KR20010009662A - Phase change optical disc - Google Patents

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KR20010009662A
KR20010009662A KR1019990028141A KR19990028141A KR20010009662A KR 20010009662 A KR20010009662 A KR 20010009662A KR 1019990028141 A KR1019990028141 A KR 1019990028141A KR 19990028141 A KR19990028141 A KR 19990028141A KR 20010009662 A KR20010009662 A KR 20010009662A
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recording layer
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이재원
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Abstract

PURPOSE: An optical disk of phase changing type is provided to improve durability in repeated recording and overlapped recording characteristic through adding Ag and N to Ge-Sb-Te recording layer. CONSTITUTION: A first dielectric layer(31), a recording layer(32), a second dielectric layer(33), a first reflecting layer(34), a second reflecting layer(35) and a protect layer(36) are successively deposited. Ag and N are induced to Ge-Sb-Te alloy layer through placing Ag on a dielectric, sputtering the alloy layer, and injecting N2 to Ar as sputter gas. Metal is used for the reflecting layer to improve heat absorption and optical efficiency. Herein, Al-Cr alloy and Ag-Mg alloy are formed by adding Cr, Ni, Ti, Si to Al, Ag, Au, Cu.

Description

상변화형 광디스크{PHASE CHANGE OPTICAL DISC}Phase change type optical disc {PHASE CHANGE OPTICAL DISC}

본 발명은 상변화형 광디스크에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기록과 소거가 자유로와 중첩기록이 가능한 상변화형 광디스크로서, 중첩기록특성 및 반복기록내구성이 개선된 상변화형 광디스크에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a phase change type optical disc, and more particularly, to a phase change type optical disc capable of freely recording and erasing and overlapping recording.

일반적인 광 디스크는 주로 도 1에 나타낸 바와 같은 원반형 구조를 지니는데, 여기서 (1)은 디스크의 정보영역을 나타낸다. 광디스크의 기판상에는 디지털 정보를 이루는 마크인 피트(pit)가 트랙상에 마치 모르스 부호처럼 형성되어 있으며, 그 위에 레이저 빔을 반사시키는 반사층과 보호층이 차례로 형성되어 있다.A typical optical disk has a disk structure as shown mainly in Fig. 1, where (1) represents the information area of the disk. A pit, which is a mark for digital information, is formed on a track like a Morse code on a substrate of an optical disc, and a reflective layer and a protective layer for reflecting a laser beam are sequentially formed thereon.

상술한 바와 같은 광디스크를 제조하는 공정은 크게 스탬퍼(stamper)를 제조하는 단계와 제작된 스탬퍼에 의하여 투명수지 기판을 대량으로 복제하는 단계 및 여기에 반사층과 같은 박막을 성막하는 단계로 이루어진다. 스탬퍼는 먼저 광 디스크와 동일한 포맷을 갖는 유리 마스터를 제조한 후, 그 위에 Ni를 도금하여 제조된다. 이러한 방법으로 생산된 광 디스크는 기록층의 기록 내용을 단순히 읽을 수만 있는 재생 전용형(ROM: read only memory)이다.The process of manufacturing the optical disk as described above is largely composed of the step of manufacturing a stamper (stamper), the step of replicating the transparent resin substrate in a large amount by the manufactured stamper and the step of forming a thin film such as a reflective layer thereon. The stamper is made by first producing a glass master having the same format as the optical disk, and then plating Ni thereon. The optical disc produced in this way is a read only memory (ROM) which can only read the recorded contents of the recording layer.

한편, CD-ROM 등이 급속하게 보급됨에 따라, 동영상, 스틸 이미지, 에니메이션을 포함하는 멀티미디어 관련 소프트웨어 프로그램이 빠른 속도로 확산되고 있다. 따라서, 이러한 프로그램을 효과적으로 이용하기 위한 기록 및 재생가능한 기록매체가 절실히 요구되고 있는 실정이다. 이러한 요구에 부응하여 1회에 한해 기록가능한 추기형 광디스크(CD-R: Compact Disc Recordable)가 개발되었다. 그런데, 추기형 광디스크는 단 1회 기록만 가능하기 때문에 기록한 데이터를 자유자재로 편집할 수 없을 뿐 아니라 새로운 정보를 기록할 수 없다는 치명적인 단점을 가지고 있다.On the other hand, with the rapid spread of CD-ROMs and the like, multimedia-related software programs including moving pictures, still images, and animations are rapidly spreading. Therefore, there is an urgent need for recording and reproducible recording media for effectively using such programs. In response to this demand, a write once write-once optical disc (CD-R) has been developed. However, the write-once optical disc has a fatal disadvantage that it is not possible to edit the recorded data freely and record new information since only one write is possible.

이에 따라 소거 및 재기록이 가능한 서환형 광디스크(예: CD-RW(Compact Disc Rewritable))가 개발되었는데, 기록층 재료로서 광자기 재료를 이용한 광자기 디스크, 상변화 재료를 이용한 상변화형 광디스크 등이 있다. 이 중에서, 상변화형 광디스크는 그 재생 원리가 기존의 CD와 흡사하다.Accordingly, a slow-circuit type optical disc capable of erasing and rewriting (e.g., CD-RW (Compact Disc Rewritable)) has been developed. As a recording layer material, an optical magnetic disk using a magneto-optical material and a phase change optical disk using a phase change material have. Among these, the phase change type optical disc has a reproduction principle similar to that of a conventional CD.

