KR20010008321A - Integrated chip for high frequency and fabricating method therefor - Google Patents

Integrated chip for high frequency and fabricating method therefor Download PDF

Info

Publication number
KR20010008321A
KR20010008321A KR1020000069924A KR20000069924A KR20010008321A KR 20010008321 A KR20010008321 A KR 20010008321A KR 1020000069924 A KR1020000069924 A KR 1020000069924A KR 20000069924 A KR20000069924 A KR 20000069924A KR 20010008321 A KR20010008321 A KR 20010008321A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
internal electrode
stacked
chip component
sheet
stacked chip
Prior art date
Application number
KR1020000069924A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
엄우식
김덕희
박인길
Original Assignee
엄우식
주식회사 이노칩테크놀로지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엄우식, 주식회사 이노칩테크놀로지 filed Critical 엄우식
Priority to KR1020000069924A priority Critical patent/KR20010008321A/en
Publication of KR20010008321A publication Critical patent/KR20010008321A/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/005Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30Stacked capacitors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)

Abstract

PURPOSE: A high frequency laminated chip part and method of manufacturing the same is provided to cancel inductance by adjusting internal electrode pattern by which a current flow in the electrode is bent in a certain angle. CONSTITUTION: A number of device sheets(701) are prepared by using a slurry of a certain composition. First internal electrode pattern(702) is printed in the shape of S on the sheet so that a current flow is bent into reverse direction. Second internal electrode pattern(704) is printed in the opposite direction of the first pattern(702). At lease two device sheets(701) are stacked to form a laminate so that current flows are directed oppositely in internal electrodes(708,709) of adjacent upper and lower layers. The laminate is heat treated for aging. External electrodes(710) are formed on both ends of the laminate to be alternately connected to the internal electrodes(708,709).

Description

고주파 적층 칩 부품 및 그 제조 방법{Integrated chip for high frequency and fabricating method therefor}Integrated chip for high frequency and fabricating method therefor}

본원 발명은 적층 칩(Chip) 커패시터(Capacitor), 적층 칩(Chip) 배리스터(Varistor), 적층 칩(Chip) NTC(Negative Temperature Coefficient) 소자, 적층 칩 PTC(Positive Temperature Coefficient) 소자 혹은 적층 칩 저항 등 적층형 칩(Chip) 부품의 고주파 등가인덕턴스 및 등가직렬저항을 낮추기 위해 내부 전극 패턴(Pattern)을 특수하게 설계하여 제조한 고주파 저인덕턴스(Inductance) 칩 부품 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 칩 내의 내부 전극 패턴을 ㄹ자 형태로 설계하여 전극 패턴의 전류 흐름이 반대로(180도) 꺽이게 하여 생성되는 인덕턴스를 상호 상쇄시킨 칩 부품 및 제조 방법을 특징으로 한다.DETAILED DESCRIPTION The present invention provides a stacked chip capacitor, a stacked chip varistor, a stacked chip negative temperature coefficient (NTC) device, a stacked chip positive temperature coefficient (PTC) device, a stacked chip resistor, and the like. The present invention relates to a high frequency inductance chip component manufactured by specially designing an internal electrode pattern to reduce high frequency equivalent inductance and equivalent series resistance of a stacked chip component, and a method of manufacturing the same. It is characterized by a chip component and a manufacturing method that mutually cancel the inductance generated by designing the electrode pattern in the r-shape to reverse the current flow of the electrode pattern (180 degrees).

최근 개인 휴대 통신 및 개인 컴퓨터의 동작 주파수가 GHz대에 이르는 등 급속히 고주파화로 이행되고 있어 여기에 장착되는 전자 부품 역시 고주파에서 사용이 가능하거나 고주파 특성이 우수한 부품이 절대적으로 요구된다. 칩 부품의 경우 일반적으로 저주파에서는 칩 부픔 자체의 특성, 예를 들면 칩 커패시터(Capacitor)의 경우 순수한 커패시터의 특성만 나타나게 되나 고주파 전압이 인가되면 도1과 같이 등가직렬저항(11), 등가직렬인덕턴스(12) 성분이 발생된다. 등가직렬저항의 경우는 필요없는 전력 소모를 유발하고, 등가직렬인덕턴스의 경우는 공진 주파수(LC 혹은 RC 공진)를 낮추어 기생 발진등을 일으키거나 임피던스값을 증가시켜 신호에 대한 응답 속도를 늦게 한다. 칩 배리스터의 경우 고집적 IC, 디지털 IC등 중요 전자 부품을 고주파 과전압 및 서지(Surge) 전압으로부터 보호하는 역할을 하는 데 상기와 같이 등가인덕턴스 발생에 의한 고주파에서의 응답 속도 지연은 결국 고주파 과전압 및 서지 전압으로부터 전자 부품을 보호할 수 없게 된다.Recently, the frequency of personal portable communication and personal computers has been rapidly shifted to high frequency, such as the GHz band, and electronic components mounted therein are absolutely required to be used at high frequencies or have high frequency characteristics. In the case of chip components, in general, the characteristics of the chip part itself at low frequencies, for example, in the case of chip capacitors, are pure pure capacitors. (12) A component is generated. Equivalent series resistors cause unnecessary power consumption, while equivalent series inductances reduce the resonant frequency (LC or RC resonance) to cause parasitic oscillation or increase the impedance to slow down the response to the signal. In the case of chip varistor, it plays a role of protecting important electronic components such as high-density IC and digital IC from high frequency overvoltage and surge voltage. As described above, the response delay at high frequency caused by equivalent inductance is high frequency overvoltage and surge voltage. The electronic components can no longer be protected from.

칩 인덕터를 제외한 일반적인 적층형 칩 부품의 내부 전극은 도2와 같이 양쪽 단자 전극(Termination)을 두 축으로 서로 엇갈리게 적층하여 궁국적으로 두 개의 전극을 형성하게 되므로 전류를 흘렸을 경우 한쪽 전극에서 다른쪽 전극으로 전류의 흐름이 형성되어 마치 전선을 늘어뜨려 놓은 효과와 같아서 인덕턴스를 유발하는 구조이다. 즉, 일반적 적층형 칩 커패시터의 경우 도2에 나타낸 바와 같이 한쪽 단자(예, + 단자)에서 전류의 흐름이 시작되어 유전체층을 통과하여 반대쪽 전극으로 들어가는 구조로, 단순화시키면 도선에 전류가 흐르는 것과 유사하다고 볼 수 있어 도선에 전류가 흐르게 되면 자기 유도에 의해 전류 흐름을 방해하려는 반대 극성의 유도기전력이 생기듯이 칩에 자기 인덕턴스(Self inductance)가 발생된다.In general, except for the chip inductor, the internal electrodes of the general multilayer chip component are stacked two terminal electrodes alternately with each other on two axes as shown in FIG. 2 to form two electrodes ultimately. As a result, current flow is formed, which is like the effect of hanging wires, causing inductance. In other words, in the case of a general multilayer chip capacitor, as shown in FIG. 2, the current starts to flow from one terminal (eg, the + terminal) to pass through the dielectric layer and enter the opposite electrode. As can be seen, when the current flows through the wire, the magnetic inductance is generated on the chip as the induced electromotive force of the opposite polarity to interrupt the current flow by magnetic induction.

이처럼 종래의 적층형 칩 부품은 고주파에서 사용하게 될 경우 등가직렬인덕턴스 및 등가직렬저항이 발생되는 문제점이 있다.As such, the conventional multilayer chip component has a problem in that equivalent series inductance and equivalent series resistance are generated when used at a high frequency.

또한 원치 않는 등가직렬저항 및 등가직렬인덕턴스 성분의 발생은 등가직렬저항의 경우는 필요없는 전력 소모를 유발하고, 등가직렬인덕턴스의 경우는 공진 주파수를 낮추어 기생 발진등을 일으키거나 임피던스값을 증가시켜 신호에 대한 응답 속도를 늦게한다는 문제점이 있다.In addition, the generation of unwanted equivalent series resistance and equivalent series inductance component causes unnecessary power consumption in case of equivalent series resistance, and in case of equivalent series inductance, the resonance frequency is lowered to cause parasitic oscillation or increase the impedance value. There is a problem of slowing down the response speed.

또한 종래의 복합 칩 부품은 제조 공정 상의 복잡성과 어려움으로 칩의 소자 특성 조절이 어렵고, 복합 칩을 여러 개 수용할 수 있는 어레이화가 어렵다는 문제점이 있다.In addition, the conventional composite chip component has a problem that it is difficult to control the device characteristics of the chip due to the complexity and difficulty in the manufacturing process, it is difficult to array the multiple chip can accommodate.

상술한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 칩 부품의 내부의 내부 전극 패턴을 조정하여 전극 내의 전류 흐름의 방향이 소정 각도로 꺾이도록 하여 인덕턴스를 상쇄시키는 적층형 칩 부품 소자를 제조하는 데 있다. 또한 이러한 적층형 칩 부품 소자를 제조하기 위한 제조 방법을 제공하는 데 본 발명의 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention for solving the conventional problems as described above is to manufacture a multilayer chip component device that cancels the inductance by adjusting the internal electrode pattern inside the chip component to bend the direction of current flow in the electrode at a predetermined angle. There is. It is also an object of the present invention to provide a manufacturing method for manufacturing such a stacked chip component device.

특히 칩 내의 내부 전극 패턴을 ㄹ자 형태로 설계하여 전극 패턴의 전류 흐름이 반대로(180도) 꺾이게 하여 생성되는 인덕턴스를 상호 상쇄시켜 고주파에서도 원하는 소자 특성을 가지게 되는 적층형 칩 부품 소자를 제조하는 데 본 발명의 목적이 있다.In particular, by designing the internal electrode pattern in the chip in the form of a letter r, the current flow of the electrode pattern is reversed (180 degrees) to cancel the mutually generated inductance to produce a stacked chip component device having the desired device characteristics even at high frequencies There is a purpose.

