KR20010046787A - Cleaning method of shield and chamber for metal deposition - Google Patents

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KR20010046787A
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윤종용
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Abstract

PURPOSE: A method for cleaning a shield and a chamber for metal deposition is provided to improve productivity by simplifying the cleaning process and reducing the preparation time so as to solve the problems that an existing cleaning method is complicated and requires lots of time. CONSTITUTION: The method comprises the steps of mounting a dummy wafer on a wafer stage (S102) after completing the metal deposition process (S100); excitating an RF power of 100 to 400 MHz to a shield installed inside the chamber with spaced apart from the chamber in a certain distance (S104); infusing chlorine (Cl2) gas into the chamber (S106); and infusing an argon (Ar) gas into the chamber (S108), wherein the infusion of the chlorine gas is performed for 1 to 8 hours, the infusion of the argon gas is performed for 30 minutes to 3 hours, a temperature inside the chamber during the infusion of the gases is in the range of an ordinary temperature to 500 deg.C, and wherein the metal is aluminum or titanium.

Description

금속 증착용 쉴드 및 챔버의 세정방법 {CLEANING METHOD OF SHIELD AND CHAMBER FOR METAL DEPOSITION}CLEANING METHOD OF SHIELD AND CHAMBER FOR METAL DEPOSITION}

본 발명은 금속 증착용 쉴드 및 챔버의 세정방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 작업이 용이하며 시간을 감소시킬 수 있어서 생산성을 향상시킬 수 있는 금속 증착용 쉴드 및 챔버의 세정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for cleaning a metal deposition shield and chamber, and more particularly, to a method for cleaning a metal deposition shield and chamber that can improve productivity by reducing the time and easy operation.

반도체 소자의 제조를 위해서는 여러 가지 공정이 수행되는데, 그 중에서 접촉과 배선을 위한 금속 공정은 필수적이다. 원하는 금속 패턴을 얻기 위해서는 통상적으로, 우선 소정의 패턴 상부에 금속층을 형성하고 이의 상부에 식각 마스크 패턴, 통상, 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 노출된 금속층을 에칭하고 포토레지스트 패턴을 제거하는 일련의 공정을 수행하고 있다. 금속층을 형성하기 위해서는 웨이퍼상의 소정의 막 상부에 금속을 도포 하게 되는데, 최근에는 화학기상증착법(CVD; chemical vapor deposition)을 많이 사용하고 있다.Various processes are performed to manufacture a semiconductor device, among which a metal process for contact and wiring is essential. In order to obtain a desired metal pattern, a series of layers are first formed by first forming a metal layer on a predetermined pattern, and then forming an etching mask pattern, usually a photoresist pattern thereon, and then etching the exposed metal layer and removing the photoresist pattern. Carrying out the process. In order to form a metal layer, a metal is coated on a predetermined film on a wafer. Recently, chemical vapor deposition (CVD) is frequently used.

CVD 공정의 수행을 위해서는 금속층을 형성하고자 하는 웨이퍼를 챔버 내부의 웨이퍼 스테이지에 장착하고 진공상태에서 아르곤 가스를 프로세스 가스로 사용하여 알루미늄, 티타늄 등과 같은 소정의 금속을 증착하게 되는데, 금속이 챔버의 내벽 면에 증착 되는 것을 방지하기 위하여 챔버의 내부에는 이의 벽면과 소정 거리를 두고 쉴드가 장착된다.In order to perform the CVD process, a wafer to be formed with a metal layer is mounted on a wafer stage inside the chamber, and a predetermined metal such as aluminum or titanium is deposited using argon gas as a process gas in a vacuum state. In order to prevent deposition on the surface, the shield is mounted at a predetermined distance from the wall surface of the chamber.

