KR20000074123A - connecting unit for reliability test of semiconductor device test equipment and method for calibrating signal skew and jitter - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A connection unit used for a reliability test of a semiconductor device test apparatus is provided to improve reliability regarding a package level test of the semiconductor device, by simply supplying a connection unit and by providing a signal skew and a jitter signal. CONSTITUTION: A connection unit used for a reliability test comprises an insulating pad(106), a plurality of input leads(102,108,112,116), a plurality of output leads(104,110,114,118) and low resistance connection lines(105,120,122,124). The plurality of input leads are separated a predetermined interval from each other to receive signals supplied from drivers in a semiconductor device test apparatus through output pins of the apparatus. The plurality of output leads output the supplied signals to comparators of the apparatus through input pins, disposed on the insulating pad while corresponding to the plurality of input leads. The low resistance connection lines connect the corresponding input and output leads.

Description

반도체 소자 테스트 장치의 신뢰성 테스트에 적용되는 연결유닛과 신호스큐 및 지터 측정방법 {connecting unit for reliability test of semiconductor device test equipment and method for calibrating signal skew and jitter}Connecting unit for reliability test of semiconductor device test equipment and method for calibrating signal skew and jitter}

본 발명은 반도체 소자의 패키지 레벨 테스트에 대한 신뢰성을 개선하기 위하여 반도체 소자 테스트 장치의 신뢰성을 검증할 수 있는 연결유닛의 구조와, 테스트 장치의 신뢰성 테스트를 위한 신호스큐 및 지터 측정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a structure of a connection unit that can verify the reliability of a semiconductor device test apparatus in order to improve the reliability of a package level test of a semiconductor device, and a signal skew and jitter measuring method for a reliability test of the test apparatus.

일반적으로, 반도체 메모리 또는 비메모리 제품등과 같은 반도체 소자의 각종 특성을 패키지 상태에서 테스트하는 패키지 레벨 테스트는 DC파라메타 검사 및 다이나믹 기능 검사를 포함한다. 여기서, DC파라메타 검사에는 개방 및 단락 유무검사, 핀의 누설전류 검사, 전류 검사등이 있고, 다이나믹 기능 검사에는 소자의 동작기능검사가 있다. 이러한 패키기 레벨 테스트는 웨이퍼 레벨 테스트와는 달리 패키지 상태에서 수행되기 때문에 반도체 소자의 패키지 외부에 돌출된 핀들을 통해 각종 신호들이 입출력 된다. 그러한 반도체 소자의 패키지 레벨 테스트에 대한 신뢰성은 반도체 소자의 각종 특성을 패키지 상태에서 테스트하는 반도체 소자 테스트 장치의 정확도에 의존된다. 테스트 장치의 동작이 항상 안정한 상태로 되고 분해능이 우수할 경우에 그 만큼 소자 테스트 결과 데이터의 신뢰성은 향상될 것임은 당연하다.In general, package level tests for testing various characteristics of semiconductor devices such as semiconductor memory or non-memory products in a package state include DC parameter inspection and dynamic function inspection. Here, DC parameter inspection includes open and short circuit inspection, pin leakage current inspection, and current inspection, and dynamic function inspection includes device functional inspection. Unlike the wafer level test, the package level test is performed in a packaged state, and thus, various signals are inputted and outputted through pins protruding outside the package of the semiconductor device. The reliability of the package level test of such a semiconductor device depends on the accuracy of the semiconductor device test apparatus for testing various characteristics of the semiconductor device in a packaged state. It is a matter of course that the reliability of the device test result data will be improved if the test apparatus is always in a stable state and the resolution is excellent.

따라서, 반도체 제조메이커에서 공정을 관리하고자 하는 경우에 관리대상의 공정 변수를 설정하는 작업 이외에도, 이를 계측할 수 있는 툴(tool) 및 설정된 변수들의 물리적 변동에 대한 계량화 작업등이 필요하게 된다. 통상적인 패키지 레벨 테스트시 테스트를 위한 소오스(source)신호는 반도체 소자 테스트 장치내의 드라이버(driver)에서 출력되어 전송라인을 경유한 후 테스트할 반도체 소자의 핀에 인가된다. 그리고, 반도체 소자에서 출력되는 테스트 결과를 나타내는 신호는 다시 또 다른 전송라인을 경유하여 상기 테스트 장치내의 비교기로 입력된다.Therefore, when a process is to be managed by a semiconductor manufacturing manufacturer, in addition to setting process variables to be managed, tools for measuring the measurement and quantification of physical variations of the set variables are required. In a typical package level test, a source signal for testing is output from a driver in a semiconductor device test apparatus and applied to a pin of a semiconductor device to be tested after passing through a transmission line. The signal indicating the test result output from the semiconductor device is again input to a comparator in the test apparatus via another transmission line.

