KR20010002740A - Apparatus having memory for simplifing data interface - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 메모리를 내장한 장치에 관한 것으로, 특히, 메모리로 입력되는 데이터의 인터페이스를 간단히 하는 메로리를 내장한 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a device with a built-in memory, and more particularly, to a device with a built-in memory to simplify the interface of data input to the memory.
이하, 종래 기술에 따른 메모리를 내장한 장치를 첨부한 도면을 참조하여 다음과 같이 설명한다.Hereinafter, a device incorporating a memory according to the prior art will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 종래 기술에 따른 메모리 를 내장한 장치에서 메모리의 데이터 인터페이스를 설명하기 위한 개략적인 블록도로서, 로직 회로부(10), BIST(Built-in Self Test) 회로부(12), 선택기(18) 및 메모리(20)를 포함하여 구성되는 메모리를 내장한 장치(22)와, 외부 테스트 데이터 발생부(14) 및 모드 제어부(16)가 도시되어 있다.1 is a schematic block diagram illustrating a data interface of a memory in a device having a memory according to the related art, including a logic circuit 10, a built-in self test (BIST) circuit 12, and a selector 18. And a device 22 incorporating a memory including a memory 20, an external test data generator 14, and a mode controller 16 are shown.
도 1을 참조하면, 로직 회로부(10)는 메모리(20)와 병합되어 메모리(20)를 제어하고, 메모리(20)의 기입/독출 동작을 제어하는 블록이다. 여기서, LDIN0~LDINn은 로직 회로부(10)에서 발생되는 n비트의 기입 데이터를 나타낸다. BIST 회로부(12)는 메모리를 내장한 장치(22)가 테스트 모드일 때, 메모리를 내장한 장치(22) 스스로 n비트(BDIN0~BDINn)의 테스트 데이터를 발생하도록 하는 블록이다. 즉, BIST 회로부(12)는 도 1에 도시된 바와 같이, 메모리를 내장한 장치(22) 내부에 포함되는 블록으로, 메모리 장치를 테스트할 경우 메모리를 내장한 장치(22) 내부에서 테스트 데이터를 발생할 수 있도록 한다. 반면, 외부 테스트 데이터 발생부(14)는 메모리를 내장한 장치의 외부에서 액세스되며 일반적으로 메모리를 내장한 장치(22)를 테스트하는 테스트 장비를 일컫는다. 모드 제어부(16)는 메모리를 내장한 장치(22)의 모드를 제어하기 위한 제1 및 제2선택신호(SEL1 및 SEL2)를 발생한다. 선택기(18)는 로직 회로부(10), BIST 회로부(12) 및 외부 테스트 데이터 발생부(16)에서 각각 발생되는 n비트의 데이터를 받아들이고, 제1선택신호(SEL1) 및 제2제어신호(SEL2)에 응답하여, 선택적으로 출력한다. 여기서, 제1 및 제2선택신호(SEL1 및 SEL2)는 메모리를 내장한 장치(22)가 정상모드인가 또는 테스트 모드인가를 알려주는 신호이다.Referring to FIG. 1, the logic circuit unit 10 is a block that is merged with the memory 20 to control the memory 20 and controls a write / read operation of the memory 20. Here, LDIN0 to LDINn represent n-bit write data generated in the logic circuit section 10. The BIST circuit unit 12 is a block for generating the test data of n bits (BDIN0 to BDINn) by the device incorporating the memory 22 when the device incorporating the memory 22 is in the test mode. That is, as shown in FIG. 1, the BIST circuit unit 12 is a block included in the device 22 having a built-in memory. When the memory device is tested, the BIST circuit unit 12 stores test data in the device 22 having the built-in memory. Allow it to occur. On the other hand, the external test data generator 14 refers to test equipment that is accessed from the outside of the device having the memory and generally tests the device 22 having the memory. The mode control unit 16 generates the first and second selection signals SEL1 and SEL2 for controlling the mode of the device 22 incorporating a memory. The selector 18 receives n bits of data generated from the logic circuit unit 10, the BIST circuit unit 12, and the external test data generator 16, respectively, and selects the first selection signal SEL1 and the second control signal SEL2. In response to the Here, the first and second selection signals SEL1 and SEL2 are signals indicating whether the device 22 incorporating the memory is in the normal mode or the test mode.
