KR20010066841A - Compositions for Forming Light Scattering Films and Light Scattering Films - Google Patents

Compositions for Forming Light Scattering Films and Light Scattering Films Download PDF

Info

Publication number
KR20010066841A
KR20010066841A KR1020000032868A KR20000032868A KR20010066841A KR 20010066841 A KR20010066841 A KR 20010066841A KR 1020000032868 A KR1020000032868 A KR 1020000032868A KR 20000032868 A KR20000032868 A KR 20000032868A KR 20010066841 A KR20010066841 A KR 20010066841A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light scattering
weight
copolymer
curable composition
light
Prior art date
Application number
KR1020000032868A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
마사시게 다까또리
유이찌 다께하나
마사유끼 엔도
Original Assignee
마쯔모또 에이찌
제이에스알 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마쯔모또 에이찌, 제이에스알 가부시끼가이샤 filed Critical 마쯔모또 에이찌
Publication of KR20010066841A publication Critical patent/KR20010066841A/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/26Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • C08F220/32Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing epoxy radicals
    • C08F220/325Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing epoxy radicals containing glycidyl radical, e.g. glycidyl (meth)acrylate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/10Block or graft copolymers containing polysiloxane sequences
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D201/00Coating compositions based on unspecified macromolecular compounds
    • C09D201/02Coating compositions based on unspecified macromolecular compounds characterised by the presence of specified groups, e.g. terminal or pendant functional groups
    • C09D201/06Coating compositions based on unspecified macromolecular compounds characterised by the presence of specified groups, e.g. terminal or pendant functional groups containing oxygen atoms
    • C09D201/08Carboxyl groups
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0755Non-macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

PURPOSE: A composition for forming light diffusion film is provided to efficiently diffuse reflected light, to attain uniform surface lighting with high frontal brightness and to obtain excellent flattening property, heat and chemical resistance by incorporating a copolymer of unsaturated carboxylic acids, epoxy group containing unsaturated compounds and specific olefinic unsaturated compounds and a light diffusion substance. CONSTITUTION: The resinous composition for a light diffusion film contains a copolymer of unsaturated carboxylic acids and/or unsaturated carboxylic acid anhydrides, epoxy group containing unsaturated compounds and olefinic unsaturated compounds other than monomers a light diffusion substance. The composition further comprises multifunctional monomers, polymerization initiators, epoxy compounds, and acid-generating agent. The copolymer is obtained by copolymerizing unsaturated carboxylic acids and/or unsaturated carboxylic acid anhydrides, epoxy group containing unsaturated compounds and olefinic unsaturated compounds other than monomers. The light diffusion substance has a function to diffuse reflected light and to heighten the frontal brightness of a liquid crystal display panel.

Description

광 산란성 막 형성용 조성물 및 광 산란성 막 {Compositions for Forming Light Scattering Films and Light Scattering Films}Composition for forming light scattering film and light scattering film {Compositions for Forming Light Scattering Films and Light Scattering Films}

본 발명은 액정 디스플레이 등에 사용하는 광 산란성 막용 경화성 조성물, 및 이로부터 형성된 광 산란성 막에 관한 것이다.This invention relates to the curable composition for light-scattering films used for a liquid crystal display etc., and the light-scattering film formed from this.

액정 디스플레이는 균일하고 정면 휘도가 높은 면 조명이 필요하기 때문에, 종래에는 백 라이트 유닛을 구비한 것이 주류였다. 그러나, 최근 휴대용 단말기의 보급 등의 영향으로, 전력 절감의 차원에서 반투과형 및 반사형의 액정 디스플레이의 채용이 증가하고 있다.Since liquid crystal displays require surface illumination with uniform and high front brightness, conventionally, a backlight unit has been provided. However, in recent years, the adoption of transflective and reflective liquid crystal displays has been increasing in view of power saving due to the spread of portable terminals.

반투과형 및 반사형 액정 디스플레이는, 액정 패널 하측에 알루미늄판 등의 반사판을 설치하여 패널 상부로부터의 광을 반사시킴으로써 휘도를 얻고 있다. 그러나, 이 방법에 따르면 반사판이 평면이기 때문에 패널 상부로부터의 입사광의 입사 방향이 비스듬한 경우, 반사광의 방향은 패널 정면 방향에서 어긋나 충분한 정면 휘도를 얻지 못한다.Semi-transmissive and reflective liquid crystal displays are provided with reflecting plates, such as aluminum plates, under the liquid crystal panel to obtain brightness by reflecting light from the upper panel. However, according to this method, since the reflecting plate is planar, when the incident direction of the incident light from the upper part of the panel is oblique, the direction of the reflected light is shifted from the front direction of the panel, and sufficient front luminance is not obtained.

반사형 액정 디스플레이에서의 상기 결점을 개선시키기 위하여, 이른바 광 확산판을 사용하는 기술이 제안되었다. 이 방법은 반사판 표면에 미세한 요철 형상을 줌으로써 반사광의 방향을 확산시켜 정면 휘도를 얻는 것이다.In order to improve the above drawbacks in the reflective liquid crystal display, a technique using a so-called light diffuser plate has been proposed. This method spreads the direction of the reflected light by giving a fine concavo-convex shape to the reflecting plate surface to obtain front luminance.

그러나, 이 방법은 광 확산판의 형상을 복잡하게 해야 할 필요가 있기 때문에, 공정이 번잡하여 공정상으로나, 비용상으로나 불리하다.However, since this method needs to complicate the shape of the light diffusion plate, the process is complicated and disadvantageous both in terms of process and cost.

상기 문제를 해결하기 위하여 특개평 7-261164호 공보 및 특개평 7-98452호 공보에서는 광 산란성 막을 사용하는 기술을 제안하고 있다. 이들 공보에는 플루오로화칼슘, 산화티탄, 폴리테트라플루오로에틸렌 등의 광 산란성 물질을 분산시킨 조성물로부터 얻어지는 막을 칼라 필터의 상부에 설치함으로써, 입사광 및 반사광을 산란시키고, 이에 따라 높은 정면 휘도를 실현할 수 있음이 개시되어 있다.In order to solve the problem, Japanese Patent Laid-Open Nos. 7-261164 and 7-98452 have proposed a technique using a light scattering film. These publications provide a film obtained from a composition in which light scattering materials such as calcium fluoride, titanium oxide, and polytetrafluoroethylene are dispersed on the upper part of the color filter to scatter incident light and reflected light, thereby realizing high front luminance. It is disclosed that it can.

그러나 상기 조성물로부터 얻어지는 막에서는, 광 산란성 물질이 존재함에 따라, 보호막으로서 본래 구비해야할 기능, 즉 평탄화성, 내열성, 내약품성, 투명 전극(ITO막)과의 밀착성 등의 물성이 감소되어 아직 실용 수준에 도달했다고는 할 수 없다.However, in the film obtained from the composition, as the light scattering material is present, physical properties such as flatness, heat resistance, chemical resistance, and adhesion to a transparent electrode (ITO film), which are inherent to be provided as a protective film, are reduced, and thus are still in practical use. I can't say that.

디스플레이 제조 공정에서는 유리판 접합시, 유리판상의 얼라이먼트 마크를 검출함으로써 위치를 맞춘다. 그러나, 상기 조성물로부터 얻어지는 막을 보호막으로 사용한 유리판을 접합시킬 경우, 보호막의 산란성으로 인해 정확하게 위치를 맞추기가 곤란해지는 문제점이 있다.In a display manufacturing process, the position is set by detecting the alignment mark on a glass plate at the time of glass plate bonding. However, when bonding the glass plate which used the film | membrane obtained from the said composition as a protective film, there exists a problem that it is difficult to position correctly because of the scattering property of a protective film.

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이다.This invention is made | formed in view of the said situation.

본 발명의 목적은 반투과형 및 반사형 액정 디스플레이에서, 반사광을 효율적으로 산란시켜 균일하고 정면 휘도가 높은 면 조명을 실현하고, 동시에 평탄화성, 내열성 및 내약품성이 우수하며 ITO막과의 밀착성이 높은 광 산란성 막을 제공할 수 있는 광 산란성 막 형성용 경화성 조성물을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to realize surface illumination with uniform and high front luminance by efficiently scattering reflected light in a transflective and reflective liquid crystal display, and at the same time, having excellent flatness, heat resistance and chemical resistance, and high adhesion to ITO film. It is providing the curable composition for light-scattering film formation which can provide a light-scattering film.

본 발명의 다른 목적은, 노광, 현상 공정으로 얼라이먼트 마크부의 산란을 없애고, 정확한 위치 맞춤을 가능하게 하는 감방사선성을 구비한 경화성 조성물을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a curable composition having radiation sensitivity that eliminates scattering of alignment mark portions in an exposure and development process and enables precise positioning.

본 발명의 또다른 목적은 본 발명의 광 산란성 막 형성용 경화성 조성물로 형성된 광 산란성 막을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a light scattering film formed from the curable composition for forming a light scattering film of the present invention.

본 발명의 또다른 목적 및 이점은 이하의 설명으로 명확해질 것이다.Still other objects and advantages of the present invention will become apparent from the following description.

본 발명에 따르면, 본 발명의 목적 및 이점은, 첫째,According to the present invention, the objects and advantages of the present invention, first,

(A) (a1) 불포화 카르복실산 및 불포화 카르복실산 무수물로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 카르복실산 화합물,(A) at least one carboxylic acid compound selected from the group consisting of (a1) unsaturated carboxylic acids and unsaturated carboxylic anhydrides,

(a2) 에폭시기를 함유하는 불포화 화합물, 및(a2) unsaturated compounds containing an epoxy group, and

(a3) 상기 화합물 (a1) 및 (a2) 이외의 올레핀성 불포화 화합물의 공중합체, 및(a3) copolymers of olefinically unsaturated compounds other than the compounds (a1) and (a2), and

(B) 광 산란성 물질(B) light scattering material

을 함유하는 것을 특징으로 하는 광 산란성 막 형성용 경화성 조성물(이하, "제1 발명"이라 칭함)에 의해 달성된다.It is achieved by the curable composition for light-scattering film formation (hereinafter, referred to as "first invention") characterized by containing.

본 발명의 상기 목적 및 이점은, 둘째, 본 발명의 광 산란성 막 형성용 경화성 조성물로부터 형성된 광 산란성 막(이하, "제2 발명"이라 칭함)에 의해 달성된다.The above objects and advantages of the present invention are secondly achieved by a light scattering film (hereinafter referred to as "second invention") formed from the curable composition for forming a light scattering film of the present invention.

또한, 본 발명에서 용어 "방사선"은 자외선, 원자외선, X선, 전자선, 분자선, γ선, 싱크로트론 방사선, 프로톤 빔선 등을 포함하는 개념으로 사용한다.In addition, the term "radiation" in the present invention is used in the concept including ultraviolet rays, far ultraviolet rays, X-rays, electron beams, molecular rays, gamma rays, synchrotron radiation, proton beam rays and the like.

이하에서, 제1 발명의 광 산란성 막용 감방사선성 조성물의 각 성분에 대하여 설명한다.Hereinafter, each component of the radiation sensitive composition for light scattering films of 1st invention is demonstrated.

공중합체 (A)Copolymer (A)

공중합체 (A)는 화합물 (al), (a2) 및 (a3)의 공중합체이다. 화합물 (al)은 불포화 카르복실산 또는 불포화 카르복실산 무수물이다.Copolymer (A) is a copolymer of compounds (al), (a2) and (a3). Compound (al) is unsaturated carboxylic acid or unsaturated carboxylic anhydride.

화합물 (a1)로는 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산과 같은 불포화 모노카르복실산; 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산과 같은 불포화 디카르복실산; 및 이들 불포화 디카르복실산의 무수물을 예로 들 수 있다. 이들 중에서 아크릴산, 메타크릴산, 무수 말레산이 공중합 반응성, 알칼리 수용액에 대한 용해성 및 입수가 용이하다는 점에서 바람직하게 사용된다. 이들 화합물 (a1)은 단독으로, 또는 2종 이상을 혼합하여 사용한다.Examples of the compound (a1) include unsaturated monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid and crotonic acid; Unsaturated dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid and itaconic acid; And anhydrides of these unsaturated dicarboxylic acids. Of these, acrylic acid, methacrylic acid and maleic anhydride are preferably used in view of copolymerization reactivity, solubility in aqueous alkali solution and easy availability. These compounds (a1) are used individually or in mixture of 2 or more types.

공중합체 (A)는 화합물 (a1)에서 유도되는 구성 단위를 바람직하게는 1 내지 50 중량%, 특히 바람직하게는 5 내지 40 중량% 함유한다. 이 범위에서 공중합체 (A)는 평탄화성, 밀착성, 도포성 및 내열성에 있어서 최적의 성능을 나타내게 된다.The copolymer (A) preferably contains 1 to 50% by weight, particularly preferably 5 to 40% by weight of structural units derived from compound (a1). In this range, the copolymer (A) exhibits optimum performance in planarization, adhesion, coatability and heat resistance.

상기 화합물 (a2)는 에폭시기 함유 불포화 화합물이다.The compound (a2) is an epoxy group-containing unsaturated compound.

화합물 (a2)로는 (메타)아크릴산 글리시딜, (메타)아크릴산 2-메틸글리시딜,α-에틸아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜과 같은 (메타)아크릴산 글리시딜 에스테르 및 그의 유도체류; 및Examples of the compound (a2) include glycidyl (meth) acrylate, 2-methylglycidyl (meth) acrylate, glycidyl (alpha) -ethyl acrylate, glycidyl (alpha)-propyl acrylate, glycidyl (alpha)-propyl acrylate (Meth) acrylic acid glycidyl esters such as dill and derivatives thereof; And

(메타)아크릴산-3,4-에폭시부틸, (메타)아크릴산-4,5-에폭시펜틸, (메타)아크릴산-6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산-6,7-에폭시헵틸과 같은 불포화 에폭시 화합물을 예로 들 수 있다.Unsaturated such as (meth) acrylic acid-3,4-epoxybutyl, (meth) acrylic acid-4,5-epoxypentyl, (meth) acrylic acid-6,7-epoxyheptyl, α-ethylacrylic acid-6,7-epoxyheptyl Epoxy compounds are mentioned as an example.

이들 중, (메타)아크릴산 글리시딜, (메타)아크릴산 2-메틸글리시딜이 공중합 반응성, 평탄화성 등의 면에서 바람직하게 사용된다. 이들 화합물 (a2)는 단독으로, 또는 2종 이상을 혼합하여 사용한다.Among these, glycidyl (meth) acrylate and 2-methylglycidyl (meth) acrylate are preferably used in view of copolymerization reactivity, planarity, and the like. These compounds (a2) are used individually or in mixture of 2 or more types.

공중합체 (A)는 화합물 (a2)에서 유도되는 구성 단위를 바람직하게는 5 내지 80 중량%, 특히 바람직하게는 7 내지 70 중량% 함유한다. 이 범위에서 공중합체 (A)는 평탄화성, 내열성 및 밀착성에 있어서 최적의 성능을 나타낸다.The copolymer (A) preferably contains 5 to 80% by weight, particularly preferably 7 to 70% by weight of structural units derived from compound (a2). In this range, the copolymer (A) shows optimum performance in planarization, heat resistance and adhesion.

화합물 (a3)은 화합물 (a1) 및 (a2)와는 다른 올레핀성 불포화 화합물이다.Compound (a3) is an olefinically unsaturated compound different from compounds (a1) and (a2).