상기한 전송경로를 통해 신호가 전송될 경우에 상기 신호는 내외적인 결함환경에 노출되는데, 그러한 결함환경에 기인하여 신호의 레벨변화를 야기하는 요소가 바로 노이즈이다. 패키지 레벨 테스트시에 노이즈를 유발하는 요인으로는 데이터 클럭패턴, 릴레이등에 의한 전도성 스위칭, 그라운드 바운싱, 전송라인의 누화(크로스 토크)현상, 임피던스 불일치에 따른 반사, 전자파 간섭, 그리고 환경적인 온,습도등이 있다. 상기한 요인들로 부터 영향을 받아 상기 테스트 장치내의 드라이버와 비교기가 안정적으로 동작하지 못하고 그 오차허용 범위를 벗어날 경우에 반도체 소자에 대한 테스트는 신뢰성이 없게 된다. 즉, 노이즈에 필연적으로 영향을 받게 되는 테스트 장치내의 드라이버와 비교기가 안정적으로 동작하지 못할 경우에는 기대치의 신호 전압레벨과 딜레이 타임을 만족시키지 못하고 도 1에 도시된 바와 같은 지터현상 및 신호지연을 보다 심하게 나타낼 수 있다.When a signal is transmitted through the transmission path, the signal is exposed to an internal and external defect environment. The noise causing the level change of the signal due to the defect environment is noise. Factors that cause noise during package level testing include conductive switching by data clock patterns, relays, ground bounce, crosstalk of transmission lines, reflections from impedance mismatches, electromagnetic interference, and environmental temperature and humidity. Etc. Influenced by the above factors, the test of the semiconductor device becomes unreliable when the driver and the comparator in the test apparatus do not operate stably and fall outside the error tolerance range. In other words, when the driver and the comparator in the test apparatus, which are inevitably affected by noise, cannot operate stably, the jitter phenomenon and signal delay as shown in FIG. 1 are not satisfied without satisfying the expected signal voltage level and delay time. It can be severe.

도 1은 통상적인 반도체 소자 테스트 장치에서의 입출력 신호 스큐 및 지터를 설명하기 위한 신호파형도이다. 도면을 참조하면, 가로축을 시간(t)으로 나타내고 세로축을 전압(V)로 나타내었을 경우에, 파형 A는 상기 드라이버의 출력 파형이고, 파형 B1이나 Bn은 서로 다른 시각에서 받을 수 있는 상기 비교기의 입력 파형이 된다. 여기서, 전체적인 신호 타임 딜레이(tPD)는, 변화폭 J1을 가지는 지터의 영향에 의해 측정시마다 측정값이 달라짐을 알 수 있다. 테스트 장치가 상기 지터의 영향을 심하게 받을 경우에 얻어지는 테스트 결과 신호는 측정 시각별로 많은 편차를 보이게 되며 그 결과는 신뢰를 하기 어렵게 된다.1 is a signal waveform diagram for explaining input and output signal skew and jitter in a conventional semiconductor device test apparatus. Referring to the drawings, when the horizontal axis is represented by time (t) and the vertical axis is represented by voltage (V), waveform A is an output waveform of the driver, and waveforms B1 and Bn are obtained from different comparators. It becomes an input waveform. Here, it can be seen that the overall signal time delay tPD varies the measured value every measurement due to the influence of jitter having the change width J1. The test result signal obtained when the test apparatus is severely affected by the jitter shows a large variation in measurement time, and the result is difficult to be trusted.

