KR20010055403A - Plug layer of semiconductor device and method for forming the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 특히 텅스텐 나이트라이드를 베리어층으로 사용하여 공정을 단순화하고 플러그층의 열적 안정성을 확보한 반도체 소자의 금속 배선 및 그의 형성 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to a metal wiring of a semiconductor device and a method of forming the same, which simplify the process by using tungsten nitride as a barrier layer and secure thermal stability of the plug layer.
일반적으로 DRAM 등의 메모리 소자에서 금속 전극을 채택하는 경우 하지층과의 배선(Interconnection) 형성을 위하여 폴리 플러그를 사용하는 경우 금속 전극의 열적 안정성을 확보하기 위하여 열공정에 생성될 수 있는 금속 실리사이드층을 억제하기 위해 베리어층을 사용한다.In general, when a metal electrode is used in a memory device such as a DRAM, when a poly plug is used to form an interconnection with an underlying layer, a metal silicide layer may be formed in a thermal process to secure thermal stability of the metal electrode. Barrier layer is used to suppress.
주로 Si의 확산을 방지하기 위한 베리어층으로 TiN과 같은 재료가 사용된다.Mainly a material such as TiN is used as a barrier layer to prevent diffusion of Si.
그러나 TiN과 같은 재료를 베리어층으로 사용하는 경우에는 가공성이 좋지 못하다.However, when a material such as TiN is used as the barrier layer, workability is not good.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 종래 기술의 반도체 소자의 금속 배선에 관하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a metal wire of a semiconductor device of the prior art will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1a내지 도 1c는 종래 기술의 금속 배선 형성 방법을 나타낸 공정 단면도이고, 도 2는 종래 기술의 다른 금속 배선 구조를 나타낸 구조 단면도이다.1A to 1C are process cross-sectional views showing a metal wiring forming method of the prior art, and FIG. 2 is a structural cross sectional view showing another metal wiring structure of the prior art.
그리고 도 3은 종래 기술의 또다른 금속 배선 구조를 나타낸 구조 단면도이다.3 is a structural cross-sectional view showing another metal wiring structure of the prior art.
먼저, 도 1a내지 도 1c는 W 플러그를 사용하여 커패시터 전극의 콘택을 형성하는 것이다.First, FIGS. 1A-1C form a contact of a capacitor electrode using a W plug.
공정 순서는 도 1a에서와 같이, 셀 트랜지스터등이 형성된 반도체 기판(도면에 도시하지 않음)상에 ILD(Inter Layer Dielectric)층(1)을 형성하고 셀 트랜지스터의 어느 한쪽 전극이 노출되도록 콘택홀(2)을 형성한다.As shown in FIG. 1A, an ILD (Inter Layer Dielectric) layer 1 is formed on a semiconductor substrate (not shown) on which a cell transistor or the like is formed, and a contact hole is exposed to expose one electrode of the cell transistor. 2) form.
이어, 도 1b에서와 같이, 상기 콘택홀(2)을 매립하는 W 플러그층(3)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 1B, the W plug layer 3 filling the contact hole 2 is formed.
W 플러그층(3)은 상기 콘택홀(2)을 포함하는 전면에 W층을 형성하고 평탄화하는 순서로 공정을 진행하여 형성한다.The W plug layer 3 is formed by performing a process in order to form and planarize the W layer on the entire surface including the contact hole 2.
그리고 도 1c에서와 같이, 상기 W 플러그층(3)이 형성된 전면에 후속되는 트렌치 형성 공정에서 에치 스톱층으로 사용되는 에치 스토퍼층(4)을 형성한다.As shown in FIG. 1C, an etch stopper layer 4 used as an etch stop layer is formed in the trench forming process subsequent to the entire surface on which the W plug layer 3 is formed.
이와 같은 구조에서는 Si 플러그를 사용하지 않으므로 Si 플러그층과 전극 사이의 열적 안정성을 고려하여 형성하는 베리어층은 형성하지 않는다.In such a structure, since the Si plug is not used, the barrier layer formed in consideration of the thermal stability between the Si plug layer and the electrode is not formed.
그리고 도 2는 Si 플러그를 채택하고 베리어층으로 TiN을 사용한 구조를 나타낸 것이다.2 shows a structure using a Si plug and using TiN as a barrier layer.
