KR20010019107A - Radio frequency switch - Google Patents

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KR20010019107A
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스티븐즈로더릭레오나르드웰라스
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디 알렌
로크 마노 리서치 리미티드
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    • H04B1/40Circuits
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Abstract

PURPOSE: A radio frequency switch is provided to improve a radio frequency separation between an input unit and an output unit of a switch by constituting a twin of semiconductor diode for a diode. CONSTITUTION: A semiconductor diode(30) is connected between an input unit(26) and an output unit(28) of a switch(20). A digital logic unit(22) consists of the first output unit(Q) for generating the first DC(direct current) voltage(+V), the second output unit(bar Q) for generating a voltage(-V) reverse to the first DC voltage(+V), and a starting input unit. The first output unit(Q) is connected with a cathode of the semiconductor diode(30), and the second output unit(bar Q) is connected with an anode of the semiconductor diode(30). The first voltage(+V) and the reverse voltage(-V) biases the semiconductor diode(30) in reverse direction, when the digital logic unit(22) is in the first state and a control signal received by a starting input unit of the digital logic unit changes. The digital logic unit(22) changes into the second state that the first output unit(Q) generates the reverse voltage(-V) and the second output unit(bar Q) generates the first voltage(+V), biases the semiconductor diode(30) in ordinary direction and connects the input unit(26) of the switch(20) with the output unit(28) of the switch(20).

Description

무선주파수 스위치{RADIO FREQUENCY SWITCH}Radio Frequency Switch {RADIO FREQUENCY SWITCH}

본 발명은 스위치의 제어 입력부에 인가된 스위치 신호에 따라, 스위치의 입력부에서 스위치의 출력부로 무선주파수 신호를 통신하도록 작동하는 무선주파수 스위치에 관한 것이다.The present invention relates to a radio frequency switch operable to communicate radio frequency signals from an input of a switch to an output of the switch in accordance with a switch signal applied to the control input of the switch.

무선주파수 신호용 스위치는, 스위치가 '오프'상태에 있을때 스위치의 입력부에 인가되는 무선주파수 신호를 분리할 수 있어야 하는 한편, 스위치가 '오프' 상태에 있을때 무선 주파수 신호의 효과적인 콘딧을 제공해야 된다. 무선주파수 스위치는 스위치가 '오프' 상태에 있을때 출력부로부터 스위치의 입력부를 효과적으로 분리할 수 있는 첫번째 기술의 문제를 제거해야 된다. 현재 무선주파수 스위치가 갖는 두번째 기술 문제는 소정량의 무선주파수 에너지가 출력부로 전달될 만큼 충분히 빠른 시간안에 '온' 상태에서 '오프' 상태로의 스위칭이 용이하지 않다는 것이다.The switch for radiofrequency signals must be able to isolate the radio frequency signal applied to the input of the switch when the switch is in the 'off' state, while providing an effective conduit of the radio frequency signal when the switch is in the 'off' state. The radio frequency switch should eliminate the problem of the first technique that can effectively isolate the input of the switch from the output when the switch is in the 'off' state. The second technical problem with radio frequency switches is that it is not easy to switch from an 'on' state to an 'off' state in a time fast enough for a predetermined amount of radio frequency energy to be delivered to the output.

