KR20000059302A - 화상표시패널 제조용 드라이 에칭설비 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화상표시패널 제조용 드라이 에칭설비에 관한 것으로, 본 발명은 유리기판을 얼라인한 상태로 진공챔버 내부에 배치되며, 외부로부터 전기적인 에너지를 공급받는 전극 플레이트와, 이 전극 플레이트와 대향 배치되며, 복수개로 분할되고, 다른 외부로부터 전기적인 에너지를 공급받은 후, 전극 플레이트와의 연계작용에 의해 진공챔버 내부로 유입되는 공정가스를 이온화시키는 윈도우 플레이트와, 윈도우 플레이트의 전극 플레이트쪽 상부를 커버하는 히팅패드와, 히팅패드와 전기적으로 연결되며, 윈도우 플레이트의 에너지 공급상태에 따라, 상술한 히팅패드를 접지시키거나, 히팅패드로 일정 크기의 전원을 공급하는 전원 변화부를 포함하여 이루어진다.
이러한 본 발명이 실시되는 경우, 생산라인에서는 폴리머 파우더의 공정방해로 인한 에칭효율의 저하를 미리 차단시킬 수 있음으로써, 최종 완성되는 박막트랜지스터의 수율을 최적화할 수 있다.

Description

화상표시패널 제조용 드라이 에칭설비{Dry etching equipment for fabricating a picture display panel}
본 발명은 예컨대, 액정표시장치 등의 평판표시기에 채용되는 화상표시패널을 제조하기 위한 화상표시패널 제조용 드라이 에칭설비에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 폴리머 파우더로 전달되는 물리적인 충격의 완화를 통해, 폴리머 파우더의 불필요한 낙하를 미리 방지함으로써, 최종 완성되는 박막트랜지스터의 수율을 최적의 상태로 확보할 수 있도록 하는 화상표시패널 제조용 드라이 에칭설비에 관한 것이다.
최근, 현대 사회가 정보 사회화 되어감에 따라 정보 표시 장치의 하나인 액정표시장치의 중요성은 점차 증대되는 추세에 있다.
이러한 액정표시장치에서 특히, 화상표시패널의 역할과 기능은 갈수록 중요한 과제로 대두되고 있는 데, 이는 화상표시패널에 형성된 박막트랜지스터 패턴의 구조에 따라서 액정표시장치의 전체적인 기능이 많은 영향을 받기 때문이다.
이러한 이유로, 종래의 생산라인에서는 정밀한 공정진행이 가능한 특정 설비, 예컨대, 드라이 에칭 설비를 배치하고, 이에 의해, 화상표시패널상에 적정 기능의 박막트랜지스터 패턴을 형성시킴으로써, 화상표시패널이 자신에게 부여된 화상정보 디스플레이 기능을 양호하게 수행할 수 있도록 하고 있다.
이러한 종래의 드라이 에칭설비의 구조, 드라이 에칭방법 등의 유사한 예는 예컨대, 미국특허공보 제 5362361 호 "드라이 에칭 방법(Dry etching method)", 미국특허공보 제 5415728 호 "5429710 호 "드라이 에칭 방법(Dry etching method)", 미국특허공보 제 5466332 호 "세라믹 재료의 듀얼 에칭(Dual etching of ceramic materials)", 미국특허공보 제 5702562 호 "드라이 에칭 장치 및 방법(Dry etching apparatus and method)", 미국특허공보 제 5814238 호 "전이금속의 드라이 에칭 방법(Method for dry etching of transition metals)" 등에 좀더 상세하게 제시되어 있다.
상술한 종래의 화상표시패널 제조용 드라이 에칭설비는 예컨대, 윈도우 플레이트와, 이 윈도우 플레이트와 전극 플레이트의 조합으로 이루어지는 것이 일반적인데, 이때, 윈도우 플레이트와 전극 플레이트는 각각 진공챔버내부에서 상·하로 대향된 상태를 이루며 배치된다.
이러한 종래의 화상표시패널 제조용 드라이 에칭설비에서, 먼저, 생산라인에서는 박막트랜지스터막이 미리 형성된 유리기판을 전극 플레이트상에 얼라인시킨 후, 진공챔버의 내부로 일정량의 공정가스를 유입시킨다.
이때, 진공챔버의 내부로 유입된 공정가스는 윈도우 플레이트와 전극 플레이트에 걸리는 예컨대, 알에프 파우어(RF power)에 의해 신속히 이온화됨으로써, 플라즈마를 형성시키게 되며, 이러한 플라즈마는 유리기판상에 형성된 박막트랜지스터막을 일정 량만큼 에칭하게 된다.