그 구조는 셀 트랜지스터등이 형성된 반도체 기판(도면에 도시하지 않음)상에 콘택홀을 갖고 형성되는 ILD(Inter Layer Dielectric)층(21)과, 상기 ILD층(21)의 콘택홀내부에 일정 높이로 매립 형성되는 Si 플러그층(22)과, 상기 Si 플러그층(22)의 표면에 형성되는 TiSix층(23)과, 상기 TiSix층(23)상에 콘택홀을 완전 매립하고 형성되는 TiN 베리어층(24)과, 상기 TiN 베리어층(24)이 형성된 일정 부분을 제외하고 ILD층(21)상에 형성되는 SiN 에치 스토퍼층(25)과, 상기 SiN 에치 스토퍼층(25)상에 형성되는 산화막(27)과, 상기 산화막(27)에 형성된 트렌치 표면에 형성되는 Ru 하부 전극층(26) 및 Ta2O5유전체층(28)과, 상기Ru 하부 전극층(26) 및 Ta2O5유전체층(28)이 형성된 트렌치를 완전 매립하고 형성되는 Ru 상부 전극층(29)을 포함하고 구성된다.The structure is formed of an interlayer dielectric (ILD) layer 21 having a contact hole on a semiconductor substrate (not shown) on which a cell transistor or the like is formed, and a predetermined height inside the contact hole of the ILD layer 21. A Si plug layer 22 formed of silicon nitride, a TiSix layer 23 formed on a surface of the Si plug layer 22, and a TiN barrier layer formed by completely filling contact holes on the TiSix layer 23. (24), an SiN etch stopper layer (25) formed on the ILD layer (21) except for a portion where the TiN barrier layer (24) is formed, and an oxide film formed on the SiN etch stopper layer (25). (27), the Ru lower electrode layer (26) and the Ta 2 O 5 dielectric layer (28) formed on the trench surface formed in the oxide film (27), and the Ru lower electrode layer (26) and the Ta 2 O 5 dielectric layer (28). The formed trench includes a Ru upper electrode layer 29 that is completely embedded and formed.
이 구조에서 베리어층으로 사용되는 TiN은 800℃ 내외의 열공정에서도 Si의 확산을 막아 전극의 열화를 막는다.In this structure, TiN, which is used as a barrier layer, prevents the diffusion of Si even in a thermal process around 800 ° C. to prevent deterioration of the electrode.
그러나 에치백 공정으로는 가공성이 떨어져 CMP(Chemical Mechanical Polishing)공정을 하여 리세스(recess)된 형태의 베리어막을 형성하여야 하나 폴러그 콘택의 전체적인 높이 제한으로 TiN의 두께가 500Å 이내로 제한될 수 있다.However, in the etch back process, the processability is poor, and a barrier film having a recessed form must be formed by a chemical mechanical polishing (CMP) process, but the thickness of the TiN may be limited to within 500 μs due to the overall height limitation of the plug contact.
이 경우 CMP 공정시의 잔막 제어를 고려하면 TiN 베리어층의 재현성에 제약이 있다.In this case, considering the remaining film control during the CMP process, there is a limitation in the reproducibility of the TiN barrier layer.
이와 같은 구조의 커패시터 형성에서의 문제를 해결하기 위한 새로운 구조가 도 3에 도시되어 있다.A new structure for solving the problem of capacitor formation of such a structure is shown in FIG.
그 구조는 셀 트랜지스터등이 형성된 반도체 기판(도면에 도시하지 않음)상에 콘택홀을 갖고 형성되는 ILD(Inter Layer Dielectric)층(31)과, 상기 ILD층(31)의 콘택홀내부에 일정 높이로 매립 형성되는 TiN 플러그층(32)과, 상기 TiN 플러그층(32)의 표면을 포함하는 일정 너비로 형성되는 Ti 또는 Al 또는 N등으로 이루어진 베리어층(33)과, 상기 베리어층(33)상에 형성되는 Pt 하부 전극(34)과, 상기 Pt 하부 전극(34)상에 형성되는 BST 유전체층(35)과, 상기 유전체층(35)상에 형성되는 상부 전극(36)을 포함하여 구성된다.The structure is formed of an interlayer dielectric (ILD) layer 31 having a contact hole on a semiconductor substrate (not shown) on which a cell transistor or the like is formed, and a predetermined height inside the contact hole of the ILD layer 31. TiN plug layer 32 is formed of a buried layer, a barrier layer 33 made of Ti, Al, or N formed to a predetermined width including the surface of the TiN plug layer 32, and the barrier layer 33 And a Pt lower electrode 34 formed on the Pt lower electrode 34, a BST dielectric layer 35 formed on the Pt lower electrode 34, and an upper electrode 36 formed on the dielectric layer 35.