물론, 신호 스펙트럼 아날라이저등의 고가의 계측장비를 테스트 장치로서 이용하는 방법도 알려져 있으나 이는 패키지 레벨의 테스트 효율이 저하되어 반도체 제품의 양산측면에서 바람직하지 못하며, 설치와 계측등의 작업의 어려움과 운용 유지보수에 어려움이 수반된다. 따라서, 종래에는 상대적으로 저가인 상기 테스트 장치를 이용하여 반도체 소자의 패키지 레벨 테스트를 행하여 왔는데, 테스트 데이터의 신뢰성 유지를 위해 상기 테스트 장치의 신뢰성 검증이 빈번히 요구되는 실정이었다. 그러한, 테스트 장치의 정확도를 판정하기 위해서는 입출력되는 신호의 딜레이 편차를 검출하는 것이 중요한데, 통상적인 테스터 장치내의 드라이버와 비교기는 회로적으로 단절되어 있어 딜레이 편차의 검출이 어렵다. 또한, 테스트 장치의 구조나 기능상 실시간 측정이 힘들며, 테스트하고자 하는 반도체 소자를 연결한 상태에서의 신호측정은 소자 특성이 인가된 것이기 때문에 테스터 자체의 이상유무를 검출하는 것은 매우 어려웠다.Of course, a method of using expensive measurement equipment such as a signal spectrum analyzer as a test apparatus is also known, but this is not preferable in terms of mass production of semiconductor products due to a decrease in test efficiency at the package level. It is difficult to repair. Therefore, a package level test of a semiconductor device has been conventionally performed using the test device, which is relatively inexpensive. In order to maintain the reliability of test data, verification of the reliability of the test device is frequently required. In order to determine the accuracy of such a test apparatus, it is important to detect the delay variation of the input / output signal. However, the driver and the comparator in a typical tester apparatus are disconnected in circuit, so that it is difficult to detect the delay variation. In addition, the real-time measurement of the test apparatus is difficult due to the structure and function of the test apparatus, and the signal measurement in the state in which the semiconductor device to be connected is connected is difficult to detect an abnormality of the tester itself.

상술한 바와 같이, 종래에는 반도체 소자 테스트 장치의 정확도 검증이 어려웠으므로 테스트 장치의 신뢰성이 저하되는 문제점과 패키지 레벨 테스트에 대한 신뢰성이 저하되는 단점이 있어왔다.As described above, in the related art, it is difficult to verify the accuracy of the semiconductor device test apparatus, and thus there are disadvantages in that the reliability of the test apparatus is lowered and the reliability of the package level test is lowered.

따라서, 본 발명의 목적은 반도체 소자의 패키지 레벨 테스트에 대한 신뢰성을 개선하기 위하여 반도체 소자 테스트 장치의 신뢰성 테스트에 적용되는 연결유닛을 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a connection unit applied to the reliability test of the semiconductor device test apparatus in order to improve the reliability of the package level test of the semiconductor device.

본 발명의 다른 목적은 반도체 소자 테스트 장치의 신뢰성 테스트를 위한 신호 스큐 및 지터 측정방법을 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a signal skew and jitter measuring method for a reliability test of a semiconductor device test apparatus.

상기한 목적들 및 타의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따라, 반도체 소자 테스트 장치의 신뢰성 테스트에 적용되는 연결유닛의 구조는, 절연 패드; 상기 반도체 소자 테스트 장치내의 드라이버들로부터 제공되는 신호들을 상기 장치의 출력핀들을 통해 각기 받기 위하여 상기 절연 패드상에 소정의 간격으로 배열된 다수의 입력 리드; 상기 다수의 입력 리드에 대응하여 상기 절연 패드상에 배치되며 상기 제공된 신호들을 상기 장치의 입력핀들을 통해 상기 반도체 소자 테스트 장치의 비교기들로 각기 출력하는 다수의 출력 리드; 및 서로 대응되는 상기 입출력 리드간을 서로 연결하기 위한 저저항 연결선을 구비함을 특징으로 한다.According to the present invention for achieving the above objects and other objects, the structure of the connection unit applied to the reliability test of the semiconductor device test apparatus, the insulating pad; A plurality of input leads arranged at predetermined intervals on the insulating pad to receive signals from drivers in the semiconductor device test device, respectively, through the output pins of the device; A plurality of output leads disposed on the insulation pads corresponding to the plurality of input leads and outputting the provided signals to the comparators of the semiconductor device test device through the input pins of the device, respectively; And a low resistance connecting line for connecting the input / output leads corresponding to each other.