이후, 생산라인에서는 상술한 에칭과정이 모두 완료된 유리기판을 추후의 공정설비로 이송하여, 유리기판상에 일정 패턴의 박막들을 추가로 형성시킴으로써, 양질의 기능성을 지닌 화상표시패널이 제조 완료될 수 있도록 한다.
그러나, 이러한 종래의 화상표시패널 제조용 드라이 에칭설비를 운용하는데에는 몇 가지 중대한 문제점이 있다.
상술한 바와 같이, 윈도우 플레이트와 전극 플레이트는 상·하로 대향된 상태를 이루며 배치되는데, 이때, 에칭공정이 장시간 진행되는 경우, 에칭공정 중에 발생한 공정 잔류물, 예컨대, 폴리머 파우더는 진공챔버의 내부를 폭 넓게 부유함으로써, 결국, 진공챔버의 상부에 배치된 윈도우 플레이트의 표면에 증착되는 문제점을 야기한다.
이러한 폴리머 파우더는 윈도우 플레이트상에 증착되어 있다가, 윈도우 플레이트의 온도가 급격한 변화를 나타내는 경우, 윈도우 플레이트의 급격한 열팽창 변화에 의해 물리적인 충격을 받음으로써, 윈도우 플레이트의 하부로 떨어지게 된다.
이 경우, 윈도우 플레이트의 하부로 떨어지는 폴리머 파우더는 전극 플레이트상에 얼라인된 유리기판위에 얹혀짐으로써, 결국, 유리기판상에 형성된 박막트랜지스터의 에칭이 원활히 이루어지지 못하게 되는 심각한 문제점을 유발시킨다.
이러한 문제점으로 인해, 최종 완성되는 박막트랜지스터의 수율이 현저히 저하되는 또 다른 문제점이 야기된다.
따라서, 본 발명의 목적은 윈도우 플레이트의 히팅온도를 일정 범위로 유지시켜, 윈도우 플레이트의 급격한 온도변화를 억제시킴으로써, 윈도우 플레이트에 증착된 폴리머 파우더가 이 윈도우 플레이트의 하부에 배치된 유리기판으로 떨어지는 문제점을 미리 차단시키는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 폴리머 파우더가 유리기판의 상부로 떨어지는 문제점을 미리 방지함으로써, 박막트랜지스터가 별다른 방해물 없이 좀더 원활한 에칭공정을 수행받을 수 있도록 하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 최종 완성되는 박막트랜지스터의 수율을 정상적으로 확보하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 첨부된 도면으로부터 보다 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 화상표시패널 제조용 드라이 에칭설비를 도시한 예시도.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 유리기판을 얼라인한 상태로 진공챔버 내부에 배치되며, 외부로부터 전기적인 에너지를 공급받는 전극 플레이트와, 이 전극 플레이트와 대향 배치되며, 복수개로 분할되고, 다른 외부로부터 전기적인 에너지를 공급받은 후, 전극 플레이트와의 연계작용에 의해 진공챔버 내부로 유입되는 공정가스를 이온화시키는 윈도우 플레이트와, 윈도우 플레이트의 전극 플레이트쪽 상부를 커버하는 히팅패드와, 히팅패드와 전기적으로 연결되며, 윈도우 플레이트의 에너지 공급상태에 따라, 상술한 히팅패드를 접지시키거나, 히팅패드로 일정 크기의 전원을 공급하는 전원 변화부를 포함하여 이루어진다.
이러한 본 발명이 실시되는 경우, 생산라인에서는 폴리머 파우더의 공정방해로 인한 에칭효율의 저하를 미리 차단시킬 수 있음으로써, 최종 완성되는 박막트랜지스터의 수율을 최적화할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 화상표시패널 제조용 드라이 에칭설비를 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 화상표시패널 제조용 드라이 에칭설비는 유리기판(1)을 얼라인한 상태로 진공챔버(도시안됨)의 내부에 배치되는 전극 플레이트(10)와, 이 전극 플레이트(10)의 상부에 배치되며, 복수개, 예컨대, 4개의 영역으로 분할되는 윈도우 플레이트(20)의 조합으로 이루어진다.
이때, 전극 플레이트(10)는 외부의 전원(2)과 전기적으로 연결되는 구조를 이루며, 윈도우 플레이트(20) 또한 전원코일(4)에 의해 외부의 전원(3)과 전기적으로 연결되는 구조를 이룬다.