종래의 무선주파수 스위치의 실시예를 설명하는 개요도가 도 1에 도시되어 있다. 도 1에서 무선주파수 스위치(1)는 입력부(2), 출력부(4), 및 추가의 터미널(6,8)사이에 형성된 제어 입력부를 가진다. 무선주파수 스위치(1)은 감결합 커패시터(12, 14)를 통해 출력부(4)와 입력부(2) 사이에 접속된 반도체 다이오드(10)를 포함하고 있다. 제어 입력 터미널(6,8)은 제 1 및 제 2 무선주파수 초크(16,18) 각각을 경유하여 다이오드(10)의 캐소드와 애노드 각각의 맞은 편에 접속되어 있다. 도 1 에 도시된 종래 무선주파수 스위치의 작동에서, 다이오드(10)가 '오프' 상태에 있는 동안, 입력 터미널(2)에 인가된 신호가 출력 터미널(4)에 도착하지 못하도록 한다. 따라서, '오프' 상태는, 다이오드(10)가 역방향 바이어스가 되도록 제어 입력 터미널 (6,8) 사이에 dc전압을 인가함으로써 얻어진다. 상응하여, 다이오드(10)이 순방향 바이어스되도록 제어 입력 터미널(6,8)사이에 적당한 DC 전압을 인가함으로써 얻어지도록 다이오드(10)가 전도될때, 입력 터미널(2)에 인가된 무선주파수 신호는 출력 터미널(4)에 전달된다.A schematic diagram illustrating an embodiment of a conventional radio frequency switch is shown in FIG. 1. The radiofrequency switch 1 in FIG. 1 has a control input formed between the input 2, the output 4, and further terminals 6, 8. The radio frequency switch 1 comprises a semiconductor diode 10 connected between the output section 4 and the input section 2 via decoupling capacitors 12, 14. The control input terminals 6, 8 are connected opposite the cathode and the anode of the diode 10 via respective first and second radio frequency chokes 16, 18. In the operation of the conventional radiofrequency switch shown in FIG. 1, while the diode 10 is in an 'off' state, a signal applied to the input terminal 2 does not reach the output terminal 4. Thus, the 'off' state is obtained by applying a dc voltage between the control input terminals 6, 8 so that the diode 10 is reverse biased. Correspondingly, when the diode 10 is inverted so that it is obtained by applying a suitable DC voltage between the control input terminals 6 and 8 so that the diode 10 is forward biased, the radio frequency signal applied to the input terminal 2 is output. It is passed to terminal 4.

이러한 무선주파수 스위치의 종래 형태가 가진 단점은, 고주파 신호가 스위치의 입력부에 인가될 때 다이오드(10)를 바이패스하는, 스위치(1)의 출력부(4)로 터미널(6,8)을 경유하여 무선주파수 초크(16,18)을 통해, 무선주파수 신호가 입력 터미널(2)로부터 전달되지 못하도록 무선주파수 초크(16,18)가 효과적으로 막지 못한다는 것이다. 따라서, 1에서 10GHz 사이의 범위에 신호를 위해서, 이러한 배치는 만족스럽지 못하다. 대안적으로, 증가된 무선주파수 분리는 무선주파수 초크 (16,18)의 인덕턴스를 증가시킴으로써 얻어질 수 있다. 그러나 이것은, '오프' 상태에서 '온' 상태로 변하는 스위치(1)의 걸리는 시간이 증가하는 효과로, 다이오드(10)가 전도되는 시간이 증가하는 단점을 가진다. 따라서 이러한 종래의 무선주파수 스위치(1)는 입력부(2)와 출력부(4)사이에서 상당히 짧은 기간의 무선주파수 신호를 스위칭하는데 사용될 수 없다.A disadvantage with the conventional form of such a radiofrequency switch is via the terminals 6, 8 to the output 4 of the switch 1, which bypasses the diode 10 when a high frequency signal is applied to the input of the switch. In other words, through the radio frequency choke (16, 18), the radio frequency choke (16, 18) does not effectively block the radio frequency signal from being transmitted from the input terminal (2). Thus, for signals in the range between 1 and 10 GHz, this arrangement is not satisfactory. Alternatively, increased radio frequency separation can be obtained by increasing the inductance of the radio frequency choke 16,18. However, this is an effect of increasing the time taken by the switch 1 to change from the 'off' state to the 'on' state, and has a disadvantage in that the time for the diode 10 to conduct is increased. Thus, this conventional radio frequency switch 1 cannot be used to switch a radio frequency signal of a considerably short duration between the input portion 2 and the output portion 4.

무선주파수 스위치의 입력부와 출력부 사이에 고주파 신호를 분리하고 '오프'에서 '온' 상태로 빠르게 변하는 스위치를 배치하는데 있어서, 전술한 단점은 본 발명에 의해 처리되는 기술 문제를 대표한다.The above-mentioned disadvantages represent the technical problem addressed by the present invention in the separation of high frequency signals between the input and output of the radio frequency switch and in the arrangement of rapidly changing switches from 'off' to 'on' states.