또한, 반도체 소자 테스트 장치의 신뢰성 테스트를 위한 신호 스큐 및 지터 측정방법은, 상기 반도체 소자 테스트 장치내의 드라이버와 비교기간을 단락시키는 기능을 행하는 연결유닛을 연결하여, 전체적인 신호 타임 딜레이를 시간별로 측정하고 다수의 비교기들의 입력끼리도 비교분석을 행함에 의해 신호 스큐 및 지터의 범위를 판정하는 것을 특징으로 한다.In addition, the signal skew and jitter measuring method for the reliability test of the semiconductor device test device, by connecting a connection unit that performs a function of shorting the comparison period with the driver in the semiconductor device test device, and measures the overall signal time delay by time Inputs of a plurality of comparators are also characterized by determining the range of signal skew and jitter by performing comparative analysis.

도 1은 통상적인 반도체 소자 테스트 장치에서의 입출력 신호 스큐 및 지터를 설명하기 위한 신호파형도1 is a signal waveform diagram for explaining input and output signal skew and jitter in a conventional semiconductor device test apparatus.

도 2는 통상적인 반도체 소자 테스트 장치내의 일부를 보인 개략 구성 및 본 발명의 실시예에 따른 연결유닛의 구성을 함께 보인 배치구조도Figure 2 is a schematic diagram showing a part of the structure of the conventional semiconductor device test apparatus and an arrangement structure showing the configuration of the connection unit according to an embodiment of the present invention together

도 3a는 도 2의 연결유닛을 테스트 장치에 연결한 경우의 등가 회로도3A is an equivalent circuit diagram when the connection unit of FIG. 2 is connected to a test apparatus.

도 3b는 도 3a의 각 라인에 나타나는 파형 타이밍도3B is a waveform timing diagram appearing on each line of FIG. 3A.

도 4,5,및 6은 상기 연결유닛을 이용하여 신호 스큐 및 지터를 측정하기 위한 방법 및 결과를 설명하기 위해 제시된 도면들4, 5, and 6 are diagrams for explaining the method and results for measuring signal skew and jitter using the connection unit.

이하에서 본 발명에 따른 반도체 소자의 패키지 레벨 테스트에 대한 신뢰성을 개선하기 위하여 반도체 소자 테스트 장치의 신뢰성 테스트에 사용되는 연결유닛과, 신뢰성 테스트를 위한 신호 스큐 및 지터 측정방법의 바람직한 실시예가 첨부된 도면들을 참조로 상세히 설명된다.In order to improve the reliability of the package level test of the semiconductor device according to the present invention, a connection unit used in the reliability test of the semiconductor device test apparatus, and a preferred embodiment of a signal skew and jitter measuring method for the reliability test is attached. This is explained in detail with reference to.

도 2에는 통상적인 반도체 소자 테스트 장치내의 일부를 보인 개략 구성 및 본 발명의 실시예에 따른 연결유닛의 구성을 함께 보인 구조가 도시된다. 도 2를 참조하면, 반도체 소자 테스트 장치(10)는 소오스 신호를 출력하는 드라이버(52), 주어지는 신호를 받는 비교기(62), 보오드 (60), 핀들을 수용하는 소켓(57), 테스트용 핀(55,56), 및 전송라인(53,59)을 포함한다. 본 발명의 실시예에 따른 연결유닛(100)은 절연 패드(106), 상기 반도체 소자 테스트 장치(10)내의 드라이버(52)들로부터 제공되는 신호들을 상기 장치의 출력핀(55)들을 통해 각기 받기 위하여 상기 절연 패드(106)상에 소정의 간격으로 배열된 다수의 입력 리드(102,108,112,116), 상기 다수의 입력 리드(102,108,112,116)에 대응하여 상기 절연 패드상(106)에 배치되며 상기 제공된 신호들을 입력핀(56)들을 통해 상기 반도체 소자 테스트 장치(10)의 비교기(62)들로 각기 출력하는 다수의 출력 리드(104,110,114,118), 그리고 서로 대응되는 상기 입출력 리드간을 서로 연결하기 위한 다수의 저저항 연결선(105,120,122,124)을 포함한다. 여기서, 상기 다수의 입출력 리드(102,108,112,116,104,110,114,118) 및 저저항 연결선(105,120,122,124)을 덮기 위한 몰딩 보호층(106')을 더 포함할 수 있다. 상기한 연결유닛(100)의 구조는 테스트 하고자 하는 반도체 소자의 패키지의 사이즈 및 외부 핀들의 개수와 상응되게 형성하는 것이 바람직하며, 다수의 저저항 연결선(105,120,122,124)은 데이터 일치를 위해 서로 동일한 길이의 금도금 선을 사용하는 것이 좋다. 서로 대응되지 아니하는 입출력 리드끼리 단락(쇼트;short)되게 하여서는 아니되며, 동질의 리드를 사용한다. 결국, 상기 연결유닛(100)은 테스트 장치의 드라이버(52)와 비교기(62)간의 경로를 직접적으로 단락시키는 기능을 수행한다.2 shows a schematic configuration showing a part of a conventional semiconductor device test apparatus and a structure showing a configuration of a connection unit according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the semiconductor device test apparatus 10 includes a driver 52 for outputting a source signal, a comparator 62 receiving a given signal, a board 60, a socket 57 for receiving pins, and a test pin. 55,56, and transmission lines 53,59. The connection unit 100 according to an embodiment of the present invention receives signals from the insulating pads 106 and the drivers 52 in the semiconductor device test apparatus 10 through the output pins 55 of the device, respectively. In order to correspond to the plurality of input leads (102, 108, 112, 116), the plurality of input leads (102, 108, 112, 116) arranged at predetermined intervals on the insulating pad 106, disposed on the insulating pad 106 and the provided signals are input pins A plurality of output leads 104, 110, 114, and 118, respectively outputting to the comparators 62 of the semiconductor device test apparatus 10 through the plurality of output lines, and a plurality of low resistance connection lines for connecting the input / output leads corresponding to each other ( 105,120,122,124. The molding protection layer 106 ′ may further include the plurality of input / output leads 102, 108, 112, 116, 104, 110, 114, and 118 and the low resistance connection lines 105, 120, 122, and 124. The structure of the connection unit 100 is preferably formed to correspond to the size of the package of the semiconductor device to be tested and the number of external pins, and the plurality of low resistance connection lines 105, 120, 122, 124 of the same length for data matching It is better to use gold-plated wire. Input and output leads that do not correspond to each other are not to be shorted, and the same leads are used. As a result, the connection unit 100 performs a function of directly shorting a path between the driver 52 and the comparator 62 of the test apparatus.

상기한 연결유닛(100)으로써 어떻게 테스트 장치의 동작신뢰성을 테스트하는 가를 이하에서 설명한다. 상기 도 2의 연결유닛(100)을 테스트 장치(10)에 연결한 경우의 등가 회로를 보인 도 3a를 참조하면, 노드 A는 도 2의 드라이버 출력노드 A에 대응되고 노드 B는 도 2의 비교기 입력노드 B에 대응된다. 상기 연결유닛(10)의 연결에 의해, 예를 들어 50Ω으로 임피던스 매칭이 된 경우라고 하면 노드 A의 파형은 시간의 변화에 따라 도 3b의 파형 A와 같이 나타난다. 그리고, 노드 B의 파형은 시간의 변화에 따라 도 3b의 파형 B와 같이 나타난다. 여기서, 도 3b는 도 3a의 각 라인에 나타나는 파형 타이밍도이다. 결국, 도 3b에서 시각 t0 와 시각 t1간의 지연은 전체적인 신호 타임 딜레이(tPD)가 되며, 테스트 장치(10)의 비교기(62)가 신호를 받아 들이는 시점은 시각 t1이 됨을 알 수 있다. 여기서, 상기 시각 t0에서 부터 시각 t1이 경과한 이후 까지 상기 파형 A의 레벨이 1/2 Vs가 되는 것은 임피던스 매칭이 된 상태이기 때문이며, 파형 B의 레벨이 Vs가 되는 것은 비교기의 입력단을 구성하는 연산증폭기가 무한대의 입력 임피던스를 가지기 때문이다. 여기서, 50Ω으로 임피던스를 매칭한 것은 상기 드라이버(52)의 내부저항 R이 50Ω으로 되어 있기 때문이며, 사안이 다를 경우에는 그에 따라 선로저항을 조절하면 된다. 따라서, 연결유닛(100)을 테스트 장치(10)에 연결하여, 전체적인 신호 타임 딜레이(tPD)를 시간별로 측정하고 다수의 비교기들의 입력끼리도 비교분석을 행하면 신호 스큐 및 지터의 범위를 알 수 있게 되어 테스트 장치의 정확도가 검증되어진다.How to test the operation reliability of the test apparatus with the connection unit 100 will be described below. Referring to FIG. 3A, which shows an equivalent circuit when the connection unit 100 of FIG. 2 is connected to the test apparatus 10, the node A corresponds to the driver output node A of FIG. 2 and the node B is the comparator of FIG. 2. Corresponds to input node B. In the case where impedance matching is performed at, for example, 50 mV by the connection of the connection unit 10, the waveform of the node A appears as the waveform A of FIG. 3b according to the change of time. And, the waveform of the node B appears as waveform B of FIG. 3B with the change of time. Here, FIG. 3B is a waveform timing diagram which appears in each line of FIG. 3A. As a result, in FIG. 3B, the delay between the time t0 and the time t1 becomes the overall signal time delay tPD, and the time point at which the comparator 62 of the test apparatus 10 receives the signal becomes the time t1. Here, the reason why the level of the waveform A becomes 1/2 Vs from the time t0 until after the time t1 elapses is because the impedance is matched, and the level of the waveform B becomes Vs constitutes the input terminal of the comparator. This is because the operational amplifier has an infinite input impedance. Here, the impedance is matched to 50 kHz because the internal resistance R of the driver 52 is 50 kHz. If the case is different, the line resistance may be adjusted accordingly. Therefore, by connecting the connection unit 100 to the test apparatus 10, the overall signal time delay (tPD) is measured by time, and the comparison of the inputs of a plurality of comparators can also know the range of signal skew and jitter The accuracy of the test device is verified.