그러나 이와 같은 구조에서도 TiN의 충분한 두께의 증착은 이루어지나 콘택 매립이 어려워 효용성은 떨어진다.However, even in such a structure, a sufficient thickness of TiN is deposited, but its effectiveness is poor because it is difficult to bury the contact.
이와 같은 종래 기술의 반도체 소자의 금속 배선 및 그의 제조 공정은 다음과 같은 문제가 있다.Such a metal wiring of the semiconductor element of the prior art and its manufacturing process have the following problems.
종래 기술의 커패시터 형성에 있어서는 TiN 베리어를 사용하기 때문에 콘택 매립 특성이 좋지 못하여 소자의 신뢰성 측면에서 불리하다.In the formation of the capacitor of the prior art, since the TiN barrier is used, the contact filling property is poor, which is disadvantageous in terms of reliability of the device.
또한, CMP 공정의 어려움으로 가공성이 좋지 못하다.In addition, the processability is not good due to the difficulty of the CMP process.
또 다른 문제로는 콘택 매립과 CMP 용이성의 확보가 트레이드 오프(trade-off) 관계에 있기 때문에 공정의 재현성이 부족하다.Another problem is that there is a lack of reproducibility of the process since contact embedding and securing CMP ease are in a trade-off relationship.
W 플러그를 사용하는 경우에는 최소 선폭을 갖는 콘택 노광을 통하여 공정을 진행하므로 임계 단계가 추가되어 소자의 집적화에 불리하다.In the case of using the W plug, since the process is performed through the contact exposure having the minimum line width, a critical step is added, which is disadvantageous for device integration.
본 발명은 이와 같은 종래 기술의 반도체 소자의 금속 배선의 문제를 해결하기 위한 것으로, 텅스텐 나이트라이드를 베리어층으로 사용하여 공정을 단순화하고 배선의 열적 안정성을 확보한 반도체 소자의 금속 배선 및 그의 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the problem of the metal wiring of the semiconductor device of the prior art, the metal wiring of the semiconductor device and the method of forming the same, using the tungsten nitride as a barrier layer to simplify the process and secure the thermal stability of the wiring The purpose is to provide.
도 1a내지 도 1c는 종래 기술의 금속 배선 형성 방법을 나타낸 공정 단면도1A to 1C are cross-sectional views illustrating a method of forming a metal wiring in the prior art.
도 2는 종래 기술의 다른 금속 배선 구조를 나타낸 구조 단면도2 is a structural cross-sectional view showing another metal wiring structure of the prior art
도 3은 종래 기술의 또다른 금속 배선 구조를 나타낸 구조 단면도Figure 3 is a structural cross-sectional view showing another metal wiring structure of the prior art
도 4는 본 발명에 따른 금속 배선 구조를 나타낸 구조 단면도4 is a structural cross-sectional view showing a metal wiring structure according to the present invention.