또한 소자 내부에서 전류 방향차를 가지는 내부 전극 패턴을 단층 혹은 적층하여 등가인덕턴스값을 최소화하며, 적층수를 변화시켜 다양한 소자 특성을 가진 복합 칩 부품을 제조하는 데 본 발명의 목적이 있다.In addition, it is an object of the present invention to manufacture a composite chip component having various device characteristics by minimizing the equivalent inductance value by monolayering or stacking an internal electrode pattern having a current direction difference inside the device, and by changing the number of stacked layers.

도 1 커패시터의 고주파 등가회로Fig. 1 High frequency equivalent circuit of capacitor

도 2 종래의 적층형 칩 부품의 구성도2 is a block diagram of a conventional stacked chip component

도 3 본 발명 실시예1에 의한 적층형 칩 부품의 제조도3 is a manufacturing diagram of the stacked chip component according to the first embodiment of the present invention

도 4 본 발명 실시예1에 의해 제조된 적층형 칩 부품의 전류 방향 모식도Figure 4 is a schematic diagram of the current direction of the stacked chip component manufactured by Example 1 of the present invention.

도 5 본 발명 실시예2에 의한 적층형 칩 부품의 제조도5 is a manufacturing diagram of the stacked chip component according to the second embodiment of the present invention

도 6 본 발명 실시예2에 의해 제조된 적층형 칩 부품의 전류 방향 모식도6 is a schematic diagram of current direction of a multilayer chip component manufactured by Example 2 of the present invention.

도 7 본 발명 실시예3에 의한 적층형 칩 부품의 제조도7 is a manufacturing diagram of the stacked chip component according to the third embodiment of the present invention

도 8 본 발명 실시예4에 의한 어레이 구조의 적층형 칩 부품의 제조도8 is a manufacturing diagram of a stacked chip component having an array structure according to the fourth embodiment of the present invention

도 9 본 발명 실시예5에 의한 어레이 구조의 적층형 칩 부품의 제조도9 is a manufacturing diagram of a stacked chip component having an array structure according to the fifth embodiment of the present invention.

상술한 바와 같은 목적을 해결하기 위한 본 발명에 따른 적층형 칩 부품 소자는 원하는 소자 특성에 맞추어 제조된 일정 조성의 슬러리를 닥터 블레이드법등을 이용하여 얇은 세라믹 시트(Sheet)로 제조하고, 세라믹 시트 위에 원하는 형태의 내부 전극 패턴을 인쇄하며, 내부 전극이 형성된 시트를 원하는 수만큼 함께 적층한 후, 적층물을 소성하고, 각 내부전극과 연결되는 외부전극을 형성하여 제조한다. 이때 내부 전극 패턴은 소자내의 전류 흐름의 방향이 소정 각도로 꺾여 인덕턴스가 상쇄되도록 소정 각도로 꺾인 내부 전극 패턴으로 설계한다. 이러한 내부 전극 패턴은 동일 시트 상에서 ㄹ자 형태로 구성하여 180도로 꺾여 설계되는 것이 바람직하다. 또한 소정의 내부 전극 패턴이 인쇄된 시트를 원하는 소자 특성만큼 적층하는 경우 적층되는 상하부층의 내부 전극 패턴은 전류 흐름의 방향이 동일 위치에서 소정 각도로 꺾이도록 각 층의 내부 전극 패턴이 반대 방향으로 소정 각도로 꺾인 패턴으로 설계되는 것이 바람직하다.The stacked chip component device according to the present invention for solving the object as described above is produced in a thin ceramic sheet (Sheet) using a doctor blade method, etc., a slurry of a predetermined composition prepared according to the desired device characteristics, and the desired After printing the internal electrode pattern in the form, and stacking the sheet with the internal electrode formed by the desired number together, the laminate is fired, and is formed by forming an external electrode connected to each internal electrode. At this time, the internal electrode pattern is designed as an internal electrode pattern bent at a predetermined angle so that the direction of current flow in the device is bent at a predetermined angle to cancel the inductance. The internal electrode pattern is preferably designed to be bent by 180 degrees to form a letter-shaped on the same sheet. In addition, when the sheets on which the predetermined internal electrode patterns are printed are laminated by the desired device characteristics, the internal electrode patterns of the upper and lower layers to be laminated are arranged in the opposite direction so that the direction of current flow is bent at a predetermined angle at the same position. It is preferable to design in a pattern bent at a predetermined angle.

또한, 상술한 바와 같은 목적을 해결하기 위한 본 발명에 따른 복합 칩 소자는 원하는 소자 특성에 맞추어 제조된 일정 조성의 슬러리를 닥터 블레이드법등을 이용하여 얇은 세라믹 시트를 제조하고, 세라믹 시트 위에 도전성 페이스트를 인쇄하여 소자내의 전류 흐름의 방향이 소정 각도로 꺾여 인덕턴스가 상쇄되도록 소정 각도로 꺾인 내부 전극 패턴으로 설계된 내부 전극 패턴을 형성하고, 내부 전극이 형성된 시트를 원하는 수만큼 함께 적층한 후, 적층물을 소성하고, 적층물의 내부 전극과 연결되는 단자 전극을 형성하여 제조한다. 이때 내부 전극 패턴은 동일 시트 상에서 ㄹ자 형태로 구성하여 180도로 꺾여 설계되는 것이 바람직하며, 칩의 넓이 방향으로 내부 전극 패턴을 배열하면 전류가 흐르는 면적을 크게하여 등가 직렬저항을 감소시키고 전류가 180도 꺾여 흐르는 길이가 증가되어 더욱더 인덕턴스가 상쇄되어 궁극적으로 등가직렬인덕턴스를 더욱 낮출 수 있다. 또한 내부 전극 패턴이 형성된 시트의 적층수를 증가시키면 내부 전극의 면적이 증가되어 등가 직렬저항을 더욱 감소시킨다.In addition, the composite chip device according to the present invention for solving the above object is to produce a thin ceramic sheet using a doctor blade method or the like with a slurry of a predetermined composition prepared in accordance with the desired device characteristics, and a conductive paste on the ceramic sheet The internal electrode pattern designed by the internal electrode pattern folded at a predetermined angle so as to cancel the inductance by printing by bending the direction of current flow in the device at a predetermined angle, laminating the sheet with the internal electrode formed as many times as desired, and then stacking the stack It bakes and manufactures by forming the terminal electrode connected with the internal electrode of a laminated body. In this case, it is preferable that the internal electrode pattern is designed to be bent at 180 degrees by forming the letter L on the same sheet.If the internal electrode patterns are arranged in the width direction of the chip, the area where the current flows is increased to decrease the equivalent series resistance and the current is 180 degrees. By increasing the length of the break, the inductance can be more and more canceled out, ultimately lowering the equivalent series inductance. In addition, increasing the number of stacked layers of the sheet on which the internal electrode patterns are formed increases the area of the internal electrodes, further reducing the equivalent series resistance.

또한, 상술한 바와 같은 목적을 해결하기 위한 본 발명에 따른 복합 칩 소자는 원하는 소자 특성에 맞추어 제조된 일정 조성의 슬러리를 닥터 블레이드법등을 이용하여 얇은 세라믹 시트를 제조하고, 세라믹 시트 위에 도전성 페이스트를 인쇄하여 소자내의 전류 흐름의 방향이 소정 각도로 꺾여 인덕턴스가 상쇄되도록 소정 각도로 꺾인 내부 전극 패턴으로 설계된 내부 전극 패턴을 형성하고, 내부 전극이 형성된 시트를 원하는 수만큼 함께 적층한 후, 적층물을 소성하고, 적층물의 내부 전극과 연결되는 단자 전극을 형성하여 제조한다. 이때 내부 전극 패턴은 동일 시트 상에서 ㄹ자 형태로 구성하여 180도로 꺾여 설계되는 것이 바람직하며, 또한 칩의 중간층에 인접층과 전류의 방향이 180도가 되도록 설계되며 칩양쪽의 외부 전극과 연결되지 않는 부유된 내부 전극(Floating electrode)을 추가하여 등가 인덕턴스를 낮출 뿐만 아니라 내부 전극이 넓어지므로 등가 직렬저항을 효과적으로 감소시킨다.In addition, the composite chip device according to the present invention for solving the above object is to produce a thin ceramic sheet using a doctor blade method or the like with a slurry of a predetermined composition prepared in accordance with the desired device characteristics, and a conductive paste on the ceramic sheet The internal electrode pattern designed by the internal electrode pattern folded at a predetermined angle so as to cancel the inductance by printing by bending the direction of current flow in the device at a predetermined angle, laminating the sheet with the internal electrode formed as many times as desired, and then stacking the stack It bakes and manufactures by forming the terminal electrode connected with the internal electrode of a laminated body. In this case, the inner electrode pattern is preferably designed to be bent at 180 degrees by forming a L-shape on the same sheet, and is also designed so that the direction of the current and the adjacent layer in the middle layer of the chip is 180 degrees and is not connected to the external electrodes on both sides of the chip. The addition of a floating electrode not only lowers the equivalent inductance, but also widens the internal electrode, effectively reducing the equivalent series resistance.

또한 본 발명에 따른 복합 칩은 그 사용 목적에 따라 소자의 내부전극 패턴 또는 소자층의 적층 시트 수 등을 변화시킬 수 있다. 예를 들면 내부 전극의 면적을 증가시키거나 적층수를 증가시켜 칩의 등가 직렬저항을 감소시키며, 소자층 예를 들면 커패시터층의 적층 시트 수를 변화시켜 커패시턴스값을 변화시킨다.In addition, the composite chip according to the present invention may change the internal electrode pattern of the device or the number of laminated sheets of the device layer according to the purpose of use thereof. For example, the equivalent series resistance of the chip is reduced by increasing the area of the internal electrode or increasing the number of stacked layers, and the capacitance value is changed by changing the number of laminated sheets of the element layer, for example, the capacitor layer.