이하에서는 도 4,5 및 6을 참조하여, 시뮬레이션 결과를 설명한다. 상기 도 2와 같은 연결유닛(100)을 이용하여 신호 스큐 및 지터를 측정하기 위한 방법적 개요는 도 4로써 설명될 수 있다. 도면들을 참조하면, 주파수 레이트를 15나노초(nS)로, 신호 파형을 5나노초에서 10나노초의 구간을 가지는 구형파로, 스트로빙 타임을 3에서 8나노초로, 신호 전압의 레벨을 0~3볼트로, 비교기 측정 레벨의 기준레벨을 1.5볼트로, 측정 패턴을 100사이클 마다 독출/체크로 한 경우에 대한 방법적 원리 및 결과 데이터가 보여진다. 따라서, 도 4에서 구간 T1은 스트로빙 구간을 나타낸다. 도 5는 비교기 패스/페일 도트 그림을 보인 것으로서, 드라이버(52)에서 제공되는 신호가 연결유닛(100)을 통과하여 비교기(62)에 도달하는 시점을 나타낸 것이다. 여기서, 부호 K는 바로 상기 신호 타임 딜레이(tPD)를 가리킨다. 도 6은 상기한 측정 결과들을 정량화된 수치로써 나타낸 데이터 출력 리스트이다. 여기서, 단위는 나노초이고, 세로 열에 보여지는 데이터는 테스트 장치내의 다수의 비교기들에 대한 것이고, 가로 열에 보여지는 데이터는 주어진 범위에서의 각 시도횟수에 대한 것이다.Hereinafter, the simulation results will be described with reference to FIGS. 4, 5 and 6. A method outline for measuring signal skew and jitter using the connection unit 100 as shown in FIG. 2 may be described with reference to FIG. 4. Referring to the drawings, the frequency rate is 15 nanoseconds (nS), the signal waveform is a square wave having a range of 5 nanoseconds to 10 nanoseconds, the strobing time is 3 to 8 nanoseconds, and the level of the signal voltage is 0 to 3 volts. The methodology and result data are shown for the case where the reference level of the comparator measurement level is 1.5 volts and the measurement pattern is read / checked every 100 cycles. Therefore, section T1 in FIG. 4 represents a strobing section. FIG. 5 illustrates a comparator pass / fail dot diagram, and illustrates a time point at which a signal provided from the driver 52 passes through the connection unit 100 and reaches the comparator 62. Here, the symbol K denotes the signal time delay tPD. 6 is a data output list showing the above measurement results as quantified numerical values. Here, the unit is nanoseconds, the data shown in the vertical column is for multiple comparators in the test apparatus, and the data shown in the horizontal column is for each trial in a given range.