도 5a내지 도 5f는 본 발명에 따른 금속 배선 형성 방법을 나타낸 공정 단면도5A to 5F are cross-sectional views illustrating a method of forming metal wirings according to the present invention.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings
51. 층간 절연층 52. Si 플러그층51. Interlayer Insulation Layer 52. Si Plug Layer
53. WNx 플러그층 54a. W 플러그층53. WNx plug layer 54a. W plug layer
55. 에치 스토퍼층 56. 산화막층55. Etch stopper layer 56. Oxide layer
57. 전극 형성용 트렌치 58. 하부 전극층57. Electrode forming trench 58. Lower electrode layer
59. 유전체층 60. 상부 전극층59. Dielectric layer 60. Upper electrode layer
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속 배선은 셀 트랜지스터등이 형성된 반도체 기판상에 콘택홀을 갖고 형성되는 층간 절연층;상기 콘택홀내부에 일정 높이로 매립 형성되는 Si 플러그층, 상기 Si 플러그층의 표면에 형성되는 WNx 플러그층, 상기 WNx 플러그층상에 콘택홀을 완전 매립하고 형성되는 W 플러그층으로 이루어진 콘택 플러그층;상기 콘택 플러그층에 콘택되어 형성되는 다른 금속 도전층들을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하고, 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법은 반도체 기판상에 콘택홀을 갖는 층간 절연층을 형성하는 단계;상기 콘택홀의 일정 높이까지만 남도록 Si 플러그층을 형성하는 단계;상기 Si 플러그층상에 WNx 플러그층을 형성하고 콘택홀을 완전 매립하고 층간 절연층에 걸쳐 형성되는 W층을 형성한후에 에치백 공정으로 나머지 콘택홀을 완전 매립하는 W 플러그층을 형성하는 단계;전면에 에치스토퍼층,산화막층을 형성하고 선택적으로 패터닝하여 W 플러그층이 노출되도록 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치내에 하부 전극층,유전체층 및 상부 전극층을 차례로 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The metal wiring of the semiconductor device according to the present invention for achieving the above object is an interlayer insulating layer formed with a contact hole on a semiconductor substrate formed with a cell transistor, etc .; a Si plug layer buried to a predetermined height inside the contact hole A contact plug layer comprising a WNx plug layer formed on a surface of the Si plug layer and a W plug layer formed by completely filling a contact hole on the WNx plug layer; other metal conductive layers formed by contacting the contact plug layer; According to an aspect of the present invention, there is provided a method for forming a metal wiring of a semiconductor device, the method including: forming an interlayer insulating layer having a contact hole on a semiconductor substrate; forming a Si plug layer so that only a predetermined height of the contact hole remains Forming a WNx plug layer on the Si plug layer, completely filling the contact holes, and Forming a W plug layer that completely fills the remaining contact holes by an etch back process after forming the W layer; forming a trench to expose the W plug layer by selectively forming an etch stopper layer and an oxide layer on a front surface thereof And forming sequentially a lower electrode layer, a dielectric layer, and an upper electrode layer in the trench.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속 배선 및 그의 형성 방법에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a metal wire and a method of forming the semiconductor device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 4는 본 발명에 따른 금속 배선 구조를 나타낸 구조 단면도이다.4 is a structural cross-sectional view showing a metal wiring structure according to the present invention.
본 발명은 도전층과 도전층 사이를 연결하는 플러그층 형성에 관한 것으로, W 베리어층을 채택하고 베리어층의 리세스 공정으로 에치백 공정을 사용하는 것이 특징이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the formation of a plug layer connecting between a conductive layer and a conductive layer, and employs a W barrier layer and uses an etch back process as a recess process of the barrier layer.
그 구조는 셀 트랜지스터등이 형성된 반도체 기판(도면에 도시하지 않음)상에 콘택홀을 갖고 형성되는 층간 절연층(51)과, 상기 층간 절연층(51)의 콘택홀내부에 일정 높이로 매립 형성되는 Si 플러그층(52), 상기 Si 플러그층(52)의 표면에 형성되는 WNx 플러그층(53), 상기 WNx 플러그층(53)상에 콘택홀을 완전 매립하고형성되는 W 플러그층으로 이루어진 콘택 플러그층과, 상기 콘택 플러그층이 형성된 일정 부분을 제외하고 층간 절연층(51)상에 형성되는 SiN 에치 스토퍼층(55)과, 상기 SiN 에치 스토퍼층(55)상에 형성되는 산화막층(56)과, 상기 산화막층(56)에 형성된 트렌치 표면에 형성되는 Ru 하부 전극층(58) 및 Ta2O5또는 BST(Barium-Strontium-Titanate) 또는 Al2O3로 이루어진 유전체층(59)과, 상기 Ru 하부 전극층(58) 및 유전체층(59)이 형성된 트렌치를 완전 매립하고 형성되는 Ru 상부 전극층(60)을 포함하고 구성된다.The structure is formed in the interlayer insulating layer 51 formed with a contact hole on a semiconductor substrate (not shown) on which a cell transistor or the like is formed, and buried at a predetermined height in the contact hole of the interlayer insulating layer 51. A contact formed of a Si plug layer 52 to be formed, a WNx plug layer 53 formed on a surface of the Si plug layer 52, and a W plug layer formed by completely filling a contact hole on the WNx plug layer 53. The SiN etch stopper layer 55 formed on the interlayer insulating layer 51 except for a portion where the plug layer, the contact plug layer is formed, and the oxide film layer 56 formed on the SiN etch stopper layer 55. ), A lower electrode layer 58 formed on the trench surface formed in the oxide layer 56, and a dielectric layer 59 made of Ta 2 O 5 or Barium-Strontium-Titanate (BST) or Al 2 O 3 ; The trench in which the Ru lower electrode layer 58 and the dielectric layer 59 are formed is completely buried and formed Ru is an upper electrode layer 60, and configurations.
