KR20000056689A - Low noise amplifier control circuit for mobile stations - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 이동 전화 단말기에 관한 것이며, 보다 상세히는 이동 전화 단말기의 부가 테스트 항목에 포함되는 싱글 톤(Single tone) 스펙과 IMD 스펙을 모두 만족시킬 수 있도록 된 이동 전화 단말기용 저잡음 증폭기 제어 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a mobile telephone terminal, and more particularly, to a low noise amplifier control circuit for a mobile telephone terminal that can satisfy both a single tone specification and an IMD specification included in an additional test item of the mobile telephone terminal. will be.
일반적으로 이동 전화 단말기의 부가 테스트 항목에 포함되는 싱글 톤 스펙과 IMD 스펙은 이동 전화 단말기의 감도 저하(Desensitization)를 측정하기 위한 테스트 항목이다.In general, the single tone specification and the IMD specification included in the additional test item of the mobile phone terminal are test items for measuring desensitization of the mobile phone terminal.
상기 싱글 톤 스펙은 한 개의 신호 발생기를 이용하여 기지국 신호에 인접한 신호를 발생시킨 후, 그 신호를 이동 전화 단말기로 인가시켰을 때 이동 전화 단말기의 감도 저하를 측정하기 위한 스펙이다.The single tone specification is a specification for measuring a decrease in sensitivity of a mobile telephone terminal when generating a signal adjacent to a base station signal using one signal generator and then applying the signal to the mobile telephone terminal.
상기 싱글 톤 스펙은 기지국 파워가 -90dBm이고 상기 신호 발생기 파워가 -32dBm일 때 1% 이내의 프레임 에러율(FER)을 허용한다.The single tone specification allows a frame error rate (FER) of less than 1% when the base station power is -90 dBm and the signal generator power is -32 dBm.
또한, 상기 IMD 스펙은 두 개의 신호 발생기를 이용하여 발생시킨 신호들을 기지국 신호와 함께 단말기의 안테나 입력단으로 인가시켰을 때, 이 신호들이 LNA와 믹서, 중간 주파(IF) 증폭기 등과 같은 비선형 소자를 경유함에 따라서 발생하는 하모닉 성분에 의한 이동 전화 단말기의 감도 저하를 측정하기 위한 스펙이다.In addition, when the IMD specification applies signals generated using two signal generators together with a base station signal to an antenna input terminal of the terminal, these signals pass through nonlinear elements such as an LNA, a mixer, and an intermediate frequency (IF) amplifier. Therefore, it is a specification for measuring the sensitivity fall of the mobile telephone terminal by the generated harmonic component.
상기 IMD 스펙은 기지국 파워가 -101dBm이고 신호 발생기 파워가 -43dBm일 때 1% 이내의 프레임 에러율(FER)을 허용하고, 기지국 파워가 -90dBm이고 신호 발생기 파워가 -32dBm일 때 1% 이내의 프레임 에러율(FER)을 허용하며, 기지국 파워가 -79dBm이고 신호 발생기 파워가 -21dBm일 때 1% 이내의 프레임 에러율(FER)을 허용한다.The IMD specification allows a frame error rate (FER) of less than 1% when the base station power is -101 dBm and the signal generator power is -43 dBm, and a frame within 1% when the base station power is -90 dBm and the signal generator power is -32 dBm. Allows error rate (FER), and allows frame error rate (FER) within 1% when base station power is -79 dBm and signal generator power is -21 dBm.
상기와 같은 이동 전화 단말기의 부가 테스트 항목(싱글 톤 스펙과 IMD 스펙)을 테스트하고 이동 전화 단말기가 이들 스펙을 만족시키도록 하기 위하여 이동 전화 단말기에는 저잡음 증폭기(LNA) 제어 회로가 구비되어 있다.In order to test the additional test items (single-tone spec and IMD spec) of the mobile telephone terminal as described above and to ensure that the mobile telephone terminal satisfies these specifications, the mobile telephone terminal is equipped with a low noise amplifier (LNA) control circuit.
