KR20010007407A - 더블 슬롯 어레이 안테나 - Google Patents

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Abstract

슬롯 안테나(100)는 슬롯 쌍의 어레이를 갖고, 전송된 에너지의 E-평면 빔폭이 제어될 수 있다. 안테나는 마이크로스트립(122)에 의해 공급되는 적어도 한 쌍의 슬롯(118 및 120)과 슬롯(118 및 120)에 병렬이고 사이에 위치한 전계 장벽(140, 142, 144)을 포함한다. 전계 장벽은 슬롯 안테나(100)의 전면 패널(110)과 후면 패널(112) 사이에서 확장된다. 전계 장벽 사이의 거리는 특정 전송 또는 수신 주파수에 안테나를 튜닝하거나 조정하기 위해 사용되고, 슬롯 사이의 거리는 전송된 에너지의 E-평면 빔폭을 제어하기 위해 사용된다. 슬롯이 인접해있을 때, 빔폭은 넓어지고, 슬롯이 더 멀리 떨어질 경우, 빔폭은 좁아진다. 한 실시예에서, 전계 장벽은 일련의 인접하게 이격된 컨덕터(132)이고, 다른 실시예에서, 전계 장벽은 전도성 스트립이다.

Description

더블 슬롯 어레이 안테나{Double slot array antenna}
본 발명은 안테나에 관한 것이며, 특히 슬롯 안테나에 관한 것이다.
도 1은 선행 기술인 슬롯 안테나(6)를 도시한다. 슬롯 안테나(6)는 격자(14)에 의해 분리된 전면 패널(10) 및 후면 패널(12)을 포함한다. 후면 패널(12)은 전형적으로 전도성 물질로 만들어지고 전면 패널(10)은 상부 비-전도성 층(16) 및 하부 전도성 층(18)을 포함한다. 마이크로스트립(20)은 전송되거나 수신될 신호를 위한 경로를 제공하기 위해 층(16)의 표면상에 배치된다. 마이크로스트립의 끝은 전도성 층(18)의 슬롯(22)을 가로질러 확장된다. 전송될 신호가 마이크로스트립(20)에 제공된다면, 전자기 에너지는 Y방향으로 극성을 갖는 전계와 함께 Z방향으로 전송된다. 불행히도, 이 장치는 Y-Z 평면의 빔폭을 제어하도록 제공하지는 않는다.
도 2는 슬롯의 어레이를 갖는 선행 기술의 슬롯 안테나를 도시한다. 마이크로스트립과 스롯만이 도시된다. 이 슬롯 어레이 안테나는 도 1에 도시된 디자인과 유사한 디자인을 사용하여 제조된다. 이러한 구성에서, 마이크로스트립(30)은 신호가 슬롯(32)을 가로질러 전송되도록 공급한다. 이것은 전자기 에너지가 Y방향의 전계 극성과 함께 Z방향으로 전송되는 결과를 초래한다. 도 2에서, Z 방향은 보는이의 앞으로 도면으로부터 나오는 방향이다. 또한, 이 디자인은 Y-Z평면에 빔폭을 제어하도록 제공하지 않는다.
본 발명은 슬롯 쌍의 어레이를 갖는 슬롯 안테나를 제공하며, 여기서, 전송된 에너지의 빔폭이 제어될 수 있다. 이 안테나는 마이크로스트립에 의해 공급되는 적어도 한 쌍의 슬롯과 슬롯에 병렬로 배치된 전계 장벽을 포함한다. 전계 장벽은 슬롯 안테나의 전후 패널 사이에서 확장된다. 전계 장벽 사이의 거리는 특정의 전송 또는 수신 주파수에 안테나를 튜닝하거나 조정하기 위해 사용되며, 슬롯 사이의 거리는 전송된 에너지의 빔폭을 제어하기 위해 사용된다. 슬롯이 인접하게 위치한다면, 빔폭은 넓어지고, 슬롯이 멀리 떨어진다면, 빔폭은 좁아진다. 한 실시예에서, 전계 장벽은 일련의 인접하게 이격된 컨덕터이고, 다른 실시예에서, 전계 장벽은 전도성 스트립이다.