화합물 (a3)으로는 (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 부틸, (메타)아크릴산-2-에틸헥실, (메타)아크릴산 페닐, (메타)아크릴산 시클로헥실, (메타)아크릴산 트리시클로[5.2.1.O2,6]데칸-8-일(해당 기술 분야에서의 관용명은 (메타)아크릴산 디시클로펜타닐임), (메타)아크릴산 디시클로펜타닐옥시에틸, (메타)아크릴산 이소보로닐과 같은 (메타)아크릴산 에스테르류;As the compound (a3), methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, phenyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, and (meth) Tricyclo [5.2.1.O 2,6 ] decane-8-yl acrylate (common names in the art are (meth) acrylic acid dicyclopentanyl), (meth) acrylic acid dicyclopentanyloxyethyl, (meth) acrylic acid (Meth) acrylic acid esters such as isoboroyl;

스티렌, α-메틸스티렌, p-메틸스티렌, 비닐나프탈렌과 같은 비닐 방향족계 화합물;Vinyl aromatic compounds such as styrene, α-methylstyrene, p-methylstyrene and vinylnaphthalene;

인덴, 1-메틸인덴과 같은 인덴 유도체;Indene derivatives such as indene and 1-methylindene;

페닐말레이미드, 벤질말레이미드, 시클로헥실말레이미드, N-숙신이미딜-3-말레이미드벤조에이트, N-숙신이미딜-4-말레이미드부틸레이트, N-숙신이미딜-6-말레이미드카프로에이트, N-숙신이미딜-3-말레이미드프로피오네이트, N-(9-아크리딜)말레이미드와 같은 디카르보닐이미드 유도체; 및Phenylmaleimide, benzyl maleimide, cyclohexyl maleimide, N-succinimidyl-3-maleimide benzoate, N-succinimidyl-4-maleimide butyrate, N-succinimidyl-6-maleimide capro Dicarbonylimide derivatives such as ate, N-succinimidyl-3-maleimidepropionate, N- (9-acridyl) maleimide; And

부타디엔, 이소프렌과 같은 공액 디엔류를 예로 들 수 있다.Examples include conjugated dienes such as butadiene and isoprene.

이들 중에서 (메타)아크릴산 에스테르류 및 디카르보닐이미드 유도체가 밀착성, 평탄화성 등의 면에서 바람직하게 사용된다. 이들 화합물 (a3)은 단독으로, 또는 2종 이상을 혼합하여 사용한다.Of these, (meth) acrylic acid esters and dicarbonylimide derivatives are preferably used in terms of adhesion, flattening properties, and the like. These compounds (a3) are used individually or in mixture of 2 or more types.

공중합체 (A)는 화합물 (a3)에서 유도되는 구성 단위를 바람직하게는 1 내지 40 중량%, 특히 바람직하게는 2 내지 35 중량% 함유한다. 이 범위에서 공중합체 (A)는 밀착성, 평탄화성 등에 있어서 최적의 성능을 나타낸다.The copolymer (A) preferably contains 1 to 40% by weight, particularly preferably 2 to 35% by weight of structural units derived from compound (a3). In this range, the copolymer (A) exhibits optimum performance in adhesion, planarization, and the like.

공중합체 (A)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 바람직하게는 3,000 내지 300,000, 보다 바람직하게는 3,000 내지 100,000, 특히 바람직하게는 3,000 내지 50,000의 범위이다.The polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the copolymer (A) is preferably in the range of 3,000 to 300,000, more preferably 3,000 to 100,000, particularly preferably 3,000 to 50,000.

공중합체 (A)를 이 범위의 Mw가 되도록 함으로써 경화 후 막의 평탄화성, 투명성, 보존 안정성, 밀착성, 광 산란성, 현상성 등 여러 성능이 우수한 밸런스를 나타낸다.By setting the copolymer (A) to Mw in this range, a balance excellent in various performances such as flattening, transparency, storage stability, adhesion, light scattering property, and developability of the film after curing is exhibited.

(B) 광 산란성 물질(B) light scattering material

(B) 광 산란성 물질은 반사광을 산란시켜, 액정 표시 패널의 정면 휘도를 높이는 작용을 하는 물질이다.(B) The light scattering material is a material which scatters the reflected light and increases the front luminance of the liquid crystal display panel.

광 산란성 물질 (B)로는 무기 산화물 입자, 유기 입자, 광물 입자 및 금속 입자를 예로 들 수 있다.Examples of the light scattering material (B) include inorganic oxide particles, organic particles, mineral particles, and metal particles.

무기 산화물 입자로는 실리카, 티타니아 및 알루미나를 예로 들 수 있다.Examples of the inorganic oxide particles include silica, titania and alumina.

유기 입자로는 폴리스티렌, 스티렌/이소프렌 공중합체, 스티렌/디비닐벤젠 공중합체 등의 스티렌계 유기 입자;As organic particle | grains, Styrene type organic particle | grains, such as a polystyrene, a styrene / isoprene copolymer, and a styrene / divinylbenzene copolymer;

폴리메타크릴산 메틸, 폴리메타크릴산 에틸, 폴리메타크릴산 부틸, 폴리아크릴산 메틸, 폴리아크릴산 에틸, 폴리아크릴산 부틸, 메타크릴산 메틸/메타크릴산 부틸 공중합체 등의 아크릴계 유기 입자;Acrylic organic particles such as polymethyl methacrylate, polyethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polymethyl acrylate, ethyl polyacrylate, butyl polyacrylate, and methyl methacrylate / butyl methacrylate copolymer;

폴리아크릴로니트릴, 아크릴로니트릴/염화비닐리덴 공중합체 등의 아크릴로니트릴계 유기 입자;Acrylonitrile-based organic particles such as polyacrylonitrile and acrylonitrile / vinylidene chloride copolymer;

벤조구아나민 중합체, 멜라민 중합체, 벤조구아나민/멜라민 공중합체 등의 벤조구아나민계 또는 멜라민계 유기 입자;Benzoguanamine type or melamine type organic particle | grains, such as a benzoguanamine polymer, a melamine polymer, and a benzoguanamine / melamine copolymer;

폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부텐 등의 폴리올레핀계 유기 입자;Polyolefin organic particles such as polyethylene, polypropylene, and polybutene;

에틸렌/메타크릴산 메틸 공중합체, 에틸렌/메타크릴산 에틸 공중합체, 에틸렌/메타크릴산 부틸 공중합체, 에틸렌/아크릴산 메틸 공중합체, 에틸렌/아크릴산 에틸 공중합체, 에틸렌/아크릴산 부틸 공중합체 등의 에틸렌/아크릴계 유기 입자;Ethylene such as ethylene / methyl methacrylate copolymer, ethylene / ethyl methacrylate copolymer, ethylene / butyl methacrylate copolymer, ethylene / methyl acrylate copolymer, ethylene / ethyl acrylate copolymer, ethylene / butyl acrylate copolymer Acrylic organic particles;

폴리테트라플루오로에틸렌 등의 불소계 유기 입자;Fluorine-based organic particles such as polytetrafluoroethylene;

폴리우레탄계 유기 입자;Polyurethane-based organic particles;

나일론계 유기 입자;Nylon organic particles;

셀룰로오즈, 아세트산 셀룰로오즈, 키토산, 알긴산 칼슘 등의 천연물계 유기 입자 등을 예로 들 수 있다.Natural organic type particle | grains, such as cellulose, cellulose acetate, chitosan, and calcium alginate, etc. are mentioned.

광물 입자로는 운모를 예로 들 수 있다. 또한 금속 입자로는 알루미늄, 주석, 금과 같은 금속의 금속분말을 예로 들 수 있다.Examples of the mineral particles include mica. Examples of the metal particles include metal powders of metals such as aluminum, tin, and gold.

이들 중에서, 무기 산화물 입자가 굴절율이 (A) 성분과 크게 다르고, 광산란 효과가 크다는 점에서 바람직하다. 무기 산화물 입자로는 실리카가 특히 바람직하게 사용된다.Among these, inorganic oxide particles are preferred in that the refractive index is significantly different from that of the component (A), and the light scattering effect is large. Silica is particularly preferably used as the inorganic oxide particles.

또한, 유기 입자는 산란각이 비교적 작은 범위에서 큰 산란 강도를 얻을 수 있기 때문에, 반투과형 또는 반사형 액정 디스플레이에서 우수한 산란 효과를 나타내어, 정면 휘도를 높인다. 이들 중에서 스티렌계 유기 입자 및 아크릴계 유기 입자가 큰 산란 강도를 얻을 수 있다는 점에서 바람직하게 사용될 수 있다.In addition, since the organic particles can obtain a large scattering intensity in a range where the scattering angle is relatively small, the organic particles exhibit excellent scattering effects in the transflective or reflective liquid crystal display, thereby increasing the front luminance. Among them, styrenic organic particles and acrylic organic particles can be preferably used in that large scattering strength can be obtained.

(B) 광 산란성 물질의 형상은 광 산란성이 있는 것이면 어느 것이나 사용할 수 있지만, 구형 및 대략 구형이 바람직하다. 입경으로는 0.01 내지 20 ㎛가 바람직하고, 특히 바람직하게는 0.3 내지 10 ㎛이다. 이러한 형상 및 크기의 광 산란성 물질을 사용함으로써 패널 정면 휘도를 유효하게 향상시킬 수 있다.(B) Although the shape of a light-scattering substance can be used as long as it has light scattering property, spherical shape and substantially spherical shape are preferable. As particle size, 0.01-20 micrometers is preferable, Especially preferably, it is 0.3-10 micrometers. By using the light scattering material of such shape and size, the panel front luminance can be effectively improved.

이러한 (B) 광 산란성 물질의 시판품으로, 실리카 등의 무기 산화물 입자로는 니프 실 SS-l0, SS-15, SS-10A, SS-20, SS-30S, SS-30P, SS-30A, SS-40, SS-50, SS-70, SS-72F, SS-115, SS-l70X, E-75, E-150, E-200A, E-220A, K-300(이상, 닛본 실리카 고교(주)사제), 사이리시아 250, 250N, 256, 256N, 310, 320, 350, 358, 430, 431, 440, 450, 470, 435, 445, 436, 446, 456, 530, 540, 550, 730, 740,770(이상, 후지 시리시아 가가꾸(주)사제), 미크로펄(세끼스이 파인 케미컬(주)사제), 토스펄 105, 120, 130, 145, 3120, 240(이상, 도시바 실리콘(주)사제), 아에로질(AEROSIL) 130, 200, 200V, 200CF, 200FAD, 300, 300CF, 380, R972, R974, RX200, RY200, R202, R805, R812, OX50, TT600, MOX170, COK84(이상, 닛본 아에로질(주)사제);Commercially available products of such (B) light scattering materials, and inorganic oxide particles such as silica include Nip seal SS-10, SS-15, SS-10A, SS-20, SS-30S, SS-30P, SS-30A, SS -40, SS-50, SS-70, SS-72F, SS-115, SS-l70X, E-75, E-150, E-200A, E-220A, K-300 (above, Nippon Silica High School (Note) Manufactured), Sirius 250, 250N, 256, 256N, 310, 320, 350, 358, 430, 431, 440, 450, 470, 435, 445, 436, 446, 456, 530, 540, 550, 730, 740,770 (above, product made by Fuji-Sirisia Kagaku Co., Ltd.), micropearl (made by Sekisui Fine Chemical Co., Ltd.), tos perl 105, 120, 130, 145, 3120, 240 (more than Toshiba Silicone Co., Ltd. product) ), AEROSIL 130, 200, 200V, 200CF, 200FAD, 300, 300CF, 380, R972, R974, RX200, RY200, R202, R805, R812, OX50, TT600, MOX170, COK84 (above, Nippon Aerosil Co., Ltd.);

이들 유기 입자의 시판품으로,As a commercial item of these organic particles,

스티렌계 유기 입자로는 PB200H, 200P(이상, 가오(주)사제), 테크 폴리머 SBX 시리즈, SBP 시리즈(이상, 세끼스이 가세이힝 고교(주)사제), SGP 시리즈(소껭 가가꾸(주)사제), STADEX 시리즈, CLINTEX 시리즈(이상, JSR(주)사제), 니폴 시리즈(닛본 제온(주)사제), 닛페 마이크로젤 S-5001, S-5004, P-5001, P-3101(이상, 닛본 페인트(주)사제), SGP-3G(소껭 가가꾸(주)사제), PB 200C, 200D(이상, 가오(주)사제), 미크로펄 시리즈(세끼스이 파인 케미컬(주)사제) 등;As styrene type organic particle | grains, PB200H, 200P (above, Gao Corporation make), the tech polymer SBX series, SBP series (above, Sekisui Kasei Hing Kogyo Co., Ltd. make), SGP series (Soku Kagaku Co., Ltd. make) ), STADEX series, CLINTEX series (above, JSR Corporation make), Nipole series (Nippon Xeon Corporation make), Nippon Microgel S-5001, S-5004, P-5001, P-3101 (more, Nippon Paint Co., Ltd., SGP-3G (made by Sogaku Kagaku Co., Ltd.), PB 200C, 200D (above, Gao Co., Ltd.), Micropearl series (made by Sekisui Fine Chemical Co., Ltd.), etc .;

아크릴계 유기 입자로는 테크 폴리머 MB 시리즈, MBX 시리즈, MBP 시리즈, EMA 시리즈, BMX 시리즈(이상, 세끼스이 가세이힝 고교(주)사제), MR 시리즈, MP 시리즈(소껭 가가꾸(주)사제), 닛페 마이크로젤 S-5002, S-5003, S-5005, S-5 101, S-5102, P-5002, P1101(이상, 닛본 페인트(주)사제), 쥬리마 MB 시리즈(닛본 쥰야꾸(주)사제), 마쯔모또 마이크로 스페어 M 시리즈(마쯔모또 유시 세이야꾸(주)사제), 아코젤 시리즈(미쯔이 사이아나밋(주)사제), 에포스타 MA1001, MA1002, MA1004, MA1006, MA1010, MA1013, 에포칼라 MA 시리즈(이상, 닛본 쇼꾸바(주)사제) 등을 각각 예시할 수 있다.As acrylic organic particle, tech polymer MB series, MBX series, MBP series, EMA series, BMX series (above, Sekisui Kasei Hinggo Kogyo Co., Ltd.), MR series, MP series (made by Sok Kagaku Co., Ltd.), Nippon microgel S-5002, S-5003, S-5005, S-5 101, S-5102, P-5002, P1101 (above, Nippon Paint Co., Ltd.), Jurima MB series (Nippon Junyaku Co., Ltd.) ) Made in Japan), Matsumoto micro spare M series (Matsumoto Yushi Seiyaku Co., Ltd.), Akozel series (Mitsui Saianamit Co., Ltd.), Eposa MA1001, MA1002, MA1004, MA1006, MA1010, MA1013, Epocal MA series (above, Nippon Shokuba Co., Ltd.) etc. can be illustrated, respectively.

운모 등의 광물류로는 천연 운모 및 합성 운모 펄 안료, 아르테미카 SA-100, SB-100, YB-100, BB-100(이상, 닛본 고껭 고교(주)사제) 등을 예로 들 수 있다.Examples of minerals such as mica include natural mica and synthetic mica pearl pigments, Artica SA-100, SB-100, YB-100, and BB-100 (above, manufactured by Nippon Kogyo Kogyo Co., Ltd.).

(B) 광 산란성물의 첨가량은 공중합체 (A) 100 중량부 당, 바람직하게는 1 내지 100 중량부이고, 보다 바람직하게는 3 내지 80 중량부이다. 이 범위에서 투명성과 광 산란성의 밸런스가 우수한 광 산란판을 제공할 수 있다.The addition amount of the (B) light scattering product is preferably 1 to 100 parts by weight, more preferably 3 to 80 parts by weight, per 100 parts by weight of the copolymer (A). The light scattering plate which is excellent in the balance of transparency and light scattering property in this range can be provided.

또한, (B) 광 산란성물질을 공중합체 (A)에 유효하게 분산시키기 위해서 분산제를 병용할 수 있다. 이러한 분산제로는 실란 커플링제, 우레탄계 분산제, 폴리에틸렌이민계 분산제, 폴리옥시에틸렌의 에테르류 및 폴리에틸렌글리콜의 에스테르류를 예로 들 수 있지만, 이 중에서도 실란 커플링제, 우레탄계 분산제가 바람직하게 사용된다.Moreover, a dispersing agent can be used together in order to disperse | distribute (B) light scattering material effectively to a copolymer (A). Examples of such dispersants include silane coupling agents, urethane dispersants, polyethyleneimine dispersants, ethers of polyoxyethylene, and esters of polyethylene glycol. Among these, silane coupling agents and urethane dispersants are preferably used.