이와 같은 구조를 갖는 본 발명에 따른 금속 배선에서 플러그층을 Si 플러그층(52), WNx 플러그층(53), W 플러그층(54a)을 차례로 적층 구성하는 방법은 다음과 같다.In the metal wiring according to the present invention having such a structure, a method of sequentially stacking the plug layer of the Si plug layer 52, the WNx plug layer 53, and the W plug layer 54a is as follows.
첫번째로는 폴리 실리콘층상에 형성된 WNx층은 1000℃의 열처리 공정에 의한 디누데이션(denudation) 공정에 의해 Si과의 계면에는 WNx가 분포하되 그 위에는 순수한 W이 위치되는 것을 이용한 것이다.First, the WNx layer formed on the polysilicon layer is one in which WNx is distributed at an interface with Si but pure W is positioned on the interface with Si by a denudation process by a 1000 ° C. heat treatment process.
여기서, W층에는 추가적인 실리사이드화가 진행되지 않아 계면의 WNx층이 실리사이드화를 방지하는 베리어층 역할을 하게되는 것이다.In this case, additional silicide is not formed in the W layer, and the WNx layer at the interface serves as a barrier layer to prevent silicide.
두번째로는 W을 증착한후에 NH3분위기하에서 700℃ 이상으로 열처리 하는 경우 W층이 WNx층으로 바뀌게되고 이를 다시 800℃ 정도의 온도에서 N2분위기로 열처리 하는 경우 WNx/W층으로 분리가 일어나서 본 발명에서와 같은 구조를 형성할 수 있다.Secondly, if W is heat-treated at 700 ℃ or higher under NH 3 atmosphere after deposition of W, the W layer is changed to WNx layer, and when it is heat-treated in N 2 atmosphere at a temperature of about 800 ℃, separation occurs into WNx / W layer The same structure as in the invention can be formed.
또 다른 방법으로는 WNx와 W를 연이어 증착하여 해결할 수도 있다.Alternatively, the solution may be solved by successive deposition of WNx and W.
이와 같은 공정을 커패시터 형성 공정에 적용하는 경우에는 콘택홀내에 Si플러그가 형성된 상태에서 폴리 에치백 공정으로 플러그를 리세스시킨후에 WNx 또는 W을 매립 형성한다.In the case where such a process is applied to a capacitor formation process, WNx or W is buried after the plug is recessed by a poly etchback process in a state where a Si plug is formed in a contact hole.
여기서, 플러그층의 리세스 정도는 이후의 W 매립시 보이드 또는 균열(seam)이 발생하지 않도록 그 깊이를 결정한다.Here, the degree of recess of the plug layer determines its depth so that no voids or seams occur during subsequent W filling.
이어, 플러그 매립 형성 단계후에 WNx 베리어층을 50Å내의 두께로 형성한후에 W 에치백 공정으로 콘택홀 이외의 W을 모두 제거한다.Subsequently, after the plug buried forming step, the WNx barrier layer is formed to a thickness of 50 mm 3, and then all W except the contact holes are removed by the W etch back process.