상변화형 광디스크는 기록층을 이루는 재료에 대한 가열온도 및 냉각 속도를 제어하여 결정질 구조와 비정질 구조 사이의 가역적인 변화를 유도함으로써 정보가 기록 및 소거되는 원리를 이용하는 것이다. 종래의 상변화형 광디스크는 도 2에 도시된 바와 같이 일반적으로 투명기판(20)상에 제 1 유전체층(21), 기록층(22), 제 2 유전체층(23), 반사층(24), 보호층(25)이 순차적으로 적층되어 있는 구조를 갖는다. 여기에서, 기록층에는 기록 신호가 만들어지는 트랙이 형성되어 있어, 레이저 빔을 조사하면, 기록층이 결정질에서 비정질로, 또는 비정질에서 결정질로 가역 변화되어 기록과 소거가 반복되는 것이다.The phase change type optical disc uses the principle that information is recorded and erased by controlling the heating temperature and the cooling rate of the material forming the recording layer to induce a reversible change between the crystalline structure and the amorphous structure. 2. Description of the Related Art A conventional phase change type optical disc generally has a first dielectric layer 21, a recording layer 22, a second dielectric layer 23, a reflective layer 24, and a protective layer on a transparent substrate 20, as shown in FIG. It has a structure in which 25 is sequentially stacked. Here, a track in which a recording signal is made is formed in the recording layer. When the laser beam is irradiated, the recording layer is reversibly changed from crystalline to amorphous or from amorphous to crystalline to repeat recording and erasing.

이러한 상변화형 광디스크는 다른 기록 방식을 이용하는 광 디스크에 비하여 중첩기록이 용이하며, 광디스크의 기록 밀도를 증가시키는 레이저 광의 단파장화가 가능할 뿐 아니라, 구동 드라이브의 광학계가 간단하기 때문에 DVD-RAM (Digital Video Disk Random Access Memory)과 같은 차세대 고밀도 서환형 광디스크에 채용될 수 있다.This phase change type optical disk is easier to superimpose recording than other optical disks using other recording methods, shortens the wavelength of the laser light to increase the recording density of the optical disk, and also because the optical system of the drive drive is simple, DVD-RAM (Digital Video) Disk random access memory).

이와 같은 상변화형 광디스크에는 Ge-Sb-Te 삼원계 합금이 기록층으로 주로 사용되어왔는데, Ge-Sb-Te 삼원계 합금의 결정립 성장 경향이 비교적 큰 편이라 중첩기록시 지터값이 증가하는 문제가 있다.Ge-Sb-Te tertiary alloys have been mainly used as the recording layer in the phase change type optical disk. However, since the grain growth tendency of the Ge-Sb-Te tertiary alloys is relatively large, there is a problem of increasing the overlapping jitter value. have.

이를 해결하기 위하여, 일본국 공개특허공보 제2-139283호에는 Ge-Sb-Te 삼원계 기록층에 B 및 C를 첨가하여 반복기록 내구성을 향상시킨 것이 개시되어 있고, 일본국 공개특허공보 제4-16383호에는 Ge-Sb-Te 삼원계 기록층에 N을 첨가하여 반복기록 내구성을 향상시킨 것이 개시되어 있다. 또한, 일본국 공개특허공보 제6-127135호 및 제7-172060호에는 Ge-Sb-Te 삼원계 기록층에 각각 Pd 또는 S를 첨가하여 반복기록 내구성을 향상시킨 것이 개시되어 있다.In order to solve this problem, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2-139283 discloses that B and C are added to a Ge-Sb-Te tertiary recording layer to improve repeat recording durability, and Japanese Laid-Open Patent Publication No. 4 -16383 discloses the addition of N to the Ge-Sb-Te ternary recording layer to improve repeat recording durability. In addition, Japanese Patent Laid-Open Nos. 6-127135 and 7-172060 disclose that Pd or S are added to a Ge-Sb-Te ternary recording layer to improve repeat recording durability.

그러나, 이러한 방법에 의해 제조된 광디스크는 반복기록내구성이 여전히 만족스럽지 않고, 특히 중첩기록 특성이 불량한 문제가 있다.However, the optical disc manufactured by this method still has a satisfactory repeat recording durability, and particularly has a problem in that the superposition recording characteristics are poor.

따라서, 본 발명의 목적은 상기 문제점을 해결하기 위하여 Ge-Sb-Te 삼원계 기록층에 Ag 및 N을 첨가하여 반복기록 내구성 및 중첩기록특성이 향상된 상변화형 광 디스크를 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a phase change type optical disk having improved repeatability and superimposed recording characteristics by adding Ag and N to a Ge-Sb-Te ternary recording layer to solve the above problems.

도 1은 일반적인 광디스크의 정보 영역을 개략적으로 나타낸 도면이고,1 is a view schematically showing an information area of a general optical disc,

도 2는 일반적인 상변화형 광디스크의 개략적인 단면도이고,2 is a schematic cross-sectional view of a general phase change type optical disk,

도 3는 본 발명의 실시예에 따른 상변화형 광디스크의 개략적인 단면도이고,3 is a schematic cross-sectional view of a phase change type optical disk according to an embodiment of the present invention,

도 4는 상변화형 광디스크의 중첩기록 과정을 개략적으로 나타낸 도면이고,4 is a diagram schematically showing a superimposed recording process of a phase change type optical disk,

도 5는 상변화형 광디스크의 중첩기록특성이 열화되는 과정을 개략적으로 나타낸 도면이고,5 is a view schematically showing a process in which the superposition recording characteristics of a phase change type optical disc deteriorate,

도 6은 실시예에서 사용된 레이저 빔의 멀티 펄스의 형상을 나타낸 그래프이고,6 is a graph showing the shape of the multi-pulse of the laser beam used in the embodiment,

도 7은 기록층 성막시의 N2/Ar 주입비에 따른 소거율 변화를 나타낸 그래프이고,7 is a graph showing the change of the erasing rate according to the N 2 / Ar injection ratio in the formation of the recording layer;

도 8은 기록층 성막시의 N2/Ar 주입비에 따른 신호 진폭 변화를 나타낸 그래프이며,8 is a graph showing a change in signal amplitude according to an N 2 / Ar injection ratio in forming a recording layer.