예컨대, 제1제어신호(SEL1)가 "고"논리 레벨이면 메모리를 내장한 장치는 정상모드로서, 선택기(18)는 로직 회로부(10)에서 발생되는 n비트의 데이터(LDIN0~n)를 선택하여 메모리(20)로 출력한다. 반면, 제1제어신호(SEL1)가 "저"논리레벨이면 메모리를 내장한 장치(22)는 테스트 모드가 된다. 이때, 제2제어신호(SEL2)가 "고"논리레벨이면 메모리를 내장한 장치(22)는 외부의 테스트 장비즉, 외부 테스트 데이터 발생부(16)에서 발생하는 n비트의 데이터(MIDN0~n)를 선택하여 메모리(20)로 출력한다. 반면, 제2제어신호(SEL2)가 "저"논리레벨이면 선택기(18)는 BIST 회로부(12)에서 발생되는 n비트의 데이터(BDIN0~n)를 선택하여 출력한다.For example, when the first control signal SEL1 is at the "high" logic level, the device incorporating the memory is a normal mode, and the selector 18 selects n bits of data LDIN0 to n generated by the logic circuit unit 10. Output to the memory 20. On the other hand, when the first control signal SEL1 is at the "low" logic level, the device 22 incorporating the memory enters the test mode. At this time, when the second control signal SEL2 is at the "high" logic level, the device 22 incorporating the memory is n-bit data MIDN0 to n generated by the external test equipment, that is, the external test data generator 16. ) Is output to the memory 20. On the other hand, when the second control signal SEL2 is at the "low" logic level, the selector 18 selects and outputs n bits of data BDIN0 to n generated by the BIST circuit unit 12.
이상에서와 같은 종래 기술에 따른 메모리를 내장한 장치의 경우, 비트수가 증가할 수록 선택기의 크기가 증가되며, BIST 회로(12)에서 출력되는 비트수도 커지므로 BIST 회로(12)가 커지게 된다. 결국, 메모리를 내장한 장치의 전체 칩의 면적이 커지게 되며 이로인한 동작 속도 또한 감소된다는 문제점이 발생한다.In the case of a device incorporating a memory according to the related art as described above, as the number of bits increases, the size of the selector increases, and the number of bits output from the BIST circuit 12 also increases, thereby increasing the BIST circuit 12. As a result, a problem arises in that the area of the entire chip of the device incorporating the memory becomes large, thereby reducing the operation speed.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 메모리의 데이터 인터페이스를 간단히 함으로써, 회로구성이 간단해지고 칩의 크기를 줄일 수 있는 데이터 인터페이스가 간단한 메모리를 내장한 장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide an apparatus in which a memory having a simple data interface capable of simplifying a circuit configuration and reducing a chip size by simplifying a data interface of a memory.
도 1은 종래 기술에 따른 메모리 를 내장한 장치에서 메모리의 데이터 인터페이스를 설명하기 위한 개략적인 블록도이다.1 is a schematic block diagram illustrating a data interface of a memory in a device having a memory according to the related art.
도 2는 본 발명에 따른 데이터 인터페이스가 간단한 메모리를 내장한 장치의 일실시예를 보이는 도면이다.2 is a diagram illustrating an embodiment of a device having a simple data interface according to the present invention.
도 3은 도 2에 도시된 본 발명에 의한 데이터 인터페이스(110)를 상세히 나타내는 회로도이다.3 is a circuit diagram showing in detail the data interface 110 according to the present invention shown in FIG.
상기 과제를 이루기 위해, 본 발명에 의한 데이터 인터페이스를 간단히 하는 메모리를 내장한 장치는 데이터를 저장하는 메모리, 1비트의 테스트 데이터를 발생하는 BIST 회로부, 상기 메모리의 기입/독출 동작을 제어하고, 상기 메모리에 기입할 n비트의 기입 데이터를 발생하는 로직 회로부 및 제1 및 제2선택신호에 응답하여, 상기 BIST 회로부에서 발생하는 1비트의 내부 테스트 데이터를 받아들여 n회 쉬프트하여 n비트의 내부 테스트 데이터를 발생하거나, 또는 상기 로직 회로부에서 발생되는 n비트의 기입 데이터를 받아들여 상기 메모리로 전달하거나 또는 외부로 부터 n비트의 외부 테스트 데이터를 받아들여 상기 메모리로 전달하는 데이터 인터페이스를 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a device having a memory for simplifying the data interface according to the present invention includes a memory for storing data, a BIST circuit portion for generating 1-bit test data, and a write / read operation of the memory. In response to the logic circuit portion generating n-bit write data to be written to the memory and the first and second selection signals, the 1-bit internal test data generated by the BIST circuit portion is received and shifted n times to perform n-bit internal test. And a data interface for generating data, receiving n-bit write data generated by the logic circuit unit, and transferring the received data to the memory, or receiving n-bit external test data from the outside and transferring the data to the memory. It is done.