상기 실란 커플링제로는 카르복실기, 메타크릴로일기, 이소시아네이트기, 에폭시기와 같은 반응성 치환기를 갖는 실란 커플링제를 예로 들 수 있다. 구체적으로는 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴로옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리스(2-메톡시에톡시)실란, N-(2-아미노에틸)3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-(2-아미노에틸)3-아미노프로필메틸트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, γ-클로로프로필메틸디메톡시실란, γ-클로로프로필트리메톡시실란, γ-메타크릴로옥시프로필트리메톡시실란, γ-머캅토프로필트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란을 예로 들 수 있다.Examples of the silane coupling agent include silane coupling agents having reactive substituents such as carboxyl groups, methacryloyl groups, isocyanate groups, and epoxy groups. Specifically, trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacrylooxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltris (2-methoxyethoxy) silane, N- (2-aminoethyl) 3-amino Propylmethyldimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) 3-aminopropylmethyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyl Methyldimethoxysilane, γ-chloropropylmethyldimethoxysilane, γ-chloropropyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane , γ-isocyanatepropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, and β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane.

우레탄계 분산제로는 방향족 디이소시아네이트류와 한쪽 말단에 수산기가 있는 폴리락톤류 및(또는) 양말단에 수산기가 있는 폴리락톤류와의 반응 생성물이 바람직하고, 특히 톨릴렌디이소시아네이트류와 한쪽 말단에 수산기가 있는 폴리카프로락톤 및(또는) 양말단에 수산기가 있는 폴리카프로락톤과의 반응 생성물이 바람직하다. 이들 우레탄계 분산제의 구체적인 예로는 상품명 EFKA(에프카 케미컬즈 비브이(EFKA)사제), Disperbyk(빅 케미(BYK)사제), 디스파론(구스모또 가세이(주)사제) 등을 들 수 있다.As the urethane-based dispersant, a reaction product of aromatic diisocyanates with polylactones having a hydroxyl group at one end and / or polylactones having a hydroxyl group at the sock end is preferable, and in particular, tolylene diisocyanates and a hydroxyl group at one end are preferable. Preferred are reaction products with polycaprolactone present and / or polycaprolactone having a hydroxyl group at the sock end. Specific examples of these urethane-based dispersants include trade names EFKA (manufactured by Efka Chemicals, Inc.), Disperbyk (manufactured by BYK Corporation), Disparon (manufactured by Kusumoto Kasei Co., Ltd.), and the like.

상기 분산제를 사용하는 경우, 사용량은 (B) 광 산란성 물질 100 중량부에 대하여 바람직하게는 100 중량부 이하, 보다 바람직하게는 0.01 내지 70 중량부이다.When using the said dispersing agent, the usage-amount is 100 weight part or less with respect to 100 weight part of (B) light scattering substances, More preferably, it is 0.01-70 weight part.

이 범위의 양을 사용할 때, (B) 광 산란성 물질을 (A) 성분에 유효하게 분산시키고, 나아가 형성 후 광 산란성 막의 투명성, 내열성, 평탄화성 등의 물성을 손상시키지 않는다.When the amount in this range is used, the (B) light scattering substance is effectively dispersed in the component (A), and furthermore, the physical properties such as transparency, heat resistance, and planarity of the light scattering film after formation are not impaired.

본 발명의 광 산란성 막 형성용 조성물 중에 (C) 다관능 단량체 및 (D) 중합 개시제를 더 함유시킬 수 있다. 이렇게 함으로써, 광 산란성 막 형성 공정에서 라디칼 중합을 이용하는 방법에 적합한 조성물을 제공할 수 있다.(C) polyfunctional monomer and (D) polymerization initiator can be contained in the composition for light-scattering film formation of this invention further. By doing in this way, the composition suitable for the method of using radical polymerization in a light-scattering film formation process can be provided.

이하에서 (C) 성분과 (D) 성분에 대하여 상술한다.(C) component and (D) component are explained in full detail below.

상기 (C) 성분인 다관능성 단량체는 중합 가능한 에틸렌성 불포화 결합이 2개 이상 있고, 후술하는 (D) 중합 개시제에 빛의 조사 및(또는) 가열시 발생하는라디칼종에 의해 중합될 수 있는 단량체로 구성된다.The polyfunctional monomer as the component (C) has two or more polymerizable ethylenically unsaturated bonds and monomers which can be polymerized by radical species generated upon irradiation with light and / or heating to the polymerization initiator (D) described later. It consists of.

이러한 다관능성 단량체로는 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜과 같은 알킬렌글리콜의 디아크릴레이트 또는 디메타크릴레이트류; 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜과 같은 폴리알킬렌글리콜의 디아크릴레이트 또는 디메타크릴레이트류; 글리세린, 트리메틸올프로판, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨과 같은 3가 이상의 다가 알코올의 폴리아크릴레이트 또는 폴리메타크릴레이트류 및 이들의 디카르복실산 변성물; 폴리에스테르, 우레탄 수지, 알키드 수지, 실리콘 수지, 스피란 수지와 같은 올리고아크릴레이트 또는 올리고메타크릴레이트류; 양말단 히드록시폴리-1,3-부타디엔, 양말단 히드록시폴리이소프렌, 양말단 히드록시폴리카프로락톤과 같은 양말단 히드록실화 중합체의 디아크릴레이트 또는 디메타크릴레이트류; 및 트리스아크릴로일옥시에틸포스페이트, 트리스메타크릴로일옥시에틸포스페이트를 예로 들 수 있다.Such polyfunctional monomers include diacrylates or dimethacrylates of alkylene glycols such as ethylene glycol and propylene glycol; Diacrylates or dimethacrylates of polyalkylene glycols such as polyethylene glycol and polypropylene glycol; Polyacrylates or polymethacrylates of trihydric or higher polyhydric alcohols such as glycerin, trimethylolpropane, pentaerythritol, dipentaerythritol, and dicarboxylic acid modified substances thereof; Oligoacrylates or oligomethacrylates such as polyesters, urethane resins, alkyd resins, silicone resins, and spiran resins; Diacrylates or dimethacrylates of sock end hydroxylated polymers such as sock end hydroxypoly-1,3-butadiene, sock end hydroxypolyisoprene, sock end hydroxypolycaprolactone; And trisacryloyloxyethyl phosphate and trismethacryloyloxyethyl phosphate.

이들 다관능성 단량체 중에서 3가 이상의 다가 알코올의 폴리아크릴레이트 또는 폴리메타크릴레이트류가 바람직하고, 구체적으로는 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리메타크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라메타크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타메타크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사메타크릴레이트, 숙신산 변성 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 숙신산 변성 펜타에리트리톨트리메타크릴레이트를 들 수 있다. 특히, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물(비스페놀 A 디펜타에리트리톨)의 폴리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트가 바람직하다.Among these polyfunctional monomers, polyacrylates or polymethacrylates of trihydric or higher polyhydric alcohols are preferable, and trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, pentaerythritol triacrylate, and penta are specifically preferred. Erythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol pentamethacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythrate Lithol hexamethacrylate, succinic acid modified pentaerythritol triacrylate, and succinic acid modified pentaerythritol trimethacrylate. Particularly, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, poly (meth) acrylate, dipentaerythritol pentaacrylate and dipentaeryte of the compound represented by the following general formula (Bisphenol A dipentaerythritol) Ritol hexaacrylate is preferred.

이것의 시판품으로는 알로닉스 M-309, M-400, M-402, M-405, M-450, M-7100, M-8030, M-8060, M-1310, TO-1450, M-1600, M-1960, M-8100, M-8530, M-8560, M-9050, TO-1450(이상, 도아 고세이(주)사제), KAYARAD TMPTA, DPHA, DPCA-20, DPCA-30, DPCA-60, DPCA-120, MAX-3510(이상, 닛본 가야꾸(주)사제), 비스코트 295, 300, 360, GPT, 3PA, 400(이상, 오사까 유끼 가가꾸 고교(주)사제)를 예로 들 수 있다.Commercially available products of these include Alonics M-309, M-400, M-402, M-405, M-450, M-7100, M-8030, M-8060, M-1310, TO-1450, M-1600 , M-1960, M-8100, M-8530, M-8560, M-9050, TO-1450 (above, product made by Toa Kosei Co., Ltd.), KAYARAD TMPTA, DPHA, DPCA-20, DPCA-30, DPCA- 60, DPCA-120, MAX-3510 (above, made by Nippon Kayaku Co., Ltd.), biscot 295, 300, 360, GPT, 3PA, 400 (above, made by Osaka Yuki Kagaku Kogyo Co., Ltd.) as an example Can be.

본 발명에서 (C) 다관능성 단량체는 단독으로, 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.In this invention, (C) polyfunctional monomer can be used individually or in mixture of 2 or more types.

(C) 성분의 사용량은 (A) 성분 100 중량부 당, 바람직하게는 10 내지 200 중량부, 보다 바람직하게는 20 내지 150 중량부이다. 이 범위의 양을 사용할 때, 고내열성, 고평탄화성, 고투과율, 밀착성 및 내약품성이 우수한 광 산란성 막을 제공한다.The usage-amount of (C) component is 100 weight part of components (A), Preferably it is 10-200 weight part, More preferably, it is 20-150 weight part. When using the amounts in this range, a light scattering film excellent in high heat resistance, high leveling property, high transmittance, adhesion and chemical resistance is provided.

상기 (D) 성분은 열 및(또는) 빛에 의해 라디칼이 발생하여, 상기 (C) 성분의 중합을 개시시키는 능력이 있는 화합물이다. 이러한 화합물 중에서 열 라디칼중합 개시제로는 비이미다졸계 화합물, 벤조인계 화합물, 트리아진계 화합물, 아세토페논계 화합물, 벤조페논계 화합물, α-디케톤계 화합물, 다핵 퀴논계 화합물, 크산톤계 화합물 및 아조계 화합물을 예로 들 수 있다. 이들 중에서도 비이미다졸계 화합물, 트리아진계 화합물, 아세토페논계 화합물 및 아조계 화합물이 바람직하다.The said (D) component is a compound which has the ability to generate | occur | produce a radical by heat and / or light, and to start superposition | polymerization of the said (C) component. Among these compounds, thermal radical polymerization initiators include biimidazole compounds, benzoin compounds, triazine compounds, acetophenone compounds, benzophenone compounds, α-diketone compounds, polynuclear quinone compounds, xanthone compounds, and azo compounds. Examples are compounds. Among these, a biimidazole type compound, a triazine type compound, an acetophenone type compound, and an azo type compound are preferable.

상기 비이미다졸 화합물로는As said biimidazole compound

2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-에톡시카르보닐페닐)-1,2' -비이미다졸,2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis (4-ethoxycarbonylphenyl) -1,2'-biimidazole,

2,2'-비스(2-브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-에톡시카르보닐페닐)-1,2' -비이미다졸,2,2'-bis (2-bromophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis (4-ethoxycarbonylphenyl) -1,2'-biimidazole,

2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸,2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole,

2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸,2,2'-bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole,

2,2'-비스(2,4,6-트리클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸,2,2'-bis (2,4,6-trichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole,

2,2'-비스(2-브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸,2,2'-bis (2-bromophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole,

2,2'-비스(2,4-디브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸,2,2'-bis (2,4-dibromophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole,

2,2'-비스(2,4,6-트리브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸을 예로 들 수 있다.2,2'-bis (2,4,6-tribromophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole is mentioned.

이들 비이미다졸계 화합물 중에서 바람직한 화합물은Preferred compounds among these biimidazole compounds

2,2'-비스(2-클로로페닐) -4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸,2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole,

2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸,2,2'-bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole,

2,2'-비스(2,4,6-트리클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸이다.2,2'-bis (2,4,6-trichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole.

특히 바람직한 화합물은Particularly preferred compounds are

2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐 -1,2'-비이미다졸이다.2,2'-bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl -1,2'-biimidazole.

또한, 상기 트리아진계 화합물의 구체적인 예로는In addition, specific examples of the triazine-based compound

2,4,6-트리스(트리클로로메틸)-s-트리아진,2,4,6-tris (trichloromethyl) -s-triazine,

2-메틸-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진,2-methyl-4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine,

2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진,2- [2- (5-methylfuran-2-yl) ethenyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine,

2-[2-(푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진,2- [2- (furan-2-yl) ethenyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine,

2-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진,2- [2- (4-diethylamino-2-methylphenyl) ethenyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine,

2-[2-(3,4-디메톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진,2- [2- (3,4-dimethoxyphenyl) ethenyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine,

2-(4-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진,2- (4-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine,

2-(4-에톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진,2- (4-ethoxystyryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine,

2-(4-n-부톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진과 같은 할로메틸기가 있는 트리아진계 화합물을 들 수 있다.And triazine-based compounds having a halomethyl group such as 2- (4-n-butoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine.

이들 트리아진계 화합물 중에서, 2-[2-(3,4-디메톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진이 바람직하다.Among these triazine compounds, 2- [2- (3,4-dimethoxyphenyl) ethenyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine is preferable.

이들 트리아진계 화합물은 단독으로, 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.These triazine type compounds can be used individually or in mixture of 2 or more types.

상기 아세토페논계 화합물의 구체적인 예로는Specific examples of the acetophenone-based compound

2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온,2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one,

2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로파논-1,2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropanone-1,

2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)부타논-1,2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) butanone-1,

1-히드록시-시클로헥실-페닐-케톤,1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone,

2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온을 들 수 있다.And 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one.

이들 아세토페논계 화합물 중에서, 특히 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)부타논-1이 바람직하다.Among these acetophenone compounds, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) butanone-1 is particularly preferable.

상기 아세토페논계 화합물은 단독으로, 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The acetophenone compounds may be used alone or in combination of two or more thereof.

상기 아조계 화합물의 구체적인 예로는, 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(2-메틸프로피오니트릴), 2,2'-아조비스(2-메틸부티로니트릴), 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-카르보니트릴), 4,4'-아조비스(4-시아노발레린산), 1,1'-아조비스(1-아세톡시-1-페닐에탄)을 들 수 있다.Specific examples of the azo compound include 2,2'-azobis (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2'-azobis (4-dimethylvaleronitrile), 2, 2'-azobis (2-methylpropionitrile), 2,2'-azobis (2-methylbutyronitrile), 1,1'-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile), 4,4 '-Azobis (4-cyanovaleric acid) and 1,1'-azobis (1-acetoxy-1-phenylethane) are mentioned.

이들 아조계 화합물 중에서, 특히 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(2-메틸프로피오니트릴) , 2,2'-아조비스(2-메틸부티로니트릴), 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-카르보니트릴)을 바람직하게 사용할 수 있다.Among these azo compounds, in particular, 2,2'-azobis (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2'-azobis (4-dimethylvaleronitrile), 2,2 ' -Azobis (2-methylpropionitrile), 2,2'-azobis (2-methylbutyronitrile), 1,1'-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile) can be preferably used. .

상기한 열 라디칼 중합 개시제의 사용량은 (C) 다관능성 단량체 100 중량부에 대하여 바람직하게는 0.01 내지 40 중량부, 보다 바람직하게는 0.5 내지 30 중량부, 특히 바람직하게는 1 내지 20 중량부이다.The amount of the thermal radical polymerization initiator mentioned above is preferably 0.01 to 40 parts by weight, more preferably 0.5 to 30 parts by weight, particularly preferably 1 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the (C) polyfunctional monomer.

