KR20000063056A - Corrosion inhibitor for metals, cleaning liquid composition comprising the same and cleaning method using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 분자 내에 아미노기 또는 티올기를 갖는, 이미다졸, 티아졸 또는 트리아졸을 함유하는, 금속용 부식 방지제에 관한 것이다. 상기 부식 방지제는 금속, 특히 구리 및 구리 합금의 부식 방지에 효과적이며, 예를 들어 반도체 소자의 구리 배선의 부식 방지에 효과적이다.The present invention relates to corrosion inhibitors for metals containing imidazole, thiazole or triazoles having amino or thiol groups in the molecule. Such corrosion inhibitors are effective in preventing corrosion of metals, in particular copper and copper alloys, for example, in preventing corrosion of copper wiring in semiconductor devices.
Description
본 발명은 금속의 부식 방지제, 이를 함유한 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 구리 또는 구리 합금에 대해 부식성이 없고, 구리 배선을 갖는 반도체 소자 등의 세정에 적합한 세정액 조성물, 및 상기의 세정액 조성물로 구리 배선을 갖는 반도체 소자 등을 세정하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a metal corrosion inhibitor, a cleaning liquid composition containing the same, and a cleaning method using the same. In particular, the present invention relates to a cleaning liquid composition which is not corrosive to copper or a copper alloy and is suitable for cleaning semiconductor devices and the like having copper wiring, and a method for cleaning semiconductor devices and the like having copper wiring with the cleaning liquid composition.
최근, 반도체 소자의 고집적화, 고성능화를 위한 다양한 물질이 개발되어 왔다. 특히, 소자 내의 배선 물질로서, 배선을 통한 전기 신호의 전송 속도를 증가시키기 위해 낮은 저항을 갖는 배선 물질이 추구되고 있다.Recently, various materials for high integration and high performance of semiconductor devices have been developed. In particular, as the wiring material in the device, a wiring material having a low resistance has been sought to increase the transmission speed of an electrical signal through the wiring.
현재까지, 알루미늄 및 그의 합금이 이들의 용이한 가공성으로 인해 배선 물질로서 사용되고 있다. 그러나, 알루미늄 및 그의 합금은 성능 및 처리 속도의 향상에 필요한 소자의 성능의 관점에서 충분하지 않다. 따라서, 낮은 저항을 갖는 배선 물질로서 구리 및 그의 합금이 관심을 끌고 있다.To date, aluminum and its alloys have been used as wiring materials because of their easy processability. However, aluminum and its alloys are not sufficient in view of the performance of the device required for the improvement of performance and processing speed. Therefore, copper and its alloys are attracting attention as wiring materials with low resistance.
일반적으로, 배선은 배선을 구성하는 금속의 막을 규소 웨이퍼상에 형성하고, 이어서 리토그라피 단계 및 드라이-에칭 단계를 수행하여, 절연막으로 배선 사이의 공간을 충진하는 것에 의해 반도체 소자 위에 형성된다. 그러나, 구리 배선은 드라이-에칭 공정에 의한 가공이 어렵기 때문에, 널리 사용되지 않고 있다.Generally, wiring is formed on a semiconductor element by forming a film of metal constituting the wiring on a silicon wafer, and then performing a lithography step and a dry-etching step to fill the space between the wirings with an insulating film. However, copper wiring is not widely used because it is difficult to process by a dry-etching process.
최근, 특수한 연마 물질 및 연마 패드를 사용하는 화학 기계적 연마 (CMP) 가 개발되었으며, CMP를 이용한 대머신 (damascene) 법이 관심을 끌고 있다.Recently, chemical mechanical polishing (CMP) using special abrasive materials and polishing pads has been developed, and the damascene method using CMP is drawing attention.