쉴드는 통상 스테인레스강(SUS; stainless steel)으로 제조되며 챔버의 벽면을 가려줄 수 있도록 통상 실린더형으로 제조된다. 따라서, 챔버 내에서 금속 증착 공정을 수행한 후, 쉴드를 탈착하여 쉴드에 증착된 금속을 세정해 주고 이를 다시 장착하는 작업을 하면 다음 금속 증착 공정을 수행할 수 있게 된다. 이 때, 챔버의 내벽 면에도 약간의 금속이 증착 되는 것을 피할 수 없는데, 이는 간단한 수작업으로 세정할 수 있다. 상기한 쉴드의 세정 작업과 챔버의 세정 및 다음 금속 증착 공정의 수행을 위한 준비 작업을 상세히 살펴보기로 한다.The shield is usually made of stainless steel (SUS) and is usually made of a cylindrical shape to cover the wall of the chamber. Therefore, after the metal deposition process is performed in the chamber, when the shield is removed and the metal deposited on the shield is cleaned and remounted, the next metal deposition process can be performed. At this time, the deposition of some metal on the inner wall surface of the chamber is inevitable, which can be cleaned by simple manual operation. The cleaning operation of the shield, the cleaning of the chamber, and the preparation for performing the next metal deposition process will be described in detail.

도 1에는 통상적인 방법에 따라 챔버 내에서 금속 증착 작업을 수행한 후, 챔버를 세정하고 재가동하여 다음 금속 증착 작업을 수행할 수 있도록 준비하는 공정을 설명하기 위한 플로우 차트를 나타내었다.FIG. 1 is a flowchart illustrating a process of preparing a metal deposition operation in a chamber according to a conventional method, and then cleaning the chamber and restarting to prepare for the next metal deposition operation.

먼저, 금속 증착 작업이 완료되면(단계 S10), 챔버내의 진공을 해제하기 위하여 이를 개방하여 공기가 주입되도록 한다(단계 S12). 이후, 챔버로부터 쉴드를 탈착하여(단계 S14) 이의 세정은 별도로 수행하고 챔버의 내벽면을 세정하는 작업을 수행한다(단계 S16). 챔버의 세정은 수세미 작업, 샌드페이퍼 작업, 알코올 세정 작업등을 단독으로 또는 적절하게 병행 수행하며, 이의 완료는 육안으로 판단한다. 챔버의 세정이 완료되면 세정된 쉴드를 장착한다(단계 S18). 이후 챔버 내를 진공으로 만들어 주기 위하여 펌핑작업을 수행하고(단계 S20), 펌프 내에 포획된 공기를 대기 중으로 배출하여 펌프를 비우기 위하여 펌프를 재생하는 작업을 수행하게 된다(단계 S22).First, when the metal deposition operation is completed (step S10), to release the vacuum in the chamber to open it so that air is injected (step S12). Thereafter, the shield is detached from the chamber (step S14), and the cleaning thereof is performed separately, and the operation of cleaning the inner wall surface of the chamber is performed (step S16). The cleaning of the chamber is performed alone or properly in parallel with a loofah work, a sandpaper work, an alcohol cleaning work, and the completion thereof is visually judged. When the cleaning of the chamber is completed, the cleaned shield is mounted (step S18). Thereafter, the pumping operation is performed to make the chamber into a vacuum (step S20), and the operation of regenerating the pump to empty the pump by discharging the air trapped in the pump into the atmosphere is performed (step S22).

다음에, 챔버 벽면에 붙은 불순물, 가스등을 완전히 제거하기 위하여 약 450℃의 온도로 챔버 내를 베이킹하고(단계 S24), 알루미늄, 티타늄 등의 타겟 금속을 약 250℃의 온도로 가열하여 챔버 내에 장착하기 전에 대기 중에서 금속의 표면에 부착된 가스나 수분 등을 제거하기 위한 타겟 번-아웃 공정을 수행하도록 한다(단계 S26). 이후, 더미 웨이퍼(dummy wafer)를 사용하여 더미 플로우 시켜 보고(단계 S28), 모니터 하면 다음 금속 증착 공정의 수행을 위한 준비가 완료되는 것이다(단계 S30).Next, in order to completely remove impurities, gas, etc. adhering to the chamber wall, the chamber is baked at a temperature of about 450 ° C. (step S24), and a target metal such as aluminum or titanium is heated to a temperature of about 250 ° C. and mounted in the chamber. Before performing the target burn-out process for removing gas, moisture, etc. adhering to the surface of the metal in the air to perform (step S26). Subsequently, the dummy flow is reported using a dummy wafer (step S28), and when it is monitored, preparation for performing the next metal deposition process is completed (step S30).