또한 (D) 성분 중에서 감방사선 라디칼 중합 개시제로는 벤질, 디아세틸과 같은 α-디케톤류; 벤조인과 같은 아실로인류; 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르와 같은 아실로인에테르류; 티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 티오크산톤-4-술폰산, 벤조페논, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논과 같은 벤조페논류; 아세토페논, p-디메틸아미노아세토페논, α,α'-디메톡시아세톡시벤조페논, 2,2'-디메톡시-2-페닐아세토페논, p-메톡시아세토페논, 2-메틸[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로파논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온과 같은 아세토페논류; 안트라퀴논, 1,4-나프토퀴논과 같은 퀴논류; 페나실클로라이드, 트리브로모메틸페닐술폰, 트리스(트리클로로메틸)-s-트리아진과 같은 할로겐 화합물; 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥시드, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸-펜틸포스핀옥시드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥시드와 같은 아실포스핀옥시드; 및 디-t-부틸퍼옥시드와 같은 과산화물을 예로 들 수 있다.Moreover, as a radiation sensitive radical polymerization initiator in (D) component, they are alpha-diketones, such as benzyl and diacetyl; Acyloins such as benzoin; Acyloin ethers such as benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether and benzoin isopropyl ether; Thioxanthone, 2,4-diethyl thioxanthone, thioxanthone-4-sulfonic acid, benzophenone, 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone, 4,4'-bis (diethylamino) benzo Benzophenones such as phenone; Acetophenone, p-dimethylaminoacetophenone, α, α'-dimethoxyacetoxybenzophenone, 2,2'-dimethoxy-2-phenylacetophenone, p-methoxyacetophenone, 2-methyl [4- ( Acetophenones such as methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone and 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one; Quinones such as anthraquinone and 1,4-naphthoquinone; Halogen compounds such as phenacylchloride, tribromomethylphenylsulfone, tris (trichloromethyl) -s-triazine; 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphineoxide, bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethyl-pentylphosphineoxide, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenyl Acylphosphine oxides such as phosphine oxide; And peroxides such as di-t-butylperoxide.

이들 감방사선 라디칼 중합 개시제의 시판품으로는 IRGACURE-184, 369, 500, 651, 907, 1700, 819, 124, 1000, 2959, 149, 1800, 1850, Darocur-1173, 1116, 2959, 1664, 4043(이상, 찌바·스페셜티·케미컬즈사제), KAYACURE-DETX, MBP, DMBI, EPA, OA(이상, 닛본 가야꾸(주)사제), LUCIRIN TPO(BASF Co. LTD사제), VICURE-10, 55(이상, STAUFFER Co. LTD사제), TRIGONALP1(AKZO Co. LTD사제),SANDORAY 1000(SANDOZ Co. LTD사제), DEAP (APJOHN Co. LTD사제), QUANTACURE-PDO, ITX, EPD(이상, WARD BLEKINSOP Co. LTD 사제)를 예로 들 수 있다.Commercially available products of these radiation-sensitive radical polymerization initiators include IRGACURE-184, 369, 500, 651, 907, 1700, 819, 124, 1000, 2959, 149, 1800, 1850, Darocur-1173, 1116, 2959, 1664, 4043 ( Above, product made in Chiba specialty chemicals company), KAYACURE-DETX, MBP, DMBI, EPA, OA (above, product made by Nippon Kayaku Co., Ltd.), LUCIRIN TPO (product made by BASF Co. LTD), VICURE-10, 55 ( More than, STAUFFER Co. LTD), TRIGONALP1 (manufactured by AKZO Co. LTD), SANDORAY 1000 (manufactured by SANDOZ Co. LTD), DEAP (manufactured by APJOHN Co. LTD), QUANTACURE-PDO, ITX, EPD (above, WARD BLEKINSOP Co LTD.

또한, 이들 감방사선 라디칼 중합 개시제와 감방사선 증감제를 병용함으로써 산소에 의한 불활성화가 적은 고감도의 감방사선성 수지 조성물을 얻는 것도 가능하다.Moreover, it is also possible to obtain the highly sensitive radiation sensitive resin composition with little inactivation by oxygen by using these radiation sensitive radical polymerization initiators and a radiation sensitive sensitizer together.

감방사선성 라디칼 중합 개시제의 사용량은 (C) 다관능성 단량체 100 중량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 내지 60 중량부, 보다 바람직하게는 0.5 내지 50 중량부, 더욱 바람직하게는 1 내지 40 중량부이다.The use amount of the radiation sensitive radical polymerization initiator is preferably 0.01 to 60 parts by weight, more preferably 0.5 to 50 parts by weight, still more preferably 1 to 40 parts by weight based on 100 parts by weight of the (C) polyfunctional monomer. .

본 발명의 (A) 성분 및 (B) 성분으로 이루어지는 경화성 조성물은, (E) 에폭시 화합물 및 (F) 산 발생제를 더 함유할 수 있다. 이렇게 함으로써, 광 산란성 막 형성 공정에서, 에폭시 화합물의 산에 의한 경화 반응을 이용하기에 적합한 조성물을 제공할 수 있다.The curable composition consisting of the component (A) and the component (B) of the present invention may further contain an epoxy compound (E) and an acid generator (F). By doing in this way, the composition suitable for using the hardening reaction by the acid of an epoxy compound in a light-scattering film formation process can be provided.

이하에 (E) 성분 및 (F) 성분에 대하여 상술한다.(E) component and (F) component are explained in full detail below.

(E) 에폭시 화합물은 후술하는 (F) 산 발생제에서 발생하는 산에 의해 중합 또는 가교 반응을 일으키고 조성물 도포막의 경화 반응을 일으키는 작용을 하는 성분이다.The epoxy compound (E) is a component which causes a polymerization or crosslinking reaction with an acid generated by the acid generator (F) described later to cause a curing reaction of the composition coating film.

상기 (E) 에폭시 화합물로는As said (E) epoxy compound

비스페놀 A계 에폭시 수지, 수소화비스페놀 A계 에폭시 수지, 비스페놀 F계 에폭시 수지,수소화비스페놀 F계 에폭시 수지, 비스페놀 S계 에폭시 수지, 수소화비스페놀 S계 에폭시 수지, 비스페놀 AD계 에폭시 수지, 수소화비스페놀 AD계 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 환식 지방족계 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 글리시딜에스테르계 수지, 글리시딜아민계 수지, 에폭시화유, 에폭시노볼락 수지와 같은 에폭시 수지 및 그의 브롬화물;Bisphenol A type epoxy resin, Hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, Bisphenol F type epoxy resin, Hydrogenated bisphenol F type epoxy resin, Bisphenol S type epoxy resin, Hydrogenated bisphenol S type epoxy resin, Bisphenol AD type epoxy resin, Hydrogenated bisphenol AD type epoxy Epoxy resins such as resins, novolac type epoxy resins, cyclic aliphatic epoxy resins, heterocyclic epoxy resins, glycidyl ester resins, glycidylamine resins, epoxidized oils, epoxy novolac resins and bromide thereof;

비스페놀 A 디글리시딜에테르, 비스페놀 F 디글리시딜에테르, 비스페놀 S 디글리시딜에테르, 비스페놀 AD 디글리시딜에테르, 수소화비스페놀 A 디글리시딜에테르, 수소화비스페놀 F 디글리시딜에테르, 수소화비스페놀 S 디글리시딜에테르, 수소화비스페놀 AD 디글리시딜에테르, 브롬화비스페놀 A 디글리시딜에테르, 브롬화비스페놀 F 디글리시딜에테르, 브롬화비스페놀 S 디글리시딜에테르, 브롬화비스페놀 AD 디글리시딜에테르와 같은 방향족계 에폭시 화합물을 예로 들 수 있다.Bisphenol A diglycidyl ether, Bisphenol F diglycidyl ether, Bisphenol S diglycidyl ether, Bisphenol AD diglycidyl ether, Hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether, Hydrogenated bisphenol F diglycidyl ether, Hydrogenated bisphenol S diglycidyl ether, Hydrogenated bisphenol AD diglycidyl ether, Brominated bisphenol A diglycidyl ether, Brominated bisphenol F diglycidyl ether, Brominated bisphenol S diglycidyl ether, Brominated bisphenol AD diglycidyl ether Aromatic epoxy compounds, such as cyl ether, are mentioned.

이들 에폭시 화합물 중에서, 경화 후의 광 산란성 막의 경도가 높고, 다른 막 물성에 대한 악영향이 적다는 점에서 에폭시 수지가 바람직하고, 특히 비스페놀 A계 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 환식 지방족계 에폭시 수지와 같은 에폭시기를 2 내지 100개 갖는 에폭시 수지가 바람직하게 사용된다.Among these epoxy compounds, epoxy resins are preferred in terms of high hardness of the light-scattering film after curing and less adverse effects on other film properties, particularly bisphenol A-based epoxy resins, novolac-type epoxy resins, and cyclic aliphatic epoxy resins. Epoxy resins having 2 to 100 of the same epoxy group are preferably used.

이들 에폭시 수지의 시판품으로, 비스페놀 A형 에폭시 수지로는 에피코트 828, 834, 1001, 1002, 1003, 1004, 1007, 1009, 1010, 157SS65(이상, 유까 쉘 에폭시(주)사제); 비스페놀 F형 에폭시 수지로는 에피코트 806, 806L, 807(이상, 유까 쉘 에폭시(주)사제); 노볼락형 에폭시 수지로는 에피코트 152, 154(이상, 유까 쉘 에폭시(주)사제), EPPN201, 202(이상, 닛본 가야꾸(주)사제), EOCN-102, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1020, EOCN-1025, EOCN-1027(이상, 닛본 가야꾸(주)사제), 에피코트 180S75(유까 쉘 에폭시(주)사제); 다관능 에폭시 수지로는 에피코트1032H60(유까 쉘 에폭시(주)사제); 환식 지방족 에폭시 수지로는 CY175, CY177, CY179(이상, CIBA-GEIGY A.G사제), ERL-4234, ERL-4299, ERL-4221, ERL-4206(이상, U.C.C사제), 쇼다인 509(쇼와 덴꼬(주)사제), 아랄다이트 CY-182, CY-192, CY-184(이상, CIBA-GEIGY A.G사제), 에피크론 200, 400(이상, 다이닛본 잉크 고교(주)사제), 에피코트 871, 872(이상, 유까 쉘 에폭시(주)사제), ED-5661, ED-5662(이상, 셀라니즈 코팅(주)사제) 등을 예로 들 수 있다.As a commercial item of these epoxy resins, As bisphenol-A epoxy resin, Epicoat 828, 834, 1001, 1002, 1003, 1004, 1007, 1009, 1010, 157SS65 (above, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.); As bisphenol F-type epoxy resin, Epicoat 806, 806L, 807 (above, Yuka Shell Epoxy Co., Ltd. product); As a novolak-type epoxy resin, Epicoat 152, 154 (more, product made by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.), EPPN201, 202 (more, product made by Nippon Kayaku Co., Ltd.), EOCN-102, EOCN-103S, EOCN-104S , EOCN-1020, EOCN-1025, EOCN-1027 (above, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), Epicoat 180S75 (manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.); As a polyfunctional epoxy resin, Epicoat 1032H60 (made by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.); As cyclic aliphatic epoxy resin, CY175, CY177, CY179 (more than CIBA-GEIGY AG company made), ERL-4234, ERL-4299, ERL-4221, ERL-4206 (more than UCC company make), Shodine 509 (Showa Denko) Co., Ltd.), Araldite CY-182, CY-192, CY-184 (more than, made by CIBA-GEIGY AG company), epicron 200, 400 (more, product made by Dainippon Ink Industries, Ltd.), Epicoat 871, 872 (above, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.), ED-5661, ED-5662 (above, manufactured by Celanese Co., Ltd.), and the like.

(E) 성분의 첨가량은 (A) 성분 100 중량부 당, 바람직하게는 1 내지 250 중량부이고, 보다 바람직하게는 3 내지 200 중량부이다. 이 범위의 양을 사용할 때, 평탄화성, 밀착성, 도포성 및 내열성이 우수한 광 산란성 막 형성용 조성물을 제공한다.The addition amount of the component (E) is preferably 1 to 250 parts by weight, more preferably 3 to 200 parts by weight, per 100 parts by weight of the component (A). When using the quantity in this range, the composition for light-scattering film formation excellent in planarization, adhesiveness, applicability | paintability, and heat resistance is provided.

상기 (F) 성분은 빛 또는 열에 의해 산을 발생시키는 광 산발생제 또는 열 산발생제로, 상기 (E) 성분의 경화 반응을 행하는 화합물이다. 광 산발생제로는 디아릴요오드늄염류, 트리아릴술포늄염 등을 들 수 있고, 이들을 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 열 산발생제로는 술포늄염(상술한 트리아릴술포늄염을 제외함), 벤조티아조늄염, 암모늄염, 포스포늄염을 들 수 있다. 이들 중에서 술포늄염(상술한 트리아릴술포늄염은 제외함), 벤조티아조늄염류가 바람직하게 사용된다.The said (F) component is a photo acid generator or a thermal acid generator which generate | occur | produces an acid by light or heat, and is a compound which performs hardening reaction of the said (E) component. Examples of the photoacid generator include diaryl iodonium salts and triarylsulfonium salts, and these can be preferably used. Examples of the thermal acid generator include sulfonium salts (except the triarylsulfonium salts mentioned above), benzothiazonium salts, ammonium salts, and phosphonium salts. Of these, sulfonium salts (excluding the triarylsulfonium salts mentioned above) and benzothiazonium salts are preferably used.

상기 디아릴요오드늄염류로는 디페닐요오드늄테트라플루오로보레이트, 디페닐요오드늄헥사플루오로포스포네이트, 디페닐요오드늄헥사플루오로아르세네이트, 디페닐요오드늄트리플루오로메탄술포네이트, 디페닐요오드늄트리플루오로아세테이트, 디페닐요오드늄-p-톨루엔술포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오드늄테트라플루오로보레이트, 4-메톡시페닐페닐요오드늄헥사플루오로포스포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오드늄헥사플루오로아르세네이트, 4-메톡시페닐페닐요오드늄트리플루오로메탄술포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오드늄트리플루오로아세테이트, 4-메톡시페닐페닐요오드늄-p-톨루엔술포네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오드늄데트라플루오로보레이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오드늄헥사플루오로아르세네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오드늄트리플루오로메탄술포네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오드늄트리플루오로아세테이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오드늄-p-톨루엔술포네이트를 예로 들 수 있다. 이들 중에서 디페닐요오드늄헥사플루오로포스포네이트가 바람직하게 사용된다.Examples of the diaryl iodonium salts include diphenyl iodonium tetrafluoroborate, diphenyl iodonium hexafluorophosphonate, diphenyl iodonium hexafluoro arsenate, diphenyl iodonium trifluoromethanesulfonate, Diphenyl iodonium trifluoroacetate, diphenyl iodonium-p-toluenesulfonate, 4-methoxyphenylphenyl iodonium tetrafluoroborate, 4-methoxyphenylphenyl iodonium hexafluorophosphonate, 4- Methoxyphenylphenyl iodonium hexafluoroarsenate, 4-methoxyphenylphenyl iodonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenylphenyl iodonium trifluoroacetate, 4-methoxyphenylphenyl iodonium p-toluenesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodiumdetrafluoroborate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium hexafluoroarsenate, bis (4-t-butylphenyl) iodine Num triple Oro may be mentioned methane sulfonate, bis (4-t- butylphenyl) iodonium trifluoroacetate, bis (4-t- butylphenyl) iodonium -p- toluenesulfonate as an example. Of these, diphenyl iodonium hexafluorophosphonate is preferably used.