도 9는 실시예 및 비교예에서 제조한 상변화형 광디스크의 중첩기록 지터값의 변화를 나타낸 그래프이다.Fig. 9 is a graph showing the change of the superposition recording jitter value of the phase change type optical discs manufactured in Examples and Comparative Examples.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>

1:광디스크의 정보영역 20:기판1: information area 20 of an optical disc

21: 제1유전체층 22:기록층21: first dielectric layer 22: recording layer

23:제2유전체층 24:반사층 25:보호막23: second dielectric layer 24: reflective layer 25: protective film

30:기판 31:제1유전체층 32:기록층30: substrate 31: first dielectric layer 32: recording layer

33:제2유전체층 34:제1반사층 35:제2반사층33: second dielectric layer 34: first reflective layer 35: second reflective layer

36:보호층36: protective layer

상기 목적에 따라, 본 발명에서는 투명기판 상에 순차적으로 형성된 제 1 유전체층, Ge-Sb-Te계 기록층, 제 2 유전체층 및 반사층을 포함하는 상변화 광디스크에 있어서, 상기 기록층이 Ag 및 N을 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화형 광디스크를 제공한다.In accordance with the above object, in the present invention, in a phase change optical disk including a first dielectric layer, a Ge-Sb-Te based recording layer, a second dielectric layer, and a reflective layer sequentially formed on a transparent substrate, the recording layer is formed of Ag and N. It provides a phase change type optical disk comprising a.

본 발명의 특징은 Ge-Sb-Te계 기록층에 Ag 및 N을 포함시킴으로써 디스크의 중첩기록 특성 및 반복 기록 내구성을 향상시킨 것이다.It is a feature of the present invention that Ag and N are included in the Ge-Sb-Te-based recording layer to improve the superimposed recording characteristics and repeat recording durability of the disk.

본 발명의 한가지 태양에 따른 상변화형 광디스크는 도 4에 도시되어 있는 바와 같이, 투명기판(30)상에 제 1 유전체층(31), 기록층(32), 제 2 유전체층(33), 제1반사층(34), 제2반사층(35), 보호층(36)이 순차적으로 적층되어 있는 구조를 갖는다.As shown in FIG. 4, a phase change type optical disc according to one aspect of the present invention has a first dielectric layer 31, a recording layer 32, a second dielectric layer 33, and a first dielectric layer on a transparent substrate 30. The reflective layer 34, the second reflective layer 35, and the protective layer 36 are sequentially stacked.

본 발명에 사용되는 기판은, 광디스크에 기판재료로서 통상적으로 사용되는 폴리카보네이트 등을 사용하여 스탬퍼를 이용한 사출성형 등의 방법으로 제조될 수 있다. 기판에 형성되는 그루브(groove)는 기록 및 재생에 필요한 서보(servo) 특성을 위해 그 폭과 깊이가 설계되며, 특히 고밀도화를 위해 랜드(land)와 그루브를 모두 기록, 재생하는 경우는 각각에 대한 크로스 토크(cross talk)를 방지하기 위해 그 루브의 깊이를 λ/5n∼λ/7n(λ: 기록/재생 광파장, n:폴리카보네이트 기판의 굴절율)로 설정해야 한다.The substrate used in the present invention can be produced by a method such as injection molding using a stamper using polycarbonate or the like, which is commonly used as a substrate material for an optical disk. Grooves formed on the substrate are designed for the width and depth of the servo required for recording and playback, especially when recording and playing both land and grooves for higher density. In order to prevent cross talk, the depth of the grooves should be set to? / 5n to? / 7n (λ: recording / reproducing light wavelength, n: refractive index of polycarbonate substrate).

본 발명의 유전체층은 광투과 특성과 열적인 내구성을 갖추고 있어야 하기 때문에, 이를 구성하는 물질로는 흡수 계수가 0에 가까우며 열적 안정성이 뛰어난 금속 산화물, 금속 탄화물, 금속 질화물 또는 이들의 혼합물이 사용된다. 상변화형 광디스크 유전체층에 통상적으로 사용되는 물질은 ZnS-SiO2(8:2), AlN, GeN 등을 포함하는데, RF 스퍼터링(radio-frequency sputtering)과 같은 통상적인 방법에 의해 유전체층으로 제조될 수 있다. 두께는 제 1 유전체층의 경우 300 내지 3000Å, 제 2 유전체층의 경우 50 내지 500Å인 것이 바람직하다.Since the dielectric layer of the present invention must have light transmission characteristics and thermal durability, the material constituting the dielectric layer is a metal oxide, metal carbide, metal nitride, or a mixture thereof having an absorption coefficient close to zero and excellent in thermal stability. Materials commonly used for phase change type optical disc dielectric layers include ZnS-SiO 2 (8: 2), AlN, GeN, and the like, which can be made into dielectric layers by conventional methods such as RF-sputtering. have. The thickness is preferably 300 to 3000 mV for the first dielectric layer and 50 to 500 mV for the second dielectric layer.