본 발명에 따른 적층형 칩 부품 소자의 제조에 관한 실시예로 적층 칩(Chip) 커패시터(Capacitor)에 관하여 하기에서 보다 상세하게 살펴본다.An embodiment of manufacturing a stacked chip component device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to a stacked chip capacitor.

실시예 1.Example 1.

공업용으로 시판하고 있는 커패시터 소자용의 원료 분말을 이용하여 원하는 조성으로 소자용 슬러리(Slurry)를 제조하고, 이러한 슬러리를 닥터 블레이드(Doctor blade)등의 방법으로 도3과 같이 원하는 두께의 세라믹 성형 시트(301, Ceramic Green sheet)로 제조한다.Using a commercially available raw material powder for capacitor devices, a slurry for the device is manufactured in a desired composition, and the slurry is formed into a ceramic molded sheet having a desired thickness as shown in FIG. 3 by a doctor blade or the like. (301, Ceramic Green sheet).

커패시터층을 제조하기 위하여 상기와 같이 제조된 세라믹 시트 위에 시판되고 있는 은(Ag), 은-팔라듐(Ag-Pd) 혹은 니켈(Ni) 페이스트 등의 도전성 페이스트를 사용하여 도3과 같이 세라믹 시트의 길이 방향(L방향)으로 ㄹ자 형태로 한 번 혹은 복수회 반복하여 연결되도록 내부 전극 패턴을 인쇄한다. 즉 ㄹ자 형태로 180도 꺾이는 제1 내부 전극 패턴(302)으로 설계하여 스크린 프린팅법 등으로 인쇄하여 제1 커패시터 시트(303)를 제조하고, 세라믹 시트의 동일 위치에서 제1 내부 전극 패턴과 전류의 흐름이 반대가 되는 ㄹ자 형태의 제2 내부 전극 패턴(304)으로 설계하여 스크린 프린팅법 등으로 인쇄하여 제2 커패시터 시트(305)를 제조한다.In order to manufacture a capacitor layer, a conductive sheet such as silver (Ag), silver-palladium (Ag-Pd), or nickel (Ni) paste, which is commercially available on the ceramic sheet manufactured as described above, is used as shown in FIG. The internal electrode pattern is printed so as to be repeatedly connected one or more times in a L-shape in the longitudinal direction (L direction). That is, the first capacitor sheet 303 is manufactured by designing the first internal electrode pattern 302 which is bent by 180 degrees in the shape of R, and printing by screen printing method, and the like. The second capacitor sheet 305 is manufactured by designing the second internal electrode pattern 304 having a r-shape in which the flow is reversed and printing by screen printing or the like.

상기와 같이 세라믹 시트의 길이 방향으로 ㄹ자형 내부 전극 패턴이 인쇄된 제1, 2 시트를 원하는 수만큼 교호로 적층하고 커버 시트(306)를 덮어 각 시트가 적층 되었을 때 도3의 (b)와 같이 내부 전극 패턴이 적층물 양쪽 끝단에서 교호로 외부전극과 연결되도록 한 후 적층된 층이 밀착되도록 열과 압력을 가하여 압착한다.When the first and second sheets printed with the L-shaped internal electrode patterns in the longitudinal direction of the ceramic sheet are alternately stacked as many times as desired, and each sheet is laminated by covering the cover sheet 306 with FIGS. As described above, the inner electrode patterns are alternately connected to the outer electrodes at both ends of the stack, and then pressed by applying heat and pressure so that the stacked layers are in close contact.

상기와 같이 제조된 적층물(307) 내의 각종 바인더등 유기물 성분을 모두 제거하기 위하여 적당한 온도에서 가열하여 베이크 아웃(Bake-out)시킨 후 온도를 상승시켜 적당한 소성온도에서 적층물을 소성하며, 소성된 적층물의 외부에 도3의 (b)와 같이 적층물(307)의 내부 전극(308)과 연결되는 외부 전극(309)을 형성하여 적층형 커패시터 칩을 제조한다.In order to remove all the organic components such as various binders in the laminate 307 prepared as described above, after baking at a suitable temperature and bake-out, the temperature is raised to sinter the laminate at an appropriate firing temperature, and then fired. An external electrode 309 connected to the internal electrode 308 of the stack 307 is formed on the outside of the stacked stack as shown in FIG. 3B to manufacture a stacked capacitor chip.

상기와 같이 제조된 적층형 커패시터 칩은 도4에 나타낸 바와 같이 양끝단의 외부 전극에 양/음의 전압을 가하면 커패시터 시트의 면에 형성된 내부 전극의 전류 흐름 방향은 각 층 내에서 ㄹ자 내부 전극 패턴을 따라 180도 꺾여 전류의 방향이 반대가 되어 전류 흐름으로 생성되는 각각의 전자기장을 간섭시키므로 인덕턴스가 상쇄되고, 도4의 (a)와 같이 상하부층의 제1 및 제2 내부 전극 패턴(401, 402) 간에도 전류의 방향이 반대로(180도) 흐르기 때문에 인덕턴스가 더욱 상쇄되어 고주파에서 이용시에도 등가인덕턴스가 크게 감소된다. 또한 도4의 (b)에 나타낸 바와 같이 한 층내에서 ㄹ자 형태의 내부 전극 패턴이 복수회 반복적으로 설계되어도 층내의 전류 흐름의 방향 및 인접층간(403, 404)의 전류 흐름의 방향은 서로 반대가 되므로 인덕턴스가 상쇄된다.In the multilayer capacitor chip manufactured as described above, when the positive / negative voltage is applied to the external electrodes at both ends, the current flow direction of the internal electrode formed on the surface of the capacitor sheet is changed to the internal electrode pattern in each layer. As a result, the direction of the current is reversed by 180 degrees to interfere with each of the electromagnetic fields generated by the current flow, thereby canceling the inductance. As shown in FIG. 4A, the first and second internal electrode patterns 401 and 402 of the upper and lower layers are cancelled. Since the current flows in reverse direction (180 degrees), the inductance is further canceled, and the equivalent inductance is greatly reduced even when used at high frequency. In addition, as shown in FIG. 4B, even when the internal electrode pattern having the letter “L” is repeatedly designed a plurality of times in one layer, the direction of current flow in the layer and the direction of current flow between adjacent layers 403 and 404 are opposite to each other. Therefore, the inductance is canceled out.

실시예 2.Example 2.

적층형 커패시터 칩 부품의 다른 실시예는 고주파에서 발생하는 커패시턴스 성분의 인덕턴스를 더욱더 감소시킴과 함께 전류가 흐르는 전극 면적을 증가시켜 등가직렬저항을 감소시킨 적층형 커패시터 칩 부품이다.Another embodiment of a multilayer capacitor chip component is a multilayer capacitor chip component in which an equivalent series resistance is reduced by increasing an electrode area through which current flows while further reducing inductance of capacitance components generated at high frequencies.

상기 실시예1과 동일한 방법으로 커패시터 소자용 세라믹 시트(501)를 복수 개 제조한다.In the same manner as in Example 1, a plurality of ceramic sheets 501 for capacitor devices are manufactured.

커패시터층을 제조하기 위하여 상기와 같이 제조된 세라믹 시트 위에 시판되고 있는 은(Ag), 은-팔라듐(Ag-Pd) 혹은 니켈(Ni) 페이스트 등의 도전성 페이스트를 사용하여 도5와 같이 세라믹 시트의 넓이 방향(W방향)으로 ㄹ자 형태로 한 번 혹은 복수회 반복하여 연결되도록 내부 전극 패턴을 인쇄한다. 즉 ㄹ자 형태로 180도 꺾이는 제1 내부 전극 패턴(502)으로 설계하여 세라믹 시트의 넓이 방향으로 스크린 프린팅법 등으로 인쇄하여 제1 커패시터 시트(503)를 제조하고, 세라믹 시트의 동일 위치에서 제1 내부 전극 패턴과 전류의 흐름이 반대가 되는 ㄹ자 형태의 제2 내부 전극 패턴(504)으로 설계하여 스크린 프린팅법 등으로 인쇄하여 제2 커패시터 시트(505)를 제조한다. 도5의 (a)와 같이 시트의 넓이 방향으로 내부 전극 패턴을 인쇄하므로 전류가 흘러가는 내부 전극의 면적이 증가한다. 또한 ㄹ자 형태의 내부전극의 흐름이 180도로 꺾여 진행되는 절대적 길이가 길어지게되어 상호인덕턴스를 더욱더 상쇄시켜 등가직렬인덕턴스를 더욱 낮출 수 있다.In order to manufacture the capacitor layer, a conductive sheet such as silver (Ag), silver-palladium (Ag-Pd), or nickel (Ni), which is commercially available on the ceramic sheet manufactured as described above, is used to The internal electrode pattern is printed so as to be repeatedly connected one or more times in the letter L shape in the width direction (W direction). That is, the first capacitor sheet 503 is manufactured by designing the first internal electrode pattern 502 that is bent 180 degrees in the shape of R, by printing by screen printing or the like in the width direction of the ceramic sheet, and manufacturing the first capacitor sheet 503 at the same position of the ceramic sheet. The second capacitor sheet 505 is manufactured by designing a second internal electrode pattern 504 having a letter-shape in which an internal electrode pattern and a current flow are reversed, and printing the same by a screen printing method. Since the internal electrode patterns are printed in the width direction of the sheet as shown in FIG. 5A, the area of the internal electrodes through which current flows increases. In addition, the absolute length of the r-shaped internal electrode flows by 180 degrees, and thus the length becomes longer, so that the equivalent inductance can be further reduced by further canceling mutual inductance.

