KR20000073367A - Microelectrode Array For Cultured Neural Network - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An electrode substrate of cultivating a nerve net is provided to simultaneously observe or stimulate several hundreds of nerve cells by forming an electrode array of the desired number and pattern on a substrate and cultivating a nerve circuit net on the semiconductor substrate. CONSTITUTION: A nerve cell is put on a second insulation layer(24). A conductor layer(23) stimulates the nerve cell or forms a connection unit for connecting an electrode unit with an outside circuit. First and second insulation layers(22,24) prevent ions or water from permeating into a substrate in a cultivation atmosphere on the substrate. A nitride film efficiently prevents ion permeation. An oxidation film has a small amount of pinhole so that the nitride film is prevented from being oxidized in the cultivation atmosphere.

Description

신경망 배양 전극 기판{Microelectrode Array For Cultured Neural Network}Neural network culture electrode substrate {Microelectrode Array For Cultured Neural Network}

본 발명은 신경 과학이나 생리학 분야에서 신경 세포를 배양하여 신경회로망을 구성한 후, 신경회로망을 자극하고 신경회로막의 신호를 기록할 수 있는 신경망 배양 전극 기판에 관한 것이다.The present invention relates to a neural network culture electrode substrate capable of stimulating a neural network and recording a signal of the neural circuit membrane after culturing neural cells in neuroscience or physiology to form a neural network.

학습, 인지, 기억 등의 기본적 기작이나 회로망적 작용을 이해하기 위하여, 뇌절편이나 배양된 신경세포망을 연구하는 것이 매우 효과적이다. 배양된 신경세포망의 연구는 제어된 배양 환경에서 상대적으로 간단한 시냅스의 신경회로망을 구성하여 신경간의 상호 작용 및 입출력 관계를 알아냄으로써 신경회로망을 이해하게 된다. 이 때 신경들의 활동은 주로 전기적 전위 발생 및 전기적 전위 전달에 의하여 일어나므로 신경세포들을 전기적으로 자극하고 세포막 전위를 기록함으로써 신경 활동을 이해한다.In order to understand basic mechanisms and network functions such as learning, cognition, and memory, it is very effective to study brain slices and cultured neuronal networks. In the study of cultured neural networks, we understand neural networks by constructing relatively simple synaptic neural networks in a controlled culture environment to find out the interactions and input / output relationships between nerves. At this time, the activity of nerves is mainly caused by the generation of electric potential and the transfer of electric potential, so that the nerve cells are electrically stimulated and the cell membrane potential is recorded to understand the nerve activity.

종래에는 뇌절편이나 신경회로망을 배양한 후, 신경망을 이루고 있는 신경 세포막에 전극을 삽입하여 신경세포를 자극하거나 막전위를 측정하는 방법을 사용하였다.Conventionally, after culturing brain slices or neural networks, a method of stimulating nerve cells or measuring membrane potential by inserting electrodes into neural cell membranes forming a neural network was used.

그러나, 이와 같이 신경회로망을 배양한 후 전극을 삽입하는 방식은 동시에 접근할 수 있는 세포의 수가 불과 2∼3개에 불과하여 전체 신경회로망을 분석하기 위하여는 수차례에 걸친 실험에서 얻은 각 신경 세포들의 시간 평균된 반응들의 상호 관계를 통하여 유추하여야 한다. 이는 매우 수고로운 작업일 뿐만 아니라, 실험 간의 시간차동안의 회로망내 환경 변화로 인하여 일관된 실험 조건을 유지하기 어렵다. 또한, 전극을 세포막에 삽입하는 과정에서 세포가 손상을 일으킬 수 있는 문제점이 있다.However, the method of inserting electrodes after culturing the neural network is only two or three cells which can be accessed simultaneously, so that each neural cell obtained in several experiments can be used to analyze the neural network. It should be inferred from the correlation of their time-averaged responses. Not only is this a very laborious task, it is difficult to maintain consistent experimental conditions due to environmental changes in the network during the time difference between experiments. In addition, there is a problem that can cause damage to the cell in the process of inserting the electrode into the cell membrane.