일반적으로 기록층에는 비정질화가 용이하며 단시간내에 결정화가 가능한 칼코겐 화합물이 사용된다. 중첩기록 후 마크 현상을 균일하게 유지하기 위해서는 기록층의 결정립 크기가 고루 균일하게 분포되어야 한다. Ge-Sb-Te계 합금을 포함한 대부분의 상변화기록층 재료들의 결정화는 핵생성과 성장의 과정을 거치게 되어 있다. 이때 결정립 성장은 원자 확산에 의한 열역학적 안정 상태로의 변화에 기인하는 것이며, 이는 외부에서 열 에너지가 주입될 때 발생하게 된다.In general, a chalcogen compound is used for the recording layer that is easily amorphous and crystallized within a short time. In order to maintain the mark phenomenon uniformly after superimposing recording, the grain size of the recording layer should be evenly distributed. Crystallization of most phase change recording layer materials, including Ge-Sb-Te based alloys, is subject to nucleation and growth. Grain growth is caused by the change of the thermodynamic stable state by the atomic diffusion, which occurs when heat energy is injected from the outside.

본 발명의 상변화형 광디스크에 있어서, 중첩기록 과정은 도 4에 개략적으로 나타나 있다. 고출력의 레이저 빔을 기록층에 조사하여 그 기록층을 국부적으로 용융시킨 다음, 급냉시키면 조사된 부분이 비정질화되어 기록마크가 형성된다. 여기에서 기록마크는 재생전용형 광디스크의 트랙을 따라 형성되는 피트에 해당되는 것이다. 이렇게 형성된 기록마크에 기록시 파워의 1/3 내지 1/2 정도의 출력을 갖는 레이저 빔을 조사하면 소거 영역인 결정질 구조가 형성되어 기록된 정보가 소거된다. 기록 마크의 형상을 균일하게 만들기 위해서는, 기록 펄스는 여러 짧은 펄스의 연속으로 이루어진 멀티 펄스를 사용하는 것이 바람직하다.In the phase change type optical disc of the present invention, the superposition recording process is schematically shown in FIG. A high power laser beam is irradiated onto the recording layer to locally melt the recording layer, and then quenched to form an recording mark by amorphizing the irradiated portion. The recording mark here corresponds to a pit formed along the track of the reproduction-only optical disc. When the thus formed recording mark is irradiated with a laser beam having an output of about 1/3 to 1/2 of the power at the time of recording, a crystalline structure which is an erase area is formed to erase the recorded information. In order to make the shape of the recording mark uniform, it is preferable to use a multi pulse consisting of a series of several short pulses as the recording pulse.

그러나, 상변화형 광디스크의 기록층 재료로 가장 널리 쓰이는 Ge-Sb-Te 삼원계 합금의 경우 결정립 성장경향이 비교적 커서 중첩기록 하는 경우 지터값이 증가하는 문제가 있다. 실제 상변화형 디스크에서 비정질 상태의 기록마크는 소거 펄스에 의해 결정화된다. 도 5에서, 초기기록시에 형성되는 비결정질 기록마크는 검은색의 타원으로 나타내고, 그 외의 백색 부분은 결정형의 비기록부를 나타낸다. 1회 중첩기록후에는 원래의 기록마크가 결정형 비기록부가 되고, 인접한 부분에 제 2의 기록마크가 형성되는데, 이때, 제1기록마크에서 결정화된 비기록부의 경우에는 결정립 크기 차이가 발생한다(점무늬로 나타냄). 2회 이상 중첩기록한 경우에는 결정립 형태가 다른 부위가 다수 발생할 뿐 아니라 기록마크도 변형되는 현상이 발생하게된다. 이와 같은 기록 마크 형상 불균일성과 결정립 크기의 불균일성은 모두 중첩 기록시 소거율 감소 및 지터 증가 요인으로 작용하게 된다.However, the Ge-Sb-Te ternary alloy, which is most widely used as a recording layer material of a phase change type optical disk, has a problem that the jitter value increases when superimposed with a large grain growth tendency. In the actual phase change type disc, the recording mark in the amorphous state is crystallized by the erase pulse. In Fig. 5, the amorphous recording mark formed at the time of initial recording is indicated by a black ellipse, and the other white portions indicate a crystalline non-recording portion. After the first superimposed recording, the original recording mark becomes a crystalline non-recording portion, and a second recording mark is formed in an adjacent portion, where a grain size difference occurs in the non-recording portion crystallized from the first recording mark ( Represented by dots). When two or more overlap recordings occur, not only a large number of sites having different grain shapes occur but also a recording mark is deformed. The nonuniformity of the shape of the recording mark and the nonuniformity of the grain size both contribute to the reduction of the erase rate and the increase of jitter in the overlapping recording.

또 한가지 요구되는 특성은 반복기록 내구성이다. 이는 여러 번 기록과 소거를 반복하여도 재생신호 특성에 열화가 나타나지 않는다는 것을 의미한다. 상변화형 광디스크에 있어 반복기록에 의한 열화는 주로 열적인 부하가 축적됨에 의한 기록층의 변형이나 석출 등에 기인하는 것으로 알려져 있다. 이러한 열화를 억제하기 위한 방법으로는 기계적 강도가 높은 유전체 층의 사용이나 삽입층의 도입 그리고 기록층에 합금원소를 첨가하는 방법이 있다.Another required property is repeat recording durability. This means that the playback signal characteristics do not deteriorate even after repeated recording and erasing. It is known that deterioration due to repetitive recording in a phase change type optical disc is mainly caused by deformation or precipitation of the recording layer due to accumulation of thermal load. As a method for suppressing such deterioration, there is a method of using a dielectric layer having high mechanical strength, introducing an insertion layer, and adding an alloying element to the recording layer.

