KR20010063593A - Reflective mask for euv exposure apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 소자 제조용 노광 장치에 관한 것으로, 특히, 이유브이 (EUV : Extream Ultra-Violet) 노광 장치에 구비되는 반사 마스크에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element, and more particularly, to a reflective mask provided in an Extream Ultra-Violet (EUV) exposure apparatus.
반도체 소자의 제조 공정에서, 콘택홀 또는 각종 패턴들은, 통상, 포토리소그라피(Photolithography) 공정을 통해 형성된다. 이러한 포토리소그라피 공정은, 주지된 바와 같이, 감광성 중합체 패턴(이하, 레지스트 패턴이라 칭함)을 형성하는 공정과 상기 레지스트 패턴을 식각 마스크로하는 식각 공정을 통해 피식각층을 식각해서 원하는 형태의 패턴을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지며, 여기서, 레지스트 패턴은 피식각층 상에 레지스트(Resist)를 도포하는 공정과 준비된 노광 마스크를 이용하여 상기 레지스트를 선택적으로 노광하는 공정 및 소정의 화학용액으로 노광되거나, 또는, 노광되지 않은 레지스트 부분을 제거하는 현상 공정을 통해 형성된다.In the process of manufacturing a semiconductor device, contact holes or various patterns are usually formed through a photolithography process. The photolithography process, as is well known, forms a pattern of a desired shape by etching a layer to be etched through a process of forming a photosensitive polymer pattern (hereinafter referred to as a resist pattern) and an etching process using the resist pattern as an etching mask. Wherein the resist pattern is exposed to a predetermined chemical solution, a process of selectively applying a resist on the etched layer, a process of selectively exposing the resist using a prepared exposure mask, or It is formed through the developing process of removing the unexposed part of the resist.
한편, 포토리소그라피 공정으로 구현할 수 있는 패턴의 임계 치수(CriticalDemension)는 상기한 노광 공정에서 어떤 파장의 광원을 사용하느냐에 따라 좌우된다. 이것은, 노광 공정을 통해 구현할 수 있는 레지스트 패턴의 폭에 따라, 실제 패턴의 임계 치수가 결정됨을 뜻하는 것이며, 이때, 노광 공정을 통해 구현할 수 있는 레지스트 패턴의 폭은 하기의 레이레이식(Rayleigh's equation)에 의해 결정된다.Meanwhile, the critical dimension of the pattern that can be realized by the photolithography process depends on the wavelength of the light source used in the above-described exposure process. This means that the critical dimension of the actual pattern is determined according to the width of the resist pattern that can be realized through the exposure process. In this case, the width of the resist pattern that can be realized through the exposure process is the following Rayleigh's equation. Is determined by
R = k ( λ / NA)R = k (λ / NA)
여기서, R은 레지스트 패턴의 임계 치수, 즉, 해상도이며, λ는 광의 파장, NA는 렌즈의 구경이고, k는 공정관련 상수로서 공정 능력에 따라 변하는 값이지만, 양산 단계에서는 대략 0.4∼0.5 정도이다.Where R is the critical dimension of the resist pattern, i.e. the resolution, λ is the wavelength of the light, NA is the aperture of the lens, and k is a process-related constant that varies depending on process capability, but is about 0.4 to 0.5 in mass production. .
예를들어, G-라인(λ=436nm) 또는 I-라인(λ=365nm) 광원의 노광 장비를 사용하여 노광 공정을 수행할 경우, 만약, 노광 장비의 렌즈의 구경이 0.6 정도라면, 상기한 레이레이식에 의거하여 대략 0.5㎛ 정도의 해상도를 얻을 수 있게 된다.For example, when performing the exposure process using the exposure equipment of the G-line (λ = 436nm) or I-line (λ = 365nm) light source, if the aperture of the lens of the exposure equipment is about 0.6, Based on the ray ray type, a resolution of about 0.5 μm can be obtained.
그런데, 이 값은 포토리소그라피 공정으로 구현할 수 있는 패턴 폭의 임계 치수가 0.5㎛ 정도임을 의미하게 되므로, 반도체 소자의 유효 채널 길이가 0.30㎛ 이내로 감소되고 있는 실정에서, 상기한 I-라인 장비를 이용해서는 고집적 반도체 소자를 제조할 수 없다.However, since this value means that the critical dimension of the pattern width that can be realized by the photolithography process is about 0.5 μm, the effective channel length of the semiconductor device is reduced to within 0.30 μm. It is impossible to manufacture a highly integrated semiconductor device.