본 발명은 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 반도체 공정 기술을 이용하여 원하는 개수와 원하는 패턴의 전극 어레이를 기판에 미리 형성하고, 이와 같이 미리 형성된 반도체 기판위에 신경회로망을 배양하여 수십에서 수백개의 신경 세포를 동시에 관찰하거나 자극할 수 있는 신경망 배양 전극 기판을 제공하는 것이다.The present invention is to solve the problems of the prior art as described above, an object of the present invention is to form a predetermined number of electrodes array of the desired number and the desired pattern on the substrate using a semiconductor processing technology, and on the pre-formed semiconductor substrate The present invention provides a neural network culture electrode substrate capable of culturing neural networks and observing or stimulating tens to hundreds of neural cells simultaneously.

본 발명은 또한, 기판위에 배양된 신경 세포로부터의 신호 및 신경 세포를 자극하기 위한 신호를 생성하거나 처리할 수 있는 회로를 기판에 집적할 수 있는 신경망 배양 전극 기판을 제공하고자 한다.The present invention also provides a neural network culture electrode substrate capable of integrating a circuit capable of generating or processing a signal from a nerve cell cultured on a substrate and a signal for stimulating the nerve cell.

본 발명은 또한, 후면 현미경으로 기판위에 배양된 신경 세포를 관찰하는 것을 용이하게 하도록 하는 신경망 배양 전극 기판을 제공하고자 한다.The present invention also provides a neural network culture electrode substrate to facilitate observing nerve cells cultured on the substrate with a back microscope.

도1은 본 발명에 의한 신경망 배양 전극 기판을 이용하여 신경 세포를 배양하는 것을 설명하기 위한 개략도,1 is a schematic view for explaining the culture of nerve cells using the neural network culture electrode substrate according to the present invention,

도2는 본 발명의 제1실시예에 의한 신경망 배양 전극 기판의 구성도,2 is a block diagram of a neural network culture electrode substrate according to a first embodiment of the present invention;

도3은 본 발명에 의한 제2실시예에 의한 신경망 배양 전극 기판의 구성도,3 is a block diagram of a neural network culture electrode substrate according to a second embodiment of the present invention;

도4는 본 발명의 제3실시예에 의한 신경망 배양 전극 기판의 구성도.Figure 4 is a block diagram of a neural network culture electrode substrate according to a third embodiment of the present invention.

* 도면의 주요한 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 서브스트레이트20 : 전극10: substrate 20: electrode

30 : 연결부40 : 용기30: connection portion 40: container

21 : 서브스트레이트22 : 제1절연층21: substrate 22: first insulating layer

23 : 전도체층24 : 제2절연층23 conductor layer 24 second insulating layer

이하에서 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 의한 신경망 배양 전극 기판을 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, the neural network culture electrode substrate according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도1은 본 발명에 의한 신경망 배양 전극 기판을 이용하여 신경 세포를 배양하는 것을 설명하기 위한 개략도이다.Figure 1 is a schematic diagram for explaining the culture of nerve cells using the neural network culture electrode substrate according to the present invention.

도1에서 보이는 바와 같이, 본 발명에 의한 신경망 배양 전극 기판은 전극들(20)과 전극들을 외부 회로와 연결하기 위한 연결부(30)가 반도체 공정 기술에 의하여 서브스트레이트(10)상에 형성된다. 이러한 전극 기판위의 전극 부위에 세포 배양을 위한 용기(40)를 생체 호환용 접착제로 부착시키고 뇌 절편과 같은 신경 세포를 배양하게 된다. 종래에는 신경 세포를 먼저 배양시키고 여기에 외부 회로와 연결된 전극을 꽂는 방식인 것과 비교하여, 본 발명에서는 반도체 제조 공정으로 서브스트레이트상에 수십 내지 수백개의 전극을 미리 형성한 후, 그 위에서 신경 세포를 배양하고, 배양된 신경 세포를 기 형성된 전극으로 자극하는 방식이다.As shown in FIG. 1, in the neural network culture electrode substrate according to the present invention, electrodes 20 and a connection part 30 for connecting the electrodes with an external circuit are formed on the substrate 10 by a semiconductor processing technique. The container 40 for cell culture is attached to the electrode portion on the electrode substrate with a biocompatible adhesive and cultured nerve cells such as brain slices. Compared to the conventional method of culturing nerve cells and plugging electrodes connected to an external circuit therein, in the present invention, in the semiconductor manufacturing process, dozens or hundreds of electrodes are pre-formed on a substrate, and then the nerve cells are formed thereon. In this way, the cultured nerve cells are stimulated with preformed electrodes.

이하에서는 본 발명에 의한 신경망 배양 전극 기판들의 실시예들을 설명한다.Hereinafter, embodiments of the neural network culture electrode substrates according to the present invention will be described.

