KR20010003507A

KR20010003507A - Method for inspection a photomask

Info

Publication number: KR20010003507A
Application number: KR1019990023816A
Authority: KR
Inventors: 임성출; 최성운
Original assignee: 윤종용; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1999-06-23
Filing date: 1999-06-23
Publication date: 2001-01-15

Abstract

PURPOSE: A method for inspecting a photomask is to inspect a defect in the photomask and simultaneously obtain a CD data in a specific position of a selected specific pattern. CONSTITUTION: A method of inspecting a photomask comprises the steps of: databasing data of a design pattern; coordinating the data and simultaneously processing the data to inspect a mask; forming a pattern on the photomask using the data; measuring a critical dimension of the photomask on which the pattern is formed; deciding whether a change in the critical dimension is less than a permissible value; performing an inspecting operation of the mask if the change in the critical dimension is less than the permissible value; and cleaning and delivering the photomask if the photomask is perfect, and deciding whether the defect in the photomask is correctable if the photomask is defective. In the method, the photomask is one of a phase shift mask and a BIN mask.

Description

Method for inspection a photomask

본 발명은 반도체장치의 제조방법에 관한 것으로, 특히 마스크의 결함검사와 임계크기의 변화량 측정을 동시에 진행할 수 있는 포토마스크 검사 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a photomask inspection method capable of simultaneously performing defect inspection of a mask and measurement of a change in critical size.

반도체 집적회로의 제조공정은 일반적으로 반도체 기판의 표면에 회로 소자들을 형성하기 위하여 실시하는 다수의 사진공정을 포함한다. 특히, 고집적 회로를 신뢰도 높은 사진공정으로 형성하기 위해서는 포토마스크가 미세 패턴을 정의할 수 있어야 하며, 결함(defect)이 없게 형성되어야 한다.BACKGROUND OF THE INVENTION The manufacturing process of a semiconductor integrated circuit generally includes a number of photographic processes performed to form circuit elements on the surface of a semiconductor substrate. In particular, in order to form a highly integrated circuit in a reliable photo process, the photomask must be able to define a fine pattern and be formed without defects.

반도체 소자의 고집적화에 따라 요구되는 선폭의 크기는 이미 노광설비의 해상도의 한계에 접하고 있다. 이러한 상황에서 어떤 물질층을 패터닝하기 위한 원판이 되는 포토마스크 상의 패턴의 임계치수(Critical Dimension,, 이하 "CD"라 칭함)의 균일도(uniformity)는 매우 중요하게 대두되고 있다. 이러한 관점에서 포토마스크를 이용한 패터닝 공정에서 수십 또는 수백 포인트에 대한 CD 측정 데이터(data)가 요구되고 있다.The size of the line width required by the high integration of semiconductor devices is already approaching the limit of the resolution of exposure equipment. In such a situation, the uniformity of the critical dimension (hereinafter, referred to as "CD") of the pattern on the photomask, which is a disc for patterning a certain material layer, is very important. In this respect, CD measurement data for tens or hundreds of points is required in a patterning process using a photomask.

반도체용 포토마스크의 제작에 있어서, 일반적으로 마스크의 결함검사와 패턴 CD의 측정은 각각 서로 다른 설비를 이용하여 별도의 공정으로 이루어지고 있다. 즉, 마스크의 CD를 측정하기 위해서는, 주사형 전자 현미경(Scanning Electron Microscope; SEM), 광학계 또는 레이저를 이용한 에지 굴절 검출 (edge diffraction detection) 방식의 설비들이 주로 사용되고 있다. 이에 따라 다수의 CD 측정 데이터를 얻기 위해서는 많은 시간과 노력을 필요로 하고 있다.In the fabrication of semiconductor photomasks, defect inspection of the mask and measurement of the pattern CD are generally performed in separate processes using different equipment. That is, in order to measure the CD of the mask, facilities of an edge diffraction detection method using a scanning electron microscope (SEM), an optical system, or a laser are mainly used. This requires a lot of time and effort to obtain a large number of CD measurement data.

