KR20010037559A - 고주파용 플라즈마 표시소자 - Google Patents

Abstract

본 발명은 고주파 방전패스를 늘리도록 구성된 고주파용 플라즈마 표시소자에 관한 것이다.

본 발명의 고주파용 플라즈마 표시소자는 격벽에 형성되어 고주파 방전 패스를 늘리는 고주파 보조전극을 구비한다.

이러한 구성에 의해, 본 발명의 고주파용 플라즈마 표시소자는 방전효율이 향상된다.

Description

고주파용 플라즈마 표시소자{Plasma Display Panel Device for Radio Frequency}

본 발명은 고주파용 플라즈마 표시소자에 관한 것으로 특히, RF 방전패스를 늘리도록 구성된 고주파용 플라즈마 표시소자에 관한 것이다.

최근, 액정표시장치(Liquid Crystal Display; 이하 "LCD"라 함), 전계방출 표시장치(Field Emission Display; 이하 "FED"라 함) 및 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel; 이하 "PDP"라 함)등의 평면 표시장치가 활발히 개발되고 있으며, 이들중 PDP는 단순구조에 의한 제작의 용이성, 휘도 및 발광 효율의 우수, 메모리 기능 및 160。 이상의 광시야각을 갖는 점과 아울러 40 인치이상의 대화면을 구현할수 있는 장점을 가지고 있다. 이러한 PDP는 유지방전의 횟수를 조절함에의해 화상 표시에 필요한 단계적인 밝기, 즉 그레이 스케일(Gray Scale)을 구현하게 된다. 이와같이 유지방전횟수는 PDP의 휘도 및 방전효율을 결정하는 중요한 요소로 인식되고 있다. 실제로, 교류(AC)방식의 PDP에서는 유지방전을 수행하기 위해 통상 10 - 100㎑의 구형펄스를 주기적으로 인가하게 된다. 이 경우, 유지방전은 서스테인 펄스당 극히 짧은 순간에 1번씩만 발생하게 된다. 또한, 유지방전에 의해 발생된 하전입자들은 서스테인 전극쌍에 형성된 방전경로를 전극의 극성을 따라 이동함으로써 셀의 방전공간 내부에는 공간전하가 형성되고 이 공간전하에 의해 방전공간 내의 방전전압이 감소하면서 방전개시 전압보다 낮은 전압으로 서스테인을 지속할 수 있다. 이때, 유지펄스에 의한 유지방전은 매 펄스마다 극히 짧은 순간에 1번씩만 발생하고 그외의 대부분의 시간은 벽전하 형성 및 다음 방전을 위한 준비단계로 소비됨으로써 PDP의 방전효율이 저하되게 된다.

또한, 교류방식 PDP에서는 방전시 유전층에 전자와 이온에 의한 벽전하가 형성되게 된다. 이때, 유전층에 형성된 벽전하에 의해 방전공간에 인가되는 전압레벨이 낮아져 방전공간에 존재하는 이온과 전자간의 재결합이 일어나므로 전력소모량이 증가하게 된다.

이러한 문제를 해결하기 위해 고주파(Radio Frequency; 이하 "RF"라 한다)용 PDP가 제안되고 있다. 도 1 내지 도 3을 결부하여 종래의 RF방전용 PDP에 대하여 살펴보기로 한다.

도 1을 참조하면, 종래의 RF방전용 PDP는 하부기판(8)의 상부에 형성된 데이터 전극(2)과, 데이터전극(2)과 직교하도록 유전층(16)에 실장된 스캔/RF 기저전극(4)과, 유전층(16)의 상부에 수직으로 형성되어 각각의 방전셀을 분할하는 격벽(12)과, 격벽(12)의 내측벽에 도포되어 광빔을 발생하는 형광체(14)와, 상부기판(10)의 상부에 형성된 상부유전층(18)과, 스캔/RF 기전전극(4)과 대향하도록 상부유전층(18)에 실장되어 RF신호를 인가하는 RF전극(6)을 구비한다. 이때, 전극의 배열상태를 살펴보면, 하부기판(8)에는 데이터 전극(2)과 직교하도록 스캔/RF 기저전극(4)이 형성되어 있고, 상부기판(10)에는 스캔/RF 기저전극(4)과 대향되도록 RF전극(6)이 형성되어 있다. 이때, 스캔/RF 기저전극(4)과 RF전극(6)에 RF신호가 인가될 경우 RF방전이 일어나게 된다. 또한, RF방전용 PDP의 격벽은 교류형 PDP에비해 높게 형성하는 것이 바람직하다. 한편, 도 2를 결부하여 RF방전용 PDP의 동작에 대하여 설명하기로 한다. 데이터 신호에 대응하도록 데이터 전극(2) 및 스캔/RF 기저전극(4) 사이에 구동전압이 인가되면, 어드레스 방전이 수행되어 방전셀에는 하전입자가 발생하게 된다. 이들 하전입자들은 RF전극(6)에 인가된 RF펄스에 의해 진동운동함으로써 방전셀 내부를 연속적으로 이온화 시킴과 아울러, 여기시키게 되어 방전시간동안 연속적인 방전을 일으키게 한다.