도2는 본 발명의 제1실시예에 의한 신경망 배양 전극 기판의 구성도이다.Figure 2 is a block diagram of a neural network culture electrode substrate according to a first embodiment of the present invention.

도에서 보이는 바와 같이, 본 발명에 의한 신경망 배양 전극 기판은, 기판의 지지대인 서브스트레이트(21)와 서브스트레이트(21)에 형성되는 제1절연층(22), 이 제1절연층(22)의 상부에 형성되며 복수개의 전극을 구성하는 전도체층(23) 및 상기 전도체층(23)의 전극들간을 절연시키고 또한 배양되는 신경 세포들간을 절연시키는 제2절연층(24)으로 구성된다.As shown in the figure, the neural network culture electrode substrate according to the present invention includes a substrate 21 and a first insulating layer 22 formed on the substrate 21, which are support members of the substrate, and the first insulating layer 22. And a second insulating layer 24 which insulates between the electrodes of the conductor layer 23 formed on the top of the plurality of electrodes and the electrodes of the conductor layer 23 and insulates the cultured nerve cells.

신경 세포는 제2절연층(24) 위에 놓이게 되고, 전도체층(23)은 제2절연층(24) 위에 놓인 신경 세포를 자극하거나 신경 세포로부터 신호를 받는 역할을 하는 전극부와 이러한 전극을 외부의 회로와 연결하기 위한 연결부를 형성한다.The nerve cells are placed on the second insulating layer 24, and the conductor layer 23 externally separates the electrodes and the electrode part which serves to stimulate or receive signals from the nerve cells placed on the second insulating layer 24. Form a connection for connecting with the circuit of.

제1절연층(22)과 제2절연층(24)은 기판위의 배양 환경에서 이온이나 수분이 기판 내부로 침투하는 것을 방지하여야 한다. 이를 위하여 산화막/질화막/산화막의 삼중 절연막을 사용하는 것이 바람직하다. 질화막은 이온 침투를 방지하는 것에 효과적이며, 산화막은 핀홀(pinhole)이 적어서 질화막이 배양액 환경에서 산화되는 것을 방지하는데 효과적이다.The first insulating layer 22 and the second insulating layer 24 should prevent ions or moisture from penetrating into the substrate in a culture environment on the substrate. For this purpose, it is preferable to use a triple insulating film of an oxide film / nitride film / oxide film. The nitride film is effective in preventing ion penetration, and the oxide film is effective in preventing the nitride film from being oxidized in a culture environment because of less pinholes.

이와 같은 본 발명에 의한 신경망 배양 전극 기판의 서브스트레이트로서 실리콘을 사용하고, 반도체 제조 공정을 이용하면 증폭기, 멀티플렉서 및 원격 송수신 회로 등 필요한 회로들을 서브스트레이트내에 집적시킬 수 있다.By using silicon as a substrate of the neural network culture electrode substrate according to the present invention, and using a semiconductor manufacturing process, necessary circuits such as an amplifier, a multiplexer, and a remote transceiver circuit can be integrated in the substrate.

한편, 생물학 실험에서 후면 현미경은 대물대에 놓인 대상체의 바닦면에 빛을 쏘여서 관찰하게 되므로, 이러한 후면 현미경을 사용하기 위하여 상기 서브스트레이트를 투명한 재질의 것을 사용하고, 제1절연층(22)의 산화막이나 질화막은 투명하므로 전도체층(23)의 전극은 박막의 금이나 ITO(Induim Tin Oxide)을 사용하면 전극 위에 위치한 세포를 후면 현미경으로 관찰할 수 있다. 투명한 재질의 서브스트레이트로서 유리를 사용하는 경우에는 서브스트레이트내에 회로를 집적할 수 없으므로 연결부를 통하여 외부의 회로를 이용하거나, 실리콘에 형성된 회로를 전극이 형성되어 있는 투명한 기판에 플립 칩(flip chip) 결합에 의하여 전기적으로 연결하여 사용할 수도 있다.On the other hand, in the biological experiment, the rear microscope is observed by shooting light on the bottom surface of the object placed on the object, in order to use the rear microscope using the substrate of a transparent material, the first insulating layer 22 Since the oxide film or the nitride film is transparent, the electrode of the conductor layer 23 can be observed by using a thin film of gold or ITO (Induim Tin Oxide) with a rear microscope. In the case of using glass as a substrate made of a transparent material, circuits cannot be integrated in the substrate, so that external circuits are used through the connecting portion, or a circuit formed in silicon is flipped onto a transparent substrate on which electrodes are formed. It can also be used by electrically connecting by coupling.

