KR20000046141A - Optical head of proximate field and production method thereof - Google Patents

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KR20000046141A
KR20000046141A KR1019980062818A KR19980062818A KR20000046141A KR 20000046141 A KR20000046141 A KR 20000046141A KR 1019980062818 A KR1019980062818 A KR 1019980062818A KR 19980062818 A KR19980062818 A KR 19980062818A KR 20000046141 A KR20000046141 A KR 20000046141A
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Abstract

PURPOSE: An optical head of proximate field and its production method are provided to increase a generating efficiency of proximate field with the optical head of new structure. CONSTITUTION: A substrate(11) is prepared. An etching stop layer differed an etching property to the substrate is formed in a lower face of the substrate. A first aperture having a wide upper face and a narrow lower face is formed by etching an upper face of the substrate to expose the etching stop layer. A reflecting film(13) is formed in a front face of the substrate contained the first aperture. The etching stop layer is removed. A smaller second aperture than the first aperture is formed by punching a hole in a regular area of the reflecting film. Thereby, an optical head of proximate field is produced.

Description

근접장 광학 헤드 및 그 제조방법Near-field optical head and its manufacturing method

본 발명은 재생 전용 또는 재기록가능 광디스크에서 고밀도용 광디스크를 위한 근접장 광학 헤드 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a near field optical head for a high density optical disc in a read only or rewritable optical disc and a method of manufacturing the same.

CD-ROM에서 시작한 광디스크 기술은 현재 지속적으로 꾸준한 발전이 있어 왔다.Starting from CD-ROM, optical disc technology has been continuously developed.

그 결과 재생 전용의 경우 4.7GB의 용량을 가지는 DVD-ROM이 상품화되었고 재기록가능한 DVD-RAM의 경우 2.6GB의 기록용량이 상품화되었으며 4.7GB의 기록용량을 가지게 될 차세대 버전(Version)도 곧 상품화될 것으로 보인다.As a result, a DVD-ROM with a capacity of 4.7 GB is commercialized for playback only, a 2.6 GB recording capacity is commercialized for a rewritable DVD-RAM, and a next-generation version, which will have a recording capacity of 4.7 GB, will be commercialized soon. Seems to be.

현재, 연구되는 추세도 기록밀도를 증가시키는 것이 중심이 되고 있다.Currently, the trend being studied is also focused on increasing the recording density.

그러나, 회절 한계로 인하여 사용되는 레이저 빔 스팟(spot)의 크기를 파장 길이 이하로 줄일 수 없어서 고밀도화가 늦어지고 있다.However, due to the diffraction limit, the size of the laser beam spot used cannot be reduced below the wavelength length, and the density is slowed down.

그러므로, 단파장의 레이저 광원을 발굴하는 연구가 진행되고 있으며 현재 블루(blue) 대역의 레이저 개발이 진행 중이다.Therefore, researches for discovering a short wavelength laser light source are in progress, and a blue band laser is currently being developed.

이러한 고밀도화를 위한 방법들 중의 하나가 근접장 광학을 이용하는 방법이다.One of the methods for such high density is a method using near field optics.

레이저의 광도파관 역할을 하는 광섬유(optical fiber)를 파장 이하의 크기로 줄이거나 또는 레이저가 방출되는 어퍼춰(aperture)의 크기를 파장 이하의 크기로 줄이게 되면 근접거리(수십 나노미터 이하)의 거리에서는 빛이 그 크기를 유지하는 것을 이용하여 매우 작은 크기의 레이저 스팟을 만들 수 있다는 것이 근접장 광학의 이론이다.If the optical fiber, which acts as a laser waveguide, is reduced to sub-wavelength, or the aperture from which the laser is emitted is reduced to sub-wavelength, the distance of proximity (less than tens of nanometers) The theory of near-field optics is that in Esau, light can be created to maintain a very small size laser spot.

그러나, 근접장 광학은 두 가지 문제점을 가지고 있다.However, near field optics have two problems.

하나는 근접장이 아주 작은 영역, 즉 광섬유 팁(tip)이나 어퍼춰 팁으로부터 수십 nm이내에서만 유지된다는 것이다.One is that the near field is only maintained within a very small area, a few tens of nm from the fiber tip or aperture tip.

따라서, 광 헤드와 기록 매체 사이의 거리를 아주 좁은 영역에서 일정하게 유지하여야 하는 어려움이 발생한다.Therefore, a difficulty arises in that the distance between the optical head and the recording medium must be kept constant in a very narrow area.

다른 하나는 근접장을 보이는 광효율이 매우 낮다는 것이다.The other is that the light efficiency of near field is very low.

즉, 사용된 레이저 파워에 비해 근접장을 나타내는 광의 파워는 매우 작아서 효율이 극히 떨어진다는 것이다.That is, compared with the laser power used, the power of the light representing the near field is very small and the efficiency is extremely low.