도 1은 종래기술의 무선주파수 스위치의 실시예를 설명하는 개요도,1 is a schematic diagram illustrating an embodiment of a radio frequency switch of the prior art;

도 2는 무선주파수 스위치의 제 1 실시예의 개요 블록도,2 is a schematic block diagram of a first embodiment of a radio frequency switch;

도 3은 무선주파수 스위치의 제 2 실시예의 개요 블록도.3 is a schematic block diagram of a second embodiment of a radio frequency switch;

본 발명에 의하여, 제어 신호에 따라서 스위치의 입력부에서 스위치의 출력부로 무선주파수 신호를 통신하도록 작동하는 무선주파수 스위치가 제공되며, 상기 무선주파수 스위치는 스위치의 입력부와 출력부 사이를 연결하는 반도체 다이오드, 제 1 DC 전압(+V)를 생성하는 제 1 출력부 및 제 1 DC 전압의 역전압(-V)을 생성하는 제 2 출력부를 갖는 디지털 로직 수단, 무선주파수 스위치의 제어 입력부에 연결된 시동 입력부를 포함하며, 여기에서, 상기 디지털 로직 수단의 제 1 출력부는 다이오드의 캐소드에 연결되어 있고, 상기 디지털 로직 수단의 제 2 출력부는 다이오드의 애노드에 연결되어 있고, 상기 디지털 로직 수단이 제 1 상태에 있고 상기 디지털 로직 수단의 시동 입력부에 공급된 제어신호에 변화가 생길 때, 제 1 전압(+V) 및 제 1 전압의 역전압(-V)은 상기 다이오드를 역방향 바이어스하는 효과를 가지며, 상기 반도체 다이오드를 순방향 바이어스하고 스위치의 출력부에 스위치의 입력부를 접속함으로써, 상기 디지털 로직 수단은, 상기 제 1 출력부가 생성한 제 1 전압의 역전압(-V)을 생성하고 상기 제 2 출력부가 제 1 전압(+V)을 생성하는 제 2 상태로 변한다.According to the present invention, there is provided a radio frequency switch operative to communicate radio frequency signals from an input of a switch to an output of the switch in accordance with a control signal, wherein the radio frequency switch is a semiconductor diode connecting between the input and the output of the switch, Digital logic means having a first output for generating a first DC voltage (+ V) and a second output for generating a reverse voltage (-V) of the first DC voltage, a start input connected to a control input of a radio frequency switch Wherein the first output of the digital logic means is connected to a cathode of a diode, the second output of the digital logic means is connected to an anode of a diode, and the digital logic means is in a first state When a change occurs in the control signal supplied to the start input of the digital logic means, the first voltage (+ V) and the reverse voltage of the first voltage (- V) has the effect of reverse biasing the diode, and by digitally biasing the semiconductor diode and connecting the input of the switch to the output of the switch, the digital logic means is inverse of the first voltage generated by the first output. Generates a voltage (-V) and changes to a second state where the second output portion generates a first voltage (+ V).

스위치가 '온' 상태에 있을때 다이오드를 순방향 바이어스로 및 스위치가 '오프'상태에 있을 때 다이오드를 역방향 바이어스로 하는 디지털 로직 수단을 사용함으로써, 디지털 로직 수단의 비교적 빠른 작동의 결과로써 빠른 스위칭 시간을 제공하는 한편, 무선주파수 분리가 가능하다. 디지털 로직 수단은 로직에 연결된 이미터에 따라 제조될 수 있는 디지털 로직 게이트를 포함한다. 디지털 로직 수단은 플립-플롭일 수 있다. 플립-플롭은 D-타입 플립-플롭일 수 있다.By using digital logic means that forward bias the diode when the switch is in the 'on' state and reverse bias the diode when the switch is in the 'off' state, fast switching times are achieved as a result of the relatively fast operation of the digital logic means. On the other hand, radio frequency separation is possible. The digital logic means comprises a digital logic gate that can be manufactured according to an emitter connected to the logic. The digital logic means can be flip-flop. The flip-flop may be a D-type flip-flop.

반도체 다이오드는 제 1 쌍과는 직렬로, 제 2 쌍과는 병렬로 각각이 접속되어 있는 쌍들의 제 1 및 제 2 반도체 다이오드를 포함할 수 있고, 여기서, 무선주파수 스위치의 입력부는 한 쌍의 제 1 다이오드 사이의 접속부에 형성되고, 무선주파수 스위치의 출력부는 한 쌍의 제 2 다이오드 사이의 접속부에 형성된다.The semiconductor diode may comprise a pair of first and second semiconductor diodes each connected in series with the first pair and in parallel with the second pair, wherein the input of the radio frequency switch comprises a pair of first It is formed in the connection part between one diode, and the output part of a radio frequency switch is formed in the connection part between a pair of 2nd diode.

쌍들의 제 1 및 제 2 반도체 다이오드는 반도체 모듈과 분리되어 형성될 수 있어 스위치의 출력부와 입력부 사이에 무선 주파수 분리를 실질적으로 향상시킨다.The pair of first and second semiconductor diodes can be formed separately from the semiconductor module to substantially improve radio frequency separation between the output and the input of the switch.