도3은 본 발명에 의한 제2실시예에 의한 신경망 배양 전극 기판의 구성도이다.Figure 3 is a block diagram of a neural network culture electrode substrate according to a second embodiment of the present invention.

도3에 도시된 실시예는 기판 위에서 배양된 세포와 전극간의 밀착을 위한 것이다. 신경 세포의 세포막 외부에서 신호를 측정하거나 세포를 자극할 때 세포에 대한 선택성을 높이기 위하여 누설 전류를 막아야 한다. 누설 전류를 막기 위하여는 세포와 전극간의 밀착이 필요하다. 이를 위하여 본 발명의 제2실시예에서는 서브스트레이트(21), 제1절연층(22), 전도체층(23)을 관통하는 구멍을 형성한다. 이러한 구조에서 진공 펌프등을 이용하여 서브스트레이트(21)의 후면의 압력을 낮추면 서브스트레이트(21)의 후면으로부터의 빨아들임 효과에 의하여 전도체층(23)의 전극위에 놓인 세포가 전극에 밀착되게 된다.The embodiment shown in Figure 3 is for close contact between the cells and the cells cultured on the substrate. When measuring signals or stimulating cells outside the cell membrane of nerve cells, leakage currents must be prevented to increase cell selectivity. In order to prevent leakage current, close contact between the cell and the electrode is required. To this end, in the second embodiment of the present invention, a hole penetrating the substrate 21, the first insulating layer 22, and the conductor layer 23 is formed. In such a structure, when the pressure of the rear surface of the substrate 21 is lowered by using a vacuum pump or the like, the cells placed on the electrodes of the conductor layer 23 adhere to the electrodes by the suction effect from the rear surface of the substrate 21. .

도4는 본 발명의 제3실시예에 의한 신경망 배양 전극 기판의 구성도이다.Figure 4 is a block diagram of a neural network culture electrode substrate according to a third embodiment of the present invention.

제3 실시예에서는 서브스트레이트를 투명한 재질을 사용하지 않고서도 후면 현미경으로 관찰이 용이하도록 한 것이다. 서브스트레이트를 투명한 재질로 하는 경우 유리와 같은 재질을 사용하여야 한다. 그러나, 이 경우에는 서브스트레이트내에 회로를 집적할 수 있는 특성을 살릴 수 없다는 것은 이미 설명한 바와 같다.In the third embodiment, the substrate is easily observed with a rear microscope without using a transparent material. If the substrate is made of a transparent material, a material such as glass should be used. In this case, however, it has already been described that the characteristic of integrating a circuit in the substrate cannot be utilized.

한편, 후면 현미경으로 관찰되는 대상은 세포가 놓여있는 전극 부위이므로 서브스트레이트의 후면에서 이 부분을 제거하면 서브스트레이트를 투명한 재질로 하지 않고서도 후면 현미경 관찰이 가능하다.On the other hand, since the subject observed by the rear microscope is the electrode region on which the cell is placed, removing the portion from the rear of the substrate allows the rear microscope to be observed without using the substrate as a transparent material.

도4에서 보이는 바와 같이, 서브스트레이트(21)의 후면의 일부를 에칭하여 제거하고 제1절연층(22)과 전도체층(23)의 전극을 투명한 재질의 것을 사용하면 된다. 이때, 서브스트레이트(21)를 실리콘과 같은 재질을 사용할 수 있으므로 서브스트레이트 내에 회로를 집적할 수 있다.As shown in FIG. 4, a part of the rear surface of the substrate 21 may be etched and removed, and a transparent material may be used for the electrodes of the first insulating layer 22 and the conductor layer 23. In this case, since the substrate 21 may be made of a material such as silicon, a circuit may be integrated in the substrate.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 신경망 배양 전극 기판은 서브스트레이트위에 반도체 공정으로 전극을 먼저 형성하고, 그 위에 신경 세포들을 배양하여, 먼저 형성된 전극을 통하여 신경 세포를 자극하거나 신경 세포로부터 신호를 얻을 수 있는 것을 특징으로 한다. 특히 서브스트레이트내에 필요한 회로를 집적하거나, 후면 현미경 관찰이 용이한 구조를 제시한다. 본 발명에 의한 신경망 배양 전극 기판은 수십 내지 수백개의 전극들을 형성할 수 있으므로 체외에서 수행하는 신경망에 대한 연구에서 다중 채널로 자극되고 기록되는 신호를 분석하는데 효과가 있다.As described above, the neural network culture electrode substrate according to the present invention first forms an electrode on a substrate by a semiconductor process, and then cultivates the nerve cells thereon, thereby stimulating the nerve cell through the first electrode or receiving a signal from the nerve cell. It is characterized by what can be obtained. In particular, it proposes a structure in which necessary circuits are integrated in the substrate or the rear microscope can be easily viewed. Since the neural network culture electrode substrate according to the present invention can form tens to hundreds of electrodes, the neural network culture electrode substrate is effective in analyzing signals recorded and stimulated in multiple channels in a study of neural networks performed in vitro.

Claims (6)

반도체 공정으로 제조되는 신경망 배양 전극 기판으로서,As a neural network culture electrode substrate manufactured by a semiconductor process, 기판의 지지대인 서브스트레이트와 서브스트레이트에 형성되는 제1절연층, 이 제1절연층의 상부에 형성되며 복수개의 전극을 구성하는 전도체층 및 상기 전도체층의 전극들간을 절연시키고 또한 배양되는 신경 세포들간을 절연시키는 제2절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 신경망 배양 전극 기판.The substrate and the first insulating layer formed on the substrate, the substrate supporting the substrate, the conductor layer formed on the first insulating layer and constituting a plurality of electrodes and the nerve cells are insulated and cultured between the electrodes of the conductor layer Neural network culture electrode substrate comprising a second insulating layer for insulating between. 제1항에 있어서, 반도체 공정을 이용하여 상기 서브스트레이트내에 신경 세포의 자극 및 관찰 분석에 필요한 회로가 집적되어 있는 것임을 특징으로 하는 신경망 배양 전극 기판.The neural network culture electrode substrate according to claim 1, wherein circuits necessary for stimulation and observation analysis of nerve cells are integrated in the substrate using a semiconductor process. 제1항에 있어서, 상기 서브스트레이트는 투명한 재질이고, 상기 전도체층의 복수개의 전극은 얇은 박막의 금이나 투명한 재질의 것임을 특징으로 하는 신경망 배양 전극 기판.The neural network culture electrode substrate of claim 1, wherein the substrate is made of a transparent material, and the plurality of electrodes of the conductor layer is made of a thin film of gold or a transparent material. 제1항에 있어서, 상기 서브스트레이트의 후면으로부터의 빨아들임 효과에 의하여 상기 전도체층의 전극위에 놓인 세포가 전극에 밀착되도록 하기 위하여, 서브스트레이트, 제1절연층, 전도체층을 관통하는 구멍이 형성되어 있는 것임을 특징으로 하는 신경망 배양 전극 기판.The method of claim 1, wherein a hole penetrating through the substrate, the first insulating layer, and the conductor layer is formed so that the cells placed on the electrode of the conductor layer are brought into close contact with the electrode by the suction effect from the rear surface of the substrate. Neural network culture electrode substrate, characterized in that. 제2항에 있어서, 상기 서브스트레이트에서 세포가 놓여있는 전극 부위에 해당되는 서브스트레이트의 후면의 일부가 제거된 것임을 특징으로 하는 신경망 배양 전극 기판.The neural network culture electrode substrate according to claim 2, wherein a part of the rear surface of the substrate corresponding to the electrode portion in which the cells are placed is removed from the substrate. 제3항에 있어서, 상기 신경망 전극 배양 기판은 전극이 형성된 투명한 서브스트레이트에 회로가 집적된 반도체가 플립 칩 결합에 의하여 전기적으로 연결되어 있는 것임을 특징으로 하는 신경망 배양 전극 기판.4. The neural network electrode culture substrate of claim 3, wherein the neural network electrode culture substrate is electrically connected to a semiconductor substrate in which a circuit is integrated in a transparent substrate on which electrodes are formed by flip chip bonding.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100450633B1 (en) * 2002-03-02 2004-09-30 정필훈 Culture method for nerve cell by electronic stimulus and its apparatus
KR100552115B1 (en) * 2002-11-14 2006-02-14 주식회사 뉴로바이오시스 Semiconductor microelectrode for recording the neural signal eliminating the noise of power line

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