또한, 기존에는 마스크내의 결함을 검사하기 위하여, 동일 패턴으로 제작된 두 장의 마스크를 비교하는 마스크 투 마스크(mask to mask) 검사, 1장의 마스크내에서 반복되는 패턴을 상호 비교하는 다이 투 다이(die to die) 검사, 디자인된 패턴과 실제 제작된 마스크 패턴을 상호 비교하는 다이 투 데이터 베이스(die to data base) 검사 등의 방법을 사용하고 있다.In addition, in order to inspect defects in a mask, a mask-to-mask inspection for comparing two masks manufactured in the same pattern and a die-to-die for comparing patterns repeated in one mask To die inspection, die-to-database inspection that compares the designed pattern with the actual fabricated mask pattern is used.

이러한 방법중 디자인된 패턴과 실제 제작된 마스크 패턴을 상호 비교하는 다이 투 데이터 베이스 검사방법을 구체적으로 살펴보면, 먼저, 화소단위로 검출이 가능하도록 제작된 설비를 이용하여 자외선 또는 가시광 등의 광선을 마스크에 조사하여 패턴에 의해 투과 또는 반사된 광량을 수치화한 정보로 저장하고, 이렇게 저장된 정보를 프로세싱(processing)하여 실제 제작된 마스크 패턴과 디자인된 패턴과의 차이를 구별함으로써 마스크의 결함을 찾게 된다.Looking specifically at the die-to-database inspection method that compares the designed pattern and the actual fabricated mask pattern among these methods, first, masks rays such as ultraviolet rays or visible light by using a facility manufactured to detect pixel by pixel. The defects of the mask are found by discriminating the difference between the actually produced mask pattern and the designed pattern by processing the stored information as numerical information and processing the stored information.

이렇게 종래에는 CD 측정과 마스크 결함검사가 별도의 공정으로 진행되어 왔는데, 최근의 검사설비 중에는 제한적으로 마스크 결함검사와 동시에 CD 변화량에 대한 정보를 얻을 수 있도록 제작되고 있다. 즉, 1장의 마스크내에서 반복되는 패턴을 상호 비교하는 다이 투 다이(die to die) 검사 방법과, 디자인된 패턴과 실제 제작된 마스크 패턴을 상호 비교하는 다이 투 데이터 베이스(die to data base) 검사 진행시 화소단위로 저장된 광선의 투과 또는 반사 데이터를 프로세싱한 후, 디자인 패턴과 비교하여 그 차이로부터 CD 변화량에 대한 정보를 얻을 수 있다. 이러한 방식은 마스크의 검사와 동시에 검사영역의 전체 패턴에 대하여 디자인 패턴과 실제 마스크 패턴 사이의 CD를 비교, 저장함으로써 마스크의 모든 패턴에 대한 CD 변화량에 대한 데이터를 실시간으로 얻을 수 있다는 장점이 있다.As described above, the CD measurement and the mask defect inspection have been performed in separate processes, but recently, the inspection equipment has been manufactured to obtain information on the amount of CD change at the same time as the mask defect inspection. That is, a die to die inspection method for comparing repeated patterns in one mask, and a die to data base inspection for comparing a designed pattern with a fabricated mask pattern. After processing the transmission or reflection data of the light rays stored in units of pixels, it can be compared with the design pattern to obtain information on the amount of CD change from the difference. This method has the advantage that the data of the CD change amount for all patterns of the mask can be obtained in real time by comparing and storing the CD between the design pattern and the actual mask pattern for the entire pattern of the inspection area at the same time as the inspection of the mask.

그러나, 이러한 방식들은, 마스크상의 모든 패턴에 대해서 디자인 패턴과의 CD 차이만을 알 수 있다는 단점이 있다. 즉, 마스크 상에 존재하는 여러 가지 모양과 사이즈(size)의 실제 패턴과 디자인 패턴 사이의 차이만을 구하게 된다. 실제로, 마스크에서 측정의 대상이 되는 패턴은 특정한 모양과 사이즈가 정하여지게 되고 이러한 특정 포인트에 대한 CD 결과만을 필요로 하게 된다. 그런데, 기존의 방법으로는 이러한 특정 포인트의 CD 데이터만을 구할 수가 없다.However, these methods have the disadvantage that only the CD difference from the design pattern can be known for all the patterns on the mask. That is, the difference between the actual pattern and the design pattern of various shapes and sizes existing on the mask is obtained. In practice, the pattern to be measured in the mask will be given a specific shape and size and only require a CD result for that particular point. By the way, the conventional method cannot obtain only CD data of this specific point.