상기와 같이 세라믹 시트의 넓이 방향으로 ㄹ자형 내부 전극 패턴이 인쇄된 제1, 2 시트를 원하는 수만큼 교호로 적층하고 커버 시트(506)를 덮어 각 시트가 적층 되었을 때 도5의 (b)와 같이 내부 전극 패턴이 적층물 양쪽 끝단에서 교호로 외부전극과 연결되도록 한 후 적층된 층이 밀착되도록 열과 압력을 가하여 압착한다.When the first and second sheets with the L-shaped internal electrode patterns printed in the width direction of the ceramic sheet are alternately stacked as many times as desired, and the sheets are covered by covering the cover sheet 506, the sheets of FIGS. As described above, the inner electrode patterns are alternately connected to the outer electrodes at both ends of the stack, and then pressed by applying heat and pressure so that the stacked layers are in close contact.

상기와 같이 제조된 적층물(507) 내의 각종 바인더등 유기물 성분을 모두 제거하기 위하여 적당한 온도에서 가열하여 베이크 아웃(Bake-out)시킨 후 온도를 상승시켜 적당한 소성온도에서 적층물을 소성하며, 소성된 적층물(507)의 외부의 양끝 단에 도5의 (b)와 같이 적층물(507)의 내부 전극(508)과 연결되는 외부 전극(509)을 형성하여 적층형 커패시터 칩을 제조한다.In order to remove all the organic components such as various binders in the laminate 507 prepared as described above, after baking at a suitable temperature and bake-out, the temperature is raised to sinter the laminate at an appropriate firing temperature, and then fired. An external electrode 509 connected to the internal electrodes 508 of the stack 507 is formed at both ends of the outside of the stacked stack 507 to manufacture a stacked capacitor chip.

상기와 같이 제조된 적층형 커패시터 칩은 도6에 나타낸 바와 같이 양끝단의 외부 전극에 양/음의 전압을 가하면 커패시터 시트의 면에 형성된 내부 전극의 전류 흐름 방향은 각 층 내에서 ㄹ자 내부 전극 패턴을 따라 180도 꺾여 전류의 방향이 반대가 되어 전류 흐름으로 생성되는 각각의 전자기장을 간섭시키므로 인덕턴스가 상쇄되고, 상하부층의 제1 및 제2 내부 전극 패턴(601, 602) 간에도 전류의 방향이 반대로(180도) 흐르기 때문에 인덕턴스가 더욱 상쇄되어 고주파에서 이용시에도 등가인덕턴스가 크게 감소된다. 이때 도6의 (b)에 나타낸 바와 같이 한 층내에서 ㄹ자 형태의 내부 전극 패턴이 복수회 반복적으로 설계되어도 층내의 전류 흐름의 방향 및 인접층간(603, 604)의 전류 흐름의 방향은 서로 반대가 되므로 인덕턴스가 상쇄된다. 또한 내부 전극 패턴이 넓이 방향으로 ㄹ자 형태로 설계되므로 전류가 흐르는 면적을 증가시켜 등가직렬저항을 감소시키고 180도로 꺾여 진행되는 전류의 흐름이 길어지게 되어 더욱더 등가직렬인덕턴스가 감소되며, 적층수를 증가시킴에 따라 내부 전극의 면적이 더욱 증가하므로 등가직렬저항은 더욱 감소된다.In the multilayer capacitor chip manufactured as described above, when the positive / negative voltage is applied to the external electrodes at both ends, the current flow direction of the internal electrodes formed on the surface of the capacitor sheet has the internal electrode pattern in each layer. As a result, the direction of the current is reversed by 180 degrees to interfere with each electromagnetic field generated by the current flow, and thus the inductance is canceled, and the direction of the current is also reversed between the first and second internal electrode patterns 601 and 602 of the upper and lower layers. 180 degrees), the inductance is further canceled and the equivalent inductance is greatly reduced even when used at high frequencies. At this time, as shown in FIG. 6 (b), even if the internal electrode pattern of the letter “R” is repeatedly designed a plurality of times in one layer, the direction of current flow in the layer and the direction of current flow between adjacent layers 603 and 604 are opposite to each other. Therefore, the inductance is canceled out. In addition, since the internal electrode pattern is designed in the form of a letter “L” in the width direction, the area of the current flows to increase the equivalent series resistance, and the flow of the current which is bent by 180 degrees becomes longer, thereby reducing the equivalent series inductance and increasing the number of stacked layers. As the area of the internal electrode increases, the equivalent series resistance is further reduced.

실시예 3.Example 3.

적층형 커패시터 칩 부품의 다른 실시예는 칩의 중간층에 인접층과 전류의 방향이 반대가 되도록 설계되며 칩 양쪽의 외부 전극과 연결되지 않는 부유된 내부 전극(Floating electrode)을 추가하여 고주파에서 발생하는 커패시턴스 성분의 인덕턴스를 감소시킴과 함께 전류가 흐르는 전극 면적을 증가시켜 등가직렬저항을 감소시킨 적층형 커패시터 칩 부품이다.Another embodiment of a multilayer capacitor chip component is a capacitor generated at high frequency by adding a floating internal electrode which is designed so that the direction of the current and the adjacent layer are reversed in the middle layer of the chip and not connected to the external electrodes on both sides of the chip. It is a multilayer capacitor chip component that reduces the equivalent series resistance by reducing the inductance of the component and increasing the electrode area through which current flows.

상기 실시예1과 동일한 방법으로 커패시터 소자용 세라믹 시트(701)를 복수 개 제조한다.In the same manner as in Example 1, a plurality of ceramic sheets 701 for capacitor devices are manufactured.

커패시터층을 제조하기 위하여 상기와 같이 제조된 세라믹 시트 위에 시판되고 있는 은(Ag), 은-팔라듐(Ag-Pd) 혹은 니켈(Ni) 페이스트 등의 도전성 페이스트를 사용하여 도7과 같이 세라믹 시트에 ㄹ자 형태로 한 번 혹은 복수회 반복하여 연결되도록 내부 전극 패턴을 인쇄한다. 즉, ㄹ자 형태로 180도 꺾이는 내부 전극 패턴으로 시트의 양끝단의 전압 단자와 연결되며 중앙부에서 절연되는 제1 내부 전극 패턴(702)을 스크린 프린팅법 등으로 인쇄하여 제1 커패시터 시트(703)를 제조하고, 세라믹 시트의 동일 위치에서 제1 내부 전극 패턴과 전류의 흐름이 반대가 되며 양끝단의 전압 단자와는 절연되는 부유(Floating)된 ㄹ자 형태의 제2 내부 전극 패턴(704)으로 설계하여 스크린 프린팅법 등으로 인쇄하여 제2 커패시터 시트(705)를 제조한다.In order to manufacture a capacitor layer, a conductive paste such as silver (Ag), silver-palladium (Ag-Pd), or nickel (Ni) paste, which is commercially available on the ceramic sheet manufactured as described above, is used to form a ceramic sheet as shown in FIG. The internal electrode pattern is printed so as to be repeatedly connected one or more times in the letter L form. That is, the first capacitor sheet 703 is formed by printing the first internal electrode pattern 702, which is connected to the voltage terminals at both ends of the sheet and insulated at the center part by a screen printing method, by an internal electrode pattern that is bent 180 degrees in the shape of a letter. And a second internal electrode pattern 704 having a floating L-shape in which the flow of the first internal electrode pattern and the current are reversed at the same position of the ceramic sheet and insulated from the voltage terminals at both ends thereof. The second capacitor sheet 705 is manufactured by printing by screen printing or the like.

상기와 같이 세라믹 시트에 ㄹ자형 내부 전극 패턴이 인쇄된 제1, 2 시트를 원하는 수만큼 교호로 적층하고 커버 시트를 덮어 각 시트가 적층 되었을 때 도7의 (b)와 같이 제1 내부 전극(708)은 적층물 양쪽 끝단에서 외부전극과 연결되며 부유된 제2 내부 전극(709)은 외부 전극과 절연되도록 한 후 적층된 층이 밀착되도록 열과 압력을 가하여 압착한다.As described above, when the first and second sheets having the L-shaped internal electrode patterns printed on the ceramic sheet are alternately stacked as many times as desired, and the cover sheets are stacked to cover each sheet, the first internal electrodes (as shown in FIG. 708 is connected to an external electrode at both ends of the stack, and the floating second internal electrode 709 is insulated from the external electrode and then pressed by applying heat and pressure to bring the stacked layers into close contact.

상기와 같이 제조된 적층물 내의 각종 바인더등 유기물 성분을 모두 제거하기 위하여 적당한 온도에서 가열하여 베이크 아웃(Bake-out)시킨 후 온도를 상승시켜 적당한 소성온도에서 적층물을 소성하며, 소성된 적층물(707)의 외부에 도7의 (b)와 같이 적층물(707)의 제1 내부 전극(708)과 연결되는 외부 전극(710)을 형성하여 적층형 커패시터 칩을 제조한다.In order to remove all the organic components such as various binders in the laminate prepared as described above, after baking at a suitable temperature to bake out, the temperature is raised to sinter the laminate at an appropriate firing temperature, and the calcined laminate An external electrode 710 connected to the first internal electrode 708 of the stack 707 is formed outside the 707 to manufacture a multilayer capacitor chip.