도 1은 슬롯 안테나 어셈블리에 관한 선행 기술을 도시하는 도면.
도 2는 Y 방향으로 극성(polarization)을 갖는 슬롯 안테나 어셈블리에 관한 선행 기술을 도시하는 도면.
도 3은 슬롯에 병렬이고 사이에 전계 장벽과 함께 슬롯의 쌍을 갖는 슬롯 안테나를 도시하는 도면.
도 4는 전도성 메쉬 스트립을 도시하는 도면.
도 5는 전도성 고체 스트립을 도시하는 도면.
도 6은 전계 장벽과 함께 슬롯 쌍의 선형 어레이를 도시하는 도면.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
100 : 슬롯 안테나 110 : 전면 패널
112 : 후면 패널 118 : 슬롯
122 : 마이크로스트립 132 : 컨덕터
도 3은 전면 패널(110) 및 후면 패널(112)을 포함하는 슬롯 안테나(100)를 도시한다. 전면 패널(110)은 비-전도성 층(114) 및 전도성 층(116)을 포함한다. 슬롯(118 및 120)은 전도성 층(116)의 개구부이다. 비-전도성 층(114) 위에 위치한 마이크로스트립(122)은 슬롯(118 및 120)으로부터 수신되거나 슬롯(118 및 120)으로 제공하는 신호를 위한 신호 경로를 제공한다. 마이크로스트립 섹션(124)은 슬롯(118)을 통하여 확장하고 슬롯(118)에 신호 경로를 제공한다. 마이크로스트립 섹션(126)은 슬롯(120)을 통해 확장하고 신호 경로를 슬롯(120)에 제공한다. 전송되거나( 또는 수신될)신호는 일반적으로 포인트(130)에서 만들어진 그라운드 연결과 함께 포인트(128)에서의 마이크로스트립(122)으로부터 수신되거나 마이크로스트립(122)에 제공된다. 포인트(130)는 전도성 층(116)과 전기적인 접촉을 한다.
전도성 층(116)은 일반적으로 그라운드 전위인 후면 패널(112)과 전기적인 접촉을 한다. 전도성 층(116)과 후면 패널(112)사이의 전기적인 접촉이 컨덕터(132)에 의해 제공된다. 컨덕터(132)는 마이크로스트립 섹션(124 또는 126)에 실질적으로 수직인 라인에 배치된다. 컨덕터(132)는 외부 에지(134) 및 내부 에지(136)와 같은 긴 슬롯 에지에 실질적으로 병렬인 전계 장벽을 형성한다. 전계 장벽은 전도성 층(116)과 후면 패널(112) 사이에서 확장한다. 컨덕터(132)를 사용하여 형성된 전계 장벽(140)은 슬롯(118 및 120) 사이에 배치된다. 컨덕터(132)를 사용하여 형성된 전계 장벽(142 및 144)은 각각 슬롯(118 및 120)의 외부 에지(134) 외부에 배치된다.
전계 장벽은 전송되고/수신된 신호의 파장의 약 1/5이하 만큼 이격된 와이어와 같은 일련의 컨덕터에 의해 형성될 수 있다. 전계 장벽은 일련의 와이어, 스크류,또는 다른 컨덕터를 사용하여 구성될 수 있다. 만약 컨덕터가 관련된 위치에서 전면 패널(110)과 후면 패널(112)을 유지하기 위한 충분한 기계적 강도을 갖는다면, 분리 지지는 전면 패널(110)과 후면 패널(112)사이에 요구되지 않을 것이다. 전계 장벽(140, 142 또는 144)은 분리 컨덕터(132) 또는 단일 연속적인 전도성 스트립을 사용하여 형성될 수 있다는 것을 인식해야 한다. 도 4는 메쉬 또는 펜스의 형식의 연속적인 전도성 스트립을 도시하고, 도 5는 전도성 웰 또는 전도성 테이프의 형식의 연속적인 전도성 스트립을 도시한다. 전계 장벽(140, 142 또는 144)은 인접하게 이격된 개구부와 함께 고체 파트 또는 파트를 사용하여 형성될 수 있으므로, 전계 장벽은 안테나가 동작할 수 있는 주파수 범위를 위해 형성된다.