상기 트리아릴술포늄염류로는 트리페닐술포늄테트라플루오로보레이트, 트리페닐술포늄헥사플루오로포스포네이트, 트리페닐술포늄헥사플루오로아르세네이트, 트리페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 트리페닐술포늄트리플루오로아세테이트, 트리페닐술포늄-p-톨루엔술포네이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄테트라플루오로보레이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄헥사플루오로포스포네이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄헥사플루오로아르세네이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄트리플루오로아세테이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄-p-톨루엔술포네이트, 4-페닐티오페닐디페닐테트라플루오로보레이트, 4-페닐티오페닐디페닐헥사플루오로포스포네이트, 4-페닐티오페닐디페닐헥사플루오로아르세네이트, 4-페닐티오페닐디페닐트리플루오로메탄술포네이트, 4-페닐티오페닐디페닐트리플루오로아세테이트, 4-페닐티오페닐디페닐-p-톨루엔술포네이트를 예로 들수 있다. 이들 중에서 트리페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트가 바람직하게 사용된다.Examples of the triarylsulfonium salts include triphenylsulfonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium hexafluorophosphonate, triphenylsulfonium hexafluoroarsenate, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, Triphenylsulfonium trifluoroacetate, triphenylsulfonium-p-toluenesulfonate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfoniumtetrafluoroborate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium hexafluorophosphonate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium hexafluoroarsenate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoroacetate, 4-methoxy Phenyldiphenylsulfonium-p-toluenesulfonate, 4-phenylthiophenyldiphenyltetrafluoroborate, 4-phenylthiophenyldiphenylhexafluorophosphonate, 4-phenylthiophenyldiphenylhexafluoroarsene Bit, 4-thiophenyl-diphenyl-tree may deulsu the methanesulfonate, 4-thiophenyl-diphenyl-trifluoroacetate, 4-thiophenyl-diphenyl -p- toluenesulfonate example fluoro. Among them, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate is preferably used.

상기 술포늄염(상기한 트리아릴술포늄염은 제외함)의 구체적인 예로는 4-아세토페닐디메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 4-아세톡시페닐디메틸술포늄 헥사플루오로아르세네이트, 디메틸-4-(벤질옥시카르보닐옥시)페닐술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 디메틸-4-(벤조일옥시)페닐술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 디메틸-4-(벤조일옥시)페닐술포늄 헥사플루오로아르세네이트, 디메틸-3-클로로-4-아세톡시페닐술포늄 헥사플루오로안티모네이트와 같은 알킬술포늄염;Specific examples of the sulfonium salt (excluding the above-described triarylsulfonium salt) include 4-acetophenyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroarsenate, and dimethyl-4. -(Benzyloxycarbonyloxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- (benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- (benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoro Alkylsulfonium salts such as arsenate, dimethyl-3-chloro-4-acetoxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate;

벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로포스페이트, 4-아세톡시페닐벤질메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 벤질-4-메톡시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 벤질-2-메틸-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 벤질-3-클로로-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로아르세네이트, 4-메톡시벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로포스페이트와 같은 벤질술포늄염;Benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl- 4-methoxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-2-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylmethylsulfonium Benzylsulfonium salts such as hexafluoroarsenate, 4-methoxybenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate;

디벤질-4-히드록시페닐술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 디벤질-4-히드록시페닐술포늄 헥사플루오로포스페이트, 4-아세톡시페닐디벤질술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 디벤질-4-메톡시페닐술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 디벤질-3-클로로-4-히드록시페닐술포늄 헥사플루오로아르세네이트, 디벤질-3-메틸-4-히드록시-5-t-부틸페닐술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 벤질-4-메톡시벤질-4-히드록시페닐술포늄 헥사플루오로포스페이트와 같은 디벤질술포늄염;Dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenyldibenzylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl 4-methoxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroarsenate, dibenzyl-3-methyl-4-hydroxy-5- dibenzylsulfonium salts such as t-butylphenylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-methoxybenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate;

p-클로로벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, p-니트로벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, p-클로로벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로포스페이트, p-니트로벤질-3-메틸-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 3,5-디클로로벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, o-클로로벤질-3-클로로-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트와 같은 치환 벤질술포늄염을 들 수 있다.p-chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, p-nitrobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, p-chlorobenzyl-4-hydroxyphenyl Methylsulfonium hexafluorophosphate, p-nitrobenzyl-3-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, 3,5-dichlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoro And substituted benzylsulfonium salts such as antimonate and o-chlorobenzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate.

이들 중에서 4-아세톡시페닐디메틸술포늄 헥사플루오로아르세네이트, 벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 4-아세톡시페닐벤질메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 디벤질-4-히드록시페닐술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 4-아세톡시페닐벤질술포늄 헥사플루오로안티모네이트가 바람직하게 사용된다.Among them, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroarsenate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, Dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate and 4-acetoxyphenylbenzylsulfonium hexafluoroantimonate are preferably used.

상기 벤조티아조늄염류로는 3-벤질벤조티아조늄 헥사플루오로안티모네이트, 3-벤질벤조티아조늄 헥사플루오로포스페이트, 3-벤질벤조티아조늄 테트라플루오로보레이트, 3-(p-메톡시벤질)벤조티아조늄 헥사플루오로안티모네이트, 3-벤질-2-메틸티오벤조티아조늄 헥사플루오로안티모네이트, 3-벤질-5-클로로벤조티아조늄 헥사플루오로안티모네이트 등의 벤질벤조티아조늄염을 예로 들 수 있다.Examples of the benzothiazonium salts include 3-benzylbenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzylbenzothiazonium hexafluorophosphate, 3-benzylbenzothiazonium tetrafluoroborate, and 3- (p-methoxybenzyl ) Benzylbenzothianes such as benzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-2-methylthiobenzothiazonium hexafluoroantimonate and 3-benzyl-5-chlorobenzothiazonium hexafluoroantimonate Zonium salt is mentioned as an example.

이들 중에서 3-벤질벤조티아조늄 헥사플루오로안티모네이트가 바람직하게 사용된다.Of these, 3-benzylbenzothiazonium hexafluoroantimonate is preferably used.

이들 (F) 성분의 사용량은 (E) 에폭시 화합물 100 중량부 당, 바람직하게는 1 내지 40 중량부, 보다 바람직하게는 5 내지 30 중량부이다. 이 범위의 사용에서양호한 경화 특성을 얻을 수 있으며, 경화 후의 광 산란성 막의 여러 물성을 손상시키지 않는다.The usage-amount of these (F) components is preferably 1-40 weight part, More preferably, it is 5-30 weight part per 100 weight part of (E) epoxy compounds. In this range of use, good curing properties can be obtained and the various properties of the light scattering film after curing are not impaired.

그 밖의 첨가제OTHER ADDITIVES

본 발명의 광 산란성 막 형성용 조성물에는 필요에 따라 상기한 것 이외의 첨가제를 함유시킬 수 있다.The light scattering film formation composition of this invention can be made to contain additives other than the above as needed.

예를 들면, 조성물의 도포성 등을 개선하기 위하여 계면 활성제를 배합할 수있다. 계면 활성제로는 불소계 계면 활성제 및 실리콘계 계면 활성제 등을 바람직하게 사용할 수 있다.For example, in order to improve the applicability | paintability of a composition, surfactant can be mix | blended. As surfactant, a fluorochemical surfactant, silicone type surfactant, etc. can be used preferably.

불소계 계면 활성제로는 1개 이상의 플루오로알킬 또는 플루오로알킬렌기가 있는 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다. 그 구체적인 예로는, 1,2,2,2-테트라플루오로옥틸(1,1,2,2-테트라플루오로프로필)에테르, 1,2,2,2-테트라플루오로헥실에테르, 옥타에틸렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로부틸)에테르, 헥사에틸렌글리콜디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로펜틸)에테르, 옥타프로필렌글리콜디(1,1,2.2-테트라플루오로부틸)에테르, 헥사프로필렌글리콜디(1,1,2,2,3.3-헥사플루오로펜틸)에테르, 퍼플루오로도데실술폰산 나트륨, 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-데카플루오로도데칸, 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로데칸을 들 수 있다.As the fluorine-based surfactant, a compound having at least one fluoroalkyl or fluoroalkylene group can be preferably used. Specific examples thereof include 1,2,2,2-tetrafluorooctyl (1,1,2,2-tetrafluoropropyl) ether, 1,2,2,2-tetrafluorohexyl ether and octaethylene glycol Di (1,1,2,2-tetrafluorobutyl) ether, hexaethylene glycoldi (1,1,2,2,3,3-hexafluoropentyl) ether, octapropylene glycoldi (1,1, 2.2-tetrafluorobutyl) ether, hexapropylene glycol di (1,1,2,2,3.3-hexafluoropentyl) ether, sodium perfluorododecylsulfonate, 1,1,2,2,8,8 , 9,9,10,10-decafluorododecane and 1,1,2,2,3,3-hexafluorodecane.

그 외에 플루오로알킬벤젠술폰산 나트륨류, 플루오로알킬옥시에틸렌에테르류, 디글리세린테트라키스플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르류, 퍼플루오로알킬폴리옥시에탄올류, 퍼플루오로알킬알콕시레이트류, 불소계 알킬에스테르류도 바람직하게 사용할 수 있다.In addition, sodium fluoroalkylbenzenesulfonic acid, fluoroalkyloxyethylene ethers, diglycerin tetrakis fluoroalkyl polyoxyethylene ethers, perfluoroalkyl polyoxyethanols, perfluoroalkylalkoxylates, fluorine alkyls Ester can also be used preferably.

이들 불소계 계면 활성제의 시판품으로는 BM-1000, BM-1100(이상, BM Chemie사제), 에프 톱 EF30l, 303, 352(이상, 신아끼다 가세이(주)사제), 메가팩 Fl42D, F171, 172, 173, F183, F178, F191, F471(이상, 다이닛본 잉크(주)사제), 플로우라이드 FC430, 431, 170C, FC171, FC430, FC431(이상, 스미또모 스리엠(주)사제), 아사히 가드 AG710, 서프론 S-382, SC-101, 102, 103, 104, 105, 106(이상, 아사히 글래스(주)사제)를 들 수 있다.Commercially available products of these fluorine-based surfactants include BM-1000, BM-1100 (above, manufactured by BM Chemie), F-Top EF30l, 303, 352 (above, manufactured by Shinsei Kasei Co., Ltd.), Megapack Fl42D, F171, 172, 173, F183, F178, F191, F471 (above, Dai Nippon Ink Co., Ltd.), Flowride FC430, 431, 170C, FC171, FC430, FC431 (above, Sumitomo 3M Co., Ltd.), Asahi Guard AG710 And Supron S-382, SC-101, 102, 103, 104, 105, 106 (above, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.).

또한 실리콘계 계면 활성제로는 오르가노실록산 중합체 KP341(신에쯔 가가꾸 고교(주)사제), 아크릴산계 또는 메타크릴산계 (공)중합체 폴리플로우 No.57, 95(이상, 교에이샤 가가꾸(주)사제), DC3PA, DC7PA, SH11PA, SH21PA, SH28PA, SH29PA, SH30PA, FS-1265-300(이상, 도레이 다우코닝 실리콘(주)사제), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4452(이상, 도시바 실리콘(주)사제)의 시판품을 예로 들 수 있다.As the silicone surfactant, organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), acrylic acid or methacrylic acid (co) polymer polyflow Nos. 57, 95 (above, Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) Corporation), DC3PA, DC7PA, SH11PA, SH21PA, SH28PA, SH29PA, SH30PA, FS-1265-300 (above, manufactured by Toray Dow Corning Silicon Co., Ltd.), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF Commercially available products of -4446, TSF-4460, and TSF-4452 (above, Toshiba Silicone Co., Ltd.) are mentioned.

또한, 상기한 불소계 계면 활성제 및 실리콘계 계면 활성제 외에, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르 등의 폴리옥시에틸렌아릴에테르류, 폴리에틸렌글리콜디라우레이트, 폴리에틸렌글리콜디스테아레이트 등의 폴리에틸렌글리콜디알킬에스테르류도 바람직하게 사용할 수 있다.In addition to the above-described fluorine-based surfactants and silicone-based surfactants, polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octyl phenyl ether, poly Polyethylene ethylene ether, such as oxyethylene nonyl phenyl ether, polyethylene glycol dialkyl ester, such as polyethyleneglycol dilaurate and polyethyleneglycol distearate, can also be used preferably.

이들 계면 활성제는 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.These surfactant can be used individually or in combination of 2 or more types.

이들 계면 활성제의 사용 비율은, 그 종류나 경화제 조성물을 구성하는 각성분의 종류 및 비율에 따라 다르지만, 바람직하게는 성분 (A) 100 중량부에 대하여 0 내지 10 중량부, 보다 바람직하게는 0.0001 내지 5 중량부의 범위이다.Although the use ratio of these surfactant changes with the kind and ratio of each component which comprises the kind and hardening | curing agent composition, Preferably it is 0-10 weight part with respect to 100 weight part of component (A), More preferably, it is 0.0001- It is the range of 5 weight part.

또한 본 발명의 조성물에 기판 또는 하층과의 밀착성을 개량하기 위한 접착 조제를 배합할 수 있다. 본 발명의 조성물에, 필요에 따라 보존 안정제, 소포제 등도 배합할 수 있다.Moreover, the adhesion | attachment adjuvant for improving adhesiveness with a board | substrate or an underlayer can be mix | blended with the composition of this invention. A storage stabilizer, an antifoamer, etc. can also be mix | blended with the composition of this invention as needed.

용제solvent

본 발명의 광 산란성 막용 경화성 조성물은, 고형분 농도가 바람직하게는 10 내지 60 중량%가 되도록 용매에 균일하게 분산시킨 상태로 제조한다.The curable composition for light scattering films of this invention is manufactured in the state disperse | distributed uniformly to the solvent so that solid content concentration may become 10 to 60 weight% preferably.

이 때 사용하는 용제로는 디아세톤알코올, 프로필렌글리콜과 같은 알코올류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르와 같은 글리콜에테르류; 메틸셀로소르브아세테이트, 에틸셀로소르브아세테이트와 같은 에틸렌 글리콜알킬에테르아세테이트류; 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르와 같은 디에틸렌글리콜알킬에테르류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트와 같은 프로필렌글리콜알킬에테르아세테이트류; 톨루엔, 크실렌과 같은 방향족 탄화수소류; 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 2-헵타논, 메틸이소부틸케톤과 같은 케톤류, 2-히드록시프로피온산 메틸, 2-히드록시프로피온산 에틸, 2-히드록시 -2-메틸프로피온산 에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산 에틸, 에톡시아세트산 에틸, 옥시아세트산 에틸, 2-히드록시-3-메틸부탄산 메틸, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 3-메틸-3-메톡시부틸부틸레이트, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 젖산 메틸, 젖산 에틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-메톡시프로피온산 부틸과 같은 에스테르류 등을 사용할 수 있다. 이들 용제는 단독으로, 또는 혼합하여 사용할 수 있다.As a solvent used at this time, Alcohol, such as diacetone alcohol and propylene glycol; Glycol ethers such as ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether; Ethylene glycol alkyl ether acetates such as methyl cellosorb acetate and ethyl cellosorb acetate; Diethylene glycol alkyl ethers such as diethylene glycol monomethyl ether and diethylene glycol monoethyl ether; Propylene glycol alkyl ether acetates such as propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate and propylene glycol monopropyl ether acetate; Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; Ketones such as methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone, methyl isobutyl ketone, methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, 2-hydroxy Ethyl-2-methylpropionate, ethyl ethoxyacetate, ethyl oxyacetate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutylpropio Esters such as nate, 3-methyl-3-methoxybutylbutyrate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, and butyl 3-methoxypropionate Etc. can be used. These solvents can be used individually or in mixture.

또한, 필요에 따라 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 아세토닐아세톤, 이소포론, 카프론산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 벤질알코올, 아세트산 벤질, 벤조산 에틸, 옥살산 디에틸, 말레산 디에틸, γ-부티로락톤, 탄산 에틸렌, 탄산 프로필렌, 페닐셀로소르브아세테이트, 카르비톨아세테이트와 같은 비점이 높은 용제를 첨가할 수도 있다.If necessary, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, acetonyl acetone, isophorone, capronic acid, caprylic acid, 1- Such as octanol, 1-nonanol, benzyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, γ-butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, phenylcellosorbate acetate, carbitol acetate A high boiling point solvent can also be added.

광 산란성 막의 형성 방법Formation method of light scattering film

이어서, 상기 제1 발명의 광 산란성 막 형성용 조성물을 사용하여 제2 발명의 광 산란성 막을 형성하는 방법에 대하여 서술한다.Next, the method of forming the light-scattering film of 2nd invention using the composition for light-scattering film formation of said 1st invention is demonstrated.