상기와 같이 제조된 부유 전극이 삽입된 적층형 커패시터 칩은 양끝단의 외부 전극에 양/음의 전압을 가하면 커패시터 시트의 면에 형성된 내부 전극의 전류 흐름 방향은 각 층 내에서 ㄹ자 내부 전극 패턴을 따라 180도 꺾여 전류의 방향이 반대가 되어 도7(b)의 전기장 모식도(711)와 같이 전류 흐름으로 생성되는 각각의 전자기장을 간섭시키므로 인덕턴스가 상쇄되고, 상하부층의 제1 내부 전극 패턴과 부유된 제2 내부 전극 패턴(702, 704) 간에도 전류의 방향이 반대로 흐르기 때문에 인덕턴스가 더욱 상쇄되어 고주파에서 이용시에도 등가인덕턴스가 크게 감소된다. 또한 중간층에 부유된 제2 내부 전극 패턴을 삽입함으로 부유전극을 사용하지 않는 일반적인 적층 커패시터와 비교해서 동일 용량을 얻기 위한 내부 전극의 면적이 넓어지므로 등가직렬저항이 감소된다.In the multilayer capacitor chip in which the floating electrode is manufactured as described above, when a positive / negative voltage is applied to the external electrodes at both ends, the current flow direction of the internal electrodes formed on the surface of the capacitor sheet is along the inner electrode pattern in each layer. Since the direction of the current is reversed by 180 degrees to interfere with each electromagnetic field generated by the current flow as shown in the electric field schematic diagram 711 of FIG. 7 (b), the inductance is canceled, and the first internal electrode pattern of the upper and lower layers is suspended. Since the direction of the current flows also reversely between the second internal electrode patterns 702 and 704, the inductance is further canceled, so that the equivalent inductance is greatly reduced even when used at a high frequency. Also, by inserting the second internal electrode pattern suspended in the intermediate layer, the equivalent series resistance is reduced since the area of the internal electrode for obtaining the same capacitance is increased compared with a general multilayer capacitor that does not use the floating electrode.

또한, 상기와 같이 설계된 부유 전극을 적층형 배리스터(Varistor) 칩 부품에 삽입하면 부유 전극이 설치되지 않은 배리스터에 비교해서 동일 특성이 구현되면서도 정전용량이 낮아져서 응답속도가 빨라진다.In addition, when the floating electrode designed as described above is inserted into a stacked varistor chip component, the same characteristics are realized as compared with a varistor having no floating electrode installed, but the capacitance is lowered, thereby increasing the response speed.

실시예 4.Example 4.

상기의 실시예들과 같이 제조된 적층형 칩 부품을 내부 전극 패턴이 1개인 적층형 칩의 패턴이 아닌 복수개, 예를 들면 4개 이상의 반복된 적층형 칩의 패턴으로 설계한 뒤 상기와 같은 공정으로 적층형 칩을 제조하여 도8과 같이 병렬 구조의 단위 소자 칩이 반복되는 에레이 칩(Array chip)을 제조한다.The stacked chip component manufactured as described above is designed not as a pattern of a stacked chip having one internal electrode pattern, but as a pattern of a plurality of stacked stacked chips, for example, four or more repeated stacked chips, and then stacked chips as described above. 8 to produce an array chip in which unit device chips having a parallel structure are repeated as shown in FIG. 8.

상기 실시예1과 동일한 방법으로 커패시터 소자용 세라믹 시트(801)를 복수 개 제조한다. 이때 세라믹 시트는 어레이의 배열 및 구조에 따라 크기를 조절한다.In the same manner as in Example 1, a plurality of ceramic sheets 801 for capacitor devices are manufactured. At this time, the ceramic sheet is sized according to the arrangement and structure of the array.

커패시터층을 제조하기 위하여 상기와 같이 제조된 세라믹 시트 위에 시판되고 있는 은(Ag), 은-팔라듐(Ag-Pd) 혹은 니켈(Ni) 페이스트 등의 도전성 페이스트를 사용하여 도8과 같이 세라믹 시트에 ㄹ자 형태로 한 번 혹은 복수회 반복하여 연결되는 내부 전극 패턴을 복수개 인쇄한다. 즉 ㄹ자 형태로 180도 꺾이는 제1 내부 전극 패턴(802)으로 설계하여 동일한 시트 위에 원하는 패턴 수만큼 복수개 예를 들면 4개 소자의 어레이 소자를 제조하는 경우는 한 세라믹 시트 상에 4개의 내부 전극 패턴을 스크린 프린팅법 등으로 인쇄하여 제1 커패시터 시트(803)를 제조하고, 인접하는 세라믹 시트의 동일 위치에서 제1 내부 전극 패턴과 전류의 흐름이 반대가 되는 ㄹ자 형태의 제2 내부 전극 패턴(804)으로 설계하여 제1 커패시터 시트에 인쇄된 내부 전극 패턴과 동일 수의 내부전극 패턴을 스크린 프린팅법 등으로 인쇄하여 제2 커패시터 시트(805)를 제조한다.In order to manufacture the capacitor layer, a conductive paste such as silver (Ag), silver-palladium (Ag-Pd), or nickel (Ni) paste, which is commercially available on the ceramic sheet manufactured as described above, is used to form the ceramic sheet as shown in FIG. Print a plurality of internal electrode patterns that are repeatedly connected one or more times in the r-shape. That is, when the first internal electrode pattern 802 bent 180 degrees in a letter shape to manufacture a plurality of elements, for example, an array element of four elements on the same sheet, four internal electrode patterns on one ceramic sheet may be used. Is printed by screen printing or the like to manufacture the first capacitor sheet 803, and the second internal electrode pattern 804 having a r-shape in which the flow of the current is reversed from the first internal electrode pattern at the same position of the adjacent ceramic sheet. The second capacitor sheet 805 is manufactured by printing the same number of internal electrode patterns as the internal electrode patterns printed on the first capacitor sheet by screen printing or the like.

상기와 같이 세라믹 시트에 복수개의 내부 전극 패턴이 인쇄된 제1, 2 시트를 원하는 수만큼 교호로 적층하고 커버 시트(806)를 덮어 각 시트가 적층 되었을 때 도8의 (b)와 같이 내부 전극 패턴이 적층물 양쪽 끝단에서 교호로 외부전극과 연결되도록 한 후 적층된 층이 밀착되도록 열과 압력을 가하여 압착한다.As described above, when the first and second sheets having a plurality of internal electrode patterns printed on the ceramic sheet are alternately stacked as many times as desired, and the cover sheets 806 are covered to stack the respective sheets, the internal electrodes as shown in FIG. The patterns are alternately connected to the external electrodes at both ends of the stack, and then pressed by applying heat and pressure to bring the stacked layers into close contact.

상기와 같이 제조된 적층물 내의 각종 바인더등 유기물 성분을 모두 제거하기 위하여 적당한 온도에서 가열하여 베이크 아웃(Bake-out)시킨 후 온도를 상승시켜 적당한 소성온도에서 적층물을 소성하며, 소성된 적층물의 외부에 도8의 (b)와 같이 적층물(807)의 복수개의 내부 전극과 연결되는 복수개의 외부 전극(808)을 형성하여 어레이 구조의 적층형 커패시터 칩을 제조한다.In order to remove all the organic components such as various binders in the laminate prepared as described above, after baking at a suitable temperature to bake out, the temperature is raised to sinter the laminate at an appropriate firing temperature, and the calcined laminate A plurality of external electrodes 808 connected to a plurality of internal electrodes of the laminate 807 are formed outside as shown in FIG. 8B to manufacture a multilayer capacitor chip having an array structure.

상기와 같이 제조된 어레이 구조의 적층형 커패시터 칩은 양끝단의 외부 전극에 양/음의 전압을 가하면 커패시터 시트의 면에 형성된 내부 전극의 전류 흐름 방향은 한 내부 전극 패턴 내에서 ㄹ자 내부 전극 패턴을 따라 180도 꺾여 전류의 방향이 반대가 되어 전류 흐름으로 생성되는 각각의 전자기장을 간섭시키므로 인덕턴스가 상쇄되고, 동일 세라믹 시트 상의 인접 내부 전극 패턴 사이에서 전류의 방향이 반대가 되어 인덕턴스를 상쇄하며, 상하부층의 제1 및 제2 내부 전극 패턴(802, 804) 간에도 전류의 방향이 반대로 흐르기 때문에 인덕턴스가 더욱 상쇄되어 고주파에서 이용시에도 등가인덕턴스가 크게 감소된다. 이때 한 층내에서 한 내부 전극 패턴이 ㄹ자 형태로 반복적으로 설계되어도 층내의 전류 흐름의 방향 및 인접층간의 전류 흐름의 방향은 서로 반대가 되므로 인덕턴스가 상쇄된다.In the multilayer capacitor chip of the array structure manufactured as described above, when the positive / negative voltage is applied to the external electrodes at both ends, the current flow direction of the internal electrode formed on the surface of the capacitor sheet is along the inner electrode pattern in one internal electrode pattern. Since the direction of the current is reversed by 180 degrees to interfere with each electromagnetic field generated by the current flow, the inductance is canceled, and the direction of the current is reversed between adjacent internal electrode patterns on the same ceramic sheet to cancel the inductance. Since the direction of current flows also reversely between the first and second internal electrode patterns 802 and 804, the inductance is further canceled, so that the equivalent inductance is greatly reduced even when used at a high frequency. In this case, even if one internal electrode pattern is repeatedly designed in the form of a letter “L” in one layer, the inductance is canceled because the direction of current flow in the layer and the direction of current flow between adjacent layers are opposite to each other.

실시예 5.Example 5.

어레이 구조의 적층형 커패시터 칩 부품의 다른 실시예는 복수개의 칩 패턴으로 설계하며 칩의 중간층에 인접층과 전류의 방향이 180도가 되도록 설계되며 외부 전극과 연결되지 않는 부유된 내부 전극(Floating electrode)을 추가하여 고주파에서 발생하는 커패시턴스 성분의 인덕턴스를 감소시킴과 함께 전류가 흐르는 전극 면적을 증가시켜 등가직렬저항을 감소시킨 어레이 구조 적층형 커패시터 칩 부품이다.Another embodiment of the multilayer capacitor chip component of the array structure is designed with a plurality of chip patterns, and the floating layer is designed to be 180 degrees in the direction of the adjacent layer and the current in the middle layer of the chip and is not connected to the external electrode. In addition, an array structure multilayer capacitor chip component that reduces the inductance of capacitance components generated at high frequencies and increases the electrode area through which current flows, thereby reducing equivalent series resistance.