여기서, 윈도우 플레이트(20)의 전극 플레이트(10)쪽 상부에는 히팅코일이 감겨진 히팅패드(21)가 배치되는데, 이러한 히팅패드(21)는 공정진행 중에 발생하는 폴리머 파우더가 안정적으로 증착될 수 있는 영역을 미리 제공한다. 이 히팅패드(21)의 배치로 인해, 폴리머 파우더는 윈도우 플레이트(20)상에 직접적으로 증착되지 않고, 히팅패드(21)상에 간접적으로 증착된다.
이때, 도면에 도시된 바와 같이, 히팅패드(21)의 외부로 인출된 히팅코일(22)은 외부의 전원 변화부(30)와 전기적으로 연결된 구조를 이룬다.
이러한 전원 변화부(30)는 윈도우 플레이트(20)의 에너지 공급상태에 따라, 상술한 히팅패드(21)를 접지시키거나, 히팅패드(21)로 일정 크기의 전원이 공급될 수 있도록 하는 역할을 수행한다.
일례로, 전원(3)이 턴온되어, 윈도우 플레이트(20)가 전기적인 에너지를 공급받고 있는 상태인 경우, 전원 변화부(30)는 전원 공급부(40)와 연결된 전기공급로를 단락시킴과 아울러, 자신의 전기공급로를 접지부(50)쪽으로 연통시킴으로써, 결국, 자신과 전기적으로 연결된 히팅패드(21) 또한 전기적인 접지상태를 보유하도록 한다. 이 경우, 히팅패드(21)는 자신과 접촉된 윈도우 플레이트(20)가 지속적인 전기 에너지 수급상태를 유지하고 있기 때문에, 비록, 전원 변화부(30)의 작용에 의해 전기적인 접지상태가 유지되더라도, 일정 순준, 예컨대, 100℃~120℃ 정도의 표면온도를 유지할 수 있다.
또한, 일례로, 전원(3)이 턴오프되어, 윈도우 플레이트(20)가 전기적인 에너지를 공급받고 있지 않은 상태인 경우, 전원 변화부(30)는 접지부(50)와 연결된 전기공급로를 단락시킴과 아울러, 자신의 전기공급로를 전원 공급부(40)쪽으로 연통시킴으로써, 결국, 자신과 전기적으로 연결된 히팅패드(21) 또한 전기적인 에너지 수급상태를 유지할 수 있도록 한다. 이 경우, 히팅패드(21)는 전원 공급부(40)로부터 지속적인 전기 에너지를 공급받을 수 있기 때문에, 비록, 윈도우 플레이트(20)가 턴오프 상태에 있더라도, 일정 수준, 예컨대, 100℃~120℃ 정도의 표면온도를 유지할 수 있다.
요컨대, 본 발명의 히팅패드(21)는 윈도우 플레이트(20)의 에너지 공급상태에 따른 전원 변화부(30)의 에너지 절환에 의해 항상 일정 수준의 표면온도를 유지할 수 있다.
이 경우, 히팅패드(21)는 급격한 열팽창 변화를 일으키지 않게 되며, 결국, 히팅패드(21)에 증착되어 있던 폴리머 파우더는 히팅패드(21)의 급격한 열팽창 변화에 따른 물리적인 충격을 피할 수 있기 때문에, 유리기판(1)쪽으로 떨어지지 않게 된다.
종래의 경우, 윈도우 플레이트상에 증착되어 있던 폴리머 파우더는, 윈도우 플레이트의 온도가 급격한 변화를 나타내는 경우, 윈도우 플레이트의 급격한 열팽창 변화에 의해 물리적인 충격을 받음으로써, 유리기판쪽으로 떨어지는 문제점을 유발하였다.
그러나, 본 발명의 경우, 상술한 바와 같이, 히팅패드(21)의 배치를 통해, 폴리머 파우더가 윈도우 플레이트(20)에 직접 증착되는 것을 방지함과 아울러, 전원 변화부(30)의 작용에 의해, 히팅패드(21)가 일정 수준의 온도를 항상 균일하게 유지할 수 있도록 함으로써, 폴리머 파우더로 전달되는 물리적인 충격이 대폭 완화될 수 있도록 하고, 결국, 폴리머 파우더가 유리기판(1)쪽으로 떨어지는 문제점을 미리 방지할 수 있다.
이 경우, 생산라인에서는 폴리머 파우더의 공정방해로 인한 유리기판(1)의 에칭효율 저하를 미리 차단시킬 수 있음으로써, 최종 완성되는 박막트랜지스터의 수율을 최적화할 수 있다.
한편, 상술한 구성을 갖는 본 발명에 따른 화상표시패널 제조용 드라이 에칭설비에서, 먼저, 생산라인에서는 박막트랜지스터막이 미리 형성된 유리기판(1)을 전극 플레이트(10)상에 얼라인시킨 후, 진공챔버의 내부로 일정량의 공정가스를 유입시킨다.