본 발명의 실시예는 다음의 첨부된 도면에의해 설명될 것이다.Embodiments of the present invention will be described by the following appended drawings.

도 2는 무선주파수 스위치의 제 1 실시예의 개요 블록도이다.2 is a schematic block diagram of a first embodiment of a radio frequency switch.

도 3은 무선주파수 스위치의 제 2 실시예의 개요 블록도이다.3 is a schematic block diagram of a second embodiment of a radio frequency switch.

도 2에서, 클록 입력부(38)에 인가된 클록 신호(CLK)의 능동 전이에서 제어 입력부(D)(24)가 낮은 DC 전압에 있을 때, +V의 DC 전압을 생성시키는 출력부(Q)와 -V의 DC 전압을 생성시키는 출력부()를 가지는 D-타입 플립-플롭(22)을 포함하여 무선주파수 스위치(20)가 도시되어 있다.In Fig. 2, the output part Q generates a DC voltage of + V when the control input part D 24 is at a low DC voltage in an active transition of the clock signal CLK applied to the clock input part 38. And an output for generating a DC voltage of -V An RF switch 20 is shown including a D-type flip-flop 22 with

다이오드(30)는 스위치(20)의 입력부(26)와 스위치(20)의 출력부(28) 사이에 접속되어 있고, 커패시터(32,34)를 경유하여 입력부(26)와 출력부(28)에 연결된 AC이다. 다이오드(30)의 캐소드와 애노드에 연결된 플립-플롭(22)으로부터 Q 및의 출력부를 배치하는 저항기(R)를 바이어스함으로써 회로가 완성된다. 저항기(R)의 바이어스는 다이오드(30)가 역방향 바이어스 모드상에서 유지하도록 하는 한편, 플립-플롭(22)은 출력부(Q)가 포지티브 DC 전압(+V)을 생성시키고 출력부()가 내가티브 DC 전압(-V)을 생성시키는 제 1모드에 배치된다. 50psec 정도의 스위칭 시간을 갖는 플립-플롭을 제공하는 로직 게이트를 연결하는 이미터를 플립-플롭(22)이 포함하고 있는 것이 스위치(20)의 특징이다. 그러나, 다른 반도체 능동소자 및 로직 설계에도 또한 사용될 수 있다. 스위칭 펄스(36)가 플립-플롭(22)의 입력부(24)에 인가되고 수신될 때, 출력부(Q)가 내가티브 전압(-V)인 한편, 출력부()가 포지티브 전압(+V)이도록, 플립-플롭은 클록 입력부(38)에 인가된 클록 신호(CLK)의 능동 전이상에서 스위칭한다. 이것은 다이오드(30)를 순방향 바이어스하는 효과를 가져와서, 다이오드(30)가 전도되게 하고 다시말하면, 입력부(26)가 출력부(28)에 접속되는 효과를 가져와서, 입력부(26)에서 출력부(28)로 신호가 전달되는 한편, 제어 입력부(24)는 높게된다. 이러한 스위치 배치와 함께, 50psec 정도의 스위칭 시간이 가능하고, 그 결과, 무선주파수 스위치(20)는, 500ps 정도의 시간을 갖고 이시간의 단지 10% 정도만의 스위칭에 의한 왜곡시간을 갖는 무선주파수 펄스를 전달하도록 작동할 수 있다.The diode 30 is connected between the input portion 26 of the switch 20 and the output portion 28 of the switch 20, and the input portion 26 and the output portion 28 via the capacitors 32, 34. AC connected to. Q and Q from the flip-flop 22 connected to the cathode and the anode of the diode 30. The circuit is completed by biasing the resistor R for arranging the output of the circuit. The bias of the resistor R causes the diode 30 to remain in the reverse bias mode, while the flip-flop 22 causes the output Q to produce a positive DC voltage (+ V) and ) Is placed in a first mode that produces a negative DC voltage (-V). A feature of the switch 20 is that the flip-flop 22 includes an emitter that connects a logic gate providing a flip-flop with a switching time of about 50 psec. However, it can also be used in other semiconductor active devices and logic designs. When the switching pulse 36 is applied and received at the input 24 of the flip-flop 22, the output Q is the negative voltage (-V), while the output ( The flip-flop switches at or above the active voltage of the clock signal CLK applied to the clock input 38 so that) is a positive voltage (+ V). This has the effect of forward biasing the diode 30, causing the diode 30 to be conductive, that is to say the effect of the input 26 being connected to the output 28 and thus the output at the input 26. While a signal is transmitted to 28, the control input 24 is made high. With this switch arrangement, a switching time on the order of 50 psec is possible, and as a result, the radio frequency switch 20 has a time on the order of 500 ps and a distortion time by the switching time by only about 10% of this time. It can work to deliver.