상기 실시예1과 동일한 방법으로 커패시터 소자용 세라믹 시트(901)를 복수 개 제조한다. 이때 세라믹 시트는 어레이의 배열 및 구조에 따라 크기를 조절한다.In the same manner as in Example 1, a plurality of ceramic sheets 901 for capacitor devices are manufactured. At this time, the ceramic sheet is sized according to the arrangement and structure of the array.

커패시터층을 제조하기 위하여 상기와 같이 제조된 세라믹 시트 위에 시판되고 있는 은(Ag), 은-팔라듐(Ag-Pd) 혹은 니켈(Ni) 페이스트 등의 도전성 페이스트를 사용하여 도9와 같이 세라믹 시트에 ㄹ자 형태로 한 번 혹은 복수회 반복하여 연결되는 내부 전극 패턴을 복수개 인쇄한다. 즉, ㄹ자 형태로 180도 꺾이는 내부 전극 패턴으로 시트의 양끝단의 전압 단자와 연결되며 중앙부에서 절연되는 제1 내부 전극 패턴(902)을 동일한 시트 위에 원하는 패턴 수만큼 복수개 예를 들면 4개 소자의 어레이 소자를 제조하는 경우는 한 세라믹 시트 상에 4개의 내부 전극 패턴을 스크린 프린팅법 등으로 인쇄하여 제1 커패시터 시트(903)를 제조하고, 인접하는 세라믹 시트의 동일 위치에서 제1 내부 전극 패턴과 전류의 흐름이 반대가 되며 양끝단의 전압 단자와는 절연되는 부유(Floating)된 ㄹ자 형태의 제2 내부 전극 패턴(904)으로 설계하여 제1 커패시터 시트에 인쇄된 내부 전극 패턴과 동일 수의 제2 내부 전극 패턴을 스크린 프린팅법 등으로 인쇄하여 제2 커패시터 시트(905)를 제조한다.In order to manufacture the capacitor layer, a conductive paste such as silver (Ag), silver-palladium (Ag-Pd), or nickel (Ni) paste, which is commercially available on the ceramic sheet manufactured as described above, is used to attach the ceramic sheet to the ceramic sheet as shown in FIG. Print a plurality of internal electrode patterns that are repeatedly connected one or more times in the r-shape. That is, a plurality of first internal electrode patterns 902 connected to the voltage terminals at both ends of the sheet and insulated from the center portion of the internal electrode pattern bent by 180 degrees in the shape of a letter, for example, as many as four elements on the same sheet. In the case of manufacturing an array element, four internal electrode patterns are printed on one ceramic sheet by screen printing or the like to manufacture the first capacitor sheet 903, and the first internal electrode patterns are formed at the same positions of adjacent ceramic sheets. Designed as a floating L-shaped second internal electrode pattern 904 in which current flow is reversed and insulated from voltage terminals at both ends, the same number of internal electrode patterns printed on the first capacitor sheet 2 The second capacitor sheet 905 is manufactured by printing the internal electrode patterns by screen printing or the like.

상기와 같이 세라믹 시트에 ㄹ자형 내부 전극 패턴이 인쇄된 제1, 2 시트를 원하는 수만큼 교호로 적층하고 커버 시트를 덮어 각 시트가 적층 되었을 때 도9의 (b)와 같이 복수개의 제1 내부 전극 패턴은 적층물 양쪽 끝단에서 외부전극과 연결되며 부유된 제2 내부 전극은 외부 전극과 절연되도록 한 후 적층된 층이 밀착되도록 열과 압력을 가하여 압착한다.As described above, when the first and second sheets printed with the r-shaped internal electrode patterns on the ceramic sheet are alternately stacked as many times as desired, and each sheet is stacked by covering the cover sheet, as shown in FIG. The electrode pattern is connected to the external electrode at both ends of the stack, and the floating second internal electrode is insulated from the external electrode and then pressed by applying heat and pressure to bring the laminated layer into close contact.

적층물 내의 각종 바인더등 유기물 성분을 모두 제거하기 위하여 적당한 온도에서 가열하여 베이크 아웃(Bake-out)시킨 후 온도를 상승시켜 적당한 소성온도에서 적층물을 소성하며, 소성된 적층물의 외부에 도9과 같이 적층물(907)의 복수개의 제1 내부 전극과 연결되는 복수개의 외부 전극(908)을 형성하여 적층형 커패시터 칩을 제조한다.In order to remove all the organic components such as various binders in the laminate, it is heated at a suitable temperature to bake out and then the temperature is raised to sinter the laminate at a suitable firing temperature. As described above, a plurality of external electrodes 908 connected to the plurality of first internal electrodes of the stack 907 are formed to manufacture the stacked capacitor chip.

상기와 같이 제조된 부유 전극이 삽입된 어레이 구조의 적층형 커패시터 칩은 양끝단의 외부 전극에 양/음의 전압을 가하면 커패시터 시트의 면에 형성된 내부 전극의 전류 흐름 방향은 각 층 내에서 ㄹ자 내부 전극 패턴을 따라 180도 꺾여 전류의 방향이 반대가 되어 전류 흐름으로 생성되는 각각의 전자기장을 간섭시키므로 인덕턴스가 상쇄되고, 동일 세라믹 시트 상의 인접 내부 전극 패턴 사이에서 전류의 방향이 반대가 되어 인덕턴스를 상쇄하며, 상하부층의 제1 내부 전극 패턴과 부유된 제2 내부 전극 패턴(902, 904) 간에도 전류의 방향이 반대로 흐르기 때문에 인덕턴스가 더욱 상쇄되어 고주파에서 이용시에도 등가인덕턴스가 크게 감소된다. 또한 중간층에 부유된 제2 내부 전극 패턴을 삽입함으로 부유전극을 사용하지 않는 일반적인 적층 커패시터와 비교해서 동일 용량을 얻기 위한 내부 전극의 면적이 넓어지므로 등가직렬저항이 감소된다.In the multilayer capacitor chip of the array structure in which the floating electrode is inserted as described above, when a positive / negative voltage is applied to the external electrodes at both ends, the current flow direction of the internal electrode formed on the surface of the capacitor sheet is in the inner layer. 180 degrees along the pattern reverses the direction of the current and interferes with each of the electromagnetic fields generated by the current flow, canceling the inductance, and the direction of the current is reversed between adjacent internal electrode patterns on the same ceramic sheet to cancel the inductance. In addition, since the direction of current flows inversely between the first internal electrode patterns of the upper and lower layers and the floating second internal electrode patterns 902 and 904, the inductance is further canceled, so that the equivalent inductance is greatly reduced even when used at a high frequency. Also, by inserting the second internal electrode pattern suspended in the intermediate layer, the equivalent series resistance is reduced since the area of the internal electrode for obtaining the same capacitance is increased compared with a general multilayer capacitor that does not use the floating electrode.

상기한 바와 같이 제조되는 적층형 복합 칩을 제조하는 기술은 상기의 예시된 소자 외에 적층 칩(Chip) 배리스터(Varistor), 적층 칩(Chip) NTC, 적층 칩 PTC 소자 혹은 적층 칩 저항 등 여러 가지 적층형 칩(Chip) 부품의 제조에 이용된다. 상기 실시예의 기본 구조를 바탕으로 여러 가지 패턴으로 내부 전극 패턴을 설계하여 내부 전극 패턴의 전류 흐름이 동일 시트 상에서 반대로(180도) 꺾이게 하고 인접 층간에도 반대로 흐르게 하여 생성되는 인덕턴스를 상쇄시키며, 내부 전극 패턴의 설계와 적층수를 조절하여 원하는 소자 특성을 가지는 고주파 적층형 칩 부품 소자를 제조한다.In addition to the above-described devices, a technology for manufacturing a stacked composite chip manufactured as described above may include various stacked chips such as a stacked chip varistor, a stacked chip NTC, a stacked chip PTC device, or a stacked chip resistor. (Chip) Used to manufacture parts. Based on the basic structure of the above embodiment, the internal electrode pattern is designed in various patterns so that the current flow of the internal electrode pattern is reversed on the same sheet (180 degrees) and reversed in the adjacent layers to cancel the inductance generated. By controlling the design of the pattern and the number of stacked layers, a high frequency stacked chip component device having desired device characteristics is manufactured.

상기한 바와 같이 제조되는 적층형 칩 부품을 제조하는 기술은 복합 소자 결합칩 혹은 단일 소자의 구조가 내장된 다중칩모듈(MCM) 소자를 용이하게 제조하며, 또한 원하는 소자 특성별로 두 개 이상 소자를 결합하여 제조하는 복합 전자 부품용 소자의 제조에 다양하게 응용될 수 있다.The technology for manufacturing a multilayer chip component manufactured as described above easily manufactures a multi-chip module (MCM) device in which a composite device combining chip or a single device structure is incorporated, and combines two or more devices according to desired device characteristics. It can be applied in various ways to manufacture a device for a composite electronic component manufactured by.

상술한 바와 같은 본 발명에 따른 적층형 칩 소자는 내부 전극 패턴을 변화시켜 내부 전극 패턴의 전류 흐름이 전자기장을 간섭시켜 인덕턴스를 상쇄시키며,인접 내부 전극 사이에 반대 방향의 전류 흐름이 발생하여 인덕턴스를 감소시켜 등가인덕턴스가 최소화된 적층형 칩 소자로 제조되며 고주파에서도 안정된 칩 부품으로 사용할 수 있는 효과가 있다.As described above, the stacked chip device according to the present invention changes the internal electrode pattern so that the current flow of the internal electrode pattern interferes with the electromagnetic field to cancel the inductance, and the current flow in the opposite direction is generated between the adjacent internal electrodes to reduce the inductance. It is manufactured as a stacked chip device with minimum equivalent inductance and can be used as a stable chip component even at high frequency.