제2 발명의 광 산란성 막은 기판상에 형성된 평탄화막상에 제2막으로 형성시키거나, 평탄화막 형성용 조성물에 제1 발명의 광 산란성 막 형성용 조성물을 사용하여 평탄화막에 광산란 기능을 구비시킬 수도 있다.The light scattering film of the second invention may be formed as a second film on the planarizing film formed on the substrate, or the light scattering function may be provided to the planarizing film by using the light scattering film-forming composition of the first invention in the planarizing film forming composition. have.

제2 발명의 광 산란성 막을 형성시키기 위해서는, 우선 제1 발명의 광 산란성 막 형성용 조성물을 기판 표면에 도포하고, 예비 소성을 행함으로써 용제를 제거하고 경화성 조성물의 도포막을 형성시킨다.In order to form the light-scattering film of 2nd invention, the composition for light-scattering film formation of 1st invention is first apply | coated to a board | substrate surface, and preliminary baking removes a solvent and forms the coating film of a curable composition.

이 때, (C) 성분 및 (D) 성분을 함유하는 광 산란성 막 형성용 조성물을 사용하는 경우, 또는 (F) 성분으로서 광 산발생제를 함유하는 광 산란성 막 형성용조성물을 사용하는 경우에는, 그 후 광을 더욱 조사함으로써 도포막 표면을 경화시킨 후, 본 소성을 행하여 제2 발명의 광 산란성 막을 형성시킬 수 있다.At this time, in the case of using the light scattering film-forming composition containing the component (C) and the component (D), or in the case of using the light scattering film-forming composition containing the photoacid generator as the component (F), After hardening a coating film surface by irradiating light further after that, main baking can be performed and the light-scattering film of 2nd invention can be formed.

또한, (F) 성분으로서 열 산발생제를 함유하는 광 산란성 막 형성용 조성물을 사용하는 경우에는, 그 후의 광 조사 공정을 행하지 않고, 본 소성을 행함으로써 제2 발명의 광 산란성 막으로 할 수 있다.In addition, when using the composition for light-scattering film formation containing a thermal acid generator as (F) component, it can be set as the light-scattering film of 2nd invention by performing this baking, without performing a subsequent light irradiation process. have.

또한, (C) 성분, 및 (D) 성분으로서 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 조성물을 사용하여 얼라이먼트 마크 등의 불필요한 부분을 제거하기 위해서는, 상기와 같이 예비 소성을 행한 후 정해진 패턴의 마스크를 통하여 방사선을 조사하고, 이어서 현상액으로 현상하여 얼라이먼트 마크부 등의 불필요한 부분을 제거한다.In addition, in order to remove unnecessary parts, such as an alignment mark, using the composition containing (C) component and the radical photopolymerization initiator as (D) component, radiation is carried out through the mask of a predetermined pattern after performing preliminary baking as mentioned above. Is irradiated and then developed with a developer to remove unnecessary portions such as alignment mark portions.

현상액으로는 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산 나트륨, 규산 나트륨, 메타규산 나트륨, 암모니아수와 같은 무기 알칼리류; 에틸아민, n-프로필아민과 같은 제1급 아민류; 디에틸아민, 디-n-프로필아민과 같은 제2급 아민류; 트리에틸아민, 메틸디에틸아민, N-메틸피롤리돈과 같은 제3급 아민류; 디메틸에탄올아민, 트리에탄올아민과 같은 알코올아민류; 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 코린과 같은 제4급 암모늄염; 피롤, 피페리딘, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-7-운데센, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노난과 같은 환상 아민류인 알칼리류로 이루어지는 알칼리 수용액 등을 사용할 수 있다.Examples of the developer include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate and aqueous ammonia; Primary amines such as ethylamine and n-propylamine; Secondary amines such as diethylamine and di-n-propylamine; Tertiary amines such as triethylamine, methyldiethylamine and N-methylpyrrolidone; Alcohol amines such as dimethylethanolamine and triethanolamine; Quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, choline; Alkali which consists of alkalis which are cyclic amines, such as a pyrrole, a piperidine, 1,8- diazabicyclo [5.4.0] -7-undecene, and a 1, 5- diazabicyclo [4.3.0] -5-nonane An aqueous solution etc. can be used.

또한, 상기 알칼리 수용액에 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용매, 계면 활성제 등을 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로 사용할 수도 있다.Moreover, the aqueous solution which added an appropriate amount of water-soluble organic solvents, such as methanol and ethanol, surfactant, etc. to the said alkali aqueous solution can also be used as a developing solution.

현상 시간은 바람직하게는 30 내지 180초이다. 또한, 현상 방법은 액침법,디핑법 등 어느 것이나 좋다. 현상 후, 유수 세정을 30 내지 90초간 행하고, 압축 공기 및 압축 질소로 건조시켜 기판상의 수분을 제거하면 패턴상 피막이 형성된다.The developing time is preferably 30 to 180 seconds. The developing method may be any of the liquid immersion method and the dipping method. After the development, washing with running water for 30 to 90 seconds, drying with compressed air and compressed nitrogen to remove moisture on the substrate, forms a patterned film.

그 후, 본 소성을 행하여 제2 발명의 광 산란성 막을 형성시킨다.Thereafter, the main baking is performed to form the light scattering film of the second invention.

상기에서 제1 발명의 광 산란성 막 형성용 조성물의 도포 방법으로는, 특별히 한정되지는 않으며, 스프레이법, 롤 코팅법, 회전 도포법 등 적절한 방법을 택할 수 있다.As a coating method of the composition for light-scattering film formation of 1st invention above, it does not specifically limit but a suitable method, such as a spray method, a roll coating method, and a spin coating method, can be chosen.

예비 소성의 조건은 조성물 용액 중의 각 성분의 종류, 사용 비율 등에 따라 다르지만, 바람직하게는 60 내지 120 ℃에서 30초 내지 20분 정도이다.The conditions of the preliminary firing vary depending on the type of each component in the composition solution, the use ratio and the like, but are preferably about 30 seconds to 20 minutes at 60 to 120 ° C.

본 소성의 조건으로 바람직하게는 150 내지 250 ℃에서 30분 내지 2시간 정도를 택한다.As conditions for this baking, 30 minutes-about 2 hours are preferable at 150-250 degreeC.

또한, 각각의 예비 소성 및 본 소성은 1단계로, 또는 2단계 이상의 공정으로 나누어 행할 수 있다.In addition, each preliminary baking and this baking can be performed in one step or divided into two or more processes.

본 발명의 광 산란성 막 형성용 경화성 조성물은 상기한 바와 같이 간단한 공정으로 광 산란성 막을 형성시킬 수 있다.The curable composition for light scattering film formation of this invention can form a light scattering film by a simple process as mentioned above.

또한, 이하의 실시예에 명시하는 바와 같이, 본 발명의 광 산란성 막은 투명성이 높고, 효율적으로 광을 산란시키는 성질을 갖추고 있으며, 나아가 평탄화막 또는 보호막으로서도 여러 가지 물성이 우수하다.In addition, as indicated in the following examples, the light scattering film of the present invention has high transparency, has the property of efficiently scattering light, and is also excellent in various physical properties as a planarizing film or a protective film.

<실시예><Example>

이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세히 설명할 것이지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples.

<합성예 1> (공중합체 (A1)의 합성)Synthesis Example 1 Synthesis of Copolymer (A1)

(a1) 성분으로서 아크릴산 20 중량부, (a2) 성분으로서 메타크릴산 글리시딜 45 중량부, (a3) 성분으로서 스티렌 20 중량부와 메타크릴산 디시클로펜타닐 15 중량부를 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200 중량부에 첨가 혼합하고, 아조비스발레로니트릴(ADVN) 4 중량부를 첨가한 후, 70 ℃에서 5시간 중합하여 공중합체 (A1) 농도가 33 중량%인 중합체 용액을 얻었다.20 parts by weight of acrylic acid as the component (a1), 45 parts by weight of glycidyl methacrylate as the component (a2), 20 parts by weight of styrene as the component (a3) and 15 parts by weight of dicyclopentanyl methacrylate as diethylene glycol ethylmethyl ether. The mixture was added to 200 parts by weight, and 4 parts by weight of azobisvaleronitrile (ADVN) was added, followed by polymerization at 70 ° C. for 5 hours to obtain a polymer solution having a copolymer (A1) concentration of 33% by weight.

공중합체 (A1)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 6,000이었다.The polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the copolymer (A1) was 6,000.

<합성예 2> (공중합체 (A2)의 합성)Synthesis Example 2 (Synthesis of Copolymer (A2))

(a1) 성분으로서 메타크릴산 20 중량부, (a2) 성분으로서 메타크릴산 2-메틸글리시딜 45 중량부, (a3) 성분으로서 스티렌 20 중량부와 페닐말레이미드 15 중량부를 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200 중량부에 첨가 혼합하고, 아조비스발레로니트릴(ADVN) 4 중량부를 첨가한 후, 70 ℃에서 5시간 중합하여 공중합체 (A1) 농도가 33 중량%인 중합체 용액을 얻었다.20 parts by weight of methacrylic acid as component (a1), 45 parts by weight of methacrylic acid 2-methylglycidyl as component (a2), 20 parts by weight of styrene and 15 parts by weight of phenylmaleimide as components (a3) The mixture was added to 200 parts by weight of methyl ether, and 4 parts by weight of azobisvaleronitrile (ADVN) was added, followed by polymerization at 70 ° C. for 5 hours to obtain a polymer solution having a copolymer (A1) concentration of 33% by weight.

공중합체 (A1)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 8,000이었다.The polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the copolymer (A1) was 8,000.

<실시예 1><Example 1>

상기 합성예 1에서 합성한 공중합체 (A1)를 포함하는 용액(공중합체 (A1) 100 중량부(고형분)에 상당함)에 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 첨가하여 총량 350 중량부의 용액으로 만든 후, 실란 커플링제로서 γ-글리시독시프로필디에톡시실란 10 중량부, 성분 (B)로서 토스펄 120(도시바 실리콘(주)사제) 20 중량부, 성분 (C)로서 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트(도아 고세이(주)사제) 60중량부, 성분 (D)로서 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온(이루가큐어 369; 찌바·스페셜티·케미컬즈사제) 25 중량부, SH28PA(도레이 다우코닝 실리콘(주)사제) 0.04 중량부를 첨가하여 충분히 교반시킨 후, 공경 10 ㎛의 폴리프론제 필터를 사용하여 여과하고, 경화성 조성물 (S1)을 얻었다.After adding propylene glycol monomethyl ether acetate to a solution containing the copolymer (A1) synthesized in Synthesis Example 1 (corresponding to 100 parts by weight (solid content) of the copolymer (A1), the total amount was made into a solution of 350 parts by weight. 10 parts by weight of γ-glycidoxypropyldiethoxysilane as a silane coupling agent, 20 parts by weight of Tospearl 120 (manufactured by Toshiba Silicone Co., Ltd.) as component (B), and dipentaerythritol hexaacrylate as component (C). (Toago Kosei Co., Ltd. product) 60 weight part, 2-benzyl-2- dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one (irugacure 369; Chiba) as a component (D) 25 parts by weight of Specialty Chemicals Co., Ltd., 0.04 parts by weight of SH28PA (manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.) and sufficiently stirred, followed by filtration using a filter made of polypron having a pore size of 10 μm and curable composition (S1) Got.

광 산란성 막의 형성Formation of Light Scattering Film

유리 기판상에 상기한 광 산란성 막 형성용 조성물 (S1)을 막 두께가 6 ㎛가 되도록 스핀 코터를 사용하여 도포하고, 핫 플레이트를 사용하여 80 ℃에서 5분간 예비 소성을 행하여 도포막을 형성시켰다. 상기에서 얻어진 도포막에 정해진 패턴의 마스크를 사용하여 365 nm에서 강도가 10 mW/㎠인 자외선을 30초간 조사하였다. 이 때의 자외선 조사는 산소 분위기하(공기 중)에서 행하였다. 이어서, 테트라메틸암모늄히드록시드 0.14 중량% 수용액에서 25 ℃로 1분간 현상한 후, 증류수로 1분간 세정하였다. 이러한 조작으로 불필요한 부분을 제거할 수 있었다. 그 후, 도포막이 형성된 기판을 청정 오븐에서 230 ℃, 30분의 조건으로 본 소성하여 광 산란성 막을 얻었다.The above-mentioned light scattering film-forming composition (S1) was applied onto a glass substrate using a spin coater so as to have a film thickness of 6 μm, and prebaked at 80 ° C. for 5 minutes using a hot plate to form a coating film. The ultraviolet-ray whose intensity | strength is 10 mW / cm <2> was irradiated for 30 second at 365 nm using the mask of a predetermined pattern to the coating film obtained above. Ultraviolet irradiation at this time was performed in oxygen atmosphere (in air). Subsequently, it was developed for 1 minute at 25 degreeC in 0.14 weight% of tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, and then it wash | cleaned for 1 minute with distilled water. This operation eliminated unnecessary parts. Thereafter, the substrate on which the coating film was formed was main-fired in a clean oven at 230 ° C. for 30 minutes to obtain a light scattering film.

광 산란성 막의 평가Evaluation of Light Scattering Membranes

<밀착성><Adhesiveness>

JIS K-5400(1900) 8.5의 부착성 시험 중, 8.5·2의 바둑판 눈금 테이프법에 따라 상기에서 형성시킨 광 산란성 막에 100개의 바둑판눈을 커터 나이프로 형성시켜 부착성 시험을 행하였다. 이 때, 남은 바둑판눈의 수를 표 1에 나타내었다.In the adhesion test of JIS K-5400 (1900) 8.5, 100 checkerboards were formed with the cutter knife in the light-scattering film | membrane formed above in accordance with the 8.5 * 2 checker scale tape method, and the adhesion test was done. At this time, the number of remaining checkerboard eyes is shown in Table 1.

<투명성 및 헤이즈 측정><Transparency and haze measurement>

상기에서 형성시킨 광 산란성 막에 대하여 Haze gard plas 장치<제품 번호 Cat. No 4725>(BYK Gardner(주)사제)로 투명성(적산 투과율) 및 헤이즈를 측정하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.The Haze gard plas apparatus <Product No. Cat. No. 4725> (manufactured by BYK Gardner Co., Ltd.) to measure transparency (accumulated transmittance) and haze. The results are shown in Table 1.

<평탄화성><Flat Mars>

상기에서 형성시킨 광 산란성 막에 대하여 접촉식 막 두께 측정 장치 α-스텝(텐콜 저팬(주)사제)으로 표면 평활성을 측정하였다. 측정 길이 2 mm에서 막 두께를 측정하였을 때의 최대치와 최소치의 차를 표 1에 나타내었다.About the light-scattering film formed above, surface smoothness was measured by the contact type film thickness measuring apparatus (alpha) -step (made by Tencol Japan Corporation). Table 1 shows the difference between the maximum value and the minimum value when the film thickness was measured at a measurement length of 2 mm.

<내열성><Heat resistance>

상기에서 형성시킨 광 산란성 막에 대하여 접촉식 막 두께 측정 장치 α-스텝(텐콜 저팬(주)사제)으로 막 두께를 측정한 후, 청정 오븐에서 250 ℃, 60분의 추가 베이킹을 실시하였다. 추가 베이킹 후, 다시 막 두께를 측정하여 추가 베이킹 전후의 막 잔존율을 계산하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.About the light-scattering film | membrane formed above, the film thickness was measured by the contact type film thickness measuring apparatus (alpha) -step (made by Tencol Japan Co., Ltd.), and 250 degreeC and the further baking for 60 minutes were performed in the clean oven. After further baking, the film thickness was again measured to calculate the film residual ratio before and after the additional baking. The results are shown in Table 1.

<ITO막의 형성><Formation of ITO Film>

상기와 동일하게 형성시킨 광 산란성 막상에 스퍼터링 장치를 사용하여 약 3,000 Å의 ITO막을 형성시켰다(이와 같이 하여 형성시킨 유리 기판상에 광 산란성 막이 있고, 또 그 위에 ITO막이 있는 기판을 이후 ITO 스퍼터 기판이라고 한다).On the light scattering film formed in the same manner as above, a sputtering apparatus was used to form an ITO film of about 3,000 kPa (the substrate having the light scattering film and the ITO film thereon on the glass substrate thus formed was then an ITO sputter substrate). I say).