본 발명의 더욱 바람직한 실시예가 도 3에 도시되어 있고, 도 2에도 나타난 부분은 동일한 숫자 기호를 사용하였다. 다이오드(30)를 두 쌍의 다이오드 (40,42,44,46)로 대체하는 것을 제외하고는, 도 3에 도시된 무선주파수 스위치는 도 2에 도시된 무선주파수 스위치와 동일하다. 더우기, 무선주파수 스위치의 입력부와 출력부는 두 쌍의 다이오드에 접속되어 있다. 다이오드(30)는 두 쌍의 직렬로 접속된 다이오드(40,42,44,46)로 대체되고, 각각의 쌍은 다른 쌍과 병렬로 접속되어 있고 플립-플롭(22)의 Q 및의 출력부 사이에 접속되어 있다. 무선주파수 스위치(20)의 입력부(26)는 커패시터(32)를 경유하여 직렬로 접속된 제 1 다이오드의 한 쌍(40,42)사이의 접합부 사이에 접속되고, 무선주파수 스위치의 출력부(28)는 커패시터(34)를 경유하여 직렬로 접속된 제 2 다이오드의 한 쌍(44,46) 사이의 접합부에 접속된다. 제 1 다이오드의 한 쌍(40,42)은 제 1 반도체 패키지(50)에 형성되고 제 2 다이오드의 한 쌍(44,46)은 제 2 반도체 패키지(48)에 형성된다.A more preferred embodiment of the present invention is shown in FIG. 3, and the parts shown in FIG. 2 use the same numeral symbols. Except for replacing diode 30 with two pairs of diodes 40, 42, 44, 46, the radiofrequency switch shown in FIG. 3 is identical to the radiofrequency switch shown in FIG. Furthermore, the input and output of the radio frequency switch are connected to two pairs of diodes. Diode 30 is replaced by two pairs of series-connected diodes 40, 42, 44 and 46, each pair connected in parallel with the other pair and having Q and Q of flip-flop 22 It is connected between the outputs of. The input section 26 of the radio frequency switch 20 is connected between the junctions between the pairs 40 and 42 of the first diodes connected in series via the capacitor 32 and the output section 28 of the radio frequency switch. Is connected to the junction between the pair 44, 46 of second diodes connected in series via the capacitor 34. A pair 40, 42 of the first diode is formed in the first semiconductor package 50 and a pair 44, 46 of the second diode is formed in the second semiconductor package 48.

다이오드(30)대신에 제 1 및 제 2의 반도체 다이오드 쌍을 대체하여 배치한 효과는 스위치의 출력부(28) 및 입력부(26) 사이에 무선주파수 분리가 향상되었다는 것이다. 반면, 도 3에 도시된 무선주파수 스위치의 작동은 실질적으로 도 2에 설명된 것과 일치하며 따라서 여기서는 언급하지 않는다. 분리에 대한 추가의 진보성은 타려식 반도체 패키지(48,50)로 제조된 제 1 및 제 2의 반도체 다이오드 쌍을 배치함으로써 이루어진다.The effect of replacing the first and second semiconductor diode pairs instead of the diode 30 is that the radio frequency separation between the output 28 and the input 26 of the switch is improved. On the other hand, the operation of the radio frequency switch shown in FIG. 3 substantially coincides with that described in FIG. 2 and is therefore not mentioned here. Further advances in isolation are made by disposing first and second semiconductor diode pairs made of perforated semiconductor packages 48 and 50.

당업자에게는 알 수 있는 바와 같이, 위에서 언급한 실시예의 다양한 수정이 만들어질 수 있으며 이것 역시 본 발명의 범주안에 있다.As will be appreciated by those skilled in the art, various modifications of the above-mentioned embodiments can be made and are also within the scope of the present invention.