예를 들면, 도 1에 도시된 바와 같이, 1장의 마스크 상에서 작은 사이즈의 라인이 반복된 패턴과 큰 사이즈의 콘택홀 패턴이 존재하는 경우에, CD의 변화량은 다음과 같이 구해진다.For example, as shown in Fig. 1, in the case where a pattern in which a small size line is repeated and a large contact hole pattern exist on one mask, the change amount of CD is obtained as follows.

CD 변화량 = 2 × (a, b, c, d,...)의 평균CD change = average of 2 × (a, b, c, d, ...)

따라서, 패턴의 종류에 관계없이 실제 패턴(10)과 디자인 패턴과(20)의 CD 차이만을 구할 수 있다. 따라서, 마스크 패턴 및 사이즈의 구분이 없어지므로 실제 마스크 제작공정에서 공정조건 및 마스크의 품질을 나타내는 데이터로 활용하는데 문제가 있다.Therefore, only the CD difference between the actual pattern 10 and the design pattern 20 can be obtained regardless of the type of the pattern. Therefore, there is no distinction between the mask pattern and the size, so there is a problem in using the data representing the process conditions and the quality of the mask in the actual mask fabrication process.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 마스크의 결함검사와 동시에 선택된 특정 패턴의 특정 위치에서의 CD 데이터를 얻을 수 있는 포토마스크 검사방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a photomask inspection method capable of obtaining CD data at a specific position of a specific pattern selected at the same time as defect inspection of a mask.

도 1은 종래의 평균 CD값을 구하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a diagram for explaining a method of obtaining a conventional average CD value.

도 2는 본 발명의 포토마스크 결함 검사 및 CD 측정을 동시에 진행하는 방법을 나타내는 흐름도이다.2 is a flowchart illustrating a method of simultaneously performing a photomask defect inspection and CD measurement of the present invention.

도 3은 본 발명의 CD 측정방법을 설명하기 위한 도면이다.3 is a view for explaining the CD measurement method of the present invention.

상기 과제를 이루기 위하여 본 발명에 의한 포토마스크 검사방법은, 디자인 패턴의 데이터를 데이터 베이스화하는 단계와, 상기 데이터를 좌표화함괴 동시에, 마스크 결함검사를 위한 데이터처리를 하는 단계와, 상기 데이터를 이용하여 포토마스크 상에 패턴을 형성하는 단계와, 패턴이 형성된 상기 포토마스크의 임계치수(CD)를 측정하는 단계와, 상기 임계치수의 변화량이 허용치 이내인지를 판단하는 단계와, 상기 임계치수의 변화량이 허용치 이내일 경우 마스크 결함검사를 실시하는 단계, 및 상기 포토마스크에 결함이 발생되지 않을 경우, 포토마스크를 세정하여 출고시키고, 포토마스크에 결함이 발생했을 경우 수정가능한지를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a photomask inspection method according to the present invention comprises the steps of: databaseizing the data of a design pattern, coordinates the data, and simultaneously performs data processing for mask defect inspection, and using the data. Forming a pattern on the photomask, measuring a critical dimension (CD) of the photomask on which the pattern is formed, determining whether the variation in the threshold is within an allowable value, and the variation in the threshold Performing a mask defect inspection if it is within the allowable value, and if the defect does not occur in the photomask, cleaning and leaving the photomask and determining whether it can be corrected when a defect occurs in the photomask. It is characterized by.

여기서, 상기 포토마스크의 임계치수(CD)를 측정할 위치는, 디자인 패턴(데이터 베이스)에서 임계치수(CD)가 측정되는 패턴과 측정되지 않는 패턴을 구분하여 서로 다른 기판 또는 별도의 패턴으로 데이터 베이스를 구분하는 방법과, 디자인 패턴용 데이터 베이스 외에, 임계치수(CD) 측정 패턴 또는 임계치수(CD) 측정 포인트에 대한 데이터 베이스를 추가로 제공하는 방법과, 디자인 패턴에 근거하여 임계치수(CD) 측정 포인트를 좌표값으로 지정해주는 방법과, 설비에서 검사시 마스크 이미지(image)에 직접 임계치수(CD) 측정 영역 또는 위치들을 설정해주는 방법, 및 설비에서 검사시 임계치수(CD) 측정위치에 대한 정보가 좌표화된 값을 갖는 파일(file)을 이용하거나 좌표값을 직접 타이핑(typing)하는 방법 중의 어느 하나를 사용하여 결정한다. 그리고, 상기 포토마스크는 위상반전 마스크 또는 BIN 중의 어느 하나인 것이 바람직하다.Here, the position at which the critical dimension (CD) of the photomask is to be measured may be classified into a different substrate or a separate pattern by dividing the pattern from which the critical dimension (CD) is measured from the design pattern (database) and the pattern not measured. A method of classifying bases, a method of providing a database for a critical dimension (CD) measurement pattern or a critical dimension (CD) measurement point, in addition to a database for design patterns, and a critical dimension (CD) based on a design pattern. ) How to specify the measurement point as a coordinate value, how to set the critical measurement (CD) measurement area or positions directly on the mask image during the inspection at the facility, and how to measure the critical dimension (CD) when the inspection at the facility The information is determined by using a file having coordinated values or by directly typing the coordinate values. The photomask is preferably either a phase inversion mask or a BIN.