ITO막의 약품 내성 평가Drug resistance evaluation of ITO membrane

<내알칼리성><Alkali resistance>

상기와 같이 형성시킨 ITO 스퍼터 기판을 5 % NaOH 수용액 중에 60 ℃에서 30분간 침지시키고 침지시킨 기판에 대하여, 상기 광 산란성 막의 밀착성 시험과비슷하게 ITO막의 밀착성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.The adhesiveness of the ITO film | membrane was evaluated similarly to the adhesion test of the said light scattering film | membrane with respect to the board | substrate immersed for 30 minutes at 60 degreeC in the ITO sputter | substrate board | substrate formed as mentioned above in 5% NaOH aqueous solution. The results are shown in Table 1.

<내산성><Acid resistance>

상기와 같이 형성시킨 ITO 스퍼터 기판을 HCl/FeCl2·6H2O/H2O=2:2:1(중량비) 중에 45 ℃에서 15분간 침지시키고 침지시킨 기판에 대하여, 상기 광 산란성 막의 밀착성 시험과 비슷하게 ITO막의 밀착성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.The adhesion test of the light scattering film was performed on the substrate in which the ITO sputtered substrate thus formed was immersed in HCl / FeCl 2 · 6H 2 O / H 2 O = 2: 2: 1 (weight ratio) for 15 minutes at 45 ° C. Similarly, the adhesion of the ITO membrane was evaluated. The results are shown in Table 1.

<내 N-메틸피롤리돈(NMP)성><N-methylpyrrolidone (NMP) resistance>

상기와 같이 형성시킨 ITO 스퍼터 기판을 N-메틸피롤리돈(NMP) 중에 40 ℃에서 30분간 침지시키고 침지시킨 기판에 대하여, 상기 광 산란성 막의 밀착성 시험과 비슷하게 ITO막의 밀착성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.The ITO sputter substrate thus formed was immersed in N-methylpyrrolidone (NMP) for 30 minutes at 40 ° C., and the adhesion of the ITO film was evaluated similarly to the adhesion test of the light scattering film. The results are shown in Table 1.

<내습성>Moisture Resistance

상기와 같이 형성시킨 ITO 스퍼터 기판을 60 ℃, 습도 90 %의 항온 항습조 중에 24시간 방치하고 방치한 기판에 대하여, 상기 광 산란성 막의 밀착성 시험과 비슷하게 ITO막의 밀착성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.The adhesiveness of the ITO film | membrane was evaluated similarly to the adhesion test of the said light scattering film | membrane with respect to the board | substrate which left the above-mentioned ITO sputter | substrate board | substrate left to stand for 24 hours in 60 degreeC and 90% humidity constant temperature bath. The results are shown in Table 1.

<실시예 2><Example 2>

실시예 1에서 공중합체 (A1)를 포함하는 용액 대신에 상기 합성예 2에서 합성한 공중합체 (A2)를 포함하는 용액(공중합체 (A2) 100 중량부(고형분)에 상당함)을 사용하고, 성분 (C)로서 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 대신에 알로닉스 TO-1450을 사용한 것 외에는, 실시예 1과 동일하게 실시하여 광 산란성 막 형성용조성물 (S2)을 얻었다.Instead of the solution containing copolymer (A1) in Example 1, using a solution containing copolymer (A2) synthesized in Synthesis Example 2 (corresponding to 100 parts by weight (solid content) of copolymer (A2)) Was carried out in the same manner as in Example 1, except that, instead of dipentaerythritol hexaacrylate, component (C) was used, an optical scattering film-forming composition (S2) was obtained.

(S1) 대신에 (S2)를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 광 산란성 막 및 ITO 스퍼터 기판을 형성시키고 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.Using (S2) instead of (S1), a light scattering film and an ITO sputter substrate were formed and evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

<실시예 3><Example 3>

상기 합성예 1에서 합성한 공중합체 (A1)를 포함하는 용액(공중합체 (A1) 100 중량부(고형분)에 상당함)에 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 첨가하여 총량 350 중량부의 용액으로 만든 후, 실란 커플링제로서 γ-글리시독시프로필디에톡시실란 10 중량부, 성분 (B)로서 토스펄 120(도시바 실리콘(주)사제) 45 중량부, 성분 (C)로서 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트(도아 고세이(주)사제) 60 중량부, 성분 (D)로서 2-메틸-1[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온(이루가큐어 907; 찌바·스페셜티·케미컬즈사제) 30 중량부, 2,4-디에틸티오크산톤 5 중량부를 첨가하여 충분히 교반시킨 후, 공경 1O ㎛의 폴리프론제 필터를 사용하여 여과하고, 경화성 조성물 (S3)을 얻었다.After adding propylene glycol monomethyl ether acetate to a solution containing the copolymer (A1) synthesized in Synthesis Example 1 (corresponding to 100 parts by weight (solid content) of the copolymer (A1), the total amount was made into a solution of 350 parts by weight. , 10 parts by weight of γ-glycidoxypropyldiethoxysilane as the silane coupling agent, 45 parts by weight of Tospearl 120 (manufactured by Toshiba Silicone Co., Ltd.) as the component (B), and dipentaerythritol hexaacrylate as the component (C). (Toago Kosei Co., Ltd.) 60 weight part, 2-methyl-1 [4- (methylthio) phenyl] -2- morpholino propane- 1-one (irugacure 907; Chiba) as a component (D) Specialty Chemicals Co., Ltd.) 30 parts by weight and 5 parts by weight of 2,4-diethyl thioxanthone were added and sufficiently stirred, and then filtered using a polypron filter having a pore diameter of 10 µm to obtain a curable composition (S3). .

(S1) 대신에 (S3)을 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 광 산란성 막 및 ITO 스퍼터 기판을 형성시키고 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.A light scattering film and an ITO sputter substrate were formed and evaluated in the same manner as in Example 1 using (S3) instead of (S1). The results are shown in Table 1.

<실시예 4><Example 4>

실시예 1에서 광 산란성 입자로서 토스펄 120을 20 중량부 사용하는 대신, 아크릴계 입자 "테크 폴리머 MB20X-5"(상품명, 세끼스이 가세이힝 고교(주)사제)를 20 중량부 사용한 것 외에는, 실시예 1과 동일하게 실시하여 광 산란성 막 형성용 조성물 (S4)을 얻었다.Instead of using 20 parts by weight of Tospearl 120 as the light scattering particles in Example 1, except that 20 parts by weight of acrylic particles "Tech Polymer MB20X-5" (trade name, manufactured by Sekisui Kasei Co., Ltd.) was used. It carried out similarly to Example 1, and obtained the composition for light-scattering film formation (S4).

(S1) 대신에 (S4)를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 광 산란성 막 및 ITO 스퍼터 기판을 형성시키고 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.A light scattering film and an ITO sputter substrate were formed and evaluated in the same manner as in Example 1 using (S4) instead of (S1). The results are shown in Table 1.

<실시예 5>Example 5

실시예 1에서 광 산란성 입자로서 토스펄 120을 20 중량부 사용하는 대신, 스티렌계 입자 "테크 폴리머 SBX-6"(상품명, 세끼스이 가세이힝 고교(주)사제)을 20 중량부 사용한 것 외에는, 실시예 1과 동일하게 실시하여 광 산란성 막 형성용 조성물 (S5)을 얻었다.Instead of using 20 parts by weight of Tospearl 120 as the light scattering particles in Example 1, except that 20 parts by weight of styrene-based particle "tech polymer SBX-6" (trade name, manufactured by Sekisui Kasei Co., Ltd.) was used, In the same manner as in Example 1, a light scattering film-forming composition (S5) was obtained.

(S1) 대신에 (S5)를 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 광 산란성 막 및 ITO 스퍼터 기판을 형성시키고 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.A light scattering film and an ITO sputter substrate were formed and evaluated in the same manner as in Example 1 using (S5) instead of (S1). The results are shown in Table 1.

실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 실시예 5Example 5 광산란성막Light Scattering Film 밀착성Adhesion 100/100100/100 100/100100/100 100/100100/100 100/100100/100 100/100100/100 투과율(%)Transmittance (%) 93.793.7 93.793.7 93.993.9 93.493.4 92.492.4 헤이즈(%)Haze (%) 68.568.5 68.768.7 81.081.0 53.553.5 61.861.8 내열성막잔존율(%)Heat resistant film remaining rate (%) 97.097.0 98.598.5 98.198.1 97.397.3 97.997.9 평탄화성(nm)Planarization (nm) 8080 100100 150150 180180 280280 막 두께(㎛)Film thickness (㎛) 5.805.80 5.755.75 5.455.45 6.236.23 6.416.41 ITO스퍼터기판ITO Sputter Board 내알칼리성Alkali resistance 100/100100/100 100/100100/100 100/100100/100 100/100100/100 100/100100/100 내산성Acid resistance 100/100100/100 100/100100/100 100/100100/100 100/100100/100 100/100100/100 내NMP성NMP resistance 100/100100/100 100/100100/100 100/100100/100 100/100100/100 100/100100/100 내습성Moisture resistance 100/100100/100 100/100100/100 100/100100/100 100/100100/100 100/100100/100

상기 실시예에서 명확해진 바와 같이, 본 발명의 광 산란성 막은 투명성 및 헤이즈가 높고, 반투과형 및 반사형 액정 디스플레이의 셀 내에 설치하는 광 산란성 막으로서 바람직한 성능을 나타낼 뿐 아니라 평탄화막, 보호막으로서의 성능도 갖추고 있음을 알 수 있다.As is clear from the above embodiment, the light scattering film of the present invention has high transparency and haze, and exhibits desirable performance as a light scattering film disposed in a cell of a transflective and reflective liquid crystal display, and also has performance as a flattening film and a protective film. It can be seen that.

본 발명에 따르면, 반투과형 및 반사형 액정 디스플레이에서 반사광을 효율적으로 산란시켜 균일하고 정면 휘도가 높은 면 조명을 실현하며, 동시에 평탄화성, 내열성 및 내약품성이 우수하고 ITO막과의 밀착성이 높은 광 산란성 막을 제공할 수 있는 조성물이 제공된다. 이 조성물은 노광, 현상 공정으로 얼라이먼트 마크부의 산란막을 없애고, 정확한 위치 맞춤을 가능하게 하는 감방사선성 경화성 조성물이다.According to the present invention, it is possible to efficiently scatter reflected light in semi-transmissive and reflective liquid crystal displays to realize surface illumination with uniform and high front brightness, and at the same time, light having excellent flatness, heat resistance and chemical resistance, and high adhesion to ITO film. A composition is provided that can provide a scattering film. This composition is a radiation-sensitive curable composition which removes the scattering film of the alignment mark part by an exposure and image development process, and enables accurate positioning.

또한, 상기 조성물로부터 효율이 양호한 광 산란성 막이 형성된다.In addition, a light scattering film having good efficiency is formed from the composition.

<실시예 6><Example 6>

광 산란성 막 형성용 조성물의 제조Preparation of light scattering film forming composition

상기 합성예 1에서 합성한 공중합체 (A1)를 포함하는 용액(공중합체 (A1) 100 중량부(고형분)에 상당함)을 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 250 중량부로 희석시킨 후, 실란 커플링제로서 γ-글리시독시프로필디에톡시실란 10 중량부, 성분 (B)로서 토스펄 120(도시바 실리콘(주)사제) 20 중량부, 성분 (C)로서 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트(도아 고세이(주)사제) 60 중량부, 성분 (D)로서 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-카르보니트릴)(열 라디칼 발생제, 와꼬 준야꾸(주)사제) 2 중량부, SH28PA(도레이 다우코닝 실리콘(주)사제) 0.04 중량부를 첨가하여 충분히 교반시킨 후, 공경 10 ㎛의 폴리프론제 필터를 사용하여 여과하고, 경화성 조성물 (S6)을 얻었다.After diluting the solution containing the copolymer (A1) synthesized in Synthesis Example 1 (corresponding to 100 parts by weight of the copolymer (A1) (solid content)) with 250 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate, a silane coupling agent was used. 10 parts by weight of γ-glycidoxypropyl diethoxysilane, 20 parts by weight of Tospearl 120 (manufactured by Toshiba Silicone Co., Ltd.) as the component (B), and dipentaerythritol hexaacrylate as the component (C) (Doa Kosei Co., Ltd.) (Manufactured) 60 parts by weight, 2 parts by weight of 1,1'-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile) (thermal radical generator, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) as a component (D), SH28PA (Toray Dow) Corning Silicone Co., Ltd. product) 0.04 weight part was added and fully stirred, and it filtered using the polypron filter of 10 micrometers of pore diameters, and obtained curable composition (S6).

광 산란성 막의 형성Formation of Light Scattering Film

유리 기판상에 상기 광 산란성 막 형성용 조성물 (S6)을 막 두께가 6 ㎛로 되도록 스핀 코터를 사용하여 도포하고, 핫 플레이트를 사용하여 80 ℃, 3분의 조건으로 예비 소성을 행하여 도포막을 형성시켰다. 그런 다음, 도포막이 형성된 기판을 청정 오븐에서 230 ℃, 1시간의 조건으로 본 소성하여 광 산란성 막을 얻었다.The light scattering film-forming composition (S6) was applied onto a glass substrate using a spin coater so as to have a film thickness of 6 μm, and prebaked under a condition of 80 ° C. for 3 minutes using a hot plate to form a coating film. I was. Then, the substrate on which the coating film was formed was main-fired in the clean oven on 230 degreeC and the conditions of 1 hour, and the light-scattering film was obtained.

광 산란성 막의 평가, ITO막의 형성 및 ITO막의 약품 내성 평가는 실시예 1과 동일하게 행하였다. 결과를 표 2에 나타내었다.Evaluation of the light scattering film, formation of the ITO film, and evaluation of the chemical resistance of the ITO film were performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 2.

<실시예 7><Example 7>

광 산란성 막 형성용 조성물의 제조Preparation of light scattering film forming composition

실시예 6에서 공중합체 (A1)를 포함하는 용액 대신에 상기 합성예 2에서 합성한 공중합체 (A2)를 포함하는 용액(공중합체 (A2) 100 중량부(고형분)에 상당함)을 사용하고, 성분 (C)로서 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 대신에 알로닉스 TO-1450를 사용한 것 이외는, 실시예 6과 동일하게 실시하여 광 산란성 막 형성용 조성물 (S7)을 얻었다.Instead of the solution containing copolymer (A1) in Example 6, a solution containing copolymer (A2) synthesized in Synthesis Example 2 was used (corresponding to 100 parts by weight (solid content) of copolymer (A2)) Was carried out in the same manner as in Example 6, except that, instead of dipentaerythritol hexaacrylate, component (C) was used, an optical scattering film-forming composition (S7) was obtained.

(S6) 대신에 (S7)를 사용하여 실시예 6과 동일한 방법으로 광 산란성 막 및 ITO 스퍼터 기판을 형성시키고 평가하였다. 결과를 표 2에 나타내었다.A light scattering film and an ITO sputter substrate were formed and evaluated in the same manner as in Example 6 using (S7) instead of (S6). The results are shown in Table 2.