이와 같은 플러그층 형성 공정후에 에치 스토퍼층을 형성하고 스토리지노드의 높이를 고려한 산화막 증착 및 트렌치 식각으로 플러그층에 콘택되는 스토리지노드를 형성한다.After the plug layer forming process, an etch stopper layer is formed, and a storage node contacted to the plug layer is formed by oxide film deposition and trench etching considering the height of the storage node.
이와 같은 플러그층 형성 방법은 커패시터 형성 공정뿐만 아니라 다층 배선에서의 연결층으로 플러그층을 사용하는 경우에도 적용 가능하다.Such a plug layer forming method is applicable not only to the capacitor forming process but also to the case of using the plug layer as a connection layer in a multilayer wiring.
이와 같은 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속 배선 및 커패시터 형성 공정에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Such a metal wiring and capacitor forming process of the semiconductor device according to the present invention will be described in detail as follows.
도 5a내지 도 5f는 본 발명에 따른 금속 배선 형성 방법을 나타낸 공정 단면도이다.5A to 5F are cross-sectional views illustrating a method of forming a metal wiring according to the present invention.
먼저, 도 5a에서와 같이, 셀 트랜지스터 및 비트 라인(도면에 도시되지 않음) 등이 형성된 반도체 기판상에 상기 셀 비트 라인의 어느 한쪽 전극이 노출되는 콘택홀을 갖는 층간 절연층(51)을 형성한다.First, as shown in FIG. 5A, an interlayer insulating layer 51 having a contact hole through which an electrode of the cell bit line is exposed is formed on a semiconductor substrate on which a cell transistor and a bit line (not shown) are formed. do.
이어, Si를 증착하고 리세스 공정으로 상기 콘택홀의 일정 높이까지만 남도록 하여 Si 플러그층(52)을 형성한다.Subsequently, the Si plug layer 52 is formed by depositing Si and leaving only a predetermined height of the contact hole in the recess process.
그리고 상기 Si 플러그층(52)상에 WNx 플러그층(53)을 형성한다.The WNx plug layer 53 is formed on the Si plug layer 52.
이어, 도 5b에서와 같이, 상기 Si 플러그층(52), WNx 플러그층(53)이 형성된 콘택홀을 완전 매립하고 층간 절연층(51)에 걸쳐 형성되는 W층(54)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 5B, a contact hole in which the Si plug layer 52 and the WNx plug layer 53 are formed is completely filled with a W layer 54 formed over the interlayer insulating layer 51.
그리고 도 5c에서와 같이, 상기 W층(54)이 콘택홀내에만 남도록 에치백 공정을 진행하여 W 플러그층(54a)을 형성한다.As shown in FIG. 5C, an etch back process is performed such that the W layer 54 remains only in the contact hole to form the W plug layer 54a.
이어, 도 5d에서와 같이, 전면에 SiN 또는 SiON으로 이루어진 에치스토퍼층(55),산화막층(56)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 5D, an etch stopper layer 55 and an oxide layer 56 made of SiN or SiON are formed on the entire surface.
여기서, 산화막층(56)은 후속되는 스토리지 노드 형성 공정에서 그 높이를 결정하게 되므로 이를 고려한다.Here, since the oxide layer 56 determines its height in a subsequent storage node forming process, this is considered.
그리고 도 5e에서와 같이, 스토리지 노드 마스크를 이용하여 상기 산화막층(56) 및 에치 스토퍼층(55)을 선택적으로 식각하여 W 플러그층(54a)이 노출되도록 전극 형성용 트렌치(57)를 형성한다.As shown in FIG. 5E, the oxide layer 56 and the etch stopper layer 55 are selectively etched using a storage node mask to form an electrode forming trench 57 to expose the W plug layer 54a. .
상기 산화막층(56)을 식각하는 공정시에는 에치 스토퍼층(55)을 식각 종말점 검출에 이용하고 다시 에치 스토퍼층(55)을 식각한다.In the process of etching the oxide layer 56, the etch stopper layer 55 is used for the etching endpoint detection and the etch stopper layer 55 is etched again.
그리고 도 5f에서와 같이, 상기 전극 형성용 트렌치(57)내에 Ru를 사용하여 하부 전극층(58)을 형성하고, 차례로 유전체층(59) 및 상부 전극층(60)을 형성한다.As shown in FIG. 5F, the lower electrode layer 58 is formed using Ru in the electrode forming trench 57, and in turn, the dielectric layer 59 and the upper electrode layer 60 are formed.