상기 이동 전화 단말기용 저잡음 증폭기 제어 회로는 하나의 LNA를 온/오프시키므로써 상기 싱글 톤과 IMD 스펙을 테스트하고 이들 스펙을 만족시킬 수 있도록 구현된다.The low noise amplifier control circuit for the mobile phone terminal is implemented to test and satisfy the single tone and IMD specifications by turning on / off one LNA.
상기 이동 전화 단말기용 저잡음 증폭기 제어 회로는 -79dBm IMD 스펙은 LNA를 오프시켜 바이패스시키고 -90dBm IMD 스펙과 -101dBm IMD 스펙 및 싱글 톤 스펙은 LNA를 온시켜 통과시키므로써 싱글 톤 스펙과 IMD 스펙을 테스트할 수 있도록 되어 있으며, 그 테스트 결과에 따라서 이들 스펙을 만족시킬 수 있는 상기 저잡음 증폭기 제어 회로가 구현된다.The low-noise amplifier control circuit for the mobile phone handset bypasses the -79 dBm IMD specification by turning off the LNA, and the -90 dBm IMD specification, -101 dBm IMD specification, and the single-tone specification pass the LNA on and pass the single tone specification and the IMD specification. The low noise amplifier control circuit is designed to be able to test and to meet these specifications according to the test results.
통상적으로, 이동 전화 기지국의 임의의 채널에 해당하는 중심 주파수가 fo일 때 기지국 신호의 대역폭과 톤 파워1의 대역폭 및 톤 파워2의 대역폭은 각각 fo±615KHz(1.23MHz), fo±900KHz, fo±1700KHz로 되며, 중심 주파수가 fo인 기지국 채널에 상기 두 개의 톤 파워를 인가시키면 fo±100KHz와 fo±2500KHz 대역에서 각각 3차 하모닉 성분이 발생하게 된다.Typically, when the center frequency corresponding to any channel of the mobile telephone base station is fo, the bandwidth of the base station signal, the bandwidth of tone power 1 and the bandwidth of tone power 2 are fo ± 615KHz (1.23MHz), fo ± 900KHz, fo When the two tone powers are applied to a base station channel having a center frequency fo of ± 1700 KHz, a third harmonic component is generated in the fo ± 100KHz and fo ± 2500KHz bands, respectively.
이때, fo±100KHz가 1.23MHz인 기지국 채널의 대역폭에 들어오게 되는데 상기 3차 하모닉 성분이 클 경우에는 기지국으로부터 단말기가 수신한 데이터가 모두 손상된다.At this time, the fo + 100KHz is in the bandwidth of the base station channel of 1.23MHz, when the third harmonic component is large, all data received by the terminal from the base station is damaged.
따라서, 이러한 이유 때문에 종래의 이동 전화 단말기용 저잡음 증폭기 제어 회로는 -79dBm IMD 스펙은 LNA를 오프시켜 바이패스시키고, 나머지 IMD 스펙과 싱글 톤 스펙은 LNA를 온시켜 통과시키도록 되어 있다.For this reason, the conventional low-noise amplifier control circuit for mobile phone terminals is designed to bypass the -79dBm IMD specification by turning off the LNA, and pass the rest of the IMD specification and single-tone specification by turning on the LNA.
여기서, 상기 LNA를 온시켜 통과시키는 싱글 톤 스펙은 주로 중심 주파수가 fo인 기지국 채널에 상기 fo±900KHz인 한 개의 톤 파워가 인가했을 때 발생하는 단말기의 감도 저하를 최소화하기 위하여 테스트하는 스펙이며, 상기 톤 파워는 단말기에 직접적으로 영향을 미치지는 않지만 간접적으로 영향을 미치게 된다.Here, the single tone specification for turning on and passing the LNA is a specification for testing in order to minimize the sensitivity deterioration of the terminal generated when one tone power of fo ± 900 KHz is applied to a base station channel having a center frequency of fo, The tone power does not affect the terminal directly but indirectly.