그래서 대부분의 에너지가 광섬유 팁 또는 어퍼춰 팁에 흡수되어 열로 변환되는 것이다.That is why most of the energy is absorbed by the fiber tip or aperture tip and converted into heat.

기존의 어퍼춰를 이용한 근접장 광학용 헤드의 구조는 도 1a 및 도 1b와 같다.The structure of the head for the near field optics using the conventional aperture is shown in FIGS. 1A and 1B.

도 1a는 종래의 근접장 광학 헤드를 보여주는 평면도이고, 도 1b는 단면도이다.1A is a plan view showing a conventional near field optical head, and FIG. 1B is a sectional view.

도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 기존에는 실리콘 기판에 화학 에칭(chemical etching)으로 레이저 파장보다 작은 어퍼춰(약 100nm) 홀(hole)을 만들었다.As shown in FIGS. 1A and 1B, conventionally, an aperture (about 100 nm) hole smaller than a laser wavelength was formed by chemical etching on a silicon substrate.

이 구조에서 가장 문제가 되는 점은 근접장 발생 효율이 매우 낮다는 것이다.The main problem with this structure is that the near field generation efficiency is very low.

즉, 입력되는 진행파(propagating wave)의 파워에 비해 근접장의 파워는 매우 작다.That is, the power of the near field is very small compared to the power of the propagating wave input.

근접장의 파워는 어퍼춰로부터의 거리에 따라 지수 함수적으로 줄어든다고 알려져 있다.The power of the near field is known to decrease exponentially with distance from the aperture.

이 경우 100nm 이하의 크기를 가지는 어퍼춰 끝 부분에서 근접장이 발진하기 전에 인가되는 레이저 에너지의 대부분이 반사막에서 산란되어 열에너지로 대부분 소실되게 된다.In this case, most of the laser energy applied before the near field oscillates at the end of the aperture having a size of 100 nm or less is scattered in the reflecting film and is mostly lost as thermal energy.

본 발명은 이와 같은 문제들을 해결하기 위한 것으로, 새로운 구조의 광학 헤드를 이용하여 근접장 발생 효율을 높일 수 있는 근접장 광학 헤드 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve such problems, and an object thereof is to provide a near field optical head and a method of manufacturing the same, which can increase the near field generation efficiency using a new optical head.

도 1a 및 도 1b는 종래의 근접장 광학 헤드를 보여주는 평면도 및 단면도1A and 1B are a plan view and a cross-sectional view showing a conventional near field optical head

도 2는 본 발명 제 1 실시예에 따른 근접장 광학 헤드를 보여주는 구조단면도2 is a structural cross-sectional view showing a near field optical head according to the first embodiment of the present invention.

도 3a 내지 3f는 본 발명 제 1 실시예에 따른 근접장 광학 헤드의 제조 공정을 보여주는 공정단면도3A to 3F are cross-sectional views showing a manufacturing process of a near-field optical head according to the first embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명 제 2 실시예에 따른 근접장 광학 헤드를 보여주는 구조단면도4 is a structural cross-sectional view showing a near field optical head according to a second embodiment of the present invention.

도 5a 내지 5g는 본 발명 제 2 실시예에 따른 근접장 광학 헤드의 제조 공정을 보여주는 공정단면도5A to 5G are cross-sectional views showing a manufacturing process of a near field optical head according to a second embodiment of the present invention.

도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of the drawings

11,21 : 기판 12,22 : 포토레지스트11,21 substrate 12,22 photoresist

13,23 : 반사막 24 : 3차 비선형 막13,23: reflective film 24: tertiary nonlinear film

본 발명에 따른 근접장 광학 헤드의 특징은 제 1 어퍼춰를 갖는 기판과, 제 1 어퍼춰를 포함한 기판 전면에 형성되는 반사막과, 제 1 어퍼춰의 일정영역에 형성되고 제 1 어퍼춰보다 상대적으로 작은 제 2 어퍼춰로 구성되는데 있다.A feature of the near-field optical head according to the present invention is a substrate having a first aperture, a reflective film formed on the front surface of the substrate including the first aperture, and formed in a predetermined region of the first aperture and being relatively more than the first aperture. It consists of a small second aperture.

본 발명의 다른 특징은 제 1 어퍼춰가 윗면이 넓고 밑면이 좁게 형성되는데 있다.Another feature of the present invention is that the first aperture is formed with a wide top and a narrow bottom.

본 발명의 또 다른 특징은 제 1 반사막상에 3차 비선형 막이 형성되는데 있다.Another feature of the invention is that a tertiary nonlinear film is formed on the first reflecting film.

본 발명에 따른 근접장 광학 헤드 제조방법의 특징은 기판을 준비하는 단계와, 기판의 하부면에 기판과 에칭 성질이 다른 에칭 스톱층을 형성하는 단계와, 에칭 스톱층이 노출되도록 기판 상부면을 에칭하여 윗면이 넓고 밑면이 좁은 제 1 어퍼춰를 형성하는 단계와, 제 1 어퍼춰를 포함한 기판 전면에 반사막을 형성하는 단계와, 에칭 스톱층을 제거하는 단계와, 제 1 어퍼춰 영역에 형성된 반사막의 일정영역에 구멍을 뚫어 제 1 어퍼춰보다 상대적으로 작은 크기의 제 2 어퍼춰를 형성하는 단계로 이루어지는데 있다.Features of the method of manufacturing a near-field optical head according to the present invention include preparing a substrate, forming an etching stop layer having different etching properties from the substrate on the lower surface of the substrate, and etching the upper surface of the substrate to expose the etching stop layer. Forming a first aperture having a wide top surface and a narrow bottom surface, forming a reflective film on the entire surface of the substrate including the first aperture, removing an etch stop layer, and a reflective film formed in the first aperture region. Forming a second aperture having a smaller size than the first aperture by drilling a hole in a predetermined region of the second aperture.

본 발명의 다른 특징은 상기 반사막 형성 후, 그 위에 3차 비선형 막을 형성하는 단계를 더 포함하는데 있다.Another feature of the invention is that after forming the reflective film, further comprising forming a tertiary nonlinear film thereon.

상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 근접장 광학 헤드 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 실시예별로 설명하면 다음과 같다.The near field optical head and the method of manufacturing the same according to the present invention having the above characteristics will be described with reference to the accompanying drawings as follows.

제 1 실시예First embodiment

도 2는 본 발명 제 1 실시예에 따른 근접장 광학 헤드를 보여주는 구조단면도로서, 도 2에 도시된 바와 같이 먼저 실리콘 기판에 약 1 ∼ 2㎛ 크기의 비교적 큰 구멍을 만든 후, 그 위에 성막된 금속 반사막에 레이저 파장 크기 이하의 작은 구멍을 약 60nm 정도로 뚫어 어퍼춰(aperture)로 이용한다.FIG. 2 is a structural cross-sectional view showing a near-field optical head according to a first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2, first, a relatively large hole having a size of about 1 to 2 μm is formed in a silicon substrate, and then a metal deposited thereon. A small hole below the laser wavelength is drilled in the reflective film at about 60 nm and used as an aperture.

이 경우, 실리콘 기판의 경사면을 따라 반사된 빛이 금속 반사막에 뚫린 어퍼춰에 초점이 맞추어진다.In this case, the light reflected along the inclined surface of the silicon substrate is focused on the aperture drilled in the metal reflective film.

여기서, 금속 반사막에 뚫린 구멍은 파장보다 작은 크기의 도파관이 되고, 그 외의 부분은 파장보다 큰 크기를 가지므로 빛의 손실이 없다.Here, the hole drilled in the metal reflecting film becomes a waveguide having a size smaller than the wavelength, and since the other portions have a size larger than the wavelength, there is no loss of light.

결과적으로 근접장, 즉 파장 이하의 크기를 느끼는 부분이 짧아져서 근접장이 어퍼춰로부터 더 먼거리까지 유지된다.As a result, the near field, i.e., the portion that feels sub-wavelength, is shortened so that the near field is kept farther from the aperture.

따라서, 근접장 발생 효율이 약 1000배 이상 좋아지는 효과가 있다.Therefore, the near field generation efficiency is improved by about 1000 times or more.

이와 같은 구조를 갖는 근접장 광학 헤드의 제조 공정은 다음과 같다.The manufacturing process of the near-field optical head having such a structure is as follows.

도 3a 내지 3f는 본 발명 제 1 실시예에 따른 근접장 광학 헤드의 제조 공정을 보여주는 공정단면도로서, 먼저 도 3a에 도시된 바와같이 실리콘 기판(11)을 준비하고, 도 3b에 도시된 바와 같이 그 실리콘 기판(11) 하부에 실리콘과 에칭 성질이 다른(실리콘에 비해 에칭이 잘 되지 않는) 폴리머 계통의 물질을 코팅한다.3A to 3F are cross-sectional views showing the manufacturing process of the near-field optical head according to the first embodiment of the present invention. First, the silicon substrate 11 is prepared as shown in FIG. 3A, and as shown in FIG. 3B. The lower portion of the silicon substrate 11 is coated with a polymer-based material having different etching properties from silicon (which is less etched than silicon).

여기에서는 포토레지스트(photoresist)(12)를 사용하였다.Photoresist 12 was used here.

그리고, 포토레지스트(12)를 코팅한 후, 열처리하여 포토레지스트(12)를 경화시킨다.The photoresist 12 is coated and then heat treated to cure the photoresist 12.

이어, 도 3c에 도시된 바와 같이 화학 에칭으로 실리콘 기판(11)을 에칭하여 실리콘 기판(11)에 구멍을 만든다.Subsequently, as shown in FIG. 3C, the silicon substrate 11 is etched by chemical etching to make holes in the silicon substrate 11.

이때, 구멍의 모양은 역 사다리꼴 모양을 가지는데, 경우에 따라서는 다각형, 원통형 등과 같은 다른 모양으로 형성될 수도 있다.At this time, the shape of the hole has an inverted trapezoidal shape, in some cases it may be formed in other shapes, such as polygonal, cylindrical.

여기서, 그 밑변의 크기는 약 1 ∼ 2㎛ 정도로 하는데, 여기서는 약 1.5㎛로 하였다.Here, the base has a size of about 1 to 2 µm, and here it is about 1.5 µm.

이 크기는 사용하는 레이저에 따라 달라지는데, 그 파장이 짧을수록 밑변의 크기도 작게 만든다.This size depends on the laser used, and the shorter the wavelength, the smaller the base.

또한, 이 크기는 반사막의 초점에 맞춰질 수 있도록 최적화한다.This size is also optimized to focus on the reflective film.

그리고, 도 3d에 도시된 바와 같이 역 사다리꼴 모양의 구멍을 포함한 기판(11) 전면에 반사막(13)을 성막한다.As shown in FIG. 3D, the reflective film 13 is formed on the entire surface of the substrate 11 including the inverted trapezoidal hole.

여기서, 반사막(13)은 높은 반사도 및 높은 열전도성을 가지는 재질로서 알루미늄, 금, 은, 동 등과 그 외의 순수 금속 또는 2가지 이상의 합금이 가능한데, 여기서는 금을 사용하였다.Here, the reflective film 13 may be made of aluminum, gold, silver, copper, or other pure metal or two or more alloys as a material having high reflectivity and high thermal conductivity. Gold is used here.

이러한 재질을 가지는 반사막(13)은 스퍼터링(sputtering)이나 열 증착(thermal evaporation) 등의 방법으로 성막한다.The reflective film 13 having such a material is formed by a method such as sputtering or thermal evaporation.

이어, 도 3e에 도시된 바와 같이 아세톤 등의 유기 용매로 포토레지스트(12)를 제거한 다음, 역 사다리꼴의 구멍 밑변에 형성된 반사막(13)의 중심 부위에 FIB(Focused Ion Beam)로 근접장 발생용 구멍을 뚫어 근접장 광학 헤드를 제작한다.Subsequently, as shown in FIG. 3E, the photoresist 12 is removed with an organic solvent such as acetone, and then a near field generation hole is formed with a focused ion beam (FIB) at the center of the reflective film 13 formed at the bottom of the inverted trapezoidal hole. To make a near field optical head.

제 2 실시예Second embodiment

도 4는 본 발명 제 2 실시예에 따른 근접장 광학 헤드를 보여주는 구조단면도로서, 도 4에 도시된 바와 같이 어퍼춰를 갖는 금속 반사막 위에 3차 비선형 막을 성막하여 3차 비선형의 셀프-포커싱(self-focusing) 효과를 이용함으로써, 레이저 빔을 집속하여 근접장 발생 효율을 높이는 것이다.FIG. 4 is a structural cross-sectional view showing a near-field optical head according to a second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4, a third nonlinear film is formed on a metal reflective film having an aperture, and thus, third nonlinear self-focusing is performed. By using the focusing effect, the laser beam is focused to increase the near field generation efficiency.

도 5a 내지 5g는 본 발명 제 2 실시예에 따른 근접장 광학 헤드의 제조 공정을 보여주는 공정단면도이다.5A to 5G are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a near field optical head according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 5a 내지 도 5d는 본 발명 제 1 실시예의 도 4a 내지 도 4d와 제조 공정이 동일하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.5A to 5D are the same manufacturing processes as those of FIGS. 4A to 4D of the first embodiment of the present invention, and thus detailed descriptions thereof will be omitted.

도 5e에 도시된 바와 같이, 반사막(23) 위에 셀프-포커싱(self-focusing)을 나타내는 3차 비선형 막(24)을 성막한다.As shown in FIG. 5E, a third order nonlinear film 24 exhibiting self-focusing is formed over the reflective film 23.

여기서, 사용되는 3차 비선형 물질로는 a-Si, Sb, Ge, InSb, GaAs, ZnSe, AlP 등의 칼코제나이드(chalcogenide)계 원소와 반도체 원소들 또는 이들의 합금이 가능하며, SiO2를 매트릭스(matrix)로 하는 유리에 상기 물질을 입자 형태로 섞은 물질도 가능하다.Here, the third-order nonlinear material used is capable of knife Kozje arsenide (chalcogenide) based element and a semiconductor element or an alloy