이 방법에서, 우선 웨이퍼상에 절연막을 형성하고, 이어서 리토그라피 단계와 드라이-에칭 단계로 배선 그루브 (groove) 를 형성하고, 이어서 구리 막을 형성하여 그루브에 구리를 충진하고, 그루브의 구리가 아닌 웨이퍼 상의 구리막을 CMP 로 제거한다. 그러나, CMP 에 의한 구리로의 배선은, 구리의 연마 이후에 연마에 의해 형성된 상당한 양의 연마제 또는 연마 잔해, 또는 연마제 또는 연마 패드에 함유된 금속 불순물을 남기고, 이들이 웨이퍼 표면 및 웨이퍼 표면의 뒷표면에 부착된다. 따라서, 연마된 웨이퍼 표면을 세정 또는 세척할 필요가 있다.In this method, an insulating film is first formed on a wafer, and then a wiring groove is formed by a lithography step and a dry-etch step, and then a copper film is formed to fill the groove with copper, and the wafer is not a copper wafer. The copper film on top is removed by CMP. However, wiring to copper by CMP leaves a significant amount of abrasive or polishing debris formed by polishing after polishing of copper, or metal impurities contained in the abrasive or polishing pad, and these are the wafer surface and the back surface of the wafer surface. Is attached to. Therefore, it is necessary to clean or clean the polished wafer surface.
일반적으로, 웨이퍼 표면의 입자를 제거하기 위해, 웨이퍼 표면과 입자를 같은 부호를 갖는 제타 전위로 충진하여 전기적 반발력을 갖도록 하고, 유리된 입자의 웨이퍼 표면으로의 재퇴적을 방지하는 것은 중요하다. 세정액이 염기성인 경우, 거의 모든 물질은 음성 제타 (ζ)-전위를 갖는다. 그러므로, 염기성 세정액이 바람직하게 사용된다. 게다가, 금속 불순물을 제거하기 위해, 높은 금속-용해력을 갖는 강산성 용액이 바람직하게 사용된다.Generally, in order to remove particles on the wafer surface, it is important to fill the wafer surface and the particles with zeta potential having the same sign so as to have electrical repulsion and to prevent re-deposition of the free particles to the wafer surface. If the wash is basic, almost all materials have a negative zeta (ζ) -potential. Therefore, a basic washing liquid is preferably used. In addition, in order to remove metal impurities, a strongly acidic solution having high metal-dissolving power is preferably used.
그러나, 구리 및 그의 합금이 염기성 용액 또는 산성 용액으로 쉽게 부식된다는 것이 공지되어 있다. 구리 배선이 노출된 웨이퍼 표면이 이러한 염기성 또는 산성 용액으로 세척되는 경우, 구리 표면은 세척 후에 부식된다. 따라서, 배선 저항이 증가하거나 배선이 파손될 수 있다.However, it is known that copper and its alloys readily corrode with basic or acidic solutions. If the wafer surface where the copper wiring is exposed is washed with this basic or acidic solution, the copper surface is corroded after the cleaning. Therefore, the wiring resistance may increase or the wiring may be broken.
상당수의 물질이 구리 또는 그의 합금을 부식시키지 않는 부식 방지제로서 공지되어 있다. 그러나, 이들이 반도체 소자의 세정에 사용되는 경우, 이러한 부식 방지제에는 많은 제약이 따른다. 즉, 반도체 소자의 배선 구조가 매우 미세하기 때문에, 피팅 (pitting) 이 일어날 수 있거나, 표면 상태가 거칠게되어, 전체적인 부식이 방지되는 경우에도 소자의 성능에 악영향을 끼칠 수 있다. 따라서, 이러한 문제를 일으키지 않는 부식 방지제를 선택하는 것이 필요하다.Many materials are known as corrosion inhibitors that do not corrode copper or its alloys. However, when they are used for cleaning semiconductor devices, there are many restrictions on such corrosion inhibitors. That is, since the wiring structure of the semiconductor element is very fine, pitting may occur, or the surface state may be rough, which may adversely affect the performance of the element even when the overall corrosion is prevented. Therefore, it is necessary to select a corrosion inhibitor that does not cause this problem.
