3 미크론간의 스펙트랄 영역내에서 방사빔을 방출하는 레이져 다이오드를 사용하는 것을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 레이져 다이오드가 동조가능한 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 중단층이 질화 실리콘을 구비하고 상기 반응물이 암모니아를 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 슬러리가 KOH를 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 검출기에서 신호를 발생시키는 단계를 더 구비하고, 상기 신호는 상기 반응물 가스의 존재 또는 부재를 반영하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, CMP 프로세스 변수를 제어하도록 상기 신호를 CMP 제어기에 전송하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 웨이퍼의 CMP 프로세스에서 질화 실리콘을 구비하는 중단층의 상부상에 적층된 산화막의 제거를 조절하는 방법에 있어서,
    (a) 7보다 큰 pH를 갖는 폴리싱 테이블에 슬러리를 연속 유입하고, 상기 슬러리 및 폴리싱 패드로 하여금 웨이퍼를 연마하게 하고, 상기 중단층으로부터의 상기 슬러리 및 상기 질화 실리콘으로 하여금 암모니아를 형성하도록 반응하게 하는 단계와,
    (b) 상기 암모니아를 함유하는 샘플 가스를 상기 슬러리로부터 연속 인출하는 단계와,
    (c) 방사 에너지원, 및 검출기를 구비하는 분광계에 상기 샘플 가스를 유입하는 단계를 구비하고,
    상기 (a) 단계에서 상기 상부층이 상기 폴리싱 패드에 노출되어 연마되어 상기 질화 실리콘을 상기 슬러리로 유입시키고,
    상기 (c) 단계에서 상기 에너지원이 1.5 및 3 미크론간의 스펙트라에서 방출되는 것을 특징으로 하는 적층된 산화막의 제거를 조절하는 방법.
  9. 질화 실리콘을 구비하는 중단층을 갖는 산화 실리콘을 구비하는 타켓층을 구비하는 웨이퍼를 평탄화시키는 CMP 어셈블리에 있어서,
    폴리싱 패드를 위에 설치한 플래튼과,
    상기 폴리싱 패드에 대향하는 상기 웨이퍼를 수납하기에 적합한 캐리어와,
    슬러리를 제1 위치에서 상기 폴리싱 테이블에 유입시키는 슬러리 주입기와,
    상기 폴리싱 패드 및 상기 웨이퍼간에 이동시키기 위한 적어도 하나의 모터와,
    상기 폴리싱 테이블상의 제2 위치에서 상기 슬러리로부터 가스 샘플을 얻는 추출 유닛과,
    상기 추출 유닛으로부터 검출기로 상기 가스 샘플을 이동시키는 도관을 구비하며,
    상기 플래튼 및 폴리싱 패드가 폴리싱 테이블을 형성하고,
    상기 검출기는 적외선 스펙트럼에서 흡수 측정용의 분광계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼를 평탄화시키는 CMP 어셈블리.
  10. 제9항에 있어서, 상기 분광계는 레이져 다이오드를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼를 평탄화시키는 CMP 어셈블리.
  11. 제9항에 있어서, 상기 레이져 다이오드가 적외선 스펙트럼내의 복수의 파장으로 동조가능한 것을 특징으로 하는 웨이퍼를 평탄시키는 CMP 어셈블리.
  12. 제9항에 있어서, 상기 검출기는 상기 가스 샘플에서 타켓 가스의 존재에 대응하여 신호를 발생시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼를 평탄화시키는 CMP 어셈블리.
  13. 제12항에 있어서, 프로세서 및 제어기를 더 구비하며, 상기 프로세서는 상기 신호를 상기 검출기로부터 인터프리트하고 제어 신호를 상기 제어기에 전송하고 상기 제어기는 상기 프로세서로부터 수신된 상기 제어 신호에 대응하여 CMP 프로세스의 프로세싱 변수를 제어하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼를 평탄화시키는 CMP 어셈블리.
  14. 제13항에 있어서, 상기 프로세스 변수는 플래튼 및 캐리어의 회전 속도, 웨이퍼 및 패드간의 힘, 슬러리 온도, 및 슬러리 유입 속도를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼를 평탄화시키는 CMP 어셈블리.
  15. 제13항에 있어서, 상기 프로세서는 상기 CMP 프로세스의 종료점을 결정하고 상기 제어기는 상기 신호에 대응하여 상기 웨이퍼의 프로세싱을 중단하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼를 평탄화시키는 CMP 어셈블리.
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