따라서 상술한 본 발명과 같이 적층형 칩 부품 소자를 제조함으로 고주파에서도 안정된 칩 부품으로 사용할 수 있으며 별도의 공정 추가 없이 단순한 공정에 의해 원하는 전기적 특성을 구현하는 경박 단소화된 소형의 적층형 칩 부품 소자를 제조할 수 있게 되는 효과가 있다.Therefore, by manufacturing a multilayer chip component as described above, the present invention can be used as a stable chip component even at a high frequency, and manufactures a compact, thin and compact multilayer chip component that realizes desired electrical characteristics by a simple process without adding a separate process. There is an effect that can be done.

상술한 본 발명과 같은 적층형 칩 소자는 동일칩 내에서 내부 전극 패턴의 면적과 적층수를 조절하여 등가직렬저항을 감소시킨 적층형 칩 부품을 제조할 수 있는 효과가 있다.The stacked chip device of the present invention described above has the effect of manufacturing a stacked chip component having reduced equivalent series resistance by controlling the area and the number of stacked layers of the internal electrode patterns in the same chip.

또한, 상술한 본 발명과 같은 적층형 칩 소자는 외부 전극과 절연되는 부유 전극을 삽입하여 내부 전극 면적을 증가시켜 등가직렬저항을 감소시킨 소자를 제조할 수 있는 효과가 있다.In addition, the stacked chip device of the present invention described above has an effect of manufacturing an element having a reduced equivalent series resistance by inserting a floating electrode insulated from the external electrode to increase the internal electrode area.

또한, 상술한 본 발명과 같은 적층형 칩 소자는 별도의 공정 추가 없이 단순한 공정에 의해 제조되므로 생산 원가를 낮추며, 어레이형 구조의 적층형 칩 부품을 용이하게 제조할 수 있게 되는 효과가 있다.In addition, since the multilayer chip device as described above is manufactured by a simple process without adding a separate process, the production cost is lowered, and the multilayer chip device having an array structure can be easily manufactured.

Claims (20)

적층형 칩 부품 소자에 있어서,In the stacked chip component device, 소정 층에서 전류 흐름이 반대로 꺾이도록 ㄹ자 형태의 내부 전극 패턴이 설계된 적층형 칩 부품 소자.A stacked chip component device in which an internal electrode pattern having a L-shape is designed such that current flow is reversed in a predetermined layer. 제 1 항에 있어서, 상기의 내부 전극 패턴이 복수층 적층되어 인접층 간에 전류 흐름이 반대로 되도록 제조된 것을 특징으로 적층형 칩 부품 소자.The multilayer chip component device of claim 1, wherein a plurality of internal electrode patterns are stacked to reverse current flow between adjacent layers. 적층형 칩 부품 소자에 있어서,In the stacked chip component device, 원하는 특성을 가지는 복수개의 소자용 시트가 적어도 두 층이상 적층된 소체,A body in which at least two layers of a plurality of element sheets having desired characteristics are laminated; 상기의 적층된 소자용 시트 위에 형성된 내부 전극,Internal electrodes formed on the stacked element sheets, 상기의 내부 전극이 형성된 소자용 시트가 적층된 소체의 끝단에 형성되어 상기의 내부 전극과 연결되는 외부 전극,An external electrode formed at an end of a body in which the element sheets having the internal electrodes formed thereon are laminated, and connected to the internal electrodes; 상기의 소정 시트의 내부 전극은 전류 흐름이 반대로 꺾이도록 ㄹ자 형태의 내부 전극 패턴으로 설계되는 것을 특징으로 하는 적층형 칩 부품 소자.Stacked chip component device, characterized in that the internal electrode of the predetermined sheet is designed as an internal electrode pattern of the L-shape so that the current flow is reversed. 제 4 항에 있어서, 상기의 복수층 적층된 내부 전극 패턴에 있어서 상하부의 인접층 간에 전류 흐름이 반대로 되도록 설계된 것을 특징으로 하는 적층형 칩 부품 소자.The multilayer chip component device according to claim 4, wherein the current flow is reversed between adjacent layers of the upper and lower parts in the multilayer electrode stack. 적층형 칩 부품 소자에 있어서,In the stacked chip component device, 원하는 특성을 가지는 복수개의 소자용 시트가 적어도 두 층이상 적층된 소체,A body in which at least two layers of a plurality of element sheets having desired characteristics are laminated; 상기의 적층된 소자용 시트 위에 형성된 내부 전극,Internal electrodes formed on the stacked element sheets, 상기의 내부 전극이 형성된 소자용 시트가 적층된 소체의 끝단에 형성되어 상기의 내부 전극과 연결되는 외부 전극,An external electrode formed at an end of a body in which the element sheets having the internal electrodes formed thereon are laminated, and connected to the internal electrodes; 상기의 소정 시트의 내부 전극은 전류 흐름이 반대로 꺾이도록 ㄹ자 형태이며 상기의 소자용 시트의 넓이 방향으로 설계되는 것을 특징으로 하는 적층형 칩 부품 소자.The internal electrode of the predetermined sheet is a laminated chip component device characterized in that the r-shape so that the current flow is reversely reversed and is designed in the width direction of the device sheet. 제 5 항에 있어서, 상기의 복수층 적층된 내부 전극 패턴에 있어서 상하부의 인접층 간에 전류 흐름이 반대로 되도록 설계된 것을 특징으로 적층형 칩 부품 소자.6. The stacked chip component device of claim 5, wherein the current flow is reversed between upper and lower adjacent layers in the plurality of stacked internal electrode patterns. 적층형 칩 부품 소자에 있어서,In the stacked chip component device, 원하는 특성을 가지는 복수개의 소자용 시트가 적어도 두 층이상 적층된 소체,A body in which at least two layers of a plurality of element sheets having desired characteristics are laminated; 상기의 적층된 소자용 시트 위에 형성된 전류 흐름이 반대로 꺾이도록 ㄹ자 형태의 내부전극 패턴으로 시트의 양끝단의 전압단자와 연결되며 중앙부에서 절연되게 설계된 제1 내부 전극,A first internal electrode connected to a voltage terminal at both ends of the sheet and insulated from a central portion thereof by an internal electrode pattern having a L-shape so that the current flow formed on the stacked element sheets is reversed; 상기의 적층된 소자용 시트 위에 형성되며 제1 내부 전극과는 전류의 흐름이 반대이며 외부 전극과 절연되는 ㄹ자 형태의 부유된 제2 내부 전극,A floating second internal electrode having a L-shape formed on the stacked sheet for device and having a current flow opposite to that of the first internal electrode and insulated from the external electrode; 상기의 내부 전극이 형성된 소자용 시트가 적층된 소체의 끝단에 형성되어 상기의 제1 내부 전극의 양끝단과 연결되는 외부 전극으로 형성되는 것을 특징으로 하는 적층형 칩 부품 소자.Stacked chip component device, characterized in that the sheet for the element formed with the inner electrode is formed at the end of the laminated body is connected to both ends of the first inner electrode is connected to the outer electrode. 제 1 항 내지 제 7 항 중 한 항에 있어서, 상기의 내부 전극 패턴은 ㄹ자 형태가 복수회 반복 연결되도록 설계된 것을 특징으로 하는 적층형 칩 부품 소자.The multilayer chip component device of claim 1, wherein the internal electrode pattern is designed such that the letter-shaped pattern is repeatedly connected a plurality of times. 제 1 항 내지 제 7 항 중 한 항에 있어서, 상기의 적층형 칩 부품은 적층 칩 커패시터, 적층 칩 배리스터, 적층 칩 NTC 소자, 적층 칩 PTC 소자 혹은 적층 칩 저항인 것을 특징으로 하는 적층형 칩 부품 소자.8. The stacked chip component device according to any one of claims 1 to 7, wherein the stacked chip component is a stacked chip capacitor, a stacked chip varistor, a stacked chip NTC device, a stacked chip PTC device, or a stacked chip resistor. 제 1 항 내지 제 7 항 중 한 항에 있어서, 상기의 적층형 칩 부품을 이종의 칩 부품이 두 개 이상 결합하여 복합 소자로 제조하는 것을 특징으로 하는 적층형 칩 부품 소자.The multilayer chip component device according to any one of claims 1 to 7, wherein two or more kinds of stacked chip components are combined to form a composite device. 제 1 항 내지 제 7 항 중 한 항에 있어서, 상기의 적층형 칩 부품은 복수 개의 칩이 반복된 에레이 형태의 적층형 소자로 제조하는 것을 특징으로 하는 적층형 칩 부품 소자.8. The stacked chip component device according to any one of claims 1 to 7, wherein the stacked chip component is manufactured from an array type stacked element in which a plurality of chips are repeated. 제 11 항에 있어서, 상기의 복수 개의 칩이 반복된 에레이 형태의 적층형 소자에 있어서 동일 시트 상의 인접 내부 전극의 전류의 방향이 반대로 되도록 제조하는 것을 특징으로 하는 적층형 칩 부품 소자.12. The stacked chip component device according to claim 11, wherein the plurality of chips are manufactured so that the direction of the currents of adjacent internal electrodes on the same sheet is reversed in the stacked type device having the repeated array. 제 1 항 내지 제 7 항 중 한 항에 있어서, 상기의 적층형 칩 부품 소자가 내장된 다중 칩 모듈(MCM) 소자.8. A multi-chip module (MCM) device according to any one of claims 1 to 7, wherein said stacked chip component device is incorporated. 적층형 칩 부품 소자의 제조 방법에 있어서,In the manufacturing method of a laminated chip component element, 소정 조성의 슬러리를 이용하여 소자용 시트를 제조하는 단계,Manufacturing a device sheet using a slurry having a predetermined composition, 상기 시트 위에 전류 흐름의 방향이 반대로 꺾이도록 ㄹ자 형태의 내부 전극 패턴을 인쇄하여 내부 전극을 형성하는 단계,Forming an internal electrode by printing an internal electrode pattern having a letter L shape on the sheet such that the direction of current flow is reversed; 상기의 내부 전극 패턴이 인쇄된 성형 시트를 적어도 두층 이상 적층하여 상 하부 인접한 층의 내부 전극의 전류 흐름이 반대가 되는 적층물을 형성하는 단계,Stacking at least two or more layers of the molded sheet on which the internal electrode patterns are printed to form a laminate in which current flow of the internal electrodes of upper and lower adjacent layers is reversed; 상기의 적층물을 열처리하여 소성하는 단계,Calcining the laminate by heat treatment, 상기 적층물의 양끝단부에 상기의 내부 전극과 교호로 연결되는 외부 전극을 형성하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 적층형 칩 부품 소자의 제조 방법.And forming external electrodes alternately connected to the internal electrodes at both ends of the stack. 적층형 칩 부품 소자의 제조 방법에 있어서,In the manufacturing method of a laminated chip component element, 소정 조성의 슬러리를 이용하여 소자용 시트를 제조하는 단계,Manufacturing a device sheet using a slurry having a predetermined composition, 상기 시트 위에 전류 흐름의 방향이 반대로 꺾이도록 ㄹ자 형태의 내부 전극 패턴을 시트의 넓이 방향으로 인쇄하여 내부 전극을 형성하는 단계,Forming an internal electrode by printing an internal electrode pattern having a letter L shape in the width direction of the sheet so that the direction of current flow is reversed on the sheet; 상기의 내부 전극 패턴이 인쇄된 성형 시트를 적어도 두층 이상 적층하여 상 하부 인접한 층의 내부 전극의 전류 흐름이 반대가 되는 적층물을 형성하는 단계,Stacking at least two or more layers of the molded sheet on which the internal electrode patterns are printed to form a laminate in which current flow of the internal electrodes of upper and lower adjacent layers is reversed; 상기의 적층물을 열처리하여 소성하는 단계,Calcining the laminate by heat treatment, 상기 적층물의 양끝단부에 상기의 내부 전극과 교호로 연결되는 외부 전극을 형성하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 적층형 칩 부품 소자의 제조 방법.And forming external electrodes alternately connected to the internal electrodes at both ends of the stack. 적층형 칩 부품 소자의 제조 방법에 있어서,In the manufacturing method of a laminated chip component element, 소정 조성의 슬러리를 이용하여 소자용 시트를 제조하는 단계,Manufacturing a device sheet using a slurry having a predetermined composition, 상기의 소자용 시트 위에 전류의 흐름이 반대로 꺾이도록 ㄹ자 형태의 내부전극 패턴으로 시트의 양끝단의 전압단자와 연결되며 중앙부에서 절연되는 제1 내부 전극을 형성하는 단계,Forming a first internal electrode connected to the voltage terminals at both ends of the sheet and insulated from the center by an internal electrode pattern having a L-shape so as to reverse the flow of current on the device sheet; 상기의 소자용 시트 위에 제1 내부 전극과는 전류의 흐름이 반대이며 외부 전극과 절연되는 ㄹ자 형태의 부유된 제2 내부 전극을 형성하는 단계,Forming a floating second internal electrode having a r-shape on the device sheet, in which a current flows opposite to the first internal electrode and is insulated from the external electrode, 상기의 제1 및 제2 내부 전극 패턴이 인쇄된 소자용 시트를 적어도 두층 이상 교호로 적층하여 상하부 인접한 층의 내부 전극의 전류 흐름이 반대가 되는 적층물을 형성하는 단계,Stacking at least two layers of the device sheets on which the first and second internal electrode patterns are printed alternately to form a laminate in which current flow of internal electrodes of upper and lower adjacent layers is reversed; 상기의 적층물을 열처리하여 소성하는 단계,Calcining the laminate by heat treatment, 상기 적층물의 양끝단부에 상기의 제1 내부 전극과 연결되는 외부 전극을 형성하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 적층형 칩 부품 소자의 제조 방법.And forming an external electrode connected to the first internal electrode at both ends of the stack. 제 14 항 내지 제 16 항 중 한 항에 있어서, 상기의 내부 전극 패턴은 ㄹ자 형태가 복수회 반복 연결되도록 설계된 것을 특징으로 하는 적층형 칩 부품 소자의 제조 방법.17. The method of claim 14, wherein the internal electrode pattern is designed such that the r-shape is repeatedly connected a plurality of times. 제 14 항 내지 제 16 항 중 한 항에 있어서, 상기의 적층형 칩 부품은 적층 칩 커패시터, 적층 칩 배리스터, 적층 칩 NTC 소자, 적층 칩 PTC 소자 혹은 적층 칩 저항인 것을 특징으로 하는 적층형 칩 부품 소자의 제조 방법.The multilayer chip component element according to any one of claims 14 to 16, wherein the stacked chip component is a stacked chip capacitor, a stacked chip varistor, a stacked chip NTC device, a stacked chip PTC device, or a stacked chip resistor. Manufacturing method. 제 14 항 내지 제 16 항 중 한 항에 있어서, 상기의 적층형 칩 부품을 이종의 칩 부품이 두 개 이상 결합하여 복합 소자로 제조하는 것을 특징으로 하는 적층형 칩 부품 소자의 제조 방법.The method of manufacturing a stacked chip component device according to any one of claims 14 to 16, wherein the stacked chip component is a combination of two or more different chip components to produce a composite device. 제 14 항 내지 제 16 항 중 한 항에 있어서, 상기의 적층형 칩 부품은 복수 개의 칩이 반복된 에레이 형태의 적층형 소자로 제조하는 것을 특징으로 하는 적층형 칩 부품 소자의 제조 방법.The method of manufacturing a stacked chip component device according to any one of claims 14 to 16, wherein the stacked chip component is manufactured as an array type stacked element in which a plurality of chips are repeated.
KR1020000069924A 2000-11-23 2000-11-23 Integrated chip for high frequency and fabricating method therefor KR20010008321A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000069924A KR20010008321A (en) 2000-11-23 2000-11-23 Integrated chip for high frequency and fabricating method therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000069924A KR20010008321A (en) 2000-11-23 2000-11-23 Integrated chip for high frequency and fabricating method therefor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20010008321A true KR20010008321A (en) 2001-02-05