본 발명의 기록층은 Ge-Sb-Te계 합금에 Ag 및 N을 첨가시켜 제조된다. Ag와 N의 함량은 디스크의 구조, 유전체증, 반사층 등의 각 층의 재료와 특성, 디스크 포맷형식 및 방법에 따라 달라질 수 있다. 예를 들면, DVD-RAM 용의 디스크를 제조하는 경우 최종 박막중의 Ag의 함량은 0.01 내지 3 at(원자)%의 범위내로 조절하고, 질소 함량이 10 내지 40 vol(부피)%인 기체 분위기하에서 기록층을 성막하여 기록층 내로 질소를 혼입시킨다. 기록층의 두께는 100 내지 1000Å인 것이 바람직하다.The recording layer of the present invention is made by adding Ag and N to a Ge-Sb-Te based alloy. The content of Ag and N may vary depending on the structure of the disk, dielectric material, reflective material and the like of each layer, disk format and method. For example, in the case of manufacturing a disc for DVD-RAM, the content of Ag in the final thin film is adjusted within the range of 0.01 to 3 at (atomic)%, and a gas atmosphere having a nitrogen content of 10 to 40 vol (volume)%. Under the recording layer, a recording layer is formed to incorporate nitrogen into the recording layer. The thickness of the recording layer is preferably 100 to 1000 mm.

본 발명의 한 태양에 있어서 기록층은 다음과 같이 제조될 수 있다. 기록층이 코팅되는 기재 상에, 즉, 제 1 유전체 상에 적절한 양의 Ag 금속을 먼저 얹고, 이 위에 Ge-Sb-Te계 합금층을 스퍼터링 법으로 성막하면서 스퍼터 가스인 Ar에 N2를 N2/Ar이 10 내지 40 vol%인 범위로 주입함으로써, Ge-Sb-Te계 합금층에 Ag와 N을 도입하였다. 이때, Ag 금속은 사각형 단편과 같은 임의의 금속 칩 형태일 수 있다. 또한, Ag는 Ge-Sb-Te계 합금층을 성막시에 출발물질에 포함시키는 등의 임의의 통상적인 방법을 통해 기록층에 혼입될 수 있다.In one aspect of the present invention, the recording layer can be manufactured as follows. On a substrate that is coated with the recording layer, that is, first put an appropriate amount of the Ag metal, first in the dielectric, the N 2 in the over the while sputter gas forming the Ge-Sb-Te based alloy layer by sputtering Ar N Ag and N were introduced into the Ge-Sb-Te-based alloy layer by injecting 2 / Ar in a range of 10 to 40 vol%. At this time, the Ag metal may be in the form of any metal chip such as a rectangular fragment. Ag can also be incorporated into the recording layer through any conventional method, such as including the Ge-Sb-Te-based alloy layer in the starting material during film formation.

반사층에는 기록층의 비정질화를 위한 열흡수 효과 및 광효율의 향상을 위하여 금속 재료가 사용되는데, 주로 Al, Ag, Au, Cu 등의 단일 원소 또는 이들 금속에 기록 감도와 내산화성 등을 위해 Cr, Ni, Ti, Si 등이 소량 첨가된 합금(예: Al-Ti(Ti 1.5중량%), Al-Cr(Cr 2 at(원자)%) 과 같은 Al 합금, Ag-Al, Ag-Mg와 같은 Ag 합금 등)이 사용된다. 반사층은 단일층일 수도 있고 도 3에 도시한 바와 같이 이중층 형태일 수도 있다.In the reflective layer, a metal material is used to improve the heat absorption effect and the light efficiency of the recording layer in amorphous form, and mainly a single element such as Al, Ag, Au, Cu or Cr, for recording sensitivity and oxidation resistance, Alloys with small amounts of Ni, Ti, Si, etc. (e.g. Al-Ti (1.5 wt% Ti), Al alloys such as Al-Cr (Cr 2 at (atomic)%), Ag-Al, Ag-Mg Ag alloys, etc.) are used. The reflective layer may be a single layer or may be in the form of a double layer as shown in FIG. 3.

각 층의 두께는 충분한 변조 신호 특성을 나타내기 위해 기록층이 비정질 상태일 경우의 반사율과 결정 상태일 경우의 반사율의 차이가 10% 이상 구현될 수 있도록 조합 설계하는 것이 바람직하다. 또한, 전술한 바와 같이 균일한 비정질 마크를 형성할 수 있을 정도로 충분히 급냉되면서도, 소거시 결정화에 필요한 시간 동안 기록층이 결정화 온도 이상으로 유지될 수 있는 가열, 냉각 특성을 지니도록 설계하여야 한다. 이때 디스크의 적정 가열, 냉각 특성은 기록층의 비정질화 임계 속도 및 결정화 속도에 따라 가변적이 될 수 있으므로 이들의 상관 관계를 고려하여 그 적정 두께 조합을 설정하여야 한다.The thickness of each layer is preferably designed in combination so that the difference in reflectance when the recording layer is in an amorphous state and reflectance when in a crystalline state can be realized by 10% or more in order to exhibit sufficient modulation signal characteristics. In addition, it should be designed to have heating and cooling characteristics such that the recording layer can be kept above the crystallization temperature for a time required for crystallization during erasing while being sufficiently quenched to form a uniform amorphous mark as described above. At this time, the proper heating and cooling characteristics of the disk may be varied depending on the amorphous rate and the crystallization rate of the recording layer. Therefore, the appropriate thickness combination should be set in consideration of their correlation.