그러므로, 상기 도 6에서 얻어지는 결과 데이터를 분석하면, 테스트 장치내의 각 드라이버와 비교기의 쌍에 대한 정확도를 알아볼 수 있어 테스트 장치 전체에 대한 신뢰도를 판정할 수 있게 된다.Therefore, if the result data obtained in FIG. 6 is analyzed, the accuracy of each pair of drivers and comparators in the test apparatus can be determined to determine the reliability of the entire test apparatus.

상기한 바와 같이, 본 발명은 도면을 기준으로 예를들어 기술되었지만 이에 한정되지 않으며 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 갖는 자에 의해 다양한 변화와 변경이 가능함은 물론이다.As described above, the present invention has been described by way of example only with reference to the drawings, but is not limited thereto and various changes and modifications by those skilled in the art to which the present invention pertains without departing from the technical spirit of the invention. Of course this is possible.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 반도체 소자 테스트 장치의 신뢰성 테스트에 사용되는 연결유닛을 간단히 제공하고 반도체 소자 테스트 장치의 신뢰성 테스트를 위한 신호 스큐 및 지터 측정방법을 제공하는 것에 의해 반도체 소자의 패키지 레벨 테스트에 대한 신뢰성이 개선되는 효과가 있다. 또한, 반도체 소자의 테스트 효율을 향상시킬 수 있으므로 양산되는 반도체 제품의 코스트 다운이 기대되는 이점을 갖는다.As described above, according to the present invention, a package level of a semiconductor device is provided by simply providing a connection unit used for a reliability test of a semiconductor device test device and providing a signal skew and jitter measuring method for the reliability test of the semiconductor device test device. The reliability of the test is improved. In addition, since the test efficiency of the semiconductor device can be improved, cost reduction of mass-produced semiconductor products is expected.

Claims (3)

반도체 소자 테스트 장치의 신뢰성 테스트에 적용되는 연결유닛에 있어서:In the connection unit applied to the reliability test of the semiconductor device test apparatus: 절연 패드;Insulating pads; 상기 반도체 소자 테스트 장치내의 드라이버들로부터 제공되는 신호들을 상기 장치의 출력핀들을 통해 각기 받기 위하여 상기 절연 패드상에 소정의 간격으로 배열된 다수의 입력 리드;A plurality of input leads arranged at predetermined intervals on the insulating pad to receive signals from drivers in the semiconductor device test device, respectively, through the output pins of the device; 상기 다수의 입력 리드에 대응하여 상기 절연 패드상에 배치되며 상기 제공된 신호들을 상기 장치의 입력핀들을 통해 상기 반도체 소자 테스트 장치의 비교기들로 각기 출력되게 하는 다수의 출력 리드; 및A plurality of output leads disposed on the insulating pads corresponding to the plurality of input leads and outputting the provided signals to the comparators of the semiconductor device test device through the input pins of the device, respectively; And 서로 대응되는 상기 입출력 리드간을 서로 연결하기 위한 저저항 연결선을 구비함을 특징으로 하는 연결유닛.And a low resistance connecting line for connecting the input / output leads corresponding to each other. 제1항에 있어서; 상기 연결 유닛은, 상기 다수의 입출력 리드 및 저저항 연결선을 덮기 위한 몰딩 보호층을 더 구비함을 특징으로 하는 연결유닛.The method of claim 1; The connection unit further comprises a molding protective layer for covering the plurality of input and output leads and the low resistance connection line. 반도체 소자 테스트 장치의 신뢰성 테스트를 위한 신호 스큐 및 지터 측정방법에 있어서;A signal skew and jitter measuring method for a reliability test of a semiconductor device test apparatus; 상기 반도체 소자 테스트 장치내의 드라이버와 비교기간을 단락시키는 기능을 행하는 연결유닛을 연결하여, 전체적인 신호 타임 딜레이를 시간별로 측정하고 다수의 비교기들의 입력끼리도 비교분석을 행함에 의해 신호 스큐 및 지터의 범위를 판정하는 것을 특징으로 하는 방법.By connecting the driver in the semiconductor device test apparatus with a connection unit that shortens the comparison period, the overall signal time delay is measured by time and the inputs of the plurality of comparators are also compared and analyzed to determine the range of signal skew and jitter. Determining.
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