탈착된 쉴드의 세정은 다음과 같이 이루어진다. 도 2에는 통상적인 방법에 따라 챔버내의 쉴드를 세정 및 장착하기 위한 공정을 설명하기 위한 플로우 차트를 나타내었다.Cleaning of the detached shield is carried out as follows. 2 shows a flow chart for explaining a process for cleaning and mounting a shield in a chamber according to a conventional method.

탈착된 쉴드는 먼저 에칭 처리하여 증착된 금속을 제거하게 된다(단계 S40). 금속이 알루미늄인 경우에는 에칭액으로서 수산화나트륨(KOH)을 물에 녹인 용액을 사용하고, 금속이 티타늄인 경우에는 에칭액으로서 과산화수소수와 암모니아의 혼합액을 사용하도록 한다. 이를 증류수로 1차 세정한다(단계 S42). 완전히 에칭되지 않은 미소량의 금속을 제거하기 위해서 물과 모래의 혼합물을 약 80 psi의 강한 압력으로 불어주는 비드 처리 작업을 수행하고(단계 S44), 이후 쉴드를 불화수소(HF)와 증류수의 혼합액에 침지시킨다(단계 S46). 증류수로 2차 세정한 후(단계 S48), 쉴드 표면에 부착된 불순물, 화학 물질 등을 제거하기 위하여 초음파로 세정해준다(단계 S50). 마지막으로 수분을 제거하기 위하여 약 150℃의 온도에서 약 4시간 정도 베이킹 공정을 수행하면 쉴드의 세정이 완료되는 것이다(단계 S52).The detached shield is first etched to remove the deposited metal (step S40). When the metal is aluminum, a solution in which sodium hydroxide (KOH) is dissolved in water is used as the etching solution. When the metal is titanium, a mixed solution of hydrogen peroxide solution and ammonia is used as the etching solution. This is first washed with distilled water (step S42). A bead treatment operation is performed to blow a mixture of water and sand to a strong pressure of about 80 psi to remove a small amount of metal that is not fully etched (step S44), and then the shield is mixed with hydrogen fluoride (HF) and distilled water. It is immersed in (step S46). After the second washing with distilled water (step S48), it is ultrasonically cleaned to remove impurities, chemicals, etc. attached to the shield surface (step S50). Finally, if the baking process is performed at about 150 ° C. for about 4 hours to remove moisture, the cleaning of the shield is completed (step S52).

상술한 바와 같이 금속 증착 공정이 수행되고 나서, 다음 공정을 수행하기 위하여 챔버와 쉴드는 별도로 다수의 공정을 수행하여 세정하고 준비하는 작업을 필요로 하게 된다. 특히, 쉴드는 탈착하여 별도로 다수의 세정 공정을 통하여 세정한 후, 다시 장착해야 하는 번거로움이 있다. 이러한 준비를 위해서는 통상 약 24시간 정도가 소요되는데 이러한 복잡한 공정은 작업성과 생산성을 저해하는 요소가 되고 있다.As described above, after the metal deposition process is performed, in order to perform the next process, the chamber and the shield need to perform a plurality of processes to clean and prepare separately. In particular, the shield may be detached and washed separately through a plurality of cleaning processes, and then remounted. This preparation usually takes about 24 hours, and such a complicated process has been a detrimental factor for workability and productivity.

이에, 본 발명에서는 상기한 바와 같은 종래의 쉴드 및 챔버의 세정방법이 복잡하고 시간이 많이 소요된다는 문제점을 해결하기 위하여 세정 공정이 단순화되고 준비 시간이 감소되어 생산성을 향상시킬 수 있는 금속 증착용 쉴드 및 챔버의 세정방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Accordingly, in the present invention, in order to solve the problem that the conventional method of cleaning the shield and the chamber as described above is complicated and time-consuming, the cleaning process is simplified and the preparation time is reduced to improve the productivity of the metal deposition shield And a method for cleaning the chamber.

