KR20010055124A

KR20010055124A - Phase shift mask

Info

Publication number: KR20010055124A
Application number: KR1019990056206A
Authority: KR
Inventors: 최성진
Original assignee: 박종섭; 주식회사 하이닉스반도체
Priority date: 1999-12-09
Filing date: 1999-12-09
Publication date: 2001-07-04

Abstract

PURPOSE: A phase shifting mask is provided to prevent an electron from being charged in a pattern without using an over-coating. CONSTITUTION: The phase shifting mask includes a chip pattern area(1) on which a pattern of a semiconductor chip is formed and a guide line(2,3). The guide line, separated from the chip pattern area with the predetermined distance, discharges an electric charge charged to a pattern formed on the chip pattern. Also, the guide line is plurally located so as to each other separate with the predetermined distance and simultaneously has a separation area at the corner portion of each of the guide line. By the separation area, an electron charged at an isolated pattern is discharged without using an over-coating, thereby reducing cost and improving the reliability of the mask by simplifying a process.

Description

Phase reversal mask {PHASE SHIFT MASK}

본 발명은 위상 반전 마스크에 관한 것으로, 특히 오버 코팅(OVER COATING)을 사용하지 않으며, 전자 빔의 조사에서 마스크 패턴에 전하가 충전되는 것을 방지하는데 적당하도록 한 위상 반전 마스크에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a phase inversion mask, and more particularly to a phase inversion mask that does not use OVER COATING and is suitable for preventing charges from being charged in the mask pattern in the irradiation of an electron beam.

도1은 종래 위상 반전 마스크의 개략적인 평면도로서, 이에 도시한 바와 같이 특정한 칩의 패턴을 갖는 칩패턴부(1)와; 그 칩패턴부(1)의 주변에 소정거리 이격되어 위치하는 가드라인(2)을 포함하여 구성된다.Fig. 1 is a schematic plan view of a conventional phase inversion mask, which has a chip pattern portion 1 having a specific chip pattern as shown therein; It comprises a guard line (2) which is spaced apart a predetermined distance around the chip pattern portion (1).

이와 같은 종래 위상 반전 마스크의 패턴을 형성하기 위해서는 2회의 전자빔(E-BEAM)을 사용하며, 전자빔을 사용하여 패턴을 형성하는 경우 1차 전자빔을 이용한 쓰기(WRITING)공정 후, 2차 전자빔을 이용한 쓰기공정 전에 마스크 패턴에 전하가 충전되는 것을 방지하기 위해 전도성 물질을 코팅한다.In order to form the pattern of the conventional phase reversal mask, two electron beams (E-BEAM) are used, and in the case of forming a pattern using the electron beam, the secondary electron beam is used after the writing process using the primary electron beam. A conductive material is coated to prevent charge on the mask pattern before the writing process.

이때의 코팅공정은 보통 오버 코팅(OVER COATING)이라고 하며, 보통 아쿠아 세이브(AQUA SAVE) 등의 전도성 물질을 코팅한다.In this case, the coating process is commonly referred to as over coating, and usually a conductive material such as AQUA SAVE is coated.

이는 레지스트의 도포후, 2차 전자빔 쓰기 공정에서 1차 전자빔 쓰기공정으로 형성된 패턴 중, 고립된 패턴이 존재할 경우, 그 고립된 패턴에 입사된 전자가 마스크의 외부로 방전되지 않게 되며, 이로인애 패턴내의 취약한 부분이 파손되는 등의 문제를 발생시키기 때문에 상기와 같이 오버 코팅공정을 필수적으로 실행해야 한다.This is because when an isolated pattern exists among the patterns formed by the primary electron beam writing process in the secondary electron beam writing process after application of the resist, electrons incident on the isolated pattern are not discharged to the outside of the mask. Since the fragile portion of the inside is broken, it is necessary to perform the overcoating process as described above.