이하, 본 발명에 따른 데이터 인터페이스가 간단한 메모리를 내장한 장치의 구성과 그의 데이터 인터페이스 동작을 첨부한 도면들을 참조하여 다음과 같이 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a configuration of a device having a simple data interface incorporating a memory and its data interface operation according to the present invention will be described.
도 2는 본 발명에 따른 데이터 인터페이스가 간단한 메모리를 내장한 장치의 일실시예를 보이는 도면이다. 도 2에 도시된 장치는 본 발명에 따른 메모리를 내장한 장치(118)와, 모드 제어부(104) 및 외부 테스트 데이터 발생부(106)를 포함하여 도시되어 있다. 여기서, 본 발명에 따른 메모리를 내장한 장치는 로직 회로부(100), BIST 회로부(102), 데이터 인터페이스(110) 및 메모리(108)를 포함하여 구성된다. 또한, 데이터 인터페이스(110)는 제1 내지 제n인터페이스(112~116)들을 포함하여 구성된다.2 is a diagram illustrating an embodiment of a device having a simple data interface according to the present invention. The apparatus shown in FIG. 2 is shown including a device 118 incorporating a memory according to the present invention, a mode controller 104 and an external test data generator 106. Here, the device incorporating a memory according to the present invention includes a logic circuit unit 100, a BIST circuit unit 102, a data interface 110, and a memory 108. In addition, the data interface 110 includes first to n th interfaces 112 to 116.
도 2에 도시된 로직 회로부(100), 모드 제어부(104) 및 외부 테스트 데이터 발생부(106)에 대한 설명은 도 1에 도시된 로직 회로부(10), 모드 제어부(16) 및 외부 테스트 데이터 발생부(14) 각각과 그 동작이 동일하므로 여기서는 그 설명을 생략한다.The description of the logic circuit unit 100, the mode control unit 104, and the external test data generation unit 106 illustrated in FIG. 2 is described with reference to the logic circuit unit 10, the mode control unit 16 and the external test data generation illustrated in FIG. 1. Since the operations of each section 14 are the same, the description thereof is omitted here.
도 2에 도시된 BIST 회로부(102)는 내부 테스트 데이터를 발생하는 블록으로, 종래에는 n비트의 내부 테스트 데이터를 발생하였으나, 본 발명에서는 1비트의 테스트 데이터만을 발생한다.The BIST circuit unit 102 shown in FIG. 2 is a block for generating internal test data. In the past, the BIST circuit unit 102 generates n-bit internal test data. However, in the present invention, only one bit of test data is generated.
데이터 인터페이스(110)는 제1 및 제2선택신호(SEL1 및 SEL2)에 응답하여, BIST 회로부(102)에서 발생하는 1비트의 내부 테스트 데이터(BDIN)를 받아들여 n회 쉬프트하고, 각각 쉬프트된 데이터를 n비트의 내부 테스트 데이터로서 발생하며 발생된 n비트 내부 테스트 데이터를 메모리로 전달한다. 또한, 제1 및 제2선택신호(SEL1 및 SEL2)에 응답하여, 로직 회로부(100)에서 발생되는 n비트의 기입 데이터(LDIN0~n)를 받아들여 메모리로 전달하거나, 또는 외부로 부터 n비트의 외부 테스트 데이터를 받아들여 메모리로 전달한다. 메모리(108)는 제1 및 제2선택신호(SEL1 및 SEL2)에 응답하여 데이터 인터페이스(110)에서 발생되는 n비트의 데이터(DIN0~n)를 저장한다.In response to the first and second selection signals SEL1 and SEL2, the data interface 110 receives one-bit internal test data BDIN generated by the BIST circuit unit 102 and shifts n times, respectively, The data is generated as n bits of internal test data and the generated n bits of internal test data are transferred to the memory. In addition, in response to the first and second selection signals SEL1 and SEL2, the n-bit write data LDIN0 to n generated by the logic circuit unit 100 are received and transferred to the memory, or n-bit from the outside. Accept external test data from and pass it to memory. The memory 108 stores n bits of data DIN0 to n generated in the data interface 110 in response to the first and second selection signals SEL1 and SEL2.
