KR20010010770A - 고주파 증폭기의 온도에 따른 특성 변화를 보상하는 회로 - Google Patents

Abstract

본 발명은 고주파 증폭기의 온도에 따른 특성 변화 보상 회로에 관한 것으로, 온도에 따른 변화가 큰 서미스터를 이용한 변화가 작은 바이어스 회로를 설계하여 고주파 증폭기의 온도에 따른 특성 변화를 보상한다.

Description

고주파 증폭기의 온도에 따른 특성 변화를 보상하는 회로{CIRCUIT FOR COMPENSATING VARIATION CHARACTER BY TEMPERATURE OF HIGH FREQUENCE AMPLIFIER}

본 발명은 고주파 증폭기의 온도에 따른 특성 변화 보상 회로에 관한 것으로, 특히 온도에 따른 변화가 큰 서미스터를 이용하여 고주파 증폭기의 온도에 따른 특성 변화를 보상하는 회로에 관한 것이다.

현재 이동 통신 시스템의 기지국에 필수불가결한 전력 증폭기는 기지국안의 송신기(tranceiver)의 소형화 및 외장형의 추세에 따르면서 극한 온도 환경하에서의 안정적인 동작 및 회로 소형화의 필요성에 부합하는 설계가 요구되고 있다.

특히 대도시에서의 음영 지역 및 과통화지역에서의 전파 환경을 극복하기 위한 피코 셀(pico cell) 개념이 국내 이동 통신 서비스에 부가되면서 저가의 소형 기지국이 더 요구되고 있다.

이러한 기술 내용을 만족하기 위한 송신기의 구조는 안테나가 송신기 하우징(housing)에 바로 부착됨으로서 최종 증폭된 송신 신호의 감쇠량을 최소화하여야 하며, 이를 만족시키기 위해 송신기의 옥외형이 제안되었다. 이것은 극한 외부 온도에 송신기가 여과없이 노출된다는 것을 의미한다. 즉, 송신기의 송신 신호 증폭단인 전력 증폭기 역시 극한 외부 환경에 노출되며, 이런 환경에서 안정적이며 왜곡없이 송신신호의 증폭이 요구되었다. 이에 부합되기 위한 전력 증폭기는 온도에 따른 트랜지스터(transistor)의 변화를 보상하여 주는 회로가 필요하며, 전력 효율이 높아 발열량이 작아야만 한다.

이러한 전력 증폭기를 구성하는 트랜지스터는 BJT(Bipolar Junction Transistor) 또는 FET(Field Effect Transistor)등 여러가지로 설계자의 선택에 좌우된다. 어떤 트랜지스터를 사용하는가는 곧 그 트랜지스터를 사용하기 위한 바이어스 회로를 결정하게 된다. 특히 LDMOS(Latteral Diffused Metal Oxide Silicon)가 최근에 이동 통신 서비스용의 고주파 증폭기에 쓰이는 트랜지스터이며, 이에 국한되어 온도 보상용 회로를 설명한다.

종래에는 온도 환경의 변화에 따른 전력 증폭기의 트랜지스터의 슈푸리어스(spurious) 변화를 보상하기 위해서는 다음과 같은 방법을 사용하였다. 여기서 온도 변화란 저온 -40℃로부터 고온 +70℃를 의미한다. 트랜지스터의 게이트 전압을 조정하기 위해서 CPU를 이용한 제어 회로가 구성되었다. 게이트에 인가되는 전압은 시험 데이터에 근거하여 온도에 따른 보상 전압값이 저장된 ROM으로부터 CPU를 통해 디스크리트(discrete)하게 발생한다.

이와 같은 디지털 제어 방법은 온도를 검출하기 위한 IC 또는 다이오드등으로 구성된 소자가 필요하며, ROM 및 CPU가 부가적으로 필요한다. 이러한 구성을 하기 위한 공간 확보가 문제가 되어 소형 기지국 제작에는 적합하지 않을 수 있다. 또한, ROM에 저장된 값이 모든 제품의 특성 차이에 관계없이 일괄적으로 적용되므로 각각의 모듈 특성이 다른 고주파 증폭기에 적용하기에는 적합하지 않다.

따라서, 본 발명의 목적은 서미스터를 이용한 전압 분배 바이어스 회로를 제공함에 있다.

본 발명의 다른 목적은 고주파 증폭기의 온도에 따른 특성 변화를 보상하는 회로를 제공함에 있다.

본 발명의 또다른 목적은 서미스터를 이용한 전압 분배 회로를 제공함에 있다.

이러한 목적들을 달성하기 위한 본 발명은 입력단자와 일측이 연결되는 제1저항과, 상기 제1저항의 타측과 연결되는 제2저항과, 상기 제2저항과 병렬로 연결되는 서미스터와, 상기 제2저항 및 상기 서미스터와 일측이 연결되며 타측이 접지단자와 연결되는 제3저항으로 구성되는 것을 특징으로 한다.