또한, 랜드와 그루브에 동시에 기록할 경우에는 기록된 비정질 마크와 미기록부의 결정상태 매트릭스의 굴절율 차이에 의한 위상차와 이 위상차에 의한 간섭으로 야기되는 신호 진폭의 감소를 억제하기 위해, 비정질 상태에서의 반사율이 0에 가깝도록 하거나 이들 간섭에 의한 그루브에서의 신호 진폭과 랜드에서의 신호 진폭차를 최소화 할 수 있도록 각 층 두께를 설계하는 것이 추가로 필요하게 된다.When recording simultaneously to land and groove, in order to suppress the phase difference caused by the difference in refractive index between the recorded amorphous mark and the crystal state matrix of the unrecorded portion and the decrease in signal amplitude caused by the interference caused by the phase difference, It is additionally necessary to design each layer thickness so that the reflectance is close to zero or the difference between the signal amplitude in the groove and the signal amplitude in the land caused by these interferences is minimized.

또한 실제 양산시 재료비 생산 시간을 단축하기 위해 각 층의 두께는 제반 특성이 양호한 범위에서 되도록 얇은 것이 유리하다.In addition, in order to shorten the production time of material costs in actual production, it is advantageous that the thickness of each layer is as thin as possible so that various properties are in a good range.

보호층으로는 통상적으로 UV 경화형 수지 등이 사용된다.UV protective resin etc. are used normally as a protective layer.

상변화형 광디스크에서 냉각 속도는 주로 각 층의 열전도율과 두께에 의해 결정된다. 따라서 이들 각 층 재료의 선택과 두께의 조합이 잘 이루어져야만 양호한 중첩기록 특성을 나타내게 된다. 중첩 기록 특성의 지표로는 재생 신호의 시간 편차를 의미하는 지터(jitter)가 사용되며, 지터가 낮을수록 신호 특성이 양호한 것이다.In phase change optical disks, the cooling rate is mainly determined by the thermal conductivity and thickness of each layer. Therefore, a good combination of the thickness and the selection of each of these layer materials can be achieved to show good overlapping recording characteristics. As an indicator of the superposition recording characteristic, jitter which means time deviation of the reproduction signal is used, and the lower the jitter, the better the signal characteristic.

일반적으로 Ge-Sb-Te 기록층을 가지는 상변화형 광디스크에 있어 대략 중첩기록이 1회 내지 1,000회의 범위에서 발새하는 지터의 증가는 중첩기록 특성의 불량에 기인하며, 10,000회 이상에서 발생하는 지터의 증가는 반복기록 내구성 불량에 의한 것으로 볼 수 있다.In general, in a phase change type optical disk having a Ge-Sb-Te recording layer, the increase in jitter that occurs in the range of 1 to 1,000 times of superimposed recording is caused by a defect in superimposed recording characteristics, and jitter occurs at 10,000 or more times. The increase of may be due to the poor repeat recording durability.

본 발명을 실시예를 들어 상세히 설명하기로 하되, 본 발명이 하기 실시예로만 한정되는 것은 아니다.The present invention will be described in detail with reference to Examples, but the present invention is not limited only to the following Examples.

실시예 1Example 1

스탬퍼를 사용한 사출성형법에 의하여 깊이 70㎚의 나선형 그루브가 형성되어 있는 두께 0.6㎜ 폴리카보네이트 디스크 기판을 제조하였다. 이때, 기판의 그루브와 인접 그루브 사이의 간격은 1.48㎛, 그루브와 랜드 사이의 간격은 그 1/2에 해당하는 0.74㎛였다.By injection molding using a stamper, a 0.6 mm thick polycarbonate disk substrate was formed in which a spiral groove having a depth of 70 nm was formed. At this time, the spacing between the groove of the substrate and the adjacent groove was 1.48 mu m, and the spacing between the groove and the land was 0.74 mu m corresponding to 1/2 thereof.

상기 디스크 기판의 그루브 형성면에 ZnS-SiO2(8:2)를 RF 스퍼터링하여 제1유전체층을 두께 950Å로 성막하였다.ZnS-SiO 2 (8: 2) was RF sputtered on the groove forming surface of the disk substrate to form a first dielectric layer having a thickness of 950 kPa.

이후, 상기 제 1 유전체층 상부에 Ag 금속칩(10㎜ x 10㎜)을 얹은 후, Ge-Sb-Te계 합금 박막을 DC 스퍼터링법에 의해 두께 200Å로 성막하였다. 이때, N2와 스퍼터 가스인 Ar과의 주입량 비 N2/Ar이 35 vol%가 되도록 하여 기록층에 질소를 혼입시켰으며, Ag의 함량은 1.5 at%였다.Subsequently, an Ag metal chip (10 mm × 10 mm) was placed on the first dielectric layer, and then a Ge—Sb—Te alloy thin film was formed to a thickness of 200 μs by DC sputtering. At this time, the injection amount of the stylized N and Ar 2 as a sputtering gas ratio N 2 / Ar in the recording layer is mixed with nitrogen to ensure that the 35 vol%, was the content of Ag is 1.5 at%.

이어서, 다시 ZnS-SiO2(8:2)를 RF 스퍼터링하여 제 2 유전체층을 두께 120Å로 성막한 후, AlCr 제1반사층을 500Å 두께로 형성하였다. 그 후, 상기 제1반사층 상부에 Cu를 DC 스퍼터링하여 400Å 두께로 제2반사층을 성막하였다. 보호층으로는 UV 경화형 수지(상품명: SD17:DIC)를 스핀코팅한 후, 보조(dummy) 기판을 얹어 경화시켰다.Subsequently, ZnS-SiO 2 (8: 2) was again RF sputtered to form a second dielectric layer with a thickness of 120 mW, and then an AlCr first reflection layer was formed with a thickness of 500 mW. Thereafter, Cu was sputtered on top of the first reflective layer to form a second reflective layer with a thickness of 400 GPa. As a protective layer, after spin-coating UV curable resin (brand name: SD17: DIC), the board | substrate was mounted and it hardened | cured.