전송될 신호가 마이크로스트립(118)에 제공된다면, Y 방향으로 극성을 갖는 전계가 Y-Z 평면의 빔을 수신하거나 전송하는 것을 형성하기 위해 Z방향으로 발산된다. 슬롯(118 및 120)의 길이(150)는 약 전송될 신호의 파장의 1/2이고, 슬롯(118 및 120)의 폭(152)은 약 전송될 신호의 파장의 1/8에서 1/10까지이다. 전면 패널(110)과 후면 패널(112)사이의 간격은 약 파장의 1/8에서 1/10이다. 전계 장벽 상이의 거리(154)는 안테나의 공진 주파수를 결정하고, 큰 값의 거리(154)는 낮은 공진 주파스를 발생하고, 작은 값의 거리(154)는 높은 공진 주파수를 생성한다. 각각의 경우에, 공진 주파수는 안테나의 전송 및 수신 주파수에 대응하여 선택될 수 있다. 슬롯(118 및 120) 사이의 거리(156)는 전송된 에너지의 빔폭을 결정한다. 빔폭은 λ/d의 함수이며, λ는 안테나와 관련된 전송 또는 수신 주파수의 파장에 대응하고, d는 거리(156)이다. 큰 d는 좁은 빔폭을 생성하고 작은 d는 넓은 빔폭을 생성한다.
도 6은 슬롯에 병렬이고 사이에 전계 장벽을 갖는 슬롯 쌍의 선형 어레이를 도시한다. 마이크로스트립(80)은 전송될 신호를 슬롯 쌍(182, 184, 186 및 188)에 공급한다. 슬롯 쌍은 외부 에지(192) 외부의 전계 장벽(190)과 외부 에지(196)외부의 전계 장벽(194)을 갖는다. 또한, 전계 장벽(198)은 각각의 쌍의 슬롯을 분리한다. 도 6의 장치는 Y방향의 전계 극성으로 보는이의 앞으로 도면의 앞으로 나오는 전송 신호(Z방향)가 된다. Y-Z평면의 빔폭은 앞서 설명한 바와 같이 각각의 슬롯 쌍의 슬롯 사이의 간격에 의해 제어된다. 전계 장벽과 각각의 슬롯의 디멘션 사이의 간격은 안테나와 관련된 송신 또는 수신 주파수에 기초한다. 4쌍의 슬롯보다 적거나 4쌍의 슬롯보다 많이 포함하는 어레이를 생성하는 것이 가능하다. 또한, 슬롯 쌍의 한 칼럼보다 많은 어레이를 배열하는 것도 가능하다.
본 발명의 슬롯 쌍의 어레이를 갖는 슬롯 안테나는 전송된 에너지의 빔폭이 제어될 수 있다.