Family

ID=19700842

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000069924A KR20010008321A (en) 2000-11-23 2000-11-23 Integrated chip for high frequency and fabricating method therefor

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20010008321A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7180723B2 (en) 2003-02-18 2007-02-20 Tdk Corporation Multilayer capacitor
CN100385584C (en) * 2003-03-12 2008-04-30 Tdk株式会社 Laminated capacitor

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4814940A (en) * 1987-05-28 1989-03-21 International Business Machines Corporation Low inductance capacitor
JPH02156618A (en) * 1988-12-09 1990-06-15 Murata Mfg Co Ltd Laminated capacitor
JPH039506A (en) * 1989-06-07 1991-01-17 Fujitsu Ltd Lamination type capacitor
JP2000049036A (en) * 1998-07-30 2000-02-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of laminated ceramic capacitor
JP2000091152A (en) * 1998-09-09 2000-03-31 Taiyo Yuden Co Ltd Stacked electronic part, and its manufacture

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4814940A (en) * 1987-05-28 1989-03-21 International Business Machines Corporation Low inductance capacitor
JPH02156618A (en) * 1988-12-09 1990-06-15 Murata Mfg Co Ltd Laminated capacitor
JPH039506A (en) * 1989-06-07 1991-01-17 Fujitsu Ltd Lamination type capacitor
JP2000049036A (en) * 1998-07-30 2000-02-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of laminated ceramic capacitor
JP2000091152A (en) * 1998-09-09 2000-03-31 Taiyo Yuden Co Ltd Stacked electronic part, and its manufacture

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7180723B2 (en) 2003-02-18 2007-02-20 Tdk Corporation Multilayer capacitor
CN100390911C (en) * 2003-02-18 2008-05-28 Tdk株式会社 Layered capacity
CN100385584C (en) * 2003-03-12 2008-04-30 Tdk株式会社 Laminated capacitor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101983150B1 (en) Laminated Inductor And Manufacturing Method Thereof
JP5060590B2 (en) Composite multilayer chip element
KR100799475B1 (en) Surge absorption circuitry
US6590486B2 (en) Multilayer inductor
US10218330B2 (en) Laminated chip device
JP2004180032A (en) Dielectric filter
US20040239476A1 (en) Electrical multi-layer component
JP2002093623A (en) Laminated inductor
KR101153496B1 (en) A layered inductor and a manufacturing method thereof
JP2002025851A (en) Low-inductance type laminated chip and its manufacturing method
JPH1197256A (en) Laminated chip inductor
KR100470115B1 (en) Laminated chip element with various equivalent inductance
KR100638802B1 (en) Laminated chip element with various capacitance
KR20010008321A (en) Integrated chip for high frequency and fabricating method therefor
KR100470116B1 (en) Complex laminated chip element
KR100384112B1 (en) Parallel complex chip of combining with resistor and capacitor and fabricating method therefor
WO2002011160A1 (en) Integrated dual frequency noise attenuator and transient suppressor
KR100419241B1 (en) Chip Resistor for High Frequency and Fabricating Method therefor
KR100372848B1 (en) Integrated chip part with low inductance for high frequency and fabricating method therefor
KR101207667B1 (en) common mode filter for HDMI
KR101207663B1 (en) Method of manufacturing a common mode filter for HDMI
KR100374506B1 (en) Integrated chip for high frequency and fabricating method therefor
KR100384113B1 (en) Complex chip of combining with resistor and capacitor for high frequency and fabricating method therefor
JPH0410674Y2 (en)
JP2002111421A (en) Noise filter

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application