좀 더 상세히, 데이터 인터페이스(110)는 제1 내지 제n인터페이스들(112~116)로 이루어지며, 이들간에는 쉬프터들이 직렬연결되어 1비트의 내부 테스트 데이터(BDIN)를 받아들여 n회 쉬프트를 시켜 n비트의 내부 테스트 데이터를 발생하도록 한다. 이처럼, 본 발명에 의한 메모리를 내장한 장치의 경우, 메모리와 인터페이스하는 비트수가 커지더라도, BIST 회로부(102)는 1비트의 테스트 데이터만을 발생하면 되므로 n비트의 내부 테스트 데이터를 발생하던 종래의 BIST 회로부와 대비하여 회로의 크기를 크게 줄일 수 있게된다.In more detail, the data interface 110 is composed of the first to n th interfaces 112 to 116, and the shifters are connected in series to receive 1-bit internal test data BDIN and perform n shifts. Generates n bits of internal test data. As described above, in the case of the device incorporating the memory according to the present invention, even if the number of bits for interfacing with the memory increases, the BIST circuit unit 102 only needs to generate one bit of test data, and thus the conventional BIST generates n bits of internal test data. Compared with the circuit part, the size of the circuit can be greatly reduced.
도 3은 도 2에 도시된 본 발명에 의한 데이터 인터페이스(110)를 상세히 나타내는 회로도이다. 본 발명에 의한 데이터 인터페이스(110)는 n개의 인터페이스들로 이루어지며, n개의 인터페이스들 각각은 제1선택기(128, 138), 플립플롭(126, 136), 제2선택기(124, 234) 및 버퍼(122 및 132)를 포함하여 구성된다. 도 3에서는 제1 및 제2인터페이스(120 및 130)를 보인다.3 is a circuit diagram showing in detail the data interface 110 according to the present invention shown in FIG. Data interface 110 according to the present invention is composed of n interfaces, each of the n interface is a first selector (128, 138), flip-flop (126, 136), a second selector (124, 234) and And buffers 122 and 132. 3 shows the first and second interfaces 120 and 130.
먼저, 도 3에 도시된 제1인터페이스(120)의 제1선택기(128)는 1비트의 내부 테스트 데이터(BDIN)와 n비트의 외부 테스트 데이터(MDIN0~n)중 최하위 비트(BDIN0)를 입력하고, 제1선택신호(SEL1)에 응답하여, 입력된 데이터중 하나의 데이터를 선택하여 출력한다. 플립플롭(126)은 클럭신호에 응답하여 제1선택기(128)로부터 발생되는 데이터를 쉬프트하여 출력한다. 제2선택기(124)는 플립플롭(126)에서 발생된 데이터와 로직 회로부(100)에서 발생되는 n비트 기입 데이터(LDIN0~n)중 최하위 비트(LDIN0)를 입력하고, 제2선택신호(SEL2)에 응답하여, 입력된 데이터중 하나의 데이터를 선택하여 출력한다. 버퍼(122)는 제2선택기(124)에서 출력되는 데이터를 버퍼링하고, 버퍼링된 데이터가 메모리(108)에 기입되도록 데이터(DIN0)를 발생한다.First, the first selector 128 of the first interface 120 shown in FIG. 3 inputs the least significant bit BDIN0 of one bit of internal test data BDIN and n bits of external test data MDIN0 to n. In response to the first selection signal SEL1, one data of the input data is selected and output. The flip-flop 126 shifts and outputs data generated from the first selector 128 in response to the clock signal. The second selector 124 inputs the least significant bit LDIN0 among the data generated by the flip-flop 126 and the n-bit write data LDIN0 to n generated by the logic circuit unit 100, and the second select signal SEL2. In response to), one of the input data is selected and output. The buffer 122 buffers the data output from the second selector 124 and generates data DIN0 so that the buffered data is written to the memory 108.