도 1은 통상적인 방법에 따라 챔버 내에서 금속 증착 작업을 수행한 후, 챔버를 세정하고 재가동하여 다음 금속 증착 작업을 수행할 수 있도록 준비하는 공정을 나타내는 플로우 차트이다.FIG. 1 is a flow chart illustrating a process of performing a metal deposition operation in a chamber according to a conventional method, and then cleaning the chamber and restarting to prepare for the next metal deposition operation.

도 2는 통상적인 방법에 따라 챔버내의 쉴드를 세정 및 장착하기 위한 공정을 나타내는 플로우 차트이다.2 is a flow chart illustrating a process for cleaning and mounting a shield in a chamber in accordance with conventional methods.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 방법에 의해 챔버 내에서 금속 증착 작업을 수행한 후, 쉴드 및 챔버를 세정하고 재가동하여 다음 금속 증착 작업을 수행할 수 있도록 준비하는 공정을 나타내는 플로우 차트이다.FIG. 3 is a flow chart illustrating a process of preparing a metal deposition operation in a chamber by a method according to an embodiment of the present invention and then cleaning and restarting the shield and the chamber to prepare for the next metal deposition operation. .

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 방법에 의해 쉴드 및 챔버를 세정하는 방법을 설명하기 위하여 개략적으로 나타낸 챔버 내부의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of the interior of the chamber schematically illustrating a method of cleaning the shield and the chamber by a method according to one embodiment of the invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10: 챔버 20: 쉴드10: chamber 20: shield

30: 더미 웨이퍼 40: 웨이퍼 스테이지30: dummy wafer 40: wafer stage

50: RF 파워 인가용 전원 60: Cl2가스 주입관50: RF power supply 60: Cl 2 gas injection tube

70: Ar 가스 주입관70: Ar gas injection tube

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는In the present invention to achieve the above object of the present invention

금속 증착 공정이 완료된 후 웨이퍼 스테이지의 상부에 더미 웨이퍼를 장착하는 단계;Mounting a dummy wafer on top of the wafer stage after the metal deposition process is completed;

챔버의 내부에 상기 챔버와 소정의 간격을 두고 설치된 쉴드에 100-400MHz의 RF 파워를 인가하는 단계;Applying an RF power of 100-400 MHz to a shield installed at a predetermined distance from the chamber inside the chamber;

챔버의 내부에 염소(Cl2) 가스를 주입하는 단계; 및Injecting chlorine (Cl 2 ) gas into the chamber; And

챔버의 내부에 아르곤(Ar) 가스를 주입하는 단계를 포함하는 금속 증착용 쉴드 및 챔버의 세정방법을 제공한다.It provides a metal deposition shield and a method for cleaning the chamber comprising the step of injecting argon (Ar) gas into the chamber.

특히, 상기 챔버내의 온도는 상온 내지 500℃ 범위로 하는 것이 바람직하며, 염소 가스는 약 1-8 시간 동안 주입하고 아르곤 가스는 약 30분-3시간 동안 주입하는 것이 바람직하다. 또한 상기 금속으로는 알루미늄, 티타늄 등이 용이하게 적용될 수 있다.In particular, the temperature in the chamber is preferably in the range of room temperature to 500 ℃, chlorine gas is injected for about 1-8 hours and argon gas is preferably injected for about 30 minutes-3 hours. In addition, as the metal, aluminum, titanium, and the like can be easily applied.

본 발명에서는 세정 공정이 복잡하고 시간이 많이 걸리는 쉴드 및 챔버를 고주파를 인가하고 활성 가스인 염소 가스로 1차 세정하고, 불활성 가스인 아르곤 가스로 2차 세정하는 것에 의해 쉴드의 세정을 수행하도록 함으로써 작업성과 생산성을 획기적으로 향상시키도록 한 것이다.In the present invention, the shield and the chamber, which are complicated and time-consuming, are subjected to high frequency, and the shield is first washed with chlorine gas as an active gas and secondly with argon gas as an inert gas. It is to drastically improve workability and productivity.