하지만, 상기와 같이 하나의 LNA를 온 상태 또는 오프 상태로 제어하여 상기 싱글 톤 스펙과 IMD 스펙을 테스트하고 그 결과에 따라서 이들 스펙을 만족시킬 수 있는 이동 전화 단말기용 저잡음 증폭기를 구현하면, 단말기의 제조 일정이 연장될 뿐만 아니라, 실제로 거의 모든 이동 전화 단말기들이 -79dBm IMD 스펙은 만족시킬 수 있지만 LNA을 온시켜 통과시키는 싱글 톤 스펙 또는 -90dBm IMD 스펙을 만족시키지 못하는 문제가 발생한다.However, by implementing a low noise amplifier for a mobile phone terminal that can test a single tone specification and an IMD specification by satisfying these specifications according to the result by controlling one LNA on or off as described above. In addition to extended manufacturing schedules, virtually all mobile handsets can meet the -79 dBm IMD specification, but fail to meet the single-tone or -90 dBm IMD specification that turns LNA on.
따라서, 본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 이동 전화 단말기의 부가 테스트 항목에 포함되는 싱글 톤 스펙과 -79dBm IMD 스펙, -90dBm IMD 스펙 및, -101dBm IMD 스펙 등을 모두 만족시킬 수 있도록 된 이동 전화 단말기용 저잡음 증폭기 제어 회로를 제공하는데 있다.Accordingly, the present invention is to overcome the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to include a single tone specification, a -79 dBm IMD specification, a -90 dBm IMD specification, and a -101 dBm IMD specification included in an additional test item of a mobile phone terminal. The present invention provides a low noise amplifier control circuit for a mobile phone terminal which can satisfy all of the lights.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 이동 전화 단말기용 저잡음 증폭기 제어 회로는 두 개의 출력단 스위칭 접점(Aout,Bout)을 구비하고 있으며 -101dBm IMD 스펙과 싱글 톤 스펙이 인가되면 접점 Aout으로 온되고 -79dBm IMD 스펙 및 -90dBm IMD이 인가되면 접점 Bout으로 온되는 제1 스위치와, 상기 제1 스위치의 접점 Aout에 입력단이 접속되는 제1 LNA, 두 개의 입력단 스위칭 접점(Ain,Bin)을 구비하고 있으며 상기 제1 LNA의 출력단에 접점 Ain이 접속되고 -101dBm IMD 스펙과 싱글 톤 스펙이 인가되면 접점 Ain으로 온되며 -79dBm IMD 스펙 및 -90dBm IMD이 인가되면 접점 Bin으로 온되는 제2 스위치, 두 개의 출력단 스위칭 접점(Aout,Bout)을 구비하고 있으며 상기 제1 스위치의 접점 Bout에 입력단이 접속되고 -90dBm IMD 스펙이 인가되면 접점 Aout으로 온되고 -79dBm IMD 스펙이 인가되면 접점 Bout으로 온되는 제3 스위치, 상기 제3 스위치의 접점 Aout에 입력단이 접속되는 제2 LNA, 두 개의 입력단 스위칭 접점(Ain,Bin)을 구비하고 있으며 상기 제2 LNA의 출력단에 접점 Ain이 접속되고 출력단이 상기 제2 스위치의 접점 Bin에 접속되며 -90dBm IMD 스펙이 인가되면 접점 Ain으로 온되며 -79dBm IMD 스펙이 인가되면 접점 Bin으로 온되는 제4 스위치 및, 상기 제3 스위치의 접점 Bout와 제4 스위치의 접점 Bin 사이에 설치되어 바이패스 경로를 형성하는 정합 회로로 구성된다.The low noise amplifier control circuit for a mobile phone terminal has two output stage switching contacts (Aout, Bout) to achieve the object of the present invention, when the -101dBm IMD specification and the single-tone specification is applied to the contact Aout and -79dBm And a first switch that is turned on to contact Bout when the IMD specification and -90dBm IMD is applied, a first LNA to which an input terminal is connected to contact Aout of the first switch, and two input terminal switching contacts (Ain and Bin). Two outputs, the second switch being connected to the contact Ain when the contact Ain is connected to the output terminal of the first LNA and the -101dBm IMD specification and the single tone specification are applied, and the -79dBm IMD specification and -90dBm IMD are applied to the contact bin. It has a switching contact (Aout, Bout), the input is connected to the contact Bout of the first switch, when the -90dBm IMD specification is applied, it is turned on the contact Aout and the contact Bou when the -79dBm IMD specification is applied a third switch turned on t, a second LNA having an input terminal connected to the contact Aout of the third switch, two input terminal switching contacts Ain and Bin, and a contact Ain connected to an output terminal of the second LNA; A fourth switch connected to the contact bin of the second switch and turned on the contact Ain when the -90dBm IMD specification is applied, and turned on to the contact bin when the -79dBm IMD specification is applied, and the contact Bout and the third switch of the third switch. It consists of a matching circuit installed between the contact bins of the four switches to form a bypass path.
상기와 같은 구성에 따른 본 발명의 이동 전화 단말기용 저잡음 증폭기 제어 회로는 상기 제1 LNA와 제2 LNA의 온/오프 상태를 3가지 상태, 즉 제1 LNA 오프/제2 LNA 오프 상태와, 제1 LNA 온/제2 LNA 오프 상태 및, 제1 LNA 오프/제2 LNA 온 상태로 제어하여 -79dBm IMD 스펙은 상기 제1 LNA과 제2 LNA을 모두 오프시켜 상기 제1 스위치의 Bout 접점→제3 스위치의 Bout 접점→정합 회로→제4 스위치의 Bin 접점→제2 스위치의 Bin 접점으로 형성되는 경로를 통하여 바이패스시키고, -101dBm IMD 스펙과 싱글 톤 스펙은 상기 제1 LNA만 온시켜 상기 제1 스위치의 Aout 접점→제1 LNA→제2 스위치의 Ain 접점으로 형성되는 경로를 통하여 통과시키며, -90dBm IMD 스펙은 상기 제2 LNA만 온시켜 상기 제1 스위치의 Bout 접점→제3 스위치의 Aout 접점→제2 LNA→제4 스위치의 Ain 접점→제2 스위치의 Bin 접점으로 형성되는 경로를 통하여 통과시키므로써 각각의 스펙을 모두 만족시킬 수 있도록 되어 있다.The low noise amplifier control circuit for a mobile phone terminal of the present invention according to the above configuration has three states of on / off states of the first LNA and the second LNA, namely, a first LNA off / second LNA off state, and -79dBm IMD specification, by controlling the 1 LNA on / second LNA off state and the first LNA off / second LNA on state, both the first LNA and the second LNA off, so that the Bout contact of the first switch → Bypass through the path formed from the Bout contact of the three switch → matching circuit → the Bin contact of the fourth switch → the Bin contact of the second switch, the -101dBm IMD spec and single tone spec is turned on only the first LNA It passes through the path formed from the Aout contact of the first switch → the first LNA → the Ain contact of the second switch, and the -90 dBm IMD specification turns on only the second LNA so that the Bout contact of the first switch → Aout of the third switch. Contact → 2nd LNA → Ain Contact of 4th Switch → Bin Contact of 2nd Switch Written because passage through the path formed to have been designed to meet all of the respective specifications.
도 1은 본 발명에 따른 이동 전화 단말기용 저잡음 증폭기 제어 회로를 도시한 블록도이다.1 is a block diagram showing a low noise amplifier control circuit for a mobile telephone terminal according to the present invention.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>
10: 제1 LNA 20: 제2 LNA10: first LNA 20: second LNA
30: 정합 회로 S1: 제1 스위치30: matching circuit S1: first switch
S2: 제2 스위치 S3: 제3 스위치S2: second switch S3: third switch
S4: 제4 스위치S4: fourth switch
이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1을 참조하면, 제1 스위치(S1)는 두 개의 출력단 스위칭 접점(Aout,Bout)을 구비하고 있으며 -101dBm IMD 스펙과 싱글 톤 스펙이 인가되면 접점 Aout으로 온되고 -79dBm IMD 스펙 및 -90dBm IMD이 인가되면 접점 Bout으로 온된다.Referring to FIG. 1, the first switch S1 includes two output stage switching contacts Aout and Bout. When the -101dBm IMD specification and the single tone specification are applied, the first switch S1 is turned on as the contact Aout and the -79dBm IMD specification and -90dBm. When IMD is applied, it turns on to contact Bout.
제1 LNA(10)는 상기 제1 스위치(S1)의 접점 Aout에 입력단이 접속된다.In the first LNA 10, an input terminal is connected to the contact Aout of the first switch S1.
제2 스위치(S2)는 두 개의 입력단 스위칭 접점(Ain,Bin)을 구비하고 있으며 상기 제1 LNA(10)의 출력단에 접점 Ain이 접속되고 -101dBm IMD 스펙과 싱글 톤 스펙이 인가되면 접점 Ain으로 온되며 -79dBm IMD 스펙 및 -90dBm IMD이 인가되면 접점 Bin으로 온된다.The second switch S2 includes two input stage switching contacts Ain and Bin. When the contact Ain is connected to the output terminal of the first LNA 10 and a -101 dBm IMD specification and a single tone specification are applied, the second switch S2 is connected to the contact Ain. It is on and turns on to the contact bin when the -79dBm IMD specification and -90dBm IMD are applied.
제3 스위치(S3)는 두 개의 출력단 스위칭 접점(Aout,Bout)을 구비하고 있으며 상기 제1 스위치(S1)의 접점 Bout에 입력단이 접속되고 -90dBm IMD 스펙이 인가되면 접점 Aout으로 온되고 -79dBm IMD 스펙이 인가되면 접점 Bout으로 온된다.The third switch S3 includes two output stage switching contacts Aout and Bout. When the input terminal is connected to the contact Bout of the first switch S1 and the -90 dBm IMD specification is applied, the third switch S3 is turned on as the contact Aout and -79 dBm. When the IMD specification is applied, it turns on the contact Bout.
제2 LNA(20)는 상기 제3 스위치(S3)의 접점 Aout에 입력단이 접속된다.The second LNA 20 has an input terminal connected to the contact Aout of the third switch S3.
제4 스위치(S4)는 두 개의 입력단 스위칭 접점(Ain,Bin)을 구비하고 있으며 상기 제2 LNA(20)의 출력단에 접점 Ain이 접속되고 출력단이 상기 제2 스위치(S2)의 접점 Bin에 접속되며 -90dBm IMD 스펙이 인가되면 접점 Ain으로 온되며 -79dBm IMD 스펙이 인가되면 접점 Bin으로 온된다.The fourth switch S4 has two input stage switching contacts Ain and Bin, and the contact Ain is connected to the output terminal of the second LNA 20 and the output terminal is connected to the contact bin of the second switch S2. When the -90dBm IMD specification is applied, it turns on the contact Ain. When the -79dBm IMD specification is applied, it turns on the contact bin.
정합 회로(30)는 상기 제3 스위치(S3)의 접점 Bout와 제4 스위치(S4)의 접점 Bin 사이에 설치되어 바이패스 경로를 형성한다.The matching circuit 30 is installed between the contact Bout of the third switch S3 and the contact bin of the fourth switch S4 to form a bypass path.
상기와 같은 구성에 의해서 본 발명에 따른 이동 전화 단말기용 저잡음 증폭기 제어 회로는 다음과 같이 작동한다.With the above configuration, the low noise amplifier control circuit for a mobile telephone terminal according to the present invention operates as follows.
본 발명에 따른 이동 전화 단말기용 저잡음 증폭기 제어 회로는 기본적으로 상기 제1 LNA(10)와 제2 LNA(20)의 온/오프 상태를 3가지 상태, 즉 제1 LNA 오프/제2 LNA 오프 상태와, 제1 LNA 온/제2 LNA 오프 상태 및, 제1 LNA 오프/제2 LNA 온 상태로 제어하며, 그 제어 상태를 표로 나타내면 다음과 같다.The low noise amplifier control circuit for a mobile phone terminal according to the present invention basically has three states of on / off states of the first LNA 10 and the second LNA 20, namely, a first LNA off / second LNA off state. And the first LNA on / second LNA off state and the first LNA off / second LNA on state, and the control states thereof are as follows.
상기 표 1을 참조하면, 먼저 -79dBm IMD 스펙은 상기 제1 LNA(10)과 제2 LNA(20)을 모두 오프시켜 상기 제1 스위치(S1)의 Bout 접점→제3 스위치(S3)의 Bout 접점→정합 회로(30)→제4 스위치(S4)의 Bin 접점→제2 스위치(S2)의 Bin 접점으로 형성되는 경로를 통하여 바이패스시키므로써 테스트하고, 그 테스트 결과에 따라서 본 발명에 따른 저잡음 증폭기 제어 회로가 상기 -79dBm IMD 스펙을 만족할 수 있도록 구현된다.Referring to Table 1 above, the -79dBm IMD specification first turns off both the first LNA 10 and the second LNA 20 so that the Bout contact of the first switch S1 → Bout of the third switch S3. Test by bypassing through a path formed from the contact → matching circuit 30 → the bin contact of the fourth switch S4 to the bin contact of the second switch S2, and according to the test result, low noise according to the present invention. The amplifier control circuit is implemented to meet the above -79dBm IMD specification.
상기 -101dBm IMD 스펙과 싱글 톤 스펙은 상기 제2 LNA(20)는 오프시키고 상기 제1 LNA(10)만 온시켜 상기 제1 스위치(S1)의 Aout 접점→제1 LNA(10)→제2 스위치(S2)의 Ain 접점으로 형성되는 경로를 통하여 통과시키므로써 테스트하고, 그 테스트 결과에 따라서 본 발명에 따른 저잡음 증폭기 제어 회로가 상기 -101dBm IMD 스펙과 싱글 톤 스펙을 모두 만족할 수 있도록 구현된다.The -101dBm IMD specification and the single tone specification turn off the second LNA 20 and turn on only the first LNA 10 so that the Aout contact point of the first switch S1 → first LNA 10 → second The test is performed by passing through a path formed by the Ain contact of the switch S2, and according to the test result, the low noise amplifier control circuit according to the present invention is implemented to satisfy both the -101dBm IMD specification and the single tone specification.
상기 -90dBm IMD 스펙은 상기 제1 LNA(10)는 오프시키고 상기 제2 LNA(20)만 온시켜 상기 제1 스위치(S1)의 Bout 접점→제3 스위치(S3)의 Aout 접점→제2 LNA(20)→제4 스위치(S4)의 Ain 접점→제2 스위치(S2)의 Bin 접점으로 형성되는 경로를 통하여 통과시키므로써 테스트하고, 그 테스트 결과에 따라서 본 발명에 따른 저잡음 증폭기 제어 회로가 상기 -90dBm IMD 스펙을 만족할 수 있도록 구현된다.The -90 dBm IMD specification indicates that the first LNA 10 is turned off and only the second LNA 20 is turned on so that the Bout contact point of the first switch S1 → the Aout contact point of the third switch S3 → the second LNA 10. (20) is passed through a path formed from the Ain contact point of the fourth switch S4 to the Bin contact point of the second switch S2, and the low noise amplifier control circuit according to the present invention is Implemented to meet the -90dBm IMD specification.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 이동 전화 단말기용 저잡음 증폭기 제어 회로는 이동 전화 단말기의 부가 테스트 항목에 포함되는 싱글 톤 스펙과 IMD 스펙(-79dBm IMD 스펙, -90dBm IMD 스펙 및, -101dBm IMD 스펙 등)을 모두 만족시킬 수 있도록 되어 있기 때문에, 이동 전화 단말기의 품질을 향상시키고 그 제조 일정을 단축할 수 있는 효과가 있다.As described above, the low noise amplifier control circuit for a mobile phone according to the present invention includes a single tone specification and an IMD specification (-79 dBm IMD specification, -90 dBm IMD specification, and -101 dBm IMD specification, etc. included in an additional test item of the mobile phone terminal). Since both of them are satisfied, the quality of the mobile phone terminal can be improved and the production schedule can be shortened.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 이동 전화 단말기용 저잡음 증폭기 제어 회로를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구의 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.What has been described above is only one embodiment for implementing a low noise amplifier control circuit for a mobile telephone terminal according to the present invention, and the present invention is not limited to the above-described embodiment, and the present invention claims in the following claims. Various changes can be made by those skilled in the art without departing from the gist of the invention.
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| KR1019990006224A KR20000056689A (en) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | Low noise amplifier control circuit for mobile stations |
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