따라서, 상기한 G-라인 또는 I-라인 장비는 그 사용이 제한되었으며, 근래에는 I-라인 보다도 더 짧은 파장, 예컨데, 248㎚ 파장의 광원이 구비된 노광 장비를 이용하는 디유브이(DUV : Deep Ultra-Violet) 공정이 수행되고 있으며, 아울러, 193㎚ 파장의 광원이 구비된 차세대 노광 장비가 사용될 예정이고, 최근에는, 그이하의 파장, 예컨데, 13.4㎚ 파장의 광원을 이용한 이유브이(EUV : Extream Ultra-Violet) 공정이 개발되고 있다.Therefore, the G-line or I-line equipment is limited in its use, and in recent years, Deep UV (DUV: Deep Ultra) using exposure equipment equipped with a light source having a shorter wavelength than that of the I-line, for example, 248 nm wavelength, has been used. -Violet) process is being performed, and next-generation exposure equipment equipped with a light source of 193 nm wavelength will be used, and recently, EUV (Extream) using a light source having a wavelength of less than 13.4 nm wavelength Ultra-Violet process is being developed.
도 1은 종래의 EUV 노광 장비의 옵틱(Optic) 구조를 개략적으로 도시한 도면으로서, 도시된 바와 같이, 레이저 광원(10)으로부터 조사된 광은 EUV 빔 발생부(20)를 통해 13.4㎚ 파장의 EUV 빔이 되고, 이러한 EUV 빔은 집속 렌즈(Condensor Lense : 30a)와 수개의 렌즈들(30b)을 거쳐 반사 마스크(40)에 도달하게 되고, 상기 반사 마스크(40)로부터 반사된 EUV 빔은 축소 렌즈(Reduction Lense : 30c)를 거쳐 웨이퍼(50)에 전사된다.FIG. 1 is a view schematically showing an optical structure of a conventional EUV exposure apparatus. As shown in FIG. 1, light emitted from the laser light source 10 has a wavelength of 13.4 nm through the EUV beam generator 20. The EUV beam becomes the EUV beam, and the EUV beam reaches the reflective mask 40 through the condenser lens 30a and several lenses 30b, and the EUV beam reflected from the reflective mask 40 is reduced. It is transferred to the wafer 50 via a lens (Reduction Lense: 30c).
상기에서, 렌즈들(30a, 30b, 30c)은 반사막을 코팅한 미러형 렌즈이며, 반사 마스크(40)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(31) 상에 반사층(32)이 형성되고, 상기 반사층(32) 상에는 캡핑층(Capping Layer : 33)이 형성되며, 상기 캡핑층(33) 상에는 스트레스에 대한 버퍼 역할을 하는 버퍼층(34)과 조사된 EUV 빔을 흡수하는 흡수층(35)이 패턴의 형태로 적층된 구조를 갖는다. 여기서, 반사층(32)은 대략 4㎚의 실리콘막(32a)과 대략 3㎚의 몰리브덴막(32b)이 한 쌍을 이루어, 40 쌍 정도가 적층된 구조이며, 전체적으로는, 대략 280㎚의 두께를 갖는다. 또한, 캡핑층(33)은 실리콘막으로 형성되며, 버퍼층(34)은 실리콘산화막으로 형성되고, 흡수층(35)은 금, 구리, 알루미늄, 게르마늄, 티타늄, 탄탈륨실리콘 등과 같은 금속막으로 형성되고, 그 두께는 대략 100㎚ 정도이다.In the above, the lenses 30a, 30b, 30c are mirror-type lenses coated with a reflective film, and the reflective mask 40 has a reflective layer 32 formed on the silicon substrate 31, as shown in FIG. 2. In addition, a capping layer 33 is formed on the reflective layer 32, and a buffer layer 34 serving as a buffer for stress and an absorbing layer 35 absorbing the irradiated EUV beam are formed on the capping layer 33. It has a laminated structure in the form of this pattern. Here, the reflective layer 32 is a structure in which a silicon film 32a of about 4 nm and a molybdenum film 32b of about 3 nm are formed in a pair, and about 40 pairs are stacked, and a total thickness of about 280 nm is obtained. Have In addition, the capping layer 33 is formed of a silicon film, the buffer layer 34 is formed of a silicon oxide film, the absorption layer 35 is formed of a metal film such as gold, copper, aluminum, germanium, titanium, tantalum silicon, or the like. The thickness is about 100 nm.
그러나, 상기와 같은 EUV 노광 장비는 대략 0.07㎛ 정도까지의 해상도를 얻을 수 있지만, 그 이하의 해상도는 얻을 수 없다.However, the above-described EUV exposure equipment can obtain a resolution up to about 0.07 µm, but no resolution below that can be obtained.
즉, 0.07㎛ 이하의 해상도를 얻기 위해서는 상기한 레이레이식으로부터 광원의 파장을 감소시키거나, 또는, 렌즈의 구경을 증가시켜야 한다. 그런데, 광원의 파장을 감소시키는 것은 그 한계가 있기 때문에, 최근의 연구는 렌즈의 구경을 증가시키는 방향으로 진행되고 있으나, 파장이 큰 광원에 대한 렌즈의 구경을 증가시키는 것은 쉽지만, 파장이 작은 광원에 대한 렌즈의 경우에는 물질 특성, 표면 균일도 등으로 인하여, 그 구경을 증가시키는 것은 매우 어렵다.That is, in order to obtain a resolution of 0.07 μm or less, the wavelength of the light source must be reduced or the aperture of the lens must be increased from the above ray ray equation. By the way, since reducing the wavelength of the light source has its limitations, recent research has been progressing toward increasing the aperture of the lens, but it is easy to increase the aperture of the lens for a large wavelength light source, but the wavelength of the light source is small In the case of the lens for, due to the material properties, surface uniformity, etc., it is very difficult to increase the aperture.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은, 렌즈의 구경을 증가시키거나, 광의 파장을 감소시키는 방법 대신에, 광경로차를 이용하여, 0.07㎛ 이하의 해상도를 얻을 수 있는 EUV 노광 장비용 반사 마스크를 제공하는데, 그 목적이 있다.Therefore, the present invention devised to solve the above problems, instead of the method of increasing the aperture of the lens or reducing the wavelength of the light, using the optical path difference, EUV that can obtain a resolution of 0.07㎛ or less It is an object of the present invention to provide a reflective mask for exposure equipment.
도 1은 종래의 이유브이 노광 장비의 옵틱 구조를 개략적으로 도시한 도면.1 is a view schematically showing an optical structure of a conventional weaving exposure equipment.
도 2는 종래의 이유브이 노광 장비용 반사 마스크를 도시한 단면도.2 is a cross-sectional view showing a conventional reflective mask for weaving exposure equipment.
도 3은 종래의 이유브이 노광 장비용 반사 마스크를 사용할 경우에서, 웨이퍼에 도달하는 광의 위상들을 보여주는 도면.FIG. 3 shows phases of light reaching the wafer in the case of using a conventional reflective mask for weaving exposure equipment. FIG.
도 4는 종래의 이유브이 노광 장비용 반사 마스크를 사용할 경우에서, 웨이퍼에 도달하는 광의 강도 분포를 보여주는 도면.4 is a view showing the intensity distribution of light reaching the wafer in the case of using a conventional reflective mask for weibo exposure equipment.
도 5는 위상 반전의 원리를 도시한 도면.5 shows the principle of phase inversion;
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 이유브이 노광 장비용 반사 마스크를 도시한 도면.6 is a view illustrating a reflective mask for a weave exposure equipment according to an embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 이유브이 노광 장비용 반사 마스크를 사용할 경우에서, 웨이퍼에 도달하는 광의 위상들을 보여주는 도면.7 shows phases of light reaching a wafer in the case of using a reflective mask for a weaving exposure equipment according to an embodiment of the present invention.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 이유브이 노광 장비용 반사 마스크를 사용할 경우에서, 웨이퍼에 도달하는 광의 강도 분포를 보여주는 도면.8 is a view showing the intensity distribution of light reaching the wafer in the case of using the reflective mask for the weave exposure equipment according to an embodiment of the present invention.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)
51 : 실리콘 기판 52 : 반사층51 silicon substrate 52 reflective layer
52a : 실리콘막 52b : 몰리브덴막52a: silicon film 52b: molybdenum film
53 : 캡핑층 54 : 버퍼층53: capping layer 54: buffer layer
55 : 흡수층 60 : 반사 마스크55 absorbing layer 60 reflective mask
R1: 제1반사 영역 R2: 제2반사 영역R 1 : first reflection area R 2 : second reflection area
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 EUV 노광 장비용 반사 마스크는, 13.4㎚ 파장의 광원을 이용하는 EUV 노광 장비 내에 구비되는 반사 마스크로서, 실리콘 기판 상에 실리콘막과 몰리브덴막이 한 쌍을 이루어 수 개의 쌍이 적층되어 이루어진 반사층이 형성되어 있고, 상기 반사층 상에는 캡핑층이 형성되어 있으며, 상기 캡핑층 상에는 그의 소정 부분들을 노출시키도록, 패턴의 형태로된 버퍼층과 흡수층의 적층물이 등간격으로 배열되어 있고, 상기 적층물들 사이 영역에는 선택된 제1영역에는 형성되고, 상기 제1영역과 인접하는 제2영역에는 형성되지 않으며, 상기 제2영역과 인접하는 제3영역에 형성되는 규칙으로 위상 반전층이 구비되어 있는 것을 특징으로 한다.The reflective mask for EUV exposure equipment of the present invention for achieving the above object is a reflective mask provided in the EUV exposure equipment using a light source having a wavelength of 13.4 nm, a pair of silicon film and molybdenum film on a silicon substrate A reflective layer formed by stacking two pairs is formed, a capping layer is formed on the reflective layer, and a stack of a buffer layer and an absorbing layer in a pattern form are arranged at equal intervals so as to expose predetermined portions thereof. The phase inversion layer may be formed in a region selected between the stacks, and may be formed in a first region selected, not in a second region adjacent to the first region, and formed in a third region adjacent to the second region. It is characterized by being provided.
본 발명에 따르면, 반사 마스크의 반사 영역에 선택적으로 위상 반전층을 구비시켜, 상기 반사 영역으로부터 반사되는 모든 광들의 위상 차이에 의한 콘트라스트를 증가시킴으로써, 광의 파장의 감소시키거나, 또는, 렌즈의 구경을 증가시키지 않고도, 높은 해상도를 얻을 수 있다.According to the present invention, a phase inversion layer is selectively provided in the reflection area of the reflection mask to increase the contrast due to the phase difference of all the lights reflected from the reflection area, thereby reducing the wavelength of the light or the aperture of the lens. Higher resolutions can be obtained without increasing this.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 EUV 노광 장비용 반사 마스크를 보다 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, a reflective mask for EUV exposure equipment according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
주지된 바와 같이, 빛의 파장은 매질에 따라 달라진다. 이것은 빛이 같은 거리를 진행하더라도 매질에 따라 광경로가 상이하다는 것을 의미하며, 아울러, 동일 매질이더라도 그 두께에 따라 광경로가 상이함을 의미한다.As is known, the wavelength of light depends on the medium. This means that even if light travels the same distance, the light paths are different according to the medium. In addition, the light paths are different depending on the thickness of the same medium.
예를들어, 도 5에 도시된 바와 같이, 동일 매질이지만, 두께가 서로 다른 두 개의 지점에 동일한 위상을 갖는 두 개의 빛(A, B)이 입사되는 경우, 광경로차 (OPD : Optical Path Difference)에 의해 매질을 통과한 두 개의 빛(A, B) 사이에는 π 만큼의 위상차(ΔΦ)가 발생하게 된다. 이때의 광경로차(OPD)는 하기의 식 1과 같이 표현되며, 위상차는 하기의 식 2와 같이 표현된다.For example, as shown in FIG. 5, when two lights A and B of the same medium but having the same phase are incident at two points having different thicknesses, an optical path difference (OPD) The phase difference ΔΦ by π is generated between the two lights A and B passing through the medium. At this time, the optical path difference OPD is expressed by Equation 1 below, and the phase difference is expressed by Equation 2 below.
OPD = (nm- nair)d ------------ (식 1)OPD = (n m -n air ) d ------------ (Equation 1)
ΔΦ = 2πOPD/λ = 2π(nm- nair)d/λ --------- (식 2)ΔΦ = 2πOPD / λ = 2π (n m -n air ) d / λ --------- (Equation 2)
여기서, nm은 매질의 굴절율이고, nair는 공기의 굴절율이며, d는 두 개의 빛이 통과하는 매질의 두께차 이고, λ는 빛의 파장이다.Where n m is the refractive index of the medium, n air is the refractive index of the air, d is the thickness difference of the medium through which the two light passes, and λ is the wavelength of the light.
또한, 상기의 식 1 및 식 2로부터, 광의 위상을 반전시킬 수 있는 매질의 두께차(d)는 하기의 식 3과 같이 표현된다.In addition, from said Formula 1 and Formula 2, the thickness difference d of the medium which can invert the phase of light is represented by following formula (3).
d = λ/2(nm- nair) -------------- (식 3)d = λ / 2 (n m -n air ) -------------- (Equation 3)
따라서, 상기한 원리를 EUV 노광 장비용 마스크에 적용할 경우, 상기 반사 마스크의 반사 영역에 광경로차를 발생시킬 수 있는 위상 반전층을 구비시키면, 위상차에 의한 광의 콘트라스트를 향상시킬 수 있고, 이에 따라, 해상도를 향상시킬 수 있게 된다.Therefore, when the above-described principle is applied to a mask for EUV exposure equipment, by providing a phase inversion layer capable of generating optical path differences in the reflective region of the reflective mask, the contrast of light due to the phase difference can be improved. Therefore, the resolution can be improved.
즉, 반사 마스크의 반사 영역으로부터 반사되는 광의 위상을 반전시키기 위해서는 광경로차만 주면 되고, 이때, 광의 위상을 반전을 일으킬 수 있는 두께차는 상기 식 3으로부터 λ/2가 된다.That is, in order to invert the phase of the light reflected from the reflection area of the reflective mask, only the optical path difference is given, and in this case, the thickness difference that can cause the phase of the light to be inverted becomes λ / 2 from the above expression (3).
그러므로, EUV 노광 장비는 13.4㎚ 파장의 광원을 사용하므로, 상기 광원의 위상을 반전시킬 수 있는 위상 반전층의 두께는 대략 7㎚의 정수배이면 된다.Therefore, since the EUV exposure apparatus uses a light source having a wavelength of 13.4 nm, the thickness of the phase inversion layer capable of inverting the phase of the light source may be an integer multiple of approximately 7 nm.
한편, 상기한 위상 반전층의 두께는 3㎚ 두께의 몰리브덴막과 4㎚ 두께의 실리콘막의 두께 합과 동일하므로, 본 발명의 실시예에서는, 도 6에 도시된 바와 같이, 버퍼층(54)과 흡수층(55)으로된 적층물들 사이의 반사 영역에 위상 반전층(56)을 구비시키되, 이러한 위상 반전층(56)은 캡핑층(53)과 바로 아래에 배치된 반사층(52)의 몰리브덴막(52b) 및 실리콘막(52a)을 식각한 형태로 구비시킨다. 여기서, 미설명된 도면부호 51은 실리콘 기판이다.Meanwhile, the thickness of the phase inversion layer is equal to the sum of the thicknesses of the 3 nm thick molybdenum film and the 4 nm thick silicon film. Thus, in the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 6, the buffer layer 54 and the absorbing layer are shown in FIG. A phase inversion layer 56 is provided in the reflection region between the stacks of 55, and the phase inversion layer 56 is formed of the molybdenum film 52b of the capping layer 53 and the reflection layer 52 disposed directly below. ) And the silicon film 52a are etched. Here, reference numeral 51 which is not described here is a silicon substrate.
이때, 상기 위상 반전층(56)은 반사 영역들로부터 반사된 모든 광들의 위상이 동일하게 되도록, 반사 영역들 모두에 구비시키지 않고, 하나 건너씩, 즉, 선택된 제1반사 영역에는 구비시키고, 상기 제1반사 영역과 인접하는 제2반사 영역에는 구비시키지 않으며, 상기 제2반사 영역과 인접하는 제3반사 영역에는 구비시키는 규칙으로 구비시킨다.In this case, the phase inversion layer 56 is not provided in all of the reflection areas so that the phases of all the light reflected from the reflection areas are the same, but provided in one crossing, that is, in the selected first reflection area, It is not provided in the 2nd reflection area which adjoins a 1st reflection area | region, but is provided by the rule provided in the 3rd reflection area which adjoins a said 2nd reflection area | region.
위상 반전층이 구비되지 않은 종래의 반사 마스크와 위상 반전층이 구비된 본 발명의 반사 마스크간의 위상차 및 강도분포를 살펴보면 다음과 같다.Looking at the phase difference and the intensity distribution between the conventional reflective mask without a phase inversion layer and the reflective mask of the present invention with a phase inversion layer are as follows.
먼저, 도 3 및 도 7을 참조하여, 반사 마스크로부터 반사된 광들의 위상차를 살펴보면, 도 3에 도시된 바와 같이, 위상 반전층이 구비되지 않은 종래의 반사 마스크(40)로 입사된 광들은, 예컨데, 제1반사 영역(R1)과 제2반사 영역(R2)에 의해 반사되어 웨이퍼(50)에 도달하는 위상이 서로 다르다.First, referring to FIGS. 3 and 7, the phase difference of the light reflected from the reflective mask, as shown in FIG. 3, the light incident to the conventional reflective mask 40 without the phase inversion layer, For example, the phases reflected by the first reflection region R 1 and the second reflection region R 2 and reaching the wafer 50 are different from each other.
반면에, 도 7에 도시된 바와 같이, 위상 반전층(55)이 구비된 본 발명의 반사 마스크(60)로 입사된 광들은 제1반사 영역(R1)과 제2반사 영역(R2)에 의해 반사되어 웨이퍼(50)에 도달하는 광들의 위상이 반전되어 웨이퍼(50)에 도달하는 광의 콘트라스트를 높일 수 있다.On the other hand, as shown in FIG. 7, the light incident on the reflective mask 60 of the present invention having the phase inversion layer 55 is provided with the first reflection region R 1 and the second reflection region R 2 . The phases of the light reflected by the light and reaching the wafer 50 may be reversed to increase the contrast of the light reaching the wafer 50.
따라서, 도 3 및 도 7에서와 같은 위상을 나타내는 종래 및 본 발명의 반사 마스크에 대한 광의 강도 분포를 도 4 및 도 8을 참조하여 살펴보면, 먼저, 도 4에 도시된 바와 같이, 종래의 반사 마스크(40)에 대한 광의 강도 분포는 최대인 영역과 최소인 영역을 동시에 갖지만, 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 반사 마스크(60)에 대한 광의 강도 분포는 최대 영역만을 갖게 된다.Therefore, referring to FIGS. 4 and 8, the light intensity distributions of the conventional and the reflective masks of the present invention having the same phase as in FIGS. 3 and 7 will be described with reference to FIGS. 4 and 8. Although the intensity distribution of light for 40 has both the largest and smallest regions at the same time, as shown in FIG. 8, the intensity distribution of the light for the reflective mask 60 of the present invention has only the maximum region.
그러므로, 본 발명의 실시예와 같이, 반사 마스크(60)의 선택된 반사 영역에 위상 반전층(56)을 구비시킬 경우, 웨이퍼(50)에 도달하는 광의 강도 분포를 증가시킬 수 있기 때문에, 렌즈의 구경을 증가시키지 않고도, EUV 노광 장비의 해상도를 증가시킬 수 있게 된다.Therefore, as in the embodiment of the present invention, when the phase inversion layer 56 is provided in the selected reflective region of the reflective mask 60, the intensity distribution of the light reaching the wafer 50 can be increased. It is possible to increase the resolution of EUV exposure equipment without increasing the aperture.
한편, 본 발명의 실시예에서는 위상 반전층이 반사층의 일부 두께를 식각한 형태로 구비되지만, 반사 영역의 캡핑층 상에 대략 7㎚의 두께 또는 그 정수배의 두께를 갖는 반사 물질막을 형성시키는 형태로도 구비될 수 있다.On the other hand, in the embodiment of the present invention, the phase inversion layer is provided in the form of etching the partial thickness of the reflective layer, but in the form of forming a reflective material film having a thickness of approximately 7nm or an integral multiple thereof on the capping layer of the reflective region. It may also be provided.
이상에서와 같이, 본 발명은 반사 마스크의 반사 영역에 선택적으로 위상 반전층을 구비시킴으로써, 광의 강도 분포를 증가시킬 수 있는 것에 기인하여 EUV 노광 장비의 해상도를 향상시킬 수 있다.As described above, the present invention can improve the resolution of EUV exposure equipment due to being able to increase the intensity distribution of light by selectively providing a phase inversion layer in the reflection area of the reflection mask.
따라서, 0.1㎛ 이하의 임계 치수를 갖는 패턴을 형성할 수 있기 때문에, 초고집적 반도체 소자의 제조를 가능하게 할 수 있다.Therefore, since the pattern which has a critical dimension of 0.1 micrometer or less can be formed, manufacture of a very high density semiconductor element can be attained.
한편, 여기에서는 본 발명의 특정 실시예에 대하여 설명하고 도시하였지만, 당업자에 의하여 이에 대한 수정과 변형을 할 수 있다. 따라서, 이하, 특허청구의 범위는 본 발명의 진정한 사상과 범위에 속하는 한 모든 수정과 변형을 포함하는 것으로 이해할 수 있다.Meanwhile, although specific embodiments of the present invention have been described and illustrated, modifications and variations can be made by those skilled in the art. Accordingly, the following claims are to be understood as including all modifications and variations as long as they fall within the true spirit and scope of the present invention.
Claims (3)
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