이하, 본 발명을 첨부된 도면을 참고로 하여 구체적인 실시예에 따라 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3에는 본 발명의 방법에 따라 쉴드 및 챔버를 세정하기 위한 공정을 설명하기 위한 플로우 차트를 나타낸다.3 shows a flow chart illustrating the process for cleaning the shield and chamber in accordance with the method of the present invention.

먼저, 금속 증착 공정이 완료되면(단계 S100), 진공을 해제하지 않은 상태에서 웨이퍼 이송 암을 사용하여 웨이퍼를 더미 웨이퍼로 교환하도록 한다(단계 S102). 더미 웨이퍼는 웨이퍼 스테이지의 손상을 방지하기 위하여 장착해 주는 것이다. 미리 스테인레스강으로 제조된 쉴드에 연결되어 있던 구리 전극을 통하여 RF 파워를 인가하도록 한다(단계 S104). 본 발명자는 13.56MHz의 주파수를 갖는 파워를 인가하였으나 이 값은 특별히 한정적이지 않고 금속의 종류, 사용하는 장비의 종류 등에 따라 변경할 수 있을 것이다. 반복적인 실험에 의하면 약 100-400MHz 정도의 주파수 값을 갖는 파워를 인가하면 소정의 효과를 얻을 수 있는 것으로 밝혀졌다.First, when the metal deposition process is completed (step S100), the wafer is replaced with the dummy wafer using the wafer transfer arm without releasing the vacuum (step S102). The dummy wafer is mounted to prevent damage to the wafer stage. RF power is applied through a copper electrode that is previously connected to a shield made of stainless steel (step S104). The present inventor applied power having a frequency of 13.56 MHz, but this value is not particularly limited and may be changed according to the type of metal, the type of equipment used, and the like. Repeated experiments have shown that applying a power having a frequency value of about 100-400 MHz can achieve a certain effect.

다음에 미리 설치된 염소 가스 주입관을 통하여 활성인 염소 가스를 주입하도록 한다(단계 S106). 주입된 염소 가스는 인가된 고주파의 파워에 의해 플라즈마로 되어 쉴드 벽면을 때리게 된다. 이는 벽면에 부착된 알루미늄, 티타늄과 같은 금속을 제거해 주게 된다. 염소 가스를 주입함과 동시에 챔버를 펌핑하여 이를 지속적으로 제거해 주도록 한다. 염소 가스를 이용한 세정은 약 1-8 시간 정도, 바람직하게는 약 4시간 정도 수행하도록 한다.Next, active chlorine gas is injected through the pre-installed chlorine gas injection pipe (step S106). The injected chlorine gas becomes plasma by the applied high frequency power and strikes the shield wall. This will remove metals such as aluminum and titanium from the wall. As the chlorine gas is injected, the chamber is pumped to remove it continuously. Cleaning with chlorine gas is performed for about 1-8 hours, preferably about 4 hours.

이후, 미리 설치되어 있던 아르곤 가스 주입관을 통하여 불활성인 아르곤 가스를 약 30분-3시간, 바람직하게는 약 1시간 정도 주입하여 벽면에 부착되어 있거나 챔버 내에 남아 있는 염소기 등을 제거하도록 한다(단계 S108). 이 때도 지속적으로 챔버를 펌핑하도록 한다. 금속 증착 공정의 수행시 프로세스 가스가 아르곤이기 때문에 챔버 내에 아르곤 가스가 잔존하여도 별 문제가 없게 된다.Thereafter, an inert argon gas is injected through an argon gas injection tube installed in advance for about 30 minutes-3 hours, preferably about 1 hour, to remove chlorine groups, etc. attached to the wall or remaining in the chamber ( Step S108). At this time, the chamber is continuously pumped. Since the process gas is argon when performing the metal deposition process, there is no problem even if argon gas remains in the chamber.

플라즈마 처리 중에 챔버내의 온도는 특별히 제한적이지는 않으나 실온 내지 500℃ 정도의 온도 범위에서 바람직하게 수행할 수 있다.The temperature in the chamber during the plasma treatment is not particularly limited, but may be preferably performed in a temperature range of about room temperature to about 500 ° C.