상기 유전체층(59)으로는 Ta2O5또는 BST(Barium-Strontium-Titanate) 또는Al2O3를 사용하고 상부 전극층은 Ru를 사용하여 형성한다.The dielectric layer 59 is formed of Ta 2 O 5 or BST (Barium-Strontium-Titanate) or Al 2 O 3 , and the upper electrode layer is formed using Ru.
이와 같은 공정 이외에도 상기와 같은 플러그층 형성은 다른 방법으로도 형성할 수 있다.In addition to the above steps, the plug layer may be formed by other methods.
즉, 콘택홀을 포함하는 층간 절연층(51)을 형성한후에 Si 플러그층(52)을 일정 높이로 형성하고 나머지 콘택홀의 전부를 W으로 완전 매립하도록 층간 절연층(51)의 전면에 형성한다.That is, after the interlayer insulating layer 51 including the contact hole is formed, the Si plug layer 52 is formed at a predetermined height, and all the remaining contact holes are formed on the entire surface of the interlayer insulating layer 51 so as to completely fill the W.
그리고 NH3분위기에서 600 ~ 700℃의 온도 및 0.01mTorr ~ 1000mTorr의 압력의 조건에서 열처리 공정을 한다.In addition, a heat treatment process is performed under conditions of a temperature of 600 to 700 ° C. and a pressure of 0.01 mTorr to 1000 mTorr in an NH 3 atmosphere.
이어, 다시 N2분위기에서 700 ~ 800의 온도 및 0.01mTorr ~ 1000mTorr의 압력의 조건에서 열처리 공정을 한다.Subsequently, a heat treatment process is performed again under conditions of a temperature of 700 to 800 and a pressure of 0.01 mTorr to 1000 mTorr in an N 2 atmosphere.
이후 층간 절연층(51)상의 W층을 에치백 공정으로 제거하여 플러그층을 Si 플러그층(52), WNx 플러그층(53), W 플러그층(54a)이 적층되도록 구성한다.Thereafter, the W layer on the interlayer insulating layer 51 is removed by an etch back process so that the plug layer is formed such that the Si plug layer 52, the WNx plug layer 53, and the W plug layer 54a are stacked.
이와는 다른 방법으로 콘택홀을 포함하는 층간 절연층(51)을 형성한후에 Si 플러그층(52)을 일정 높이로 형성하고 나머지 콘택홀의 전부를 WNx로 완전 매립하도록 층간 절연층(51)의 전면에 형성한다.Alternatively, after forming the interlayer insulating layer 51 including the contact hole, the Si plug layer 52 is formed at a predetermined height, and the entire surface of the interlayer insulating layer 51 is formed to completely fill the remaining contact holes with WNx. do.
그리고 950℃ ~ 1050℃의 열처리 공정에 의한 디누데이션(denudation) 공정으로 Si 플러그층(52)과의 계면에는 WNx가 분포하되 그 위에는 순수한 W이 위치되도록 하는 것이다.In addition, WNx is distributed at an interface with the Si plug layer 52 in a denudation process by a heat treatment process of 950 ° C to 1050 ° C, but pure W is positioned thereon.
이와 같은 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속 배선 및 그의 형성 방법은 다음과 같은 효과가 있다.Such a metal wiring and a method of forming the semiconductor device according to the present invention has the following effects.
TiN 베리어를 사용하지 않고 플러그층을 형성할 수 있어 콘택 매립 특성에 의한 소자 신뢰성 저하를 막는다.The plug layer can be formed without using a TiN barrier to prevent device reliability deterioration due to contact embedding characteristics.
또한, CMP 공정을 사용하지 않고 W 에치백 공정을 이용하여 플러그층을 형성하므로 가공성이 우수하다.In addition, since the plug layer is formed using the W etch back process without using the CMP process, the workability is excellent.
이는 W플러그 형성시에 콘택 노광을 이용하지 않으므로 임계 단계가 추가되지 않아 소자의 집적화에 유리한 효과를 갖는다.This does not use contact exposure when forming the W plug, so that no critical step is added, which has an advantageous effect on device integration.
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1999
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