상기 상변화형 광디스크를 초기화하기 위하여 동특성 평가기에 장착한 다음, 디스크를 회전시키면서 반도체 레이저 빔(파장: 830㎚)을 조사하여 기록층을 결정화시켰다.In order to initialize the phase change type optical disc, the recording layer was crystallized by irradiating a semiconductor laser beam (wavelength: 830 nm) while rotating the disc while rotating the disc.

비교예 1Comparative Example 1

Ag를 첨가하지 않는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하였다.The same procedure as in Example 1 was conducted except that Ag was not added.

비교예 2Comparative Example 2

Ag의 함량을 3.2 at%로 하는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하였다.The same procedure as in Example 1 was carried out except that the Ag content was 3.2 at%.

비교예 3Comparative Example 3

N을 첨가하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하였다.The same procedure as in Example 1 was carried out except that N was not added.

광디스크의 특성은 다음과 같이 평가하였다.The characteristics of the optical disc were evaluated as follows.

(1) 기록 특성(1) recording characteristics

광디스크를 DVD-RAM 전용 동특성 평가기(제조사: 나카미치(Nakamichi)사, 모델명: OMS-2000)에 장착한 다음, 6.0m/s로 회전시키며 트랙상에 3T 내지 14T(Tw=34.27㎱)의 랜덤 패턴의 신호를 기록한 후 일정 클록(clock)에 대한 재생신호의 지터값을 평가하였다. 지터는 재생신호의 신호편차를 의미하는 것으로 낮을수록 양호한 신호특성을 나타낸다.The optical disc was mounted on a DVD-RAM-specific dynamic evaluator (manufacturer: Nakamichi, model name: OMS-2000), and then rotated at 6.0 m / s and mounted on a track of 3T to 14T (T w = 34.27㎱). After recording a signal of a random pattern, the jitter value of the reproduction signal with respect to a certain clock was evaluated. Jitter refers to the signal deviation of the reproduction signal, the lower the better the signal characteristic.

중첩기록시 기록 파워(Pp)와 소거 파워(Pb)의 설정 방법은 다음과 같다. 즉, 파워값을 변화시키면서 광디스트에 10회 중첩기록한 후, 이중 지터값이 약 5.0ns를 나타내는 파워값에 1.2를 곱한 것을 잠정 기록 파워(Pp1)로 선정하고, 다시 기록 파워를 고정시킨 후 소거 파워를 변경시키며 지터를 측정하여 마찬가지로 약 5.0ns 이하의 지터값을 나타내는 파워 범위를 파악한 후 그 중간값을 소거 파워로 택하였다. 이어서, 상기 소거 파워하에서, 다시 위에 기술된 잠정 기록 파워와 동일한 과정을 거쳐 최종 기록 파워를 선정하였다. 이때 선정된 기록 및 소거 파워의 레이저 펄스를 조사하면서 특정 회수에 대한 중첩 기록 후 지터 값을 측정하였다.The method of setting the overlapping proxy write power P p and the erase power P b is as follows. That is, after superimposing and recording the optical disc 10 times while changing the power value, the power value representing the double jitter value of about 5.0 ns is multiplied by 1.2 as the provisional recording power (P p 1), and the recording power is fixed again. After the jitter was measured by changing the erase power, the power range representing the jitter value of about 5.0 ns or less was determined, and the median value was selected as the erase power. Then, under the erase power, the final recording power was selected again through the same process as the provisional recording power described above. At this time, the jitter value was measured after overlapping recording for a specific number of times while examining the laser pulses of the selected recording and erasing power.

이때 지터 평가를 위한 신호는 동기화(equallization) 되었으며, 기록을 위한 레이저 펄스의 형태는 도 6과 같다. 동기화 조건 및 레이저 펄스의 형태는 DVD-RAM 규격 1.0(DVD-RAM Specification for Rewritable Disc version 1)을 따랐다. 동특성 평가기 픽업에 사용된 광원의 파장은 680㎚, 대물렌즈의 NA는 0.60이었다.At this time, the signal for jitter evaluation is synchronized, and the shape of the laser pulse for recording is shown in FIG. 6. Synchronization conditions and the shape of the laser pulses conformed to the DVD-RAM Specification for Rewritable Disc version 1. The wavelength of the light source used for pickup of the dynamics evaluator was 680 nm, and the NA of the objective lens was 0.60.

(2) 소거율의 평가(2) Evaluation of the erasure rate

지터 특성 평가과 동일한 파워에서 3T 단일 신호 기록 후 재차 11T 신호를 중첩기록하여 3T 신호의 캐리어 레벨 저감율((11T 신호를 중첩기록하기 전의 3T 신호의 캐리어 레벨) - (11T 신호를 중첩기록한 후의 잔류 3T 신호의 캐리어 레벨)) 을 스펙트럼 아날라이저로 측정하였다.(단위는 dB)After recording the 3T single signal at the same power as the jitter characteristic evaluation, the 11T signal is overwritten again to reduce the carrier level of the 3T signal ((carrier level of the 3T signal before the 11T signal is overwritten)-(the residual 3T signal after the 11T signal is overwritten). Carrier level) is measured with a spectral analyzer (in dB).

도 7은 N2/Ar 주입비에 따른 소거율 변화를 나타낸 그래프이고, 도 8은 N2/Ar 주입비에 따른 신호 진폭 변화를 나타낸 그래프이다.7 is a graph showing the change in the erase ratio according to the N 2 / Ar injection ratio, Figure 8 is a graph showing a change in signal amplitude according to the N 2 / Ar injection ratio.