Claims (10)

  1. 적어도 제 1 슬롯(118) 및 제 2 슬롯(120)과 전도성 층(116), 및 적어도 제 1(124) 및 제 2(126) 전도 섹션과 신호 컨덕터(122)를 갖는 전면 패널(110)으로써, 상기 신호 컨덕터(122)는 비컨덕터(114)에 의해 전도성 층으로부터 분리되고, 상기 제 1 전도 섹션(124)은 제 1 슬롯(118)을 통해 확장되고 상기 제 2 전도성 섹션(126)은 제 2 슬롯(120)을 통해 확장되는 전면 패널(110), 및
    상기 전면 패널(110)에 실질적으로 병렬이고 전도성 층(116)에 전기적으로 연결되는 전도성 후면 패널(112)을 포함하는 안테나에 있어서,
    전면 패널(110)및 후면 패널(112)과 전기적 접촉을하고 실질적으로 긴 슬롯 에지에 병렬이며, 제 1(118) 및 제 2(120) 슬롯 사이에 위치하고 전면 패널(110)과 후면 패널(112) 사이에서 확장하는 제 1 전계 장벽(140),
    전면 패널(110)및 후면 패널(112)과 전기적 접촉을하고 실질적으로 긴 슬롯 에지에 병렬이며, 제 1 슬롯(118)의 외부 에지(134)의 외부에 위치하고 전면 패널(110)과 후면 패널(112) 사이에서 확장하는 제 2 전계 장벽(142), 및
    전면 패널(110)및 후면 패널(112)과 전기적 접촉을하고 실질적으로 긴 슬롯 에지에 병렬이며, 제 2 슬롯(120)의 외부 에지(124)의 외부에 위치하고 전면 패널(110)과 후면 패널(112) 사이에서 확장하는 제 3 전계 장벽(144)을 포함하는 것을 특징으로 하는 안테나.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1(140), 제 2(142), 및 제 3 (144) 전계 장벽 중 적어도 하나는 일련의 이격된 컨덕터(132)인 것을 특징으로 하는 안테나.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1(140), 제 2(142), 및 제 3 (144) 전계 장벽 중 적어도 하나는 계속적인 컨덕터인 것을 특징으로 하는 안테나.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1(140), 제 2(142), 및 제 3 (144) 전계 장벽 중 적어도 하나는 메쉬 스트립인 것을 특징으로 하는 안테나.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1(140), 제 2(142), 및 제 3 (144) 전계 장벽 중 적어도 하나는 고체 스트립인 것을 특징으로 하는 안테나.
  6. 적어도 제 1 쌍의 슬롯(182)과 전도성 층(116), 및 적어도 제 1 쌍의 전도 섹션과 신호 컨덕터(180)를 갖는 전면 패널(110)으로써, 상기 신호 컨덕터는 비컨덕터(114)에 의해 전도성 층으로부터 분리되고, 상기 제 1 쌍의 전도 섹션은 제 1 쌍의 슬롯(182)의 제 1 슬롯을 통해 확장되는 제 1 섹션과 제 1 쌍의 슬롯(182)의 제 2 슬롯을 통해 확장하는 제 2 섹션을 갖는 전면 패널(110), 및
    상기 전면 패널(110)에 실질적으로 병렬이고 전도성 층(116)에 전기적으로 연결되는 전도성 후면 패널(112)을 포함하는 안테나에 있어서,
    전면 패널(110)및 후면 패널(112)과 전기적 접촉을하고 실질적으로 긴 슬롯 에지에 병렬이며, 제 1 및 제 2 슬롯 사이에 위치하고 전면 패널(110)과 후면 패널(112) 사이에서 확장하는 제 1 전계 장벽(198),
    전면 패널(110)및 후면 패널(112)과 전기적 접촉을하고 실질적으로 긴 슬롯 에지에 병렬이며, 제 1 슬롯의 외부 에지(192)의 외부에 위치하고 전면 패널(110)과 후면 패널(112) 사이에서 확장하는 제 2 전계 장벽(190), 및
    전면 패널(110)및 후면 패널(112)과 전기적 접촉을하고 실질적으로 긴 슬롯 에지에 병렬이며, 제 2 슬롯의 외부 에지(196)의 외부에 위치하고 전면 패널(110)과 후면 패널(112) 사이에서 확장하는 제 3 전계 장벽(194)을 포함하는 것을 특징으로 하는 안테나.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1(198), 제 2(190), 및 제 3 (194) 전계 장벽 중 적어도 하나는 일련의 이격된 컨덕터(132)인 것을 특징으로 하는 안테나.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1(198), 제 2(190), 및 제 3 (194) 전계 장벽 중 적어도 하나는 연속적인 컨덕터인 것을 특징으로 하는 안테나.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1(198), 제 2(190), 및 제 3 (194) 전계 장벽 중 적어도 하나는 메쉬 스트립인 것을 특징으로 하는 안테나.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1(198), 제 2(190), 및 제 3 (194) 전계 장벽 중 적어도 하나는 고체 스트립인 것을 특징으로 하는 안테나.
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