플라즈마를 이용한 쉴드 및 챔버의 세정 작업이 마무리되면 펌프에 포획된 가스를 대기 중으로 배출하는 펌프 재생 작업을 수행하고(단계 S110), 이후 통상적인 챔버 베이킹(단계 S112), 타겟 번-아웃(단계 S114), 더미 플로우(단계 S116) 및 모니터(단계 S118) 등의 공정을 수행하여 다음 금속 증착 공정의 준비를 완료하게 된다.When the cleaning operation of the shield and the chamber using plasma is completed, a pump regeneration operation for discharging the gas trapped in the pump to the air is performed (step S110), and then, the conventional chamber baking (step S112) and the target burn-out (step S114). ), A dummy flow (step S116) and a monitor (step S118) are performed to complete the preparation of the next metal deposition process.

도 4에는 본 발명의 방법에 따라 쉴드 및 챔버를 세정하는 방법을 설명하기 위하여 챔버의 내부 단면도를 개략적으로 나타낸다.4 schematically shows an internal cross-sectional view of the chamber to illustrate a method of cleaning the shield and the chamber in accordance with the method of the present invention.

이는 크게, 챔버(10), 상기 챔버(10)와 소정의 간격을 두고 이격되게 설치된 쉴드(20), 상기 쉴드(20)의 내부 하상면에 설치된 웨이퍼 스테이지(40)의 상부에 상기 웨이퍼 스테이지(40)의 손상을 방지하기 위하여 장착된 더미 웨이퍼(30), 상기 쉴드(20)에 RF 파워를 인가하기 위한 전원(50), 염소 가스를 주입하기 위한 염소 가스 주입관(60) 및 아르곤 가스를 주입하기 위한 아르곤 가스 주입관(70)을 구비하고 있다.This is largely the chamber stage, the shield 20 is spaced apart from the chamber 10 at a predetermined interval, the wafer stage (top) on the upper surface of the wafer stage 40 provided on the inner lower surface of the shield ( In order to prevent damage to the 40, a dummy wafer 30 mounted therein, a power source 50 for applying RF power to the shield 20, a chlorine gas injection tube 60 for injecting chlorine gas, and an argon gas An argon gas injection tube 70 for injection is provided.

쉴드(20)에 RF 파워를 인가하고 염소 가스 주입관(60)에 설치된 밸브를 열어 주어 이를 통하여 염소 가스를 주입하거나 아르곤 가스 주입관(70)에 설치된 밸브를 열어 주어 이를 통하여 아르곤 가스를 주입시키면 이들이 플라즈마가 되어 쉴드 및 챔버의 벽면을 때리게 되는 것이다. 염소 가스는 활성 가스로서 쉴드(20)의 벽면에 증착된 금속 막질을 에칭 하는 역할을 하며, 아르곤 가스는 불활성 가스로서 쉴드(20) 및 챔버(10)에 잔존하는 불순물을 에칭하고 챔버내의 염소 가스를 제거하여 세정을 마무리하는 역할을 한다.Apply RF power to the shield 20 and open the valve installed in the chlorine gas injection tube 60 to inject chlorine gas or open the valve installed in the argon gas injection tube 70 to inject argon gas therethrough. They become plasmas and hit the walls of the shield and chamber. The chlorine gas serves as an active gas to etch the metal film deposited on the wall of the shield 20, and the argon gas is an inert gas to etch impurities remaining in the shield 20 and the chamber 10 and chlorine gas in the chamber. It serves to finish the cleaning by removing the.