본 발명에 따르면, 마스크의 결함검사와 CD값의 측정을 동시에 진행할 수 있으며, 실제 패턴의 CD값을 직접 추출할 수 있으며, 추출된 CD값을 포토마스크의 품질을 평가하는 여러 가지 유용한 자료로 활용할 수 있다.According to the present invention, the defect inspection of the mask and the measurement of the CD value can be performed at the same time, the CD value of the actual pattern can be extracted directly, and the extracted CD value can be utilized as various useful materials for evaluating the quality of the photomask. Can be.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

다음에 설명되는 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 특히, 본 발명의 설명에 있어서, 포토마스크는 BIN, 위상반전 마스크(phase shift mask) 또는 하프톤(half tone) 위상반전 마스크 등 여러 가지 마스크를 지칭한다.The embodiments described below may be modified in many different forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. In particular, in the description of the present invention, the photomask refers to various masks such as a BIN, a phase shift mask, or a half tone phase shift mask.

도 2는 본 발명의 마스크 검사 및 CD 측정을 동시에 진행하는 포토마스크 검사방법을 나타내는 흐름도이다.2 is a flowchart illustrating a photomask inspection method for simultaneously performing mask inspection and CD measurement of the present invention.

먼저, 포토 마스크 상에 구현하고자 하는 패턴, 즉 디자인 패턴에 대한 정보를 데이터 베이스화한 다음(단계 110), 상기 디자인 패턴에 해당하는 데이터를 모두 평면상에 펼쳐 좌표화한다(단계 115). 그리고, 좌표화한 데이터에 따라 전자빔을 사용하여 투명기판에 노광을 하고(단계 120), 포토마스크 제작공정을 수행한다(단계 125).First, information about a pattern to be embodied on a photo mask, that is, a design pattern is databaseized (step 110), and then all data corresponding to the design pattern are unfolded and coordinated on a plane (step 115). Then, the substrate is exposed to a transparent substrate using an electron beam (step 120), and a photomask fabrication process is performed (step 125).

다음에, 포토마스크가 제작되면, 포토마스크 상의 패턴에 대한 CD 값을 측정한다(단계 130). 이 때 종래와 같이 모든 패턴에 대해 CD의 평균 변화량을 구하는 것이 아니라, 측정하고자 하는 특정한 패턴에 대한 좌표값을 입력하여 특정 패턴의 CD값을 직접 구할 수 있다. 이 때, 측정되는 패턴은 큰 사이즈의 패턴이 아니라 작은 사이즈의 반복되는 라인패턴이 된다. 그 이유는, 큰 사이즈의 패턴에서는 CD의 변화량에 대한 마진이 크지만, 작은 사이즈의 패턴의 경우 디자인 패턴과의 CD 차이가 크면 패턴에 큰 차이가 발생하기 때문이다.Next, once the photomask is fabricated, the CD value for the pattern on the photomask is measured (step 130). In this case, instead of obtaining the average change amount of CD for all patterns as in the related art, a CD value of a specific pattern can be directly obtained by inputting a coordinate value for a specific pattern to be measured. At this time, the pattern to be measured is not a pattern of large size but a repeated line pattern of small size. The reason for this is that the margin for the change amount of the CD is large in the large size pattern, but in the case of the small size pattern, if the CD difference from the design pattern is large, a large difference occurs in the pattern.