Claims (6)

스위치의 제어 입력부에 인가된 제어 신호에 따라서 스위치의 입력부에서 스위치의 출력부로 무선주파수 신호를 통신하도록 작동하는 무선주파수 스위치에 있어서,A radio frequency switch operable to communicate radio frequency signals from an input of a switch to an output of a switch in accordance with a control signal applied to a control input of the switch, 스위치의 출력부와 스위치의 입력부 사이에 연결된 반도체 다이오드; 및A semiconductor diode connected between the output of the switch and the input of the switch; And 제 1 DC 전압(+V)을 생성시키는 제 1 출력부, 제 1 DC 전압의 역전압(-V)을 생성시키는 제 2 출력부, 및 무선주파수 스위치의 제어 입력부에 연결된 시동 입력부를 가진 디지털 로직수단; 을 포함하며,Digital logic having a first output for generating a first DC voltage (+ V), a second output for generating a reverse voltage (-V) of the first DC voltage, and a start input coupled to the control input of the radio frequency switch Way; Including; 상기 디지털 로직 수단의 제 1 출력부는 다이오드의 캐소드에 연결되어 있고, 상기 디지털 로직 수단의 제 2 출력부는 다이오드의 애노드에 연결되어 있으며, 제 1 전압(+V)과 제 1 전압의 역전압(-V)은, 상기 디지털 로직 수단이 제 1 상태에 있고 그 결과 상기 디지털 로직 수단의 시동 입력부에 공급된 상기 제어 신호에 변화가 있을 때, 상기 다이오드를 역방향으로 바이어스시키는 효과를 가지며, 상기 디지털 로직 수단은, 상기 제 1 출력부가 제 1 전압의 역전압(-V)을 생성하고 상기 제 2 출력부가 제 1 전압(+V)을 생성하는 제 2 상태로 변하여, 상기 반도체 다이오드를 순방향으로 바이어스하고 스위치의 출력부에 스위치의 입력부를 접속하는 것을 특징으로 하는 무선주파수 스위치.The first output of the digital logic means is connected to the cathode of the diode, the second output of the digital logic means is connected to the anode of the diode, and the first voltage (+ V) and the reverse voltage of the first voltage (- V) has the effect of biasing the diode in the reverse direction when the digital logic means is in a first state and as a result there is a change in the control signal supplied to the start input of the digital logic means, the digital logic means Is switched to a second state in which the first output portion generates a reverse voltage (-V) of the first voltage and the second output portion generates a first voltage (+ V), thereby biasing the semiconductor diode in the forward direction and switching A radio frequency switch comprising connecting the input of the switch to an output of the switch. 제 1 항에 있어서, 반도체 디바이스는 서로 직렬로 접속된 제 1 및 제 2 반도체 다이오드 쌍을 포함하고, 제 1 반도체 다이오드 쌍은 제 2 반도체 다이오드 쌍과 병렬로 접속되어 있으며, 무선주파수 스위치의 입력부는 제 1 다이오드 쌍 사이의 접합부에 연결되어 있고, 무선주파수 스위치의 출력부는 제 2 다이오드 쌍 사이의 접합부에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 무선주파수 스위치.The semiconductor device of claim 1, wherein the semiconductor device comprises a first and a second semiconductor diode pair connected in series with each other, the first semiconductor diode pair is connected in parallel with the second semiconductor diode pair, and an input portion of the radio frequency switch And an output of the radio frequency switch is connected to the junction between the second diode pair. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 제 1 및 제 2 반도체 다이오드 쌍은 타려식 반도체 패키지로 제조되어, 스위치의 출력부와 스위치의 입력부사이의 무선주파수 분리를 실질적으로 향상시키는 것을 특징으로 하는 무선주파수 스위치.3. A radio according to claim 1 or 2, wherein the first and second semiconductor diode pairs are fabricated in a perforated semiconductor package to substantially improve radio frequency separation between the output of the switch and the input of the switch. Frequency switch. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 디지털 로직 수단은 로직에 연결된 이미터에 따라서 제조된 디지털 로직 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 무선주파수 스위치.4. A radio frequency switch according to any one of the preceding claims, wherein said digital logic means comprises a digital logic gate fabricated according to an emitter coupled to the logic. 제 1 항 내지 제 4 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 디지털 로직 수단은 D-타입 플립-플롭일수 있는 플립-플롭인 것을 특징으로 하는 무선주파수 스위치.5. A radio frequency switch according to any one of the preceding claims, wherein said digital logic means is a flip-flop, which can be a D-type flip-flop. 전술한 무선주파수 스위치는 첨부된 도면을 기준으로 설명되어진 것을 특징으로 하는 무선주파수 스위치.The above-described radio frequency switch is a radio frequency switch, characterized in that described with reference to the accompanying drawings.
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