그러나, 레지스트의 도포후 오버 코팅시 그 약액이 레지스트의 표면에 대해서 소수성을 가지며, 이에따라 매뉴얼(MANUAL) 코팅을 실시하는 경우 고가의 코팅약액이 많이 필요하게 된다. 또한 그 사용기간에 따른 라이프 타임(LIFE TIME)의 문제로 재고관리가 어려운 문제점이 발생한다.However, when overcoating after application of the resist, the chemical liquid has hydrophobicity to the surface of the resist. Accordingly, when the manual coating is performed, a lot of expensive coating chemicals are required. In addition, the problem of inventory management is difficult due to the problem of the life time (LIFE TIME) according to the use period.

상기와 같이 오버 코팅공정을 수행한 후, 2차 전자빔을 이용한 패턴을 형성하고, 상기 코팅된 약액을 제거하는 세정공정을 실시한다.After performing the overcoating process as described above, a pattern using a secondary electron beam is formed, and a cleaning process of removing the coated chemical liquid is performed.

이와 같이 종래에는 패턴에 전자가 충전되는 것을 방지하기 위해 오버 코팅을 사용하여 세정공정등의 추가적인 공정이 부가됨과 아울러 고가의 코팅액을 사용하여 제조비용이 증가하게 된다.As such, in the related art, an additional process such as a cleaning process using an overcoat is added to prevent electrons from filling the pattern, and a manufacturing cost increases by using an expensive coating solution.

상기한 바와 같이 종래 위상 반전 마스크는 1차의 전자빔 조사에 의해 패턴을 형성한 후, 그 상부에 도전성물질을 코팅하여, 2차의 전자빔 조사에서 상기 형성된 패턴에 전자가 충전되는 것을 방지함으로써, 고가의 코팅물질을 사용하여 제조비용이 증가하는 문제점과 아울러 최종적으로 코팅을 제거하는 공정이 부가되어야 함으로써, 공정단계의 증가와 이물의 발생으로 인한 마스크의 신뢰성이 저하되는 문제점이 있었다.As described above, the conventional phase reversal mask forms a pattern by primary electron beam irradiation, and then coats a conductive material thereon to prevent electrons from filling the formed pattern in secondary electron beam irradiation, thereby making it expensive. In addition to the problem of increasing the manufacturing cost using the coating material of the final process to remove the coating should be added, there was a problem that the reliability of the mask due to the increase of the process step and the generation of foreign matters.

이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 오버 코팅을 사용하지 않고, 패턴에 전자가 충전되는 것을 방지할 수 있는 위상 반전 마스크를 제공함에 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a phase reversal mask that can prevent electrons from being charged in a pattern without using an overcoat.

도1은 종래 위상 반전 마스크의 간략한 평면도.1 is a simplified plan view of a conventional phase inversion mask.

도2는 본 발명 위상 반전 마스크의 간략한 평면도.2 is a simplified plan view of the phase reversal mask of the present invention.

도3a 내지 도3c는 도2에 있어서, 가드라인 모서리 부분의 상세 평면도.3A to 3C are detailed plan views of guardline edge portions in FIG. 2;

***도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명****** Description of the symbols for the main parts of the drawings ***

1:칩패턴 2~5:가드라인1: Chip pattern 2 ~ 5: Guard line

상기와 같은 목적은 가드라인을 복수로 형성하고, 그 복수의 가드라인 모서리부분에 이격영역을 두어 충전된 전하를 외부로 용이하게 유출시킴으로써 달성되는 것으로, 이와 같은 본 발명을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The above object is achieved by forming a plurality of guard lines, and having a spaced area at the edges of the plurality of guard lines to easily discharge charged charges to the outside, with reference to the accompanying drawings of the present invention. It will be described in detail as follows.

도2는 본 발명 위상 반전 마스크의 개략적인 평면도로서, 이에 도시한 바와 같이 종래 도1에 도시한 위상 반전 마스크에 설치된 가드라인을 복수로 형성하여 가드라인(2,3)이 칩패턴(1)의 주변에 복수로 위치하도록 한다.FIG. 2 is a schematic plan view of the phase inversion mask of the present invention. As shown in FIG. 2, a plurality of guard lines provided in the phase inversion mask shown in FIG. It should be located in plural around.