한편, 방전셀 내부에서의 RF전계에 대하여 도 3을 결부하여 살펴보기로 한다. 도 3에 스캔/RF 기저전극(4)의 전위를 0으로 하고 RF전극(6)에 Vsm * Sin(??t+??)파형의 정현파를 인가하여 생긴 전계가 도시되어 있다. 이때, RF펄스는 수㎒ - 수십㎒의 주파수를 가지게 된다. 도 3에 도시된 바와같이 RF전계는 RF전극(6)과 스캔/RF 기저전극(4) 사이에 직선적으로 형성되어 있다. 즉, RF전극(6)과 스캔/RF 기저전극(4) 간의 거리가 최단의 패스를 갖도록 전계가 형성되게 된다. 이때, 하전입자와 이온이 유전층에 직접 충돌할 경우 재결합이 일어나게 됨과 아울러 열에너지로 변환되게 된다. 이로인해, 방전효율을 높이기 위해서는 격벽의 높이를 높이거나 RF주파수를 높여서 하전입자가 방전공간에 머물러 있는 시간이 크게 하는 것이 좋다.

따라서, 본 발명의 목적은 RF방전 패스를 늘리도록 구성된 RF용 플라즈마 표시소자를 제공 하는데 있다.

도 1은 RF방전용 PDP의 구성을 도시한 도면.

도 2는 RF방전용 PDP의 동작을 설명하기 위해 도시한 도면.

도 3은 RF방전용 PDP에서 형성된 전계를 도시한 도면.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 RF방전용 PDP의 구성을 도시한 도면.

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 RF방전용 PDP에 형성된 전계를 도시한 도면.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 RF방전용 PDP의 구성을 도시한 도면.

＜ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ＞

2,32 : 데이터전극 4,34 : 스캔/RF 기저전극

6,36 : RF전극 8,38 : 하부기판

10,40 : 상부기판 12,42 : 격벽

14,44 : 형광체 16,18,46,48 : 유전층

42' : 도전성 격벽 50 : 보조전극

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 RF용 PDP는 격벽에 형성되어 고주파 방전 패스를 늘리는 고주파 보조전극을 구비한다.

상기 목적외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.

도 4 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명 하기로 한다.

도 4를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 RF방전용 PDP는 방전공간을 격자형으로 분할하는 격벽(42)과, 상기 격벽(42)에 실장되어 RF방전 패스를 늘리는 RF보조전극(50)을 구비한다. 상기 격벽(42)은 격자형으로 형성되어 각각의 방전공간을 분할하게 된다. 또한, RF보조전극(50)은 격벽(42)에 소정의 두께를 갖도록 형성되어 RF방전 패스를 늘리게 된다. 도 5를 결부하여 이에 대하여 상세하게 살펴보기로 한다.

도 5를 참조하면, RF방전용 PDP는 하부기판(38)의 상부에 형성된 데이터 전극(32)과, 데이터전극(32)과 직교하도록 유전층(46)에 실장된 스캔/RF 기저전극(34)과, 유전층(46)의 상부에 수직으로 형성되어 각각의 방전셀을 분할하는 격벽(42)과, 격벽(42)의 내측벽에 도포되어 광빔을 발생하는 형광체(44)와, 상부기판(40)의 상부에 형성된 유전층(48)과, 스캔/RF 기전전극(34)과 대향하도록 유전층(48)에 실장되어 RF신호를 인가하는 RF전극(36)과, 상기 격벽(42)에 형성되어 고주파 방전패스를 늘리는 RF보조전극(50)을 구비한다. 데이터 신호에 대응하도록 데이터 전극(32) 및 스캔/RF 기저전극(24) 사이에 구동전압이 인가되면, 어드레스 방전이 수행되어 방전셀에는 하전입자가 발생하게 된다. RF전극(6) 및 스캔/RF 기저전극(34) 사이에 인가된 RF펄스에 의해 하전입자들이 진동운동하여 RF방전이 수행되게 된다. 이때, RF방전에 의해 방전셀 내부는 연속적으로 이온화 됨과 아울러, 여기되어 지므로 방전시간동안 연속적인 방전이 발생되게 된다.