쉴드 및 챔버의 세정이 마무리되면 펌프 재생 공정을 수행하도록 하며, 이후 통상의 공정을 수행하여 다음 금속 증착 공정을 위한 준비 작업을 하도록 하게 되는 것이다. 본 발명의 방법에 의하면 진공을 해제하지 않은 상태에서 쉴드 및 챔버를 세정하고 금속 증착 공정을 수행하는 1 주기의 작업을 약 4회 정도 지속적으로 반복 수행이 가능하다. 바람직하게는 약 4 주기의 작업을 수행한 후에는 진공을 해제하고 쉴드를 탈착하여 쉴드 및 챔버를 종래의 방법에 따라 각각 세정해 주는 것이 좋다.When the cleaning of the shield and the chamber is finished, the pump regeneration process is performed, and then a conventional process is performed to prepare for the next metal deposition process. According to the method of the present invention, one cycle of continuously cleaning the shield and the chamber and performing the metal deposition process may be continuously performed about four times without releasing the vacuum. Preferably, after performing about four cycles of work, it is preferable to release the vacuum and detach the shield to clean the shield and the chamber according to a conventional method.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 세정방법에 의하면 진공을 해제할 필요가 없으며 반도체 공정에서 많이 사용되는 장비를 사용하여 RF 파워를 인가해 주는 것에 의해, 단순한 방법으로 쉴드 및 챔버를 세정할 수 있다.As described above, according to the cleaning method of the present invention, it is not necessary to release the vacuum, and the shield and the chamber can be cleaned by a simple method by applying RF power using equipment that is frequently used in a semiconductor process.

특히, 쉴드를 별도로 탈착하여 세정하고 다시 장착하는 번거로운 작업이 생략되며 세정작업 자체도 매우 간략하게 되어 작업성이 향상된다. 따라서 전체적인 금속 증착 공정의 준비 작업 시간도 약 12 시간 정도로 감축되어 손실 시간이 감소되며 생산성이 향상된다.In particular, the cumbersome work of separately removing and cleaning the shield and remounting the shield is omitted, and the cleaning work itself is very simplified, thereby improving workability. Therefore, the preparation time for the overall metal deposition process is also reduced to about 12 hours, thereby reducing the loss time and improving productivity.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.

Claims (3)

금속 증착 공정이 완료된 후 웨이퍼 스테이지의 상부에 더미 웨이퍼를 장착하는 단계;Mounting a dummy wafer on top of the wafer stage after the metal deposition process is completed; 챔버의 내부에 상기 챔버와 소정의 간격을 두고 설치된 쉴드에 100-400MHz의 RF 파워를 인가하는 단계;Applying an RF power of 100-400 MHz to a shield installed at a predetermined distance from the chamber inside the chamber; 챔버의 내부에 염소(Cl2) 가스를 주입하는 단계; 및Injecting chlorine (Cl 2 ) gas into the chamber; And 챔버의 내부에 아르곤(Ar) 가스를 주입하는 단계를 포함하는 금속 증착용 쉴드 및 챔버의 세정방법.A method for cleaning a chamber and a chamber for metal deposition comprising injecting argon (Ar) gas into the chamber. 제1항에 있어서, 상기 염소 가스의 주입이 1-8 시간 동안 수행되며 상기 아르곤 가스의 주입이 30분-3시간 동안 수행되고, 가스의 주입 중에 챔버내의 온도가 상온 내지 500℃ 범위인 것을 특징으로 하는 금속 증착용 쉴드 및 챔버의 세정방법.The method of claim 1, wherein the injection of chlorine gas is carried out for 1-8 hours and the injection of argon gas is carried out for 30 minutes-3 hours, the temperature in the chamber during the injection of gas ranges from room temperature to 500 ℃ The metal deposition shield and chamber cleaning method. 제1항에 있어서, 상기 금속이 알루미늄 또는 티타늄인 것을 특징으로 하는 금속 증착용 쉴드 및 챔버의 세정방법.The method of claim 1, wherein the metal is aluminum or titanium.
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KR100439478B1 (en) * 2001-12-22 2004-07-09 동부전자 주식회사 Method for cleaning a shield of a metal film deposition apparatus
KR100440064B1 (en) * 2001-08-28 2004-07-15 주식회사 무한 method for in site cleaning of ALD process chamber
KR100470349B1 (en) * 2002-04-15 2005-02-21 주식회사 싸이노스엔지니어링 Cleansing method of insulators in etching equipment using chlorine

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