또한 도3a 내지 도3c는 상기 가드라인(2,3,4,5)의 모서리 부분의 패턴의 상세 평면도로서, 이에 도시한 바와 같이 폭이 3㎛인 가드라인(2,3)에 약 1000㎛의 이격거리가 되도록 특정한 영역에서 이격시키며, 각 가드라인의 이격영역이 내측의 가드라인(2,3)과 외측의 가드라인(4,5)에 250㎛의 차이가 나도록 형성하거나(도3a), 상기 동일한 이격거리를 갖으며, 그 이격영역의 위치가 모든 가드라인(2,3,4,5)에서 동일하게 형성하거나(도3b), 내측의 가드라인(2)과 외측의 가드라인(4)의 이격영역이 동일하게 되도록 형성하고, 가드라인(3,5)의 이격영역 위치가 상기 가드라인(2,4)의 이격영역과는 250㎛의 차이가 나도록 형성한다(도3b).3A to 3C are detailed plan views of the pattern of the corner portions of the guard lines 2, 3, 4 and 5, and as shown therein, about 1000 µm to the guard lines 2 and 3 having a width of 3 µm. Spaced apart in a specific area so as to be a distance of, and the spaced area of each guard line is formed so that a difference of 250 μm is formed between the inner guard lines 2 and 3 and the outer guard lines 4 and 5 (FIG. 3A). The same separation distance, and the location of the separation area is the same in all the guard lines (2, 3, 4, 5) (Fig. 3b), or the inner guard line (2) and the outer guard line ( The spacing area of 4) is formed to be the same, and the spacing area positions of the guard lines 3 and 5 are formed to be 250 mu m from the spacing area of the guard lines 2 and 4 (FIG. 3B).

이와 같은 패턴은 1차 전자빔 쓰기 공정에서 진행되며, 이후의 공정에서는 오버 코팅공정을 수행하지 않고, 2차의 전자빔 쓰기 공정을 진행하여 패턴을 형성한다.Such a pattern is performed in the primary electron beam writing process, and in the subsequent process, a pattern is formed by performing a secondary electron beam writing process without performing an overcoating process.

이와 같은 가드라인(2~5) 패턴을 칩패턴(1) 내에 고립 패턴이 존재하는 경우에도, 2차 전자빔의 조사에서 그 고립 패턴에 충전된 전자를 외부로 유출시키는 역할을 하게 된다.Even when there is an isolation pattern in the chip pattern 1 with the guard line patterns 2 to 5, the electrons charged in the isolation pattern are discharged to the outside in the irradiation of the secondary electron beam.

상기한 바와 같이 본 발명 위상 반전 마스크는 복수의 가드라인을 형성하고, 그 가드라인의 모서리 부분에 소정의 이격거리를 갖는 이격영역을 둠으로써, 오버 코팅을 실시하지 않고 고립된 패턴에 충전된 전자를 유출시켜 고가의 코팅액을 사용하지 않아 비용을 절감하는 효과와 아울러 공정의 단순화로 마스크의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.As described above, the phase reversal mask of the present invention forms a plurality of guard lines, and provides a spaced area having a predetermined distance away from the corner portion of the guard line, thereby preventing electrons charged in an isolated pattern without performing overcoating. By reducing the cost of using an expensive coating solution by reducing the cost and the effect of improving the mask reliability by simplifying the process.

Claims

In a phase reversal mask comprising a chip pattern region in which a pattern of a semiconductor chip is formed, and a guard line spaced apart from the chip pattern region by a predetermined distance, and which discharges charges charged in the pattern formed in the chip pattern. A phase reversal mask, characterized in that it is positioned so as to be spaced apart from each other by a predetermined distance and have a spaced area at the corner of each guard line.