그리고, 상기 CD 측정단계(130)에서, CD를 측정하는 위치는 필요에 따라 임의로 정할 수 있는데, 그 위치를 지정하는 방법에는 다음에 예를 든 몇 가지 방법 외에 여러 가지가 있을 수 있다. 첫째, 디자인 패턴(데이터 베이스)에서 CD가 측정되는 패턴과 측정되지 않는 패턴을 구분하여 서로 다른 기판 또는 별도의 패턴으로 데이터 베이스를 구분하는 방법, 둘째, 디자인 패턴용 데이터 베이스 외에, CD 측정 패턴 또는 CD 측정 포인트에 대한 데이터 베이스를 추가로 제공하는 방법, 셋째, 디자인 패턴에 근거하여 CD 측정 포인트를 좌표값으로 지정해주는 방법, 넷째, 설비에서 검사시 마스크 이미지(image)에 직접 CD 측정 영역 또는 위치들을 설정해주는 방법, 다섯째, 설비에서 검사시 CD 측정위치에 대한 정보가 좌표화된 값을 갖는 파일(file)을 이용하거나 좌표값을 직접 타이핑(typing)하는 방법 등이 있다.And, in the CD measurement step 130, the position for measuring the CD can be arbitrarily determined as needed, there may be a variety of methods for specifying the position in addition to the following several methods. First, in the design pattern (database) to distinguish the pattern is measured CD and the pattern is not measured to separate the database into different substrates or separate patterns, second, in addition to the database for the design pattern, CD measurement pattern or Additional method of providing a database of CD measurement points; Third, designation of CD measurement points as coordinate values based on design patterns; Fourth, CD measurement area or position directly on the mask image during inspection at the facility. The fifth method is to use a file having a coordinated value of information about a CD measurement position when inspecting the equipment, or to directly type a coordinate value.

다음에, 상기 CD 측정 단계에서 측정된 CD값과 디자인 패턴과의 오차가 허용치 이내인가를 판단하여(단계 135), CD 값의 오차가 허용치 이내인 경우 마스크 결함검사를 수행하고(단계 140), CD값의 오차가 허용치를 벗어날 경우에는 다음 단계로의 진행을 거절(reject)하고(단계 175) 다음 포토마스크의 작업을 진행하게 한다(단계 180).Next, it is determined whether the error between the CD value and the design pattern measured in the CD measurement step is within the allowable value (step 135), and if the error of the CD value is within the allowable value, mask defect inspection is performed (step 140), If the error of the CD value is out of tolerance, the process proceeds to the next step (step 175) and proceeds to the next photomask (step 180).

이렇게 제작된 포토마스크에 대한 CD 측정이 진행되는 동안, 한편으로는 데이터를 좌표화하는 단계(단계 115) 후에, 마스크의 결함검사를 수행하기 위한 데이터 처리를 진행한다(단계 160). 이 단계에서는, 실제 포토마스크 상에 구현될 패턴과 디자인 패턴과의 차이를 미리 보상해주기 위하여 코너를 라운딩하거나, 일정 부분 옵셋(off-set)을 미리 설정하여 주는 작업을 한다.While the CD measurement for the photomask thus produced is in progress, on the other hand, after the step of coordinate data (step 115), data processing for defect inspection of the mask is performed (step 160). In this step, in order to compensate for the difference between the pattern to be realized on the actual photomask and the design pattern in advance, the corners are rounded or a predetermined offset is set in advance.

그런 다음, 제작된 포토마스크 상에 결함이 발생되었나를 검사하는 마스크 결함검사를 수행한다(단계 140). 포토마스크의 결함은, 제작과정에서 파티클이나 식각 잔류물이 마스크 상에 존재할 경우 노광단계에서 파티클과 잔류물이 있는 부위가 노광되지 않기 때문에 발생하는 것이다. 상기 마스크 결함검사 단계(140)에서 결함이 검출되지 않을 경우 마스크 세정을 실시한 다음(단계 150), 출고되도록 한다(단계 155).Then, a mask defect inspection is performed to check whether a defect has occurred on the fabricated photomask (step 140). The defect of the photomask is that when particles or etching residues are present on the mask in the manufacturing process, the portions having particles and residues are not exposed in the exposing step. If no defect is detected in the mask defect inspection step 140, mask cleaning is performed (step 150), and then shipped (step 155).