한편, 도 5에 도시된 바와같이 방전셀 내부에서의 RF전계는 가운데를 기준으로 주변으로 갈수로 긴 패스를 갖게된다. 이를위해, RF전극(36)과 스캔/RF 기저전극(34)간에는 소정의 전압레벨을 갖는 RF펄스를 인가하게 된다. 이어서, RF보조전극(50)에는 RF전극(36)에 인가되는 전압의 1/2에 해당하는 전압을 인가한다. 이 경우, RF전극(36)과 RF보조전극(50) 간의 전위차에 의해 전계는 점차적으로 격벽(42) 쪽으로 가까이 형성된다. 상기 전위차에 대응하도록 격벽(42) 쪽으로 최대한 가까이 전계가 형성된 이후에는 RF보조전극(50)과 스캔/RF 기저전극(34) 간의 전위차에 의해 전계는 서서히 격벽(42) 쪽에서 멀리 형성되게 된다. 이때, RF전계가 RF 보조전극(50)에 근접할수록 이 부분의 전계는 약해지고 하전입자의 흐름도 느려지게 된다. 즉, RF보조전극(50)에 소정의 레벨을 갖는 전압(예를들면, RF펄스 전압의 1/2) 을 인가하여 RF전계를 왜곡시키게 된다. 이에따라, 비교적 느리게 이동하는 하전입자가 긴 궤적을 그리며 움직이게 되므로 유전층에 닿아 손실될 확률이 적어지게 된다.

상술한 바와같이 본 발명의 일실시예에 따른 RF방전용 PDP는 격벽(42)에 RF보조전극(50)을 형성하여 RF방전 패스를 늘리도록 구성되어 방전효율을 높이게 된다.

도 6를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 RF방전용 PDP는 방전공간을 격자형으로 분할함과 아울러 RF방전 패스를 늘리는 도전성 격벽(42')을 구비한다. 상기 격벽(42')은 격자형으로 형성되어 각각의 방전공간을 분할하게 된다. 또한, 도전성 격벽(42')은 도전성을 가지게 되어 상기 RF보조전극의 기능을 동시에 수행하게 된다. 즉, RF보조전극(50)이 격벽(42) 전체에 형성된 경우가 된다. 이때, RF보조전극의 기능은 도 5와 동일하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다. 이 경우, RF보조전극은 도전성 격벽(42')으로 형성된다. 즉, RF보조전극을 별도로 형성하지 않아도 되므로 제조공정을 단순화 하게 된다. 상술한 바와같이 본 발명의 다른 실시예에 따른 RF방전용 PDP는 도전성 격벽(42')을 RF보조전극으로 사용하여 RF방전 패스를 늘리도록 구성되어 방전효율을 높이게 된다.

상술한 바와같이, 본 발명의 RF방전용 PDP는 RF방전 패스를 늘려 방전효율을 높일수 있는 장점이 있다.

이상 설명한 내용을 통해 당업자 라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.

Claims (4)

1. 하부기판의 상부에 형성된 데이터 전극과, 상기 데이터전극과 직교하도록 형성된 스캔전극과, 상기 스캔전극에 평행하게 상부기판에 형성되어 고주파신호를 인가하는 고주파전극과, 상기 하부기판에 형성되어 상·하부기판 사이에 방전공간을 형성하는 격벽을 구비하는 고주파용 플라즈마 표시소자에 있어서,

   상기 격벽에 형성되어 고주파 방전 패스를 늘리는 고주파 보조전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 고주파용 플라즈마 표시소자.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 격벽은 격자형으로 형성된 것을 특징으로 하는 고주파용 플라즈마 표시소자.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 고주파보조전극은 격벽내에 형성된 것을 특징으로 하는 고주파용 플라즈마 표시소자.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 격벽이 도전성금속으로 형성되어 고주파 보조전극으로 사용되는 것을 특징으로 하는 고즈파용 플라즈마 표시소자.