도 1은 본 발명에 따른 고주파 증폭기의 온도에 따른 특성 변화 보상 회로도.

도 2a 및 도 2b는 온도에 따라 Vgs값의 변화를 나타내는 도면.

이하 본 발명을 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명에 따른 고주파 증폭기의 온도에 따른 특성 변화 보상 회로하기 위한 전압 분배 회로도이다.

이때, 본 발명에 따른 트랜지스터의 게이트단자에 인가되는 게이트-소스전압(Vgs)은 온도에 따른 트랜지스터의 변화를 보상할 수 있는 유일한 요소로서, 이 전압을 발생시키기 위한 전압 분배 회로이다. 온도 변화에 따라 게이트단에 인가되어야 할 전압 변화량은 0.002~0.004V/℃이며, 이 전압을 발생시키기 위하여 구현되야 할 회로에 쓰이는 서미스터(RT)는 1~10Ω/℃의 변화 특성을 가지고 있다. 즉, 본 발명은 출력 전압이 변화를 갖는 회로를 구현하기 위하여 변화를 갖는 소자를 사용하여야만 하는데 이 소자 특성에 의존하는 변화값이 원하고자하는 출력값의 변화와 비교가 되지 않을 만큼 차이가 날때 필요한 회로를 제공한다. 다시 말하면, 본 발명은 위와 같은 특성의 소자를 이용하여 원하고자하는 출력 전압 변화량을 구현할 수 있는 전압 분배 회로를 제공한다.

도 1을 참조하면, 제1저항(R1)은 입력단자로부터 전압(Vin)을 입력받아 트랜지스터의 게이트단자로 게이스 소스 전압(Vgs)을 인가한다. 서미스터(RT)는 제1저항(R1)과 일측이 연결되며, 제2저항(R2)와 병렬로 연결된다. 제2저항(R2)는 제1저항(R1)과 일측이 연결되며, 서미스터(RT)와 병렬로 연결된다. 제3저항(R3)은 서미스터(RT) 및 제2저항(R2)와 일측이 연결되며, 접지단자와 타측이 연결된다.

도 2a는 제2저항(R2)의 값이 750Ω일때 온도에 따라 Vgs값의 변화를 나타낸 것이고, 도 2b는 제2저항(R2)의 값이 1500Ω일때 온도에 따라 Vgs값의 변화를 나타낸다.

도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 발명에 따른 회로는 온도에 따른 저항값의 변화가 큰 서미스터를 사용하면, 트랜지스터의 게이트 소스 전압(Vgs)의 온도에 따른 변화값을 작게 나타나는 것을 알 수 있다. 그러므로, 본 발명은 곡선의 기울기를 사용하고하는 트랜지스터의 온도 특성을 보상하는 방향으로 조정할 수 있다.

상술한 바와 같이 본 발명은 저항과 서미스터의 조합으로 구성되는 트랜지스터의 온도 보상용 바이어스 회로이다. 즉, 본 발명은 서미스터의 상온 표준값과 온도에 따른 변화값을 고려한 바이어스 회로를 구현하여 트랜지스터의 주파수 특성중 슈푸리어스 특성을 안정적으로 유지할 수 있다. 또한, 본 발명은 조정 전압이 각 트랜지스터의 특성에 좌우되고, 각각의 고주파 증폭기에 따라 다르므로 초기부터 정해진 하나의 값을 인가하는 디지털 회로 방식보다 유연하게 회로에 적용될 수 있다. 게다가, 본 발명은 바이어스를 온도에 따라 변화하기 위한 회로를 간략화함으로써 공간을 많이 차지 않고 온도를 보상할 수 있다.

Claims (2)

1. 고주파 증폭기의 온도에 따른 특성 변화 보상 회로에 있어서,

   입력단자로부터 전압(Vin)을 입력받아 트랜지스터의 게이트단자로 게이스 소스 전압(Vgs)을 인가하는 제1저항과,

   상기 제1저항(R1)과 일측이 연결되며, 서미스터(RT)와,

   상기 제1저항(R1)과 일측이 연결되며, 상기 서미스터(RT)와 병렬로 연결되는 제2저항(R2)과,

   상기 서미스터(RT) 및 상기 제2저항(R2)와 일측이 연결되며, 접지단자와 타측이 연결되는 제3저항(R3)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 회로.
2. 제1항에 있어서, 상기 서미스터는,

   온도에 따른 저항값 변화가 크면, 상기 게이트 소스 전압의 온도에 따른 전화 변화값을 작게함을 특징으로 하는 회로.