<실시예 8><Example 8>

광 산란성 막 형성용 조성물의 제조Preparation of light scattering film forming composition

상기 합성예 1에서 합성한 공중합체 (A1)를 포함하는 용액(공중합체 (A1)100 중량부(고형분)에 상당함)을 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 250 중량부로 희석시킨 후, 실란 커플링제로서 γ-글리시독시프로필디에톡시실란 10 중량부, 성분 (B)로서 니프 실 SS-20(닛본 실리카 고교(주)사제) 20 중량부, 성분 (E)로서 에피코트 1032H60(비스페놀 A계 다관능 에폭시 수지, 유까 쉘 에폭시(주)사제), 성분 (F)로서 선에이드 100L(술포늄염형 산 발생제, 산신 가가꾸(주)사제)를 첨가하여 충분히 교반시킨 후, 공경 1O ㎛의 폴리프론제 필터를 사용하여 여과하고, 경화성 조성물 (S8)을 얻었다.After diluting the solution containing the copolymer (A1) synthesized in Synthesis Example 1 (corresponding to 100 parts by weight of the copolymer (A1) (solid content)) to 250 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate, the silane coupling agent was used. 10 parts by weight of γ-glycidoxypropyldiethoxysilane, 20 parts by weight of Nipsil SS-20 (manufactured by Nippon Silica Kogyo Co., Ltd.) as component (B), and epicoat 1032H60 (bisphenol A-based polyfunctional) as component (E). After adding 100L (sulfonium salt type acid generator and Sanshin Chemical Co., Ltd. product) to Sun-Aid as an epoxy resin, Yuka Shell Epoxy Co., Ltd., and a component (F), it fully stirred, and then polypron of 100 micrometers of pore diameters. It filtered using the agent filter and obtained curable composition (S8).

(S6) 대신에 (S8)을 사용하여 실시예 6과 동일한 방법으로 광 산란성 막 및 ITO 스퍼터 기판을 형성시키고 평가하였다. 결과를 표 2에 나타내었다.A light scattering film and an ITO sputter substrate were formed and evaluated in the same manner as in Example 6 using (S8) instead of (S6). The results are shown in Table 2.

<실시예 9>Example 9

광 산란성 막 형성용 조성물의 제조Preparation of light scattering film forming composition

실시예 8에서 공중합체 (A1)를 포함하는 용액 대신에 상기 합성예 2에서 합성한 공중합체 (A2)를 포함하는 용액(공중합체 (A2) 100 중량부(고형분)에 상당함)을 사용하고, 성분 (B)로서 니프 시일 SS-20 대신에 토스펄 120를 사용한 것 외에는, 실시예 9와 동일하게 실시하여 광 산란성 막 형성용 조성물 (S9)를 얻었다.Instead of the solution containing the copolymer (A1) in Example 8, using a solution containing the copolymer (A2) synthesized in Synthesis Example 2 (corresponding to 100 parts by weight (solid content) of the copolymer (A2)) In the same manner as in Example 9, except that Tospearl 120 was used instead of NEP Seal SS-20 as the component (B), to thereby obtain a light scattering film-forming composition (S9).

(S6) 대신에 (S9)를 사용하여 실시예 6과 동일한 방법으로 광 산란성 막 및 ITO 스퍼터 기판을 형성시키고 평가하였다. 결과를 표 2에 나타내었다.A light scattering film and an ITO sputter substrate were formed and evaluated in the same manner as in Example 6 using (S9) instead of (S6). The results are shown in Table 2.

실시예 6Example 6 실시예 7Example 7 실시예 8Example 8 실시예 9Example 9 광산란성막Light Scattering Film 밀착성Adhesion 100/100100/100 100/100100/100 100/100100/100 100/100100/100 투과율(%)Transmittance (%) 93.993.9 94.094.0 93.893.8 94.094.0 헤이즈(%)Haze (%) 68.368.3 68.568.5 65.265.2 64.264.2 내열성막잔존율(%)Heat resistant film remaining rate (%) 97.197.1 98.798.7 98.398.3 99.599.5 평탄화성(nm)Planarization (nm) 8585 125125 345345 290290 막 두께(㎛)Film thickness (㎛) 5.785.78 5.695.69 5.385.38 5.525.52 ITO스퍼터기판ITO Sputter Board 내알칼리성Alkali resistance 100/100100/100 100/100100/100 100/100100/100 100/100100/100 내산성Acid resistance 100/100100/100 100/100100/100 100/100100/100 100/100100/100 내NMP성NMP resistance 100/100100/100 100/100100/100 100/100100/100 100/100100/100 내습성Moisture resistance 100/100100/100 100/100100/100 100/100100/100 100/100100/100

<실시예 10><Example 10>

광 산란성 막 형성용 조성물의 제조Preparation of light scattering film forming composition

상기 합성예 1에서 합성한 공중합체 (A1)을 포함하는 용액(공중합체 (A1) 100 중량부(고형분)에 상당함)에 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 첨가하여 총량 350 중량부의 용액으로 만든 후, 실란 커플링제로서 γ-글리시독시프로필디에톡시실란 1O 중량부, 성분 (B)로서 아크릴계 입자 "테크 폴리머 MB20X-5"(상품명, 세끼스이 가세이힝 고교(주) 제조) 20 중량부, 성분 (C)로서 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트(도아 고세이(주)사제) 60 중량부, 성분 (D)로서 1,1'-아조비스(시클로헥산-l-카르보니트릴)(열 라디칼 발생제, 와꼬 준야꾸(주)사제), SH28PA(도레이 다우코닝 실리콘(주)사제) 0.04 중량부를 첨가하여 충분히 교반시킨 후, 공경 1O ㎛의 폴리프론제 필터를 사용하여 여과하고, 경화성 조성물 (S10)을 얻었다.After adding propylene glycol monomethyl ether acetate to a solution containing the copolymer (A1) synthesized in Synthesis Example 1 (corresponding to 100 parts by weight (solid content) of the copolymer (A1), the total amount was made into a solution of 350 parts by weight. , 10 parts by weight of γ-glycidoxypropyldiethoxysilane as the silane coupling agent, 20 parts by weight of the acrylic particle "Tech Polymer MB20X-5" (trade name, manufactured by Sekisui Kasei Co., Ltd.) as the component (B), component 60 parts by weight of dipentaerythritol hexaacrylate (manufactured by Toagosei Co., Ltd.) as (C) and 1,1'-azobis (cyclohexane-carbonitrile) as a component (D) (thermal radical generator, 0.04 part by weight of Wako Junyaku Co., Ltd.) and SH28PA (manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.), and the mixture is sufficiently stirred, and filtered using a polypron filter having a pore diameter of 10 µm, and the curable composition (S10) is Got it.

광 산란성 막의 형성 및 평가, 및 ITO막의 형성 및 약품 내성 평가는 실시예 6과 동일하게 행하였다. 결과를 표 3에 나타내었다.Formation and evaluation of the light scattering film, formation of the ITO film and evaluation of chemical resistance were performed in the same manner as in Example 6. The results are shown in Table 3.

<실시예 11><Example 11>

광 산란성 막 형성용 조성물의 제조Preparation of light scattering film forming composition

실시예 10에서 성분 (B)로서 테크 폴리머 MB20X-5를 20 중량부 사용하는 대신, 스티렌계 미립자 "테크 폴리머 SBX-6"(상품명, 세끼스이 가세이힝 고교(주)사제) 20 중량부를 사용한 것 외에는, 실시예 10과 동일하게 실시하여 광 산란성 막 형성용 조성물(S11)을 얻었다.Instead of using 20 parts by weight of the tech polymer MB20X-5 as component (B) in Example 10, 20 parts by weight of the styrene-based fine particles "tech polymer SBX-6" (trade name, manufactured by Sekisui Kasei Co., Ltd.) Others were carried out similarly to Example 10, and obtained the composition for light-scattering film formation (S11).

(S10) 대신에 (S11)을 사용하여 실시예 10과 동일한 방법으로 광 산란성 막 및 ITO 스퍼터 기판을 형성시키고 평가하였다. 결과를 표 3에 나타내었다.The light scattering film and the ITO sputtering substrate were formed and evaluated in the same manner as in Example 10 using (S11) instead of (S10). The results are shown in Table 3.

실시예 10Example 10 실시예 11Example 11 광산란성막Light Scattering Film 밀착성Adhesion 100/100100/100 100/100100/100 투과율(%)Transmittance (%) 93.693.6 92.692.6 헤이즈(%)Haze (%) 53.253.2 61.561.5 내열성막잔존율(%)Heat resistant film remaining rate (%) 97.397.3 98.198.1 평탄화성(nm)Planarization (nm) 210210 320320 막 두께(㎛)Film thickness (㎛) 6.126.12 6.316.31 ITO스퍼터기판ITO Sputter Board 내알칼리성Alkali resistance 100/100100/100 100/100100/100 내산성Acid resistance 100/100100/100 100/100100/100 내NMP성NMP resistance 100/100100/100 100/100100/100 내습성Moisture resistance 100/100100/100 100/100100/100

본 발명에 따르면, 반투과형 및 반사형 액정 디스플레이에서 반사광을 효율적으로 산란시켜 균일하고 정면 휘도가 높은 면 조명을 실현하며, 동시에 평탄화성, 내열성 및 내약품성이 우수하고 ITO막과의 밀착성이 높은 광 산란성 막을 제공할 수 있는 조성물이 제공된다. 이 조성물은 노광, 현상 공정으로 얼라이먼트 마크부의 산란막을 없애고, 정확한 위치 맞춤을 가능하게 하는 감방사선성 경화성 조성물이다.According to the present invention, it is possible to efficiently scatter reflected light in semi-transmissive and reflective liquid crystal displays to realize surface illumination with uniform and high front brightness, and at the same time, light having excellent flatness, heat resistance and chemical resistance, and high adhesion to ITO film. A composition is provided that can provide a scattering film. This composition is a radiation-sensitive curable composition which removes the scattering film of the alignment mark part by an exposure and image development process, and enables accurate positioning.

또한, 상기 조성물로부터 효율이 양호한 광 산란성 막이 형성된다.In addition, a light scattering film having good efficiency is formed from the composition.

Claims (10)

(A) (a1) 불포화 카르복실산 및 불포화 카르복실산 무수물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 카르복실산 화합물,(A) at least one carboxylic acid compound selected from the group consisting of (a1) unsaturated carboxylic acids and unsaturated carboxylic anhydrides, (a2) 에폭시기를 함유하는 불포화 화합물, 및(a2) unsaturated compounds containing an epoxy group, and (a3) 상기 화합물 (al) 및 (a2) 이외의 올레핀계 불포화 화합물의 공중합체, 및(a3) copolymers of olefinically unsaturated compounds other than the compounds (al) and (a2), and (B) 광 산란성 물질(B) light scattering material 을 함유하는 것을 특징으로 하는 광 산란성 막 형성용 경화성 조성물.Curable composition for forming a light-scattering film, characterized in that it contains. 제1항에 있어서, 공중합체 (A)가 공중합체 (a1)에 기초하여 카르복실산 화합물 (a1)에서 유래하는 구성 단위를 1 내지 50 중량%, 에폭시기 함유 불포화 화합물 (a2)에서 유래하는 구성 단위를 5 내지 80 중량%, 및 올레핀성 불포화 화합물 (a3)에서 유래하는 구성 단위를 1 내지 40 중량% 함유하는 경화성 조성물.The composition according to claim 1, wherein the copolymer (A) is derived from 1 to 50% by weight of the structural unit derived from the carboxylic acid compound (a1) and the epoxy group-containing unsaturated compound (a2) based on the copolymer (a1). Curable composition containing 5 to 80 weight% of units and 1 to 40 weight% of structural units derived from an olefinic unsaturated compound (a3). 제1항에 있어서, 광 산란성 물질 (B)가 무기 산화물 입자, 유기 입자 또는 광물 입자인 경화성 조성물.The curable composition according to claim 1, wherein the light scattering material (B) is an inorganic oxide particle, an organic particle, or a mineral particle. 제1항에 있어서, 다관능성 단량체 (C) 및 중합 개시제 (D)를 더 함유하는 경화성 조성물.The curable composition according to claim 1, further comprising a polyfunctional monomer (C) and a polymerization initiator (D). 제4항에 있어서, 다관능성 단량체 (C)가 2관능성 이상의 (메타)아크릴레이트인 경화성 조성물.The curable composition according to claim 4, wherein the polyfunctional monomer (C) is a bifunctional or higher (meth) acrylate. 제1항에 있어서, 중합 개시제 (D)가 열 및(또는) 빛에 의해 라디칼을 발생시켜 다관능성 단량체 (C)의 중합을 개시하는 능력을 갖는 것인 경화성 조성물.The curable composition of claim 1, wherein the polymerization initiator (D) has the ability to generate radicals by heat and / or light to initiate polymerization of the polyfunctional monomer (C). 제1항에 있어서, 에폭시 화합물 (E) 및 산 발생제 (F)를 더 함유하는 경화성 조성물.The curable composition according to claim 1, further comprising an epoxy compound (E) and an acid generator (F). 제7항에 있어서, 에폭시 화합물 (E)가 비스페놀 A계 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지 또는 환식 지방족계 에폭시 수지인 경화성 조성물.The curable composition according to claim 7, wherein the epoxy compound (E) is a bisphenol A epoxy resin, a novolac epoxy resin or a cyclic aliphatic epoxy resin. 제7항에 있어서, 산 발생제 (F)가 광 산발생제 또는 열 산발생제인 경화성 조성물.The curable composition according to claim 7, wherein the acid generator (F) is a photo acid generator or a thermal acid generator. 제1항에 기재한 경화성 조성물로 형성된 광 산란성 막.A light scattering film formed from the curable composition according to claim 1.
KR1020000032868A 1999-06-16 2000-06-15 Compositions for Forming Light Scattering Films and Light Scattering Films KR20010066841A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP99-169150 1999-06-16
JP16915099 1999-06-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20010066841A true KR20010066841A (en) 2001-07-11

Family

ID=37529425

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000032868A KR20010066841A (en) 1999-06-16 2000-06-15 Compositions for Forming Light Scattering Films and Light Scattering Films

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20010066841A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113138531A (en) * 2020-01-16 2021-07-20 新应材股份有限公司 Resin composition, cured film, and black matrix

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113138531A (en) * 2020-01-16 2021-07-20 新应材股份有限公司 Resin composition, cured film, and black matrix

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101084384B1 (en) Radiation-sensitive resin composition, spacer, and method of forming the same
KR100232372B1 (en) Radiation-sensitive resin composition
JP2961722B2 (en) Radiation-sensitive resin composition
JPH10332929A (en) Radiation-sensitive composition for color filter
JP2004126600A (en) Photosensitive resin composition for adjusting dissolution characteristic and method of forming two-layered structure pattern using the same
JP2007171973A (en) Negative photoresist composition
JP2001154206A (en) Radiation sensitive resin composition for spacer, spacer and liquid crystal display element
KR100856992B1 (en) Radiation Sensitive Resin Composition for Forming Spacer, Spacer and Its Forming Method, and Liquid Crystal Display Device
JP2001059904A (en) Composition for forming light diffusion film and light diffusion film
TW201835139A (en) Negative photosensitive resin composition
JP2003128957A (en) Curable composition for forming protective film, method for forming protective film and protective film
JP2001316408A (en) Radiation-sensitive composition for forming light- scattering film and light-scattering film
KR20230007978A (en) Colored photosensitive resin composition for pixel
KR20010066841A (en) Compositions for Forming Light Scattering Films and Light Scattering Films
JPH08183819A (en) Radiation-sensitive resin composition
JP2010224158A (en) Composition containg (meth)acrylate compound and photosensitive resin laminate formed by using the same
KR20020021978A (en) Film Forming Compositions Used For A Light Scattering Layer For Reflection, The Light Scattering Layer For Reflection, Method For Production Thereof, and The Liquid Crystal Display Element
JP2003307614A (en) Semitransmission type color filter, radiation sensitive composition and color liquid crystal display element
US7033733B2 (en) Photosensitive resin composition for color filters
JP2001172339A (en) Composition for preparing light scattering membrane and light scattering membrane
JP2006284975A (en) Radiation-sensitive resin composition, protrusion and spacer formed of the same, and liquid crystal display element equipped with them
KR20100063571A (en) Colored photosensitive resin composition and color filter prepared by using the same
JP4019404B2 (en) Protective film and liquid crystal display element
KR20030026210A (en) Compositions for Forming Light-Diffusing Reflective film, a Method for Preparing Light-Diffusing Reflective film, Light-Diffusing Reflective Film and Liquid Crystal Display Device
JP3384084B2 (en) Radiation-sensitive resin composition and coating formed therefrom

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid