KR20010055935A - Two-stage optical amplifier using long-band of erbium doped fiber - Google Patents
Two-stage optical amplifier using long-band of erbium doped fiber Download PDFInfo
- Publication number
- KR20010055935A KR20010055935A KR1019990057271A KR19990057271A KR20010055935A KR 20010055935 A KR20010055935 A KR 20010055935A KR 1019990057271 A KR1019990057271 A KR 1019990057271A KR 19990057271 A KR19990057271 A KR 19990057271A KR 20010055935 A KR20010055935 A KR 20010055935A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light
- erbium
- amplifier
- stage
- isolator
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
- H01S3/06754—Fibre amplifiers
- H01S3/06758—Tandem amplifiers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/35—Optical coupling means having switching means
- G02B6/354—Switching arrangements, i.e. number of input/output ports and interconnection types
- G02B6/3544—2D constellations, i.e. with switching elements and switched beams located in a plane
- G02B6/3546—NxM switch, i.e. a regular array of switches elements of matrix type constellation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S3/0064—Anti-reflection devices, e.g. optical isolaters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
- H01S3/1603—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
- H01S3/1608—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth erbium
Abstract
Description
본 발명은 광섬유 전송장치에 관한 것으로, 파장분할 다중화 광전송 장치에서 1565 ~ 1605nm 파장대역의 입력신호를 광 대 광으로 증폭할 수 있는 저잡음, 고효율의 에르븀첨가광섬유(Erbium-Doped Fiber; EDF)를 이득매질로 하는 장파장대역의 2단 광증폭기(Long-band Optical Amplifier)에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical fiber transmission apparatus, and a low noise, high efficiency Erbium-Doped Fiber (EDF) capable of amplifying an input signal in the wavelength range of 1565 to 1605 nm with light to light in a wavelength division multiplexed optical transmission apparatus. The present invention relates to a long-band optical amplifier having a long wavelength band as a medium.
일반적으로 에르븀첨가광섬유(이하 'EDF')의 장파장대역을 이용한 광증폭기 (이하 'L-band EDFA')는 1565 ~ 1605nm 파장대역에서 1530~1560nm 파장대역에 비하여 EDF방출계수가 상대적으로 작기 때문에, 적절한 이득(Gain)을 얻기 위하여 매우 긴 EDF를 이용하여 제조한다. 예를 들어, 동일한 특성을 나타내는 EDF를 이용하면 단파장대역의 광증폭기(C-band EDFA)에 비하여 대략 10배 긴 길이의 EDF를 사용한다.In general, an optical amplifier (L-band EDFA) using a long wavelength band of erbium-doped optical fiber (hereinafter referred to as 'EDF') has a relatively small EDF emission coefficient in the wavelength range of 1530-1560 nm in the 1565-1605 nm wavelength band. It is manufactured using very long EDF to get proper gain. For example, using an EDF exhibiting the same characteristics uses an EDF that is approximately 10 times longer than the C-band EDFA.
도 1에 도시된 바와 같이, 미국특허 5,430,572에서 제안한 2단 구조의 광증폭기는 제1 증폭단(14)에서 비교적 짧은 길이의 EDF(11)를 사용하여 증폭하고, 제2 증폭단(18)에서 추가로 EDF(15)를 사용하여 증폭하는 구조를 이용한다.As shown in FIG. 1, the two-stage optical amplifier proposed in US Pat. No. 5,430,572 amplifies using a relatively short length EDF 11 in the first amplification stage 14, and further in the second amplification stage 18. The structure which amplifies using the EDF 15 is used.
상기의 제1,2 증폭단(14,18) 사이에 구성된 아이솔레이터(Isolator)(19)는 제2 증폭단(18)에서 발생되는 증폭된 자발방출(Amplified Spontaneous Emission; 이하 'ASE')이 제1 증폭단(14)으로 연결되지 못하도록 하며, 필터(20)는 제1 증폭단 (14)에서 발생한 1530nm 파장대역의 ASE를 차단하여 제2 증폭단(18)으로 연결되지 못하도록 한다.The isolator 19 configured between the first and second amplification stages 14 and 18 has an amplified spontaneous emission (hereinafter, referred to as 'ASE') generated by the second amplification stage 18. 14, the filter 20 blocks the ASE of the 1530 nm wavelength band generated in the first amplifier stage 14 so as not to be connected to the second amplifier stage 18.
여기서 도면부호 21,22는 레이저다이오드(Laser diode)를 나타내며, 도면부호 13,16은 파장분할 광결합기(Wavelength Division Multiplexer; 이하 'WDM')를 나타내고 도면부호 12,17은 아이솔레이터를 나타낸다.Reference numerals 21 and 22 denote laser diodes, reference numerals 13 and 16 denote wavelength division multiplexers (WDM), and reference numerals 12 and 17 denote an isolator.
상기의 광증폭기는 1540~1565nm 파장대역에서 고효율과 저잡음의 특성을 가질 수 있다. 그러나, 상기 파장대역에서 대략 15 dB 이상의 이득을 갖고 고효율 저잡음 특성을 보이는 에르븀첨가광섬유 광증폭기(EDFA)는 장파장대역에서는 이득이 매우 작아 L-band EDFA로는 적당치 않다. L-band EDFA를 위해서는 매우 긴 EDF를 사용하여야 한다.The optical amplifier may have high efficiency and low noise characteristics in the wavelength range of 1540 nm to 1565 nm. However, erbium-doped fiber optical amplifiers (EDFAs) having gains of approximately 15 dB or more in the wavelength band and high efficiency and low noise characteristics are not suitable as L-band EDFAs because the gains are very small in the long wavelength band. Very long EDF should be used for L-band EDFA.
도 2에 도시된 바와 같이, H. Ono가 제안한 광증폭기는 하이브리드(Hybrid) 형태의 2단 구조 광증폭기로서, 980nm 레이저다이오드(Laser Diode;이하 'LD')(33)를 이용하여 제1 증폭단(50)을 펌핑하고, 1480nm 레이저다이오드(LD) (37,40)를 이용하여 제2 증폭단(60)을 양방향 펌핑한다.(Journal of Lightwave Technology, vol. 17, pp. 490-496).As shown in FIG. 2, the optical amplifier proposed by H. Ono is a hybrid two-stage structured optical amplifier, the first amplifying stage using a 980nm laser diode (LD) 33. Pump 50 and bi-directionally pump the second amplifier stage 60 using a 1480 nm laser diode (LD) 37,40 (Journal of Lightwave Technology, vol. 17, pp. 490-496).
여기서 상기 제1 증폭단(50)은 잡음지수를 낮게 하기위한 목적으로 짧은 길이의 EDF를 980nm 레이저다이오드(33)로 펌핑한 것이며, 제2 증폭단(60)은 효율을 높이기 위하여 1480nm 파장의 레이저다이오드(37,40)로 펌핑하였다. 이 때 제1,2 증폭단(60)에 사용된 WDM(36,39)은 삽입 손실이 0.3 데시벨(dB)로써, 제1 증폭단(50)의 WDM(32)의 전면삽입에 따른 삽입손실에 의한 잡음지수(Noise figure) 증가를 줄이고자 하였다.Here, the first amplifier stage 50 is a pump for short-length EDF with a 980nm laser diode 33 for the purpose of lowering the noise figure, the second amplifier stage 60 is a laser diode of 1480nm wavelength (in order to increase the efficiency) 37,40). At this time, the WDM (36,39) used in the first and second amplification stage 60 has an insertion loss of 0.3 decibel (dB), and is caused by the insertion loss due to the front insertion of the WDM 32 of the first amplification stage 50. We tried to reduce the increase in the noise figure.
그러나, 단파장대역(C-band)에서는 1480nm 레이저다이오드(37,40)를 이용한 양방향 펌핑을 할 경우, 잡음지수 증가를 감소시키는데는 한계가 있다.However, in the short wavelength band (C-band) when the bidirectional pumping using the 1480nm laser diodes (37, 40), there is a limit to reduce the noise figure increase.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 2단 증폭단의 펌핑용 레이저를 모두 980nm 파장대역의 레이저다이오드를 사용하고, 잡음지수를 낮추고 효율을 높이는데 적합한 장파장대역의 에르븀첨가광섬유를 이용한 광증폭기를 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, the pumping laser of the two-stage amplification stage using a laser diode of 980nm wavelength band, using a long wavelength band of erbium-added optical fiber suitable for lowering the noise figure and increasing efficiency The purpose is to provide an optical amplifier.
도 1은 종래 기술에 따른 단파장대역 2단 광증폭기를 나타낸 도면,1 is a view showing a short wavelength band two-stage optical amplifier according to the prior art,
도 2는 종래 기술에 따른 장파장대역 하이브리드 형태의 광증폭기를 나타낸 도면,2 is a view showing a long-wavelength hybrid hybrid optical amplifier according to the prior art,
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 에르븀첨가광섬유의 장파장대역을 이용한 2단 광증폭기를 나타낸 도면,3 is a view showing a two-stage optical amplifier using a long wavelength band of the erbium-added optical fiber according to the first embodiment of the present invention,
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 에르븀첨가광섬유의 장파장대역을 이용한 2단 광증폭기를 나타낸 도면,4 is a view showing a two-stage optical amplifier using a long wavelength band of the erbium-added optical fiber according to a second embodiment of the present invention,
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 에르븀첨가광섬유의 장파장대역을 이용한 2단 광증폭기를 나타낸 도면,5 is a view showing a two-stage optical amplifier using a long wavelength band of the erbium-added optical fiber according to a third embodiment of the present invention,
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 에르븀첨가광섬유의 장파장대역을 이용한 2단 광증증폭기를 나타낸 도면,6 is a view showing a two-stage optical amplifier using a long wavelength band of the erbium-added optical fiber according to a fourth embodiment of the present invention,
도 7은 본 발명의 제5 실시예에 따른 에르븀첨가광섬유의 장파장대역을 이용한 2단 광증폭기를 나타낸 도면,7 is a view showing a two-stage optical amplifier using a long wavelength band of the erbium-added optical fiber according to a fifth embodiment of the present invention,
도 8은 본 발명의 제6 실시예에 따른 에르븀첨가광섬유의 장파장대역을 이용한 2단 광증폭기를 나타낸 도면,8 is a view showing a two-stage optical amplifier using a long wavelength band of the erbium-added optical fiber according to a sixth embodiment of the present invention,
도 9는 본 발명의 제7 실시예에 따른 에르븀첨가광섬유의 장파장대역을 이용한 2단 광증폭기를 나타낸 도면,9 is a view showing a two-stage optical amplifier using a long wavelength band of the erbium-added optical fiber according to a seventh embodiment of the present invention,
도 10은 본 발명의 제8 실시예에 따른 에르븀첨가광섬유의 장파장대역을 이용한 2단 광증폭기를 나타낸 도면,10 is a view showing a two-stage optical amplifier using a long wavelength band of the erbium-added optical fiber according to an eighth embodiment of the present invention,
도 11은 본 발명의 제9 실시예에 따른 에르븀첨가광섬유의 장파장대역을 이용한 2단 광증폭기를 나타낸 도면,11 is a view showing a two-stage optical amplifier using a long wavelength band of the erbium-added optical fiber according to the ninth embodiment of the present invention,
도 12는 본 발명의 제1 실시예에 따른 에르븀첨가광섬유의 장파장대역을 이용한 광증폭기에서 측정한 이득과 잡음지수를 나타낸 도면.12 is a diagram showing a gain and a noise figure measured in an optical amplifier using a long wavelength band of the erbium-added optical fiber according to the first embodiment of the present invention.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
100 : 제1 증폭단100: first amplifier stage
300 : 제2 증폭단300: second amplifier stage
101,200,400 : 아이솔레이터101,200,400: Isolator
102,303 : EDF102,303: EDF
103,302,305 : 980nm LD103,302,305: 980nm LD
104,301,304 : WDM104,301,304: WDM
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 장파장대역 광증폭기는 장파장대역의 입력광의 잡음지수를 낮추기 위해 일정 길이를 갖는 제1 에르븀첨가광섬유와 하나의 역방향 펌프 980nm 레이저다이오드를 구비하여 상기 입력광을 1차 광증폭하는 제1 증폭단, 효율을 높이도록 양방향 펌프 980nm 레이저다이오드와 상기 제1 에르븀첨가광섬유 길이의 10∼20배 길이를 갖는 제2 에르븀첨가광섬유를 구비하여 상기 1차 광증폭된 광을 2차 광증폭하는 제2 증폭단, 상기 제1 증폭단과 제2 증폭단 사이에 연결되어 상기 제1,2 증폭단을 격리시키는 아이솔레이터를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하고, 상기 제1 증폭단은 상기 장파장대역의 광이 입력되는 상기 제1 에르븀첨가광섬유, 980nm 파장대역에서 역방향 펌프광을 출력하는 상기 역방향 레이저다이오드, 상기 입력광과 펌프광의 출력을 파장분할방식으로 결합하는 광결합기를 포함하고, 상기 제 2 증폭단은 순방향으로 펌프광을 출력하는 순방향 980nm 레이저다이오드, 역방향으로 펌프광을 출력하는 역방향 980nm 레이저다이오드, 상기 1차 증폭광과 순방향 980nm 레이저다이오드의 펌프광을 결합하는 제1 파장분할광결합기, 상기 양방향 펌프광에 의해 고에너지준위를 가진 반전상태에서 상기 1 차 증폭광을 2차 증폭하는 상기 제2 에르븀첨가광섬유, 상기 1차 증폭광과 역방향 펌프광을 결합하는 제2 파장분할 광결합기를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the long wavelength band optical amplifier of the present invention includes a first erbium-doped optical fiber having a predetermined length and one reverse pump 980 nm laser diode to reduce the noise index of the input light of the long wavelength band. A first amplifying stage for light-amplifying, a bidirectional pump 980nm laser diode and a second erbium-added optical fiber having a length of 10 to 20 times the length of the first erbium-added optical fiber to increase efficiency, the first optically amplified light 2 And an isolator coupled between the second amplifying stage and the first amplifying stage and the second amplifying stage to isolate the first and second amplifying stages, wherein the first amplifying stage includes light of the long wavelength band. The first erbium-doped optical fiber being input, the reverse laser diode outputting reverse pump light in a 980 nm wavelength band, and the input And an optical coupler for coupling the output of the pump light in a wavelength division scheme, wherein the second amplification stage includes a forward 980 nm laser diode that outputs pump light in a forward direction, a reverse 980 nm laser diode that outputs pump light in a reverse direction, and the primary amplified light. A first wavelength division optical coupler for coupling the pump light of a forward 980 nm laser diode, the second erbium-added optical fiber for second amplifying the primary amplified light in an inverted state having a high energy level by the bidirectional pump light, and the first amplification And a second wavelength division optical coupler for coupling the light and the reverse pump light.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, the preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention. .
도 3 은 본 발명의 제1 실시예에 따른 장파장대역 광증폭기를 나타낸 도면으로서, 장파장대역에서 광 증폭할 수 있도록 매우 긴 에르븀첨가광섬유(EDF: Erbium-Doped Fiber;EDF)를 포함하는 2 단(Two-stage) 장파장대역 광증폭기(L-band EDFA)를 구성한다.3 is a view showing a long wavelength band optical amplifier according to a first embodiment of the present invention, and includes two stages (Erbium-Doped Fibers (EDFs) including a very long Erbium-Doped Fiber (EDF) for optical amplification in the long wavelength band. Two-stage) L-band EDFA is constructed.
즉 본 발명은 장파장대역에서 광 증폭할 수 있도록 긴 에르븀첨가광섬유(이하 'EDF')를 포함하는 2단 장파장대역 EDFA로서, 잡음지수를 낮추도록 짧은 EDF(102)를 이용하여 제1 증폭단(100)을 하나의 980nm 레이저다이오드(이하 'LD')(103)를 이용하여 역방향 펌핑하고, 효율을 높이도록 두개의 980nm LD (302,305)를 이용하여 제2 증폭단(300)을 양방향 펌핑한 증폭기를 나타낸다.That is, the present invention is a two-stage long wavelength band EDFA including a long erbium-added fiber (hereinafter referred to as 'EDF') to amplify the optical in the long wavelength band, and the first amplification stage 100 using the short EDF 102 to lower the noise figure. ) Is pumped backward using one 980nm laser diode (hereinafter referred to as 'LD') 103, and the amplifier amplified bidirectionally pumped with the second amplification stage 300 using two 980nm LDs 302 and 305 to increase efficiency. .
도 3 에 도시된 것처럼, 1565nm~1605nm 파장대역의 광(Light)이 입사되어 1차 광증폭하는 제1 증폭단(100)과 상기 제1 증폭단(100)의 1차 증폭광이 입사되는 제2 아이솔레이터(200)와 상기 제2 아이솔레이터(200)의 출력광을 양방향 펌핑하여 2차 증폭하는 제2 증폭단(300)으로 구성된다.As shown in FIG. 3, a light having a wavelength range of 1565 nm to 1605 nm is incident to the first amplification stage 100 to amplify the first optical amplification, and a second isolator to which the primary amplified light of the first amplification stage 100 is incident. And a second amplification stage 300 for bi-directionally amplifying the output light of the 200 and the second isolator 200.
여기서 제1 증폭단(100)은 상기 1565nm~1605nm 파장대역의 광(Light)이 입사되며 출력된 광의 역방향 진행을 방지하는 제1 아이솔레이터(Isolater)(101)와, 역방향으로 펌프광(pump light)을 출력하는 제1 980nm LD(103)와, 상기 펌프광에 의해 고에너지준위를 가진 반전상태에서 상기 입력 광(input light)을 1차 증폭하는 제1 EDF(102)와, 상기 1차 증폭광과 펌프광을 결합하는 제1 WDM(104)으로 구성된다.Here, the first amplification stage 100 outputs pump light in a reverse direction with a first isolator 101 which receives light in the wavelength range of 1565 nm to 1605 nm and prevents the reverse direction of the output light. A first 980 nm LD 103, a first EDF 102 for first amplifying the input light in an inverted state having a high energy level by the pump light, and the first amplified light and the pump light. It consists of a first WDM 104 to combine.
또한 제2 아이솔레이터(200)은 1차 증폭광이 입력되며 제2 증폭단(300)의 2차 증폭광의 역방향 진행을 방지한다.In addition, the second isolator 200 receives the first amplified light and prevents the reverse progress of the second amplified light of the second amplifying stage 300.
그리고 상기 제2 증폭단(300)은 상기 1차 증폭광이 입사되며 순방향으로 펌프광을 출력하는 제2 980nm LD(302)와, 역방향으로 펌프광을 출력하는 제3 980nm LD(305)와, 상기 1차 증폭광과 제2 980nm LD(302)의 펌프광을 결합하는 제2 WDM와, 상기 양방향 펌프 광에 의해 고에너지준위를 가진 반전상태에서 상기 1 차 증폭광을 2차 증폭하는 제2 EDF(303)와, 상기 2차 증폭광과 펌프광을 결합하는 제3 WDM (304)로 구성된다. 그리고 상기 결합된 2차 증폭광의 역방향 진행을 방지하는 제3 아이솔레이터(400)로 구성된다.The second amplification stage 300 includes a second 980 nm LD 302 for inputting the pump light in the forward direction, the first amplified light incident thereto, a third 980 nm LD 305 for outputting the pump light in the reverse direction, and the primary signal. A second WDM for coupling the amplified light and the pump light of the second 980 nm LD 302, and a second EDF 303 for second amplifying the primary amplified light in an inverted state having a high energy level by the bidirectional pump light. And a third WDM 304 for coupling the secondary amplified light and the pump light. And a third isolator 400 which prevents backward travel of the combined secondary amplified light.
여기서 상기의 2단 장파장대역의 광증폭기(L-band EDFA)가 낮은 잡음지수와 높은 효율을 갖기 위해 제1 증폭단(100)의 제1 EDF(102)의 길이가 제2 증폭단(300)의 제2 EDF(303) 길이의 5~10 %가 되도록 한다. 이는 각 증폭단(100,300)의 EDF가 같은 특성을 나타내는 경우이며, 만약 서로 다른 특성을 갖는 EDF를 사용하는 경우라면, 각 EDF의 흡수 최대치를 비교하여 이에 반비례하는 길이를 사용한다.Wherein the L-band EDFA of the two-stage long wavelength band has a low noise figure and high efficiency, the length of the first EDF 102 of the first amplifying stage 100 is equal to that of the second amplifying stage 300. 2 Make it 5-10% of the length of EDF (303). This is a case where the EDFs of the respective amplification stages 100 and 300 exhibit the same characteristics. If the EDFs having different characteristics are used, the lengths inversely proportional to the absorption maximum values of the respective EDFs are used.
상기와 같이 구성된 본 발명의 제1 실시예에 따른 장파장대역 광증폭기의 동작에 대해 설명하기로 한다.The operation of the long wavelength band optical amplifier according to the first embodiment of the present invention configured as described above will be described.
먼저 제1 아이솔레이터(101)의 입력단으로 1565nm~1605nm 파장대역의 광이 입사하여 출력단으로 출력되는데, 상기 제1 아이솔레이터(101)는 제1 아이솔레이터 (101)의 출력단에서 입력단으로의 광의 역방향 진행을 억제한다.First, light in the wavelength range of 1565 nm to 1605 nm enters the input terminal of the first isolator 101 and is output to the output terminal. The first isolator 101 suppresses the reverse movement of the light from the output terminal of the first isolator 101 to the input terminal. do.
이어 제1 아이솔레이터(101)의 출력단에서 출력된 광은 제1 EDF(102)를 통과하는데, 여기서 제1 EDF(102)의 길이는 제2 증폭단(300)에 구성된 제2 EDF(303) 길이의 5~10 %의 짧은 길이이다.Then, the light output from the output terminal of the first isolator 101 passes through the first EDF 102, where the length of the first EDF 102 is equal to the length of the second EDF 303 configured in the second amplifying stage 300. Short length of 5-10%.
한편, 제1 980nm LD(103)에서 출력된 펌프광은 제1 WDM(104)의 펌프입력단을 통해서 제1 EDF(102)에 연결된 입력단으로 나가게 되고(A), 결국 제1 EDF(102)에 입사하여 상기 제1 EDF(102) 내의 에르븀(Er: Erbium)이온들의 에너지 준위를 높여 반전이 되게 한다. 반전된 상태에서 제1 아이솔레이터(101)의 출력단을 통해서 제1 EDF(102)로 입력되는 장파장대역의 광은 유도방출(Induced emission)과정을 거치며 1차 증폭된다. 이러한 1차 증폭된 광은 제1 WDM(104)로 입력된 다음 출력단으로 출력된다.Meanwhile, the pump light output from the first 980 nm LD 103 exits to the input terminal connected to the first EDF 102 through the pump input terminal of the first WDM 104 (A), and finally enters the first EDF 102. As a result, the energy level of Erbium (Er) ions in the first EDF 102 is increased to be inverted. In the inverted state, the light of the long wavelength band input to the first EDF 102 through the output terminal of the first isolator 101 is first amplified through an induced emission process. This first amplified light is input to the first WDM 104 and then output to the output stage.
이어 상기 1차 증폭광은 제2 아이솔레이터(200)의 입력단을 거쳐 출력단으로 나가고 제2 증폭단(300)에 입력된다. 이 때 상기 제2 아이솔레이터(200)는 출력되는 1차 증폭광의 역방향 진행을 방지한다.Subsequently, the first amplified light passes through the input terminal of the second isolator 200 to the output terminal and is input to the second amplifier stage 300. At this time, the second isolator 200 prevents the reverse direction of the output primary amplified light.
이어 제2 980nm LD(302)에서 출력되는 순방향 펌프광은 제2 WDM(301)의 펌프 입력단을 통해서 제2 WDM(301)의 출력단으로 나가고('B'), 이러한 펌프광은 제2 EDF(303)에 입력되어 에르븀 이온들을 반전시킨다. 이 때, 제2 EDF(303)는 얻고자하는 이득(gain)에 따라 다르지만, 단파장대역의 광증폭기(C-band EDFA)와 비교하면 대략 10 배 긴 길이를 사용한다.Subsequently, the forward pump light output from the second 980 nm LD 302 exits to the output end of the second WDM 301 through the pump input end of the second WDM 301 ('B'), and the pump light passes through the second EDF 303. Input to invert the erbium ions. In this case, the second EDF 303 varies depending on the gain to be obtained, but uses a length about 10 times longer than that of the C-band EDFA.
그리고 제3 980nm LD(305)에서 출력되는 역방향 펌프광은 제3 WDM(304)의 펌프 입력단을 거쳐 제3 WDM(304)의 입력단으로 출력되고('C') 제2 EDF(303)는 역방향 펌핑한다.The reverse pump light output from the third 980 nm LD 305 is output to the input terminal of the third WDM 304 through the pump input terminal of the third WDM 304 ('C') and the second EDF 303 is pumped backward. do.
이어 제2 아이솔레이터(200)의 출력단을 거친 1차 증폭광은 제2 WDM(301)의 입력단을 통해 입력되어 펌프광과 파장분할방식으로 결합하고, 출력단으로 출력되어 제2 EDF(303)로 입사한다.Subsequently, the first amplified light that has passed through the output terminal of the second isolator 200 is input through the input terminal of the second WDM 301, coupled to the pump light in a wavelength division scheme, and output to the output terminal to enter the second EDF 303. .
상기와 같이 양방향 펌프광에 의해 상기 제2 EDF(303) 내의 에르븀(Er) 이온들의 에너지 준위를 높여 반전이 되게 한다. 반전된 상태에서 제2 아이솔레이터 (200)의 출력단을 거친 1차 증폭광은 순방향 펌프광과 파장분할방식으로 결합된 후, 제2 EDF(303)로 입력되어 유도방출 과정을 거치며 1차 증폭광을 2차 증폭한다.As described above, the energy level of the erbium (Er) ions in the second EDF 303 is increased by the bidirectional pump light so as to be inverted. In the inverted state, the first amplified light passing through the output terminal of the second isolator 200 is combined with the forward pump light in a wavelength division method, and then input to the second EDF 303 to undergo an induction emission process to generate the first amplified light. Amplify the car.
이처럼 2차 증폭된 광은 제2 EDF(303)에서 출력되는 펌프광과 파장분할방식으로 결합된 후, 제3 아이솔레이터(400)의 입력단으로 입력된다.The second amplified light is coupled to the pump light output from the second EDF 303 in a wavelength division scheme and then input to the input terminal of the third isolator 400.
전술한 바와 같이 본 발명의 제1 실시예에 따른 장파장대역의 광증폭기는 제2 증폭단(100)의 EDF(303)는 장파장대역에서 적절한 크기의 이득을 가질 수 있는 길이를 사용하고 제1 증폭단(100)의 EDF(102)는 제 2 증폭단(300)의 EDF(303)길이의 5∼10%의 짧은 길이를 사용한다. 또한 980nm LD(103)를 이용하여 높은 반전을 만들어 잡음지수는 낮으면서 제2 증폭단(300)의 잡음지수가 전체값에 영향을 적게 줄만큼의 충분한 이득을 갖는다. 그리고 제1 증폭단(100)에서 발생한 ASE 잡음은제2 증폭단(300)에서 장파장대역의 입력 광을 증폭하는 역할을 한다.As described above, the optical amplifier of the long wavelength band according to the first embodiment of the present invention uses the length of the EDF 303 of the second amplification stage 100 to have a gain having an appropriate size in the long wavelength band. The EDF 102 of 100 uses a short length of 5 to 10% of the length of the EDF 303 of the second amplifying stage 300. In addition, a high inversion is made by using the 980 nm LD 103, and the noise index is low, and the gain index of the second amplifier 300 has a sufficient gain to reduce the overall value. The ASE noise generated in the first amplifier stage 100 serves to amplify the input light of the long wavelength band in the second amplifier stage 300.
또한 종래와 달리 제2 증폭단(300)에 980nm LD(302,305)만을 이용하여 전력소모를 감소시키고, 제2 증폭단(300)을 양방향 펌핑하므로 충분한 출력을 얻을 수 있다.In addition, unlike the conventional method, power consumption is reduced by using only the 980 nm LDs 302 and 305 in the second amplifier stage 300, and the second amplifier stage 300 is bidirectionally pumped, thereby obtaining sufficient output.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 장파장대역의 광증폭기를 나타낸 도면으로서, 도 3 의 배열에서 제1 증폭단(100)의 제1 아이솔레이터(101)를 제거한 것으로, 이는 아이솔레이터의 삽입손실에 따른 잡음지수의 증가를 방지하는데 장점이 있다.4 is a view showing an optical amplifier of a long wavelength band according to a second embodiment of the present invention, in which the first isolator 101 of the first amplifier stage 100 is removed from the arrangement of FIG. There is an advantage in preventing the increase of the noise figure.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 장파장대역의 광증폭기를 나타낸 도면으로서, 도 3의 배열에서 제2 증폭단(300)의 출력단에 연결된 아이솔레이터(400)를 제거한 것으로 효율을 증가시키기 위함이다.FIG. 5 is a view showing an optical amplifier of a long wavelength band according to a third embodiment of the present invention, in order to increase efficiency by removing the isolator 400 connected to the output terminal of the second amplifier 300 in the arrangement of FIG. 3. .
도 6 은 본 발명의 제4 실시예에 따른 장파장대역의 광증폭기를 나타낸 도면으로서, 두 개의 역방향 펌프 LD(901,902)를 공유하여 일정비율로 나누어 출력하는 2×2 광결합기(900), 장파장대역의 입력광의 잡음지수를 낮추기 위해 일정 길이를 갖는 제1 EDF(502)와 상기 두 개의 역방향 펌프 LD(901,902) 중 하나를 공유하여 상기 입력광을 1차 광증폭하는 제1 증폭단 (500), 상기 제1 EDF(502) 길이의 10∼20배 길이를 갖는 제2 EDF(703)를 이용하고 상기 두 개의 역방향 펌프 LD(901,902) 중 하나와 순방향 펌프 LD(702)를 구비하여 상기 1차 광증폭된 광을 2차 증폭하는 제2 증폭단(700), 상기 제1 증폭단(500)과 제2 증폭단(700) 사이에 연결되어 상기 제1,2 증폭단(500,700)을 격리시키는 제2 아이솔레이터(600)로 구성된다.FIG. 6 is a view showing an optical amplifier of a long wavelength band according to a fourth embodiment of the present invention. The 2x2 optical coupler 900 and the long wavelength band which share two reverse pumps LD 901 and 902 and output the same by dividing by a constant ratio are shown in FIG. A first amplifying stage 500 for sharing the first optical amplification of the input light by sharing one of the first EDF 502 having a predetermined length and one of the two reverse pumps LD 901 and 902 so as to lower the noise index of the input light of the first light; The primary optical amplification using a second EDF 703 having a length of 10 to 20 times the length of the first EDF 502 and having one of the two reverse pumps LD 901, 902 and a forward pump LD 702. A second isolator 600 connected between the second amplification stage 700 and the first amplification stage 500 and the second amplification stage 700 to isolate the first and second amplification stages 500 and 700. It consists of.
여기서 상기 제1 증폭단(500)은 장파장대역 입력광을 반사로부터 격리시키는 제1 아이솔레이터(501), 상기 2×2 광결합기(900)의 출력중 하나의 역방향 펌프광을 이용하여 상기 입력광을 1차 증폭하는 제1 EDF(502), 상기 1차 증폭된 광과 상기 2×2 광결합기(900)의 출력중 하나의 역방향 펌프광을 결합하는 제1 WDM(503)로 구성되며, 상기 제2 증폭단은 순방향으로 펌프광을 출력하는 순방향 LD(702), 상기 제2 아이솔레이터(600)의 출력광과 순방향 펌프광을 결합하는 제2 WDM(701), 상기 순방향 펌프광과 상기 2×2 광결합기(900)의 출력중 하나의 역방향 펌프광을 이용하여 1차 증폭광을 2차 증폭하는 제2 EDF(703), 상기 2차 증폭광과 상기 2×2 광결합기 (900)의 출력중 하나의 역방향 펌프광을 결합하는 제3 WDM(704)로 구성된다.Here, the first amplification stage 500 uses the reverse pump light of one of the outputs of the first isolator 501 and the 2 × 2 optical coupler 900 to isolate the long wavelength band input light from the reflection. A first EDF 502 for amplifying, a first WDM 503 for coupling one reverse pumped light of the primary amplified light and the output of the 2x2 optical coupler 900, wherein the second amplifying stage A forward LD 702 for outputting pump light in a forward direction, a second WDM 701 for coupling the forward light with the output light of the second isolator 600, and an output of the forward pump light and the 2x2 optical coupler 900 A second EDF 703 for second amplifying the first amplified light using one reverse pump light, and a second for combining one reverse pump light among the outputs of the second amplified light and the 2 × 2 optical combiner 900. It consists of three WDM 704.
그리고 상기 제2 증폭단(700)의 출력단에는 상기 제3 WDM(704)의 출력광을 격리시키는 제3 아이솔레이터(800)가 연결되며, 각 증폭단에 이용된 레이저다이오드는 980nm LD이고 제1 EDF(502)는 제2 EDF(703) 길이의 5∼10% 길이를 갖는다.A third isolator 800 for isolating the output light of the third WDM 704 is connected to the output terminal of the second amplifier stage 700. The laser diodes used in each amplifier stage are 980 nm LD and the first EDF 502. ) Has a length of 5-10% of the length of the second EDF 703.
상기의 2x2 광결합기(900)를 통해서 제1 증폭단(500)의 역방향 펌프 LD(901)와 제2 증폭단(700)의 역방향 펌프 LD(902)를 공유하므로써 하나의 LD가 고장나더라도 다른 하나의 LD를 이용하여 역방향 펌프할 수 있게 되어 효율적이다.By sharing the reverse pump LD 901 of the first amplifier stage 500 and the reverse pump LD 902 of the second amplifier stage 700 through the 2x2 optical coupler 900, even if one LD fails, the other It is efficient because it can be reverse pumped using LD.
도 7은 본 발명의 제5 실시예에 따른 장파장대역의 광증폭기를 나타낸 도면으로서, 2x2 광결합기(900)를 통해서 제1 증폭단(500)의 역방항펌프 LD(901)와 제 2증폭단(700)의 순방향 펌프 LD(902)가 공유된다.FIG. 7 is a view showing an optical amplifier of a long wavelength band according to a fifth embodiment of the present invention. The reverse deflection pump LD 901 and the second amplifier 700 of the first amplifier stage 500 are provided through a 2x2 optical coupler 900. Forward pump LD 902 is shared.
도 8은 본 발명의 제6 실시예에 따른 장파장대역의 광증폭기를 나타낸 도면으로서, 도 6의 배열에서 제1 증폭단(500) 입력 부분의 아이솔레이터(501)가 없는 구조이며, 도 6과 같이 2x2 광결합기(900)를 통해서 제1 증폭단(500)의 역방향 펌프 LD(901)와 제2 증폭단(700)의 역방향 펌프 LD(902)가 공유된다.FIG. 8 is a view showing an optical amplifier of a long wavelength band according to a sixth embodiment of the present invention, in which the isolator 501 is not included in the input portion of the first amplifier 500 in the arrangement of FIG. The optocoupler 900 shares the reverse pump LD 901 of the first amplifier stage 500 and the reverse pump LD 902 of the second amplifier stage 700.
도 9는 본 발명의 제7 실시예에 따른 장파장대역의 광증폭기를 나타낸 도면으로서, 도 7의 배열에서 제1 증폭단(500) 입력 부분의 아이솔레이터가 없는 구조이며, 도 7과 같이 2x2 광결합기(900)를 통해서 제1 증폭단(500)의 역방항펌프 LD(901)와 제 2증폭단(700)의 순방향 펌프 LD(902)가 공유된다.FIG. 9 is a view illustrating an optical amplifier in a long wavelength band according to a seventh embodiment of the present invention. In the arrangement of FIG. 7, the isolator does not have an input portion of the first amplification stage 500. As shown in FIG. Through 900, the reverse pump LD 901 of the first amplifier stage 500 and the forward pump LD 902 of the second amplifier stage 700 are shared.
도10은 본 발명의 제8 실시예에 따른 장파장대역의 광증폭기를 나타낸 도면으로서, 도 6의 배열에서 제2 증폭단(700) 출력단에 연결된 아이솔레이터(800)가 없는 구조이며, 도 6과 같이 2x2 광결합기(900)를 통해서 제1 증폭단(500)의 역방향 펌프 LD (901)와 제2 증폭단(700)의 역방향 펌프 LD(902)가 공유된다.FIG. 10 is a view illustrating an optical amplifier in a long wavelength band according to an eighth embodiment of the present invention, in which the isolator 800 is not connected to the output terminal of the second amplifier 700 in the arrangement of FIG. The optocoupler 900 shares the reverse pump LD 901 of the first amplifier stage 500 and the reverse pump LD 902 of the second amplifier stage 700.
도11은 본 발명의 제9 실시예에 따른 장파장대역의 광증폭기를 나타낸 도면으로서, 도 7의 배열에서 제2 증폭단(700) 출력단에 연결된 아이솔레이터(800)가 없는 구조이며, 도 7과 같이, 2x2 광결합기(900)를 통해서 제1 증폭단(500)의 역방항펌프 LD(901)와 제 2증폭단(700)의 순방향 펌프 LD(902)가 공유된다.FIG. 11 is a view showing an optical amplifier of a long wavelength band according to a ninth embodiment of the present invention, in which there is no isolator 800 connected to an output terminal of the second amplifier 700 in the arrangement of FIG. The reverse pump LD 901 of the first amplifier stage 500 and the forward pump LD 902 of the second amplifier stage 700 are shared by the 2x2 optical coupler 900.
도 12는 본 발명의 제1 실시예에 따라 측정된 이득(Gain)과 잡음지수(Noise figure)를 나타낸 도면으로서, 제1 증폭단(100)은 짧은 길이의 EDF(102)를 980nm LD(103)로 반전을 높게하여 잡음지수를 낮게하고, 여기서 발생하는 ASE는 제2 증폭단(300)에서 980nm LD(302,305)로 펌핑된 긴 길이의 EDF(303)를 지나면서 증폭기에 입사된 신호의 광 에너지로 전이된다.FIG. 12 is a diagram illustrating a gain and a noise figure measured according to the first embodiment of the present invention, wherein the first amplification stage 100 uses a short length EDF 102 as a 980 nm LD 103. The inversion is increased to lower the noise figure, and the ASE is generated by the optical energy of the signal incident on the amplifier passing through the long length EDF 303 pumped from the second amplifier stage 300 to the 980 nm LD 302, 305. Is transferred.