그러나, 마스크 결함검사 결과 결함이 발생된 경우, 그 결함이 수정 가능한지 또는 불가능한지를 판단한 다음(단계 165), 수정 가능할 경우 예를 들어 이온빔 또는 레이저 등과 같은 마스크 결함수정 과정(단계 170)을 거쳐 세정 및 출고되도록 한다.However, if a defect occurs as a result of mask defect inspection, it is determined whether the defect is correctable or impossible (step 165), and if it is correctable, the mask defect inspection process (step 170), for example, an ion beam or a laser, is used to clean and Have it shipped.

마스크 결함수정 가능 여부의 판단단계(단계 165)에서 결함수정이 불가능하다고 판단될 경우에는 그 포토마스크는 사용이 불가능하므로 출고를 거절하고(단계 175), 다음 마스크의 제작을 지시한다.If it is determined that defect correction is impossible in the determination step of mask defect correction possibility (step 165), the photomask is not usable and the factory is rejected (step 175), and the production of the next mask is instructed.

도 3은 본 발명의 CD 측정방법을 나타내는 도면이다.3 is a view showing a CD measuring method of the present invention.

본 발명에 의하면, 실제 마스크의 패턴(30)의 CD값, 즉 도 3에서 참조부호 "e"와 "f"를 직접 구한 다음 디자인 패턴(40)의 CD와 비교한다. 따라서, 실제 패턴의 CD값을 직접 구하기 때문에, 구해진 값을 마스크 성능을 평가하는 여러 가지 자료로 활용할 수가 있다. 예를 들어, 마스크의 품질을 평가하거나, 마스크 면에서의 영역별 CD값을 매핑(mapping)하거나, 평균 CD값 또는 CD값의 산포를 추출하거나, CD값의 최대-최소 관리 등에 활용할 수 있다.According to the present invention, the CD value of the actual mask pattern 30, that is, the reference numerals "e" and "f" in Fig. 3 are directly obtained and then compared with the CD of the design pattern 40. Therefore, since the CD value of the actual pattern is directly obtained, the obtained value can be used as various data for evaluating mask performance. For example, the quality of the mask may be evaluated, the CD values of respective regions on the mask surface may be mapped, the average CD value or the distribution of the CD values may be extracted, the maximum and minimum management of the CD values, and the like.

상술한 본 발명에 의한 포토마스크 검사 방법에 따르면, 마스크의 결함검사와 CD값의 측정을 동시에 진행할 수 있으며, 종래의 디자인 패턴과의 평균 CD값의 차이만을 구하던 방법과는 달리 실제 패턴의 CD값을 직접 추출할 수 있다. 이렇게 추출된 CD값은 마스크 패턴의 CD 균일도가 중요한 요건으로 대두되고 있는 고밀도 반도체 제품의 제조에 매우 유용한 자료로 활용할 수 있다.According to the photomask inspection method according to the present invention, the defect inspection of the mask and the measurement of the CD value can be performed at the same time, unlike the method of obtaining only the difference of the average CD value from the conventional design pattern, the CD value of the actual pattern Can be extracted directly. The extracted CD value can be used as a very useful material for the manufacture of high density semiconductor products in which the CD uniformity of the mask pattern is an important requirement.

Claims

Databaseting the data of the design pattern;

Coordinating the data and simultaneously performing data processing for mask defect inspection;

Forming a pattern on a photomask using the data;

Measuring a critical dimension (CD) of the patterned photomask;

Determining whether the amount of change in the threshold is within an allowable value;

Performing mask defect inspection when the amount of change in the threshold is within an allowable value; And

And if the defect does not occur in the photomask, cleaning the photomask and releasing the photomask, and determining whether the photomask can be corrected when a defect occurs in the photomask.

According to claim 1, Wherein the position to measure the critical dimension (CD) of the photomask,

A method of dividing the database into different substrates or separate patterns by dividing the pattern in which the critical dimension (CD) is measured and the pattern not measured in the design pattern (database),

In addition to a database for design patterns, a method of additionally providing a database for a critical dimension (CD) measurement pattern or a critical dimension (CD) measurement point,

How to specify a CD measurement point as a coordinate value based on a design pattern,

How to set a critical dimension (CD) measurement area or positions directly on the mask image when inspected at the facility, and

In the inspection, the information on the critical dimension (CD) measurement position is determined by using a file having coordinated values or by using one of the methods of directly typing the coordinate values. Photomask inspection method.

The method of claim 1, wherein the photomask is any one of a phase inversion mask and a BIN.