또한, 도 3에 도시된 제2인터페이스(130)의 제1선택기(138)는 플립플롭(126)에서 발생되는 데이터와 n비트의 외부 테스트 데이터(MDIN0~n)중 2번째 비트(BDIN1)를 입력하고, 제1선택신호(SEL1)에 응답하여, 입력된 데이터중 하나의 데이터를 선택하여 출력한다. 플립플롭(136)은 클럭신호(CK)에 응답하여 제1선택기(138)로부터 발생되는 데이터를 쉬프트하여 제2선택기(134)와 도시하지는 않았지만 제3인터페이스의 제1선택기로 각각 출력한다. 제2선택기(134)는 플립플롭(136)에서 발생된 데이터와 로직 회로부(100)에서 발생되는 n비트 기입 데이터(LDIN0~n)중 2번째 비트(LDIN1)를 입력하고, 제2선택신호(SEL2)에 응답하여, 입력된 데이터중 하나의 데이터를 선택하여 출력한다. 버퍼(132)는 제2선택기(134)에서 출력되는 데이터를 버퍼링하고, 버퍼링된 데이터가 메모리(108)에 기입되도록 기입 데이터(DIN1)를 발생한다.In addition, the first selector 138 of the second interface 130 shown in FIG. 3 selects the second bit BDIN1 of the data generated from the flip-flop 126 and the n-bit external test data MDIN0 to n. In response to the first selection signal SEL1, one data of the input data is selected and output. The flip-flop 136 shifts the data generated from the first selector 138 in response to the clock signal CK and outputs the second selector 134 to the first selector of the third interface although not shown. The second selector 134 inputs the second bit LDIN1 of the data generated by the flip-flop 136 and the n-bit write data LDIN0 to n generated by the logic circuit unit 100, and the second select signal ( In response to SEL2), one of the input data is selected and output. The buffer 132 buffers the data output from the second selector 134 and generates write data DIN1 so that the buffered data is written to the memory 108.
도 3에 모두 도시되지는 않았지만 이상에서와 같이 도 2에 도시된 제1 내지 제n인터페이스(112~116)들이 직렬연결되며, 플립플롭(126 및 136)들에 의해 1비트의 내부 테스트 데이터(BDIN)가 쉬프트되어 n비트의 내부 테스트 데이터를 생성할 수 있게 된다.Although not shown in FIG. 3, as described above, the first to n th interfaces 112 to 116 illustrated in FIG. 2 are connected in series, and the 1-bit internal test data (1) is flipped by the flip-flops 126 and 136. BDIN) is shifted to generate n bits of internal test data.
결국, 전술되었듯이 본 발명에 의한 메모리를 내장한 장치의 경우, BIST 회로의 크기를 줄일 수 있으며, 도 3에서 도시된 바와 같이 정상 동작 즉, 로직 회로부(100)에서 발생되는 n비트의 기입 데이터(LDIN0~n)를 메모리(108)에 기입시 데이터 전달 패스(path)가 종래와 대비하여 단축되며, 이는 고주파수 동작에서 부족하기 쉬운 메모리 버퍼의 셋업 마진(set-up margin)을 확보하고 고속 동작에 유리하다.As a result, as described above, in the case of the device having the memory according to the present invention, the size of the BIST circuit can be reduced, and as shown in FIG. 3, the normal operation, that is, the n-bit write data generated in the logic circuit unit 100, is illustrated. When (LDIN0 to n) is written to the memory 108, the data transfer path is shortened as compared with the conventional one, which secures a set-up margin of the memory buffer which is likely to be insufficient in high frequency operation and operates at high speed It is advantageous to
상술한 바와 같이, 본 발명에 의한 데이터 인터페이스를 간단히 하는 메모리를 내장한 장치는 1비트의 내부 테스트 데이터를 쉬프트하여 n비트 내부 테스트 데이터를 생성하므로 회로의 크기가 종래와 대비하여 크게 줄어들며, 정상 동작시 로직 회로부에서 발생된 데이터가 메모리로 전달되는 패스가 단축되어 고속 동작에 유리하다는 장점이 있다.As described above, since the device having a built-in memory for simplifying the data interface according to the present invention generates n-bit internal test data by shifting internal test data of 1 bit, the size of the circuit is greatly reduced as compared with the prior art, and it operates normally. The path from which data generated at the time logic circuit part is transferred to the memory is shortened, which is advantageous in high speed operation.
Claims (3)
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