반도체 소자용 세정액은 때때로 매우 낮은 산 또는 염기 농도를 갖는다. 이런 경우에, 부식 방지제의 농도 역시 매우 낮고, 부식 방지제의 효과는 통상적인 농도의 부식 방지제로 얻은 효과로부터 예상할 수 없다.Cleaning solutions for semiconductor devices sometimes have very low acid or base concentrations. In this case, the concentration of the corrosion inhibitor is also very low, and the effect of the corrosion inhibitor is unpredictable from the effect obtained with the usual concentration of corrosion inhibitor.
본 발명의 한 목적은 금속, 특히 구리 또는 그의 합금을 부식시키지 않는 부식 방지제를 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a corrosion inhibitor which does not corrode metals, in particular copper or alloys thereof.
본 발명의 또 다른 목적은 구리 배선을 갖는 반도체 소자의 세정에 적합한 세정액 조성물 및 세정 방법을 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide a cleaning liquid composition and cleaning method suitable for cleaning a semiconductor device having copper wiring.
광범위한 연구의 결과, 특정 이미다졸, 티아졸 또는 트리아졸 화합물이 구리 또는 그의 합금, 특히 반도체 소자의 구리 배선과 같은 금속의 세정을 위한 세정액에 첨가되는 경우, 우수한 부식 방지 효과가 달성될 수 있음을 발견하였으며, 본 발명을 완성하였다.As a result of extensive research, it has been found that when a particular imidazole, thiazole or triazole compound is added to a cleaning liquid for cleaning of metals such as copper or its alloys, especially copper wiring of semiconductor devices, an excellent corrosion protection effect can be achieved. The present invention was completed.
따라서 본 발명은, 분자 내에 아미노기 및 티올기로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 기를 갖는, 이미다졸, 티아졸 및 트리아졸로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 화합물을 함유하는 부식 방지제를 제공하는 것이다.Accordingly, the present invention provides a corrosion inhibitor containing at least one compound selected from the group consisting of imidazole, thiazole and triazole, having at least one group selected from the group consisting of amino and thiol groups in the molecule.
분자 내에 하나 이상의 아미노 또는 티올기를 갖는 이미다졸의 바람직한 예는 2-메르캅토이미다졸린, 2-메르캅토-1-메틸이미다졸 등이다. 분자 내에 하나 이상의 아미노 또는 티올기를 갖는 티아졸의 바람직한 예는, 2-메르캅토티아졸린, 2-아미노티아졸 등이다. 분자 내에 하나 이상의 아미노 또는 티올기를 갖는 트리아졸의 바람직한 예는 3-아미노트리아졸, 4-아미노트리아졸, 2,5-디아미노트리아졸, 4-메르캅토트리아졸, 3-아미노-5-메르캅토트리아졸 등이다.Preferred examples of imidazoles having at least one amino or thiol group in the molecule are 2-mercaptoimidazoline, 2-mercapto-1-methylimidazole and the like. Preferred examples of thiazoles having one or more amino or thiol groups in the molecule are 2-mercaptothiazoline, 2-aminothiazole and the like. Preferred examples of triazoles having one or more amino or thiol groups in the molecule are 3-aminotriazole, 4-aminotriazole, 2,5-diaminotriazole, 4-mercaptotriazole, 3-amino-5- Mercaptotriazole and the like.
상기 화합물들은 단독으로 또는 둘 이상의 혼합물로 사용될 수 있다.The compounds may be used alone or in mixture of two or more.
또한, 본 발명은 상기 본 발명의 부식 방지제를 함유한 세정액 조성물에 관한 것이다.Moreover, this invention relates to the cleaning liquid composition containing the said corrosion inhibitor of this invention.
본원에 있어서, 부식 방지제를 함유하지 않는 세정액을 "세정액"으로 지칭하는 반면, 부식 방지제를 함유한 세정액을 "세정액 조성물"로 지칭한다.In the present application, a cleaning liquid containing no corrosion inhibitor is referred to as a "cleaning liquid", while a cleaning liquid containing corrosion inhibitor is referred to as a "cleaning liquid composition".
본 발명의 부식 방지제를 종래의 금속 세정액에 첨가하여, 금속을 부식시키지 않는 세정액 조성물을 제공할 수 있다. 본 발명의 세정액 조성물이 구리 또는 그의 합금의 세척에, 특히 구리 배선을 갖는 반도체 소자의 세척에 사용되는 경우, 충분히 본 발명의 특성을 발휘한다.The corrosion inhibitor of the present invention can be added to a conventional metal cleaning liquid to provide a cleaning liquid composition that does not corrode metal. When the cleaning liquid composition of the present invention is used for washing copper or its alloys, and particularly for washing semiconductor elements having copper wiring, the characteristics of the present invention are sufficiently exhibited.
세정액은 염기성 또는 산성일 수 있다.The wash may be basic or acidic.
세정액 조성물 내의 본 발명의 부식 방지제의 농도는 바람직하게는 0.0001 내지 10 중량 %, 더욱 바람직하게는 0.001 내지 1 중량 % 이다.The concentration of the corrosion inhibitor of the present invention in the cleaning liquid composition is preferably 0.0001 to 10% by weight, more preferably 0.001 to 1% by weight.
본 발명의 부식 방지제의 농도가 너무 낮으면, 충분한 부식 방지 효과를 달성할 수 없다. 농도가 상기 상한값을 초과하면, 부식 방지 효과는 더 이상 비례하여 증가하지 않고, 반도체 소자의 세정을 위해 상기 높은 농도의 세정액 조성물을 사용하는 경우, 반도체의 표면에 흡수된 부식 방지제의 양이 증가하기 때문에 반도체 소자의 세정 단계의 조절이 어려워진다.If the concentration of the corrosion inhibitor of the present invention is too low, a sufficient corrosion protection effect cannot be achieved. If the concentration exceeds the upper limit, the corrosion protection effect no longer increases proportionally, and when the high concentration cleaning liquid composition is used for cleaning the semiconductor device, the amount of corrosion inhibitor absorbed on the surface of the semiconductor is increased. This makes it difficult to control the cleaning step of the semiconductor device.
본 발명의 세정액 조성물은 본 발명의 부식 방지제를 세정액에 첨가하고, 혼합물을 교반하여 세정액 내에 부식 방지제를 용해시켜서 제조할 수 있다.The cleaning liquid composition of the present invention can be prepared by adding the corrosion inhibitor of the present invention to the cleaning liquid, stirring the mixture to dissolve the corrosion inhibitor in the cleaning liquid.
세정액을 제조하는데 통상적으로 사용되는 임의의 염기성 용액이 본 발명에 따른 염기성 용액으로서 사용될 수 있다. 염기성 용액의 구체적인 예로는 무기 염기 (예컨대 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화암모늄 등) 의 수용액, 및 유기 염기 (예컨대 테트라메틸암모늄 히드록시드, 콜린 등) 의 수용액이 있다. 이들 가운데, 수산화암모늄, 테트라메틸암모늄 히드록시드 및 콜린의 정제 수용액이 반도체 소자로부터 미세 입자 또는 금속 불순물을 제거하는데 바람직하게 사용된다. 특히, 수산화암모늄 수용액이 바람직하다.Any basic solution conventionally used to prepare the cleaning liquid can be used as the basic solution according to the present invention. Specific examples of basic solutions include aqueous solutions of inorganic bases (such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, ammonium hydroxide, etc.), and aqueous solutions of organic bases (such as tetramethylammonium hydroxide, choline, etc.). Among them, purified aqueous solutions of ammonium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide and choline are preferably used to remove fine particles or metal impurities from semiconductor devices. In particular, aqueous ammonium hydroxide solution is preferable.
세정액을 제조하는데 통상적으로 사용되는 임의의 산성 용액이 본 발명에 따른 산성 용액으로서 사용될 수 있다. 산성 용액의 구체적인 예로는 무기산 (예컨대 염산, 불화수소산, 황산, 질산 등) 의 산성 용액, 및 유기산 (예컨대 옥살산, 시트르산, 말론산, 말산, 푸마르산, 말레산 등) 의 산성 용액이 있다. 이들 가운데, 예를 들어 염산, 불화수소산, 황산, 질산, 옥살산, 시트르산 등의 정제된 산성 수용액이 반도체 소자로부터 미세 입자 또는 금속 불순물을 제거하는데 바람직하다.Any acid solution conventionally used to prepare the cleaning liquid can be used as the acid solution according to the present invention. Specific examples of acidic solutions are acidic solutions of inorganic acids (such as hydrochloric acid, hydrofluoric acid, sulfuric acid, nitric acid, etc.), and acidic solutions of organic acids (such as oxalic acid, citric acid, malonic acid, malic acid, fumaric acid, maleic acid, and the like). Among them, purified acidic aqueous solutions such as, for example, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, sulfuric acid, nitric acid, oxalic acid, citric acid and the like are preferable for removing fine particles or metal impurities from semiconductor devices.
비록 상기 염기성 또는 산성 용액이 그대로 사용될 수 있지만, 이들은 본 발명의 부식 방지제의 특성을 저해하지 않는 다른 시약과의 혼합물의 형태로 사용될 수 있다. 특히, 염기성 또는 산성 용액은 반도체 소자의 세정을 위해 정제된 과산화수소 또는 불화암모늄과 혼합될 수 있다.Although the basic or acidic solutions can be used as they are, they can be used in the form of a mixture with other reagents that do not impair the properties of the corrosion inhibitor of the invention. In particular, basic or acidic solutions can be mixed with purified hydrogen peroxide or ammonium fluoride for cleaning of semiconductor devices.
또한, 본 발명은 상기 본 발명의 세정액 조성물을 사용하여 반도체 소자를 세정하는 방법에 관한 것이다.Moreover, this invention relates to the method of cleaning a semiconductor element using the cleaning liquid composition of the said invention.
본 발명의 부식 방지제는 임의의 통상적인 금속 세정액에 첨가될 수 있다. 본 발명의 부식 방지제는 구리 또는 그의 합금을 세정하기 위한 세정액에 사용되는 경우 탁월한 효과를 나타낸다.Corrosion inhibitors of the present invention may be added to any conventional metal cleaning liquid. The corrosion inhibitor of the present invention has an excellent effect when used in a cleaning liquid for cleaning copper or its alloys.
본 발명의 부식 방지제는 금속 배선, 특히 구리 배선을 갖는 반도체 소자를 세정하기 위한 세정액에 유리하게 첨가된다. 반도체 소자를 구성하는 웨이퍼상의 배선 패턴이 매우 미세하기 때문에, 부식 방지제는 전체적인 부식량을 방지하는 동시에 피팅이나 표면의 러프닝 (roughening) 을 일으키지 않도록 요구된다. 웨이퍼가 본 발명의 세정액 조성물로 세척되는 경우, 부착된 금속 불순물 또는 메세 입자가 제거되지만, 피팅이나 표면 러프닝이 일어나지 않는다.The corrosion inhibitor of the present invention is advantageously added to a cleaning liquid for cleaning a metal wiring, in particular a semiconductor device having copper wiring. Since the wiring pattern on the wafer constituting the semiconductor element is very fine, a corrosion inhibitor is required to prevent the overall corrosion amount and to not cause roughening of the fitting or the surface. When the wafer is washed with the cleaning liquid composition of the present invention, the adhered metal impurities or the message particles are removed, but no fitting or surface roughening occurs.
본 발명의 세정액 조성물을 사용한 웨이퍼의 세정은, 웨이퍼를 직접 세정액 조성물에 침지시키는 것을 포함하는 침지-세정, 초음파의 적용 및 침지-세정의 조합, 웨이퍼 표면에 세정액 조성물을 분무하면서 웨이퍼를 브러싱하는 것을 포함하는 브러시-세정, 브러시-세정법 및 초음파의 적용의 조합 등으로 수행할 수 있다. 세정액 조성물은 세정 과정에서 가열될 수 있다.The cleaning of the wafer using the cleaning liquid composition of the present invention comprises immersion-cleaning, a combination of application of ultrasonic waves and immersion-cleaning, including immersing the wafer directly in the cleaning liquid composition, and brushing the wafer while spraying the cleaning liquid composition on the wafer surface. It can be performed by a combination of the brush-cleaning, brush-cleaning method and the application of ultrasonic waves, including. The cleaning liquid composition may be heated in the cleaning process.
본 발명은 본 발명의 범위를 한정하지 않는 하기의 실시예로써 설명된다.The invention is illustrated by the following examples which do not limit the scope of the invention.
실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3
세정액으로서 0.1 중량 % 의 암모니아수에, 표 1 에 나타낸 0.01 중량 % 의 부식 방지제를 첨가하여 본 발명에 따른 세정액 조성물을 수득한다.To the 0.1% by weight of ammonia water as the cleaning solution, 0.01% by weight of the corrosion inhibitor shown in Table 1 is added to obtain a cleaning solution composition according to the present invention.
비교를 위해, 본 발명의 부식 방지제를 함유하지 않는 상기 세정액, 또는 본 발명의 것이 아닌 다른 부식 방지제를 함유한 세정액을 사용한다.For comparison, the cleaning liquid containing no corrosion inhibitor of the present invention or a cleaning liquid containing other corrosion inhibitor other than the present invention is used.
스퍼터링에 의해 10,000 Å 두께의 구리막이 형성된 규소 웨이퍼를 세정액 조성물 또는 세정액에 30 분간 침지시킨다. 구리막의 두께는 침지 이전 및 이후에 측정하고, 구리막의 용해 속도를 구리막의 두께의 변화로부터 계산하여 부식 방지 효과를 평가한다.The silicon wafer on which a 10,000-mm-thick copper film was formed by sputtering is immersed in the cleaning liquid composition or the cleaning liquid for 30 minutes. The thickness of the copper film is measured before and after immersion, and the corrosion rate is evaluated by calculating the dissolution rate of the copper film from the change in the thickness of the copper film.
구리막 두께는 시이트-저항계 (NAPSON 사 제조) 로 막의 시이트 저항을 측정하고, 측정된 저항을 막의 두께로 환산하여 측정한다.The copper film thickness is measured by measuring the sheet resistance of the film with a sheet-resistometer (manufactured by NAPSON) and converting the measured resistance into the film thickness.
구리막의 표면을 침지 이전 및 이후에 전자 현미경으로 관찰하여 구리막의 표면 상태를 평가한다.The surface state of the copper film is evaluated by observing the surface of the copper film before and after dipping with an electron microscope.
결과는 표 1 과 같다.The results are shown in Table 1.
표 1 의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 부식 방지제는 염기성 용액과 구리의 부식을 효과적으로 방지할 수 있다.As can be seen from the results in Table 1, the corrosion inhibitor of the present invention can effectively prevent corrosion of the basic solution and copper.
실시예 4 및 5, 및 비교예 4 및 5Examples 4 and 5, and Comparative Examples 4 and 5
세정액으로서 0.1 중량 % 의 불화수소산 수용액 또는 1 중량 % 의 염산 수용액에, 0.01 중량 % 의 표 2 에 나타낸 부식 방지제를 첨가하여 본 발명에 따른 세정액 조성물을 수득한다.To the 0.1 wt% aqueous hydrofluoric acid solution or 1 wt% hydrochloric acid solution as a washing liquid, 0.01 wt% of the corrosion inhibitor shown in Table 2 is added to obtain a cleaning liquid composition according to the present invention.
비교를 위해, 본 발명의 부식 방지제를 함유하지 않는 상기 염산 용액을 사용한다.For comparison, the hydrochloric acid solution which does not contain the corrosion inhibitor of the present invention is used.
스퍼터링에 의해 10,000 Å 두께의 구리막이 형성된 규소 웨이퍼를 세정액 조성물 또는 세정액에 30 분간 침지시킨다. 구리막의 두께는 실시예 1 내지 3 과 동일한 방법으로 침지 이전 및 이후에 측정하고, 구리막의 용해 속도를 구리막의 두께의 변화로부터 계산하여 부식 방지 효과를 평가한다.The silicon wafer on which a 10,000-mm-thick copper film was formed by sputtering is immersed in the cleaning liquid composition or the cleaning liquid for 30 minutes. The thickness of the copper film is measured before and after immersion in the same manner as in Examples 1 to 3, and the dissolution rate of the copper film is calculated from the change in the thickness of the copper film to evaluate the corrosion protection effect.
구리막의 두께는 침지 이전 및 이후에 전자 현미경으로 관찰하여 구리막의 표면 상태를 평가한다.The thickness of the copper film is observed with an electron microscope before and after dipping to evaluate the surface state of the copper film.
결과는 표 2 와 같다.The results are shown in Table 2.
표 2 의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 부식 방지제는 산 용액과 구리의 부식을 효과적으로 방지할 수 있다.As can be seen from the results in Table 2, the corrosion inhibitor of the present invention can effectively prevent corrosion of the acid solution and copper.
상기 실시예는 반도체 소자의 구리 배선의 세정을 설명한 반면, 구리 및 그의 합금에 대해서도 실질적으로 동일한 결과가 얻어진다.While the above embodiment described the cleaning of the copper wiring of the semiconductor device, substantially the same results are obtained for copper and its alloys.
본 발명의 세정액 조성물은 세정액을 적절하게 선택하는 경우 구리 이외의 다른 금속에 대해 부식 방지 효과를 갖는다.The cleaning liquid composition of the present invention has a corrosion protection effect on metals other than copper when the cleaning liquid is appropriately selected.
상기로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 부식 방지제는 분자 내에 아미노기 및 티올기로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 기를 갖는 이미다졸, 티아졸 및 트리아졸로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 화합물을 함유하며, 금속, 특히 구리 또는 그의 합금의 부식을 방지한다.As can be seen from the above, the corrosion inhibitor of the present invention contains at least one compound selected from the group consisting of imidazole, thiazole and triazoles having at least one group selected from the group consisting of amino and thiol groups in the molecule, in particular metals, in particular To prevent corrosion of copper or its alloys.
본 발명에 따르면, 상기 부식 방지제는 세정할 각각의 금속에 적합한 세정액에 첨가되며, 본 발명의 세정액 조성물은 금속 표면으로부터 불순물을 제거할 수 있으며, 금속의 부식을 방지할 수 있다.According to the present invention, the corrosion inhibitor is added to a cleaning solution suitable for each metal to be cleaned, and the cleaning solution composition of the present invention can remove impurities from the metal surface and prevent corrosion of the metal.
본 발명에 따르면, 금속, 특히 반도체 소자의 구리 배선은 본 발명의 세정액 조성물로 세정된다. 따라서, 반도체 소자의 표면으로부터 불순물이 제거되며, 구리 배선의 표면 러프닝이 일어나지 않고, 피팅이 형성되지 않는다.According to the invention, the metal, especially the copper wiring of the semiconductor element, is cleaned with the cleaning liquid composition of the invention. Therefore, impurities are removed from the surface of the semiconductor element, surface roughening of the copper wiring does not occur, and no fitting is formed.
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