이때, 진공챔버의 내부로 유입된 공정가스는 윈도우 플레이트(10)와 전극 플레이트(20)에 걸리는 예컨대, 알에프 파우어에 의해 신속히 이온화됨으로써, 플라즈마를 형성시키게 되며, 이러한 플라즈마는 유리기판(1)상에 형성된 박막트랜지스터막을 일정 량만큼 에칭하게 된다.
여기서, 상술한 바와 같이, 히팅패드(21)는 윈도우 플레이트(20)의 에너지 공급상태에 따른 전원 변화부(30)의 에너지 절환에 의해 항상 일정 수준의 표면온도를 유지할 수 있기 때문에, 자신의 표면에 증착되어 있던 폴리머 파우더가 일정 크기의 물리적인 충격을 받지 않도록 유도할 수 있으며, 그 결과, 폴리머 파우더가 유리기판(1)쪽으로 떨어지는 문제점을 미리 방지시킬 수 있다.
이후, 생산라인에서는 상술한 에칭과정이 모두 완료된 유리기판(1)을 추후의 공정설비로 이송하여, 유리기판(1)상에 일정 패턴의 박막들을 추가로 형성시킴으로써, 양질의 기능성을 지닌 화상표시패널이 최종적으로 제조 완료될 수 있도록 한다.
이상의 설명에서와 같이, 본 발명에서는 폴리머 파우더로 전달되는 물리적인 충격의 완화를 통해, 폴리머 파우더의 불필요한 낙하를 미리 방지함으로써, 최종 완성되는 박막트랜지스터의 수율을 최적의 상태로 확보할 수 있다.
이러한 본 발명은 생산라인에서 채용되는 다양한 기종의 드라이 에칭설비에서 전반적으로 유용한 효과를 나타낸다.
그리고, 본 발명의 특정한 실시예가 설명되고 도시되었지만 본 발명이 당업자에 의해 다양하게 변형되어 실시될 가능성이 있는 것은 자명한 일이다.
이와 같은 변형된 실시예들은 본 발명의 기술적사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어서는 안되며 이와 같은 변형된 실시예들은 본 발명의 첨부된 특허청구의 범위안에 속한다 해야 할 것이다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 화상표시패널 제조용 드라이 에칭설비는 유리기판을 얼라인한 상태로 진공챔버 내부에 배치되며, 외부로부터 전기적인 에너지를 공급받는 전극 플레이트와, 이 전극 플레이트와 대향 배치되며, 복수개로 분할되고, 다른 외부로부터 전기적인 에너지를 공급받은 후, 전극 플레이트와의 연계작용에 의해 진공챔버 내부로 유입되는 공정가스를 이온화시키는 윈도우 플레이트와, 윈도우 플레이트의 전극 플레이트쪽 상부를 커버하는 히팅패드와, 히팅패드와 전기적으로 연결되며, 윈도우 플레이트의 에너지 공급상태에 따라, 상술한 히팅패드를 접지시키거나, 히팅패드로 일정 크기의 전원을 공급하는 전원 변화부를 포함하여 이루어진다.
이러한 본 발명이 실시되는 경우, 생산라인에서는 폴리머 파우더의 공정방해로 인한 에칭효율의 저하를 미리 차단시킬 수 있음으로써, 최종 완성되는 박막트랜지스터의 수율을 최적화할 수 있다.

Claims (1)

  1. 유리기판을 얼라인한 상태로 진공챔버 내부에 배치되며, 외부로부터 전기적인 에너지를 공급받는 전극 플레이트와;
    상기 전극 플레이트와 대향 배치되며, 복수개로 분할되고, 다른 외부로부터 전기적인 에너지를 공급받은 후, 상기 전극 플레이트와의 연계작용에 의해 상기 진공챔버 내부로 유입되는 공정가스를 이온화시키는 윈도우 플레이트와;
    상기 윈도우 플레이트의 상기 전극 플레이트쪽 상부를 커버하는 히팅패드와;
    상기 히팅패드와 전기적으로 연결되며, 상기 윈도우 플레이트의 에너지 공급상태에 따라, 상기 히팅패드를 접지시키거나, 상기 히팅패드로 소정의 전원을 공급하는 전원 변화부를 포함하는 것을 특징으로 하는 화상표시패널 제조용 드라이 에칭설비.
KR1019990006768A 1999-03-02 1999-03-02 화상표시패널 제조용 드라이 에칭설비 KR20000059302A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115079748A (zh) * 2022-07-08 2022-09-20 杭州富芯半导体有限公司 蚀刻腔体的温度控制方法
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