도 7에서 알 수 있듯이 성막시 주입된 N2/Ar의 비가 대략 10% 이상이되면 소거율 증가 현상이 뚜렷이 나타남을 알 수 있다. 이러한 중첩기록 특성의 개선은 N2가 기록층에 도입됨으로써 결정립 성장 억제 효과에서 기인하는 것임이 투과형 전자 현미경(TEM) 관찰로 확인되었다. 그러나, 도 8과 같이 N2/Ar 주입비가 증가함에 따라 신호 진폭이 감소하고 있다. 그러므로 소거율 개선 효과가 거의 포화되는 N2/Ar 주입비 40% 이내로 한정하는 것이 바람직하다.As can be seen in Figure 7 can be seen that when the ratio of N 2 / Ar injected during the deposition is approximately 10% or more, the erasure rate increase phenomenon is apparent. It was confirmed by transmission electron microscopy (TEM) observation that the improvement of the superposition recording characteristic is caused by the grain growth inhibition effect by the introduction of N 2 into the recording layer. However, as shown in FIG. 8, the signal amplitude decreases as the N 2 / Ar injection ratio increases. Therefore, it is desirable to limit the removal rate to within 40% of the N 2 / Ar injection ratio, which is almost saturated.

상기 기록특성 평가방법에 따라 실시예 및 비교예에서 제조한 상변화형 광디스크의 중첩기록 지터값의 변화 측정하여 그 결과를 표 1에 나타내었다.According to the recording characteristic evaluation method, the change of superposition recording jitter values of the phase change type optical discs manufactured in Examples and Comparative Examples was measured, and the results are shown in Table 1 below.

Ag 함량(at%)Ag content (at%) N2/Ar(부피%)N 2 / Ar (% by volume) 10회 중첩기록 후지터 증가율(%)Fujitsu 10% overlapping record 10만회 중첩기록후지터 증가율(%)100% overlapping record jitter growth rate (%) 판정Judgment 실시예 1Example 1 1.51.5 3535 88 1616 비교예 1Comparative Example 1 00 3535 22 -- ×× 비교예 2Comparative Example 2 3.23.2 3535 1313 1616 ×× 비교예 3Comparative Example 3 1.51.5 00 3232 2424 ×× 판정기준: 10회 중첩기록후 지터 증가율(%) 〈 10% (중첩기록 특성) 10만회 중첩기록후 지터 증가율(%) 〈 50% (반복기록 내구성)Criteria: Jitter growth rate after 10 overlapping records (%) 〈10% (Nested property) Jitter growth rate after 100,000 overlapping records (%) 〈50% (Repeat recording endurance)

상기 표 1의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1에 따른 본 발명의 상변화형 광디스크는 중첩기록특성과 반복기록내구성이 모두 우수하였다.As can be seen from the results of Table 1, the phase change type optical disc of the present invention according to Example 1 had excellent superposition recording characteristics and repeat recording durability.

반면, Ag가 포함되지 않은 비교예 1의 경우 반복기록내구성이 50% 이상으로 불량하였으며, N2가 첨가되지 않은 비교예 3의 경우는 중첩기록특성이 32% 정도로 크게 불량하였다. 한편, 비교예 2와 같이 Ag 함량이 과도한 경우에도 중첩기록특성이 불량하였다. 이는 도 9에 의해서도 알 수 있는데, 실시예 1(○)의 경우 지터값이 낮게 유지되는 반면, 비교예 1(×)의 경우에는 급격히 증가하였으며, 비교예 2(◇) 및 3(△)의 경우에는 초기의 지터값이 매우 큰 단점이 있다.On the other hand, in the case of Comparative Example 1 without Ag, the repeat recording durability was poor at 50% or more, and in Comparative Example 3 without N 2 , the overlapping recording property was significantly poor at about 32%. On the other hand, even when the Ag content was excessive as in Comparative Example 2, the superposition recording characteristics were poor. This can also be seen from FIG. 9, in the case of Example 1 (○), the jitter value was kept low, whereas in the case of Comparative Example 1 (×), the jitter value was increased rapidly. In this case, the initial jitter value is very large.

상기 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, GE-Sb-Te계 합금 반사층에 Ag와 N을 동시에 첨가함으로써 우수한 반복기록내구성 및 중첩기록특성을 지닌 상변화형 광디스크를 얻을 수 있다.As can be seen from the above results, by adding Ag and N to the GE-Sb-Te alloy reflective layer at the same time, a phase change type optical disc having excellent repeat recording durability and superimposed recording characteristics can be obtained.

본 발명의 상변화형 광디스크는 우수한 중첩기록 특성 및 반복기록 내구성을 나타내므로, 서환형 광디스크로서 적합하다.The phase change type optical disc of the present invention exhibits excellent superposition recording characteristics and repeatable recording durability, and thus is suitable as a slow ring type optical disc.

Claims (2)

투명기판 상에 순차적으로 형성된 제 1 유전체층, Ge-Sb-Te계 기록층, 제 2 유전체층 및 반사층을 포함하는 상변화 광디스크에 있어서, 상기 기록층이 Ag 및 N을 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화형 광디스크.A phase change optical disc comprising a first dielectric layer, a Ge-Sb-Te based recording layer, a second dielectric layer, and a reflective layer sequentially formed on a transparent substrate, wherein the recording layer comprises Ag and N Fluorescent disk. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기록층의 Ag 함유량이 0.1 내지 3 원자%이며, 기록층을 질소 함량이 10 내지 40 부피%인 기체 분위기하에서 성막하는 것을 특징으로 하는 상변화형 광디스크.A phase change type optical disc, wherein the recording layer is formed in a gas atmosphere having an Ag content of 0.1 to 3 atomic% and a nitrogen content of 10 to 40% by volume.
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