도 12에 대해 상세하게 설명하면, 1570∼1600nm의 파장대역의 입력광은 -10dBm세기를 갖고 입사되며 제1 증폭단(100)의 제1 EDF(102)에 흡수치 최대치가 13dB/m인 EDF 5.4m를 이용하고 제2 증폭단(300)의 제2 EDF(303)에 EDF 70m를 연결하며, 제1 증폭단(100)의 제1 980nm LD(103)의 펌프세기를 100mW, 제2 증폭단(300)의 순방향 제2 980nm LD(302)에 100mW, 역방향 제3 980nm LD(305)에 70mW의 크기로 펌핑하였을 때, 1570∼1600nm의 30nm 파장대역에서 평균 25dB의 이득과 1dB 이내의 변화를 보이며 3.3∼3.9dB의 잡음지수를 나타낸다.Referring to FIG. 12, an input light having a wavelength range of 1570 to 1600 nm is incident with -10 dBm intensity, and an EDF 5.4 having an maximum absorption value of 13 dB / m in the first EDF 102 of the first amplifying stage 100. Using m and connecting the EDF 70m to the second EDF 303 of the second amplifier stage 300, the pump strength of the first 980nm LD (103) of the first amplifier stage 100 is 100mW, the second amplifier stage 300 When pumped to the forward second 980nm LD 302 at 100mW and the reverse third 980nm LD 305 at 70mW, the gain of 25dB and the change within 1dB in the 30nm wavelength band of 1570-1600nm are shown. It shows a noise figure of 3.9 dB.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical idea of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.
전술한 바와 같은 본 발명의 장파장대역의 광증폭기는 제2 증폭단 EDF의 길이를 제1 증폭단 EDF의 길이에 비해 긴 길이를 사용함으로써 큰 이득을 갖고, 980nm LD를 이용함으로서 높은 반전상태를 만들어 잡음지수는 낮으면서 제2 증폭단의 잡음지수가 전체 값에 영향을 적게 줄만큼의 충분한 이득을 갖는 효과가 있다.As described above, the long-wavelength optical amplifier of the present invention has a large gain by using the length of the second amplifier EDF longer than the length of the first amplifier EDF, and makes a high inversion state by using the 980nm LD to create a noise figure. Is low, and the noise index of the second amplifying stage has a sufficient gain to lessen the overall value.
그리고 제1 증폭단에서 발생한 ASE 잡음은 제2 증폭단에서 장파장대역의 입력 광을 증폭하는 역할을 함으로써 고효율 광증폭기를 구현할 수 있다.In addition, the ASE noise generated in the first amplifier stage amplifies the input light of the long wavelength band in the second amplifier stage can implement a high efficiency optical amplifier.
또한 980nm LD만을 이용함으로서 전력 소모를 줄이고, 제2 증폭단을 양방향펌핑할 수 있으므로 충분한 출력효율을 얻을 수 있고, 전체 광증폭기의 잡음지수를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, by using only 980nm LD, power consumption can be reduced, and the second amplifier stage can be bi-directionally pumped, so that sufficient output efficiency can be obtained and the noise figure of the entire optical amplifier can be improved.
Claims (22)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019990057271A KR100341215B1 (en) | 1999-12-13 | 1999-12-13 | Two-stage optical amplifier using long-band of erbium doped fiber |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019990057271A KR100341215B1 (en) | 1999-12-13 | 1999-12-13 | Two-stage optical amplifier using long-band of erbium doped fiber |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010055935A true KR20010055935A (en) | 2001-07-04 |
KR100341215B1 KR100341215B1 (en) | 2002-06-20 |
Family
ID=19625507
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019990057271A KR100341215B1 (en) | 1999-12-13 | 1999-12-13 | Two-stage optical amplifier using long-band of erbium doped fiber |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100341215B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130009134A (en) * | 2011-07-14 | 2013-01-23 | 주식회사 럭스퍼트 | Optical package and erbium-doped fiber amplifier using the same |
-
1999
- 1999-12-13 KR KR1019990057271A patent/KR100341215B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100341215B1 (en) | 2002-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5253104A (en) | Balanced optical amplifier | |
KR100330209B1 (en) | Wideband optical fiber amplifier and amplifying method thereof | |
JP3068101B2 (en) | Optical fiber amplifier with high power conversion efficiency | |
JP3936533B2 (en) | Rare earth doped fiber amplifier and multistage fiber amplifier | |
KR100265788B1 (en) | Optical fiber amplifier having high small signal gain | |
EP1263097A2 (en) | Wide band erbium-doped fiber amplfier (EDFA) | |
JP4094126B2 (en) | Rare earth doped optical fiber and optical fiber amplifier using the same | |
JP2001077451A (en) | Long wavelength region optical fiber amplifier using feedback loop | |
US20220021173A1 (en) | Efficient In-Band Pumping of Holmium-Doped Optical Fiber Amplifiers | |
KR100277360B1 (en) | Erbium-doped fiber amplifiers suitable for long wavelength optical signals | |
WO2001082422A1 (en) | Multi-stage optical fiber amplifier | |
US6429964B1 (en) | High power, multiple-tap co-doped optical amplifier | |
KR19990043973A (en) | Fiber optic amplifier | |
KR100326039B1 (en) | Fiber amplifier having absorber | |
KR20030089217A (en) | Raman optical fiber amplifier using erbium doped fiber | |
EP1087474A2 (en) | High power, multi-stage doped optical amplifier | |
US20210226403A1 (en) | Optical Fiber Amplifier For Operation In Two Micron Wavelength Region | |
KR100341215B1 (en) | Two-stage optical amplifier using long-band of erbium doped fiber | |
KR100399578B1 (en) | Long Wavelength Band Erbium-doped fiber amplifier | |
KR20010010557A (en) | Broad band light source by use of seed beam | |
WO2003014810A9 (en) | Optical amplifier site with reduced noise | |
US6504647B1 (en) | Optical fiber amplifier, a method of amplifying optical signals, optical communications system | |
KR20010093921A (en) | Erbium doped fiber amplifier capable of amplifying a long wavelength band and a short wavelength band | |
KR100584717B1 (en) | Optical Fiber And Hybrid Optical Amplifier Using The Same | |
JP2005522886A (en) | Optical amplifier |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130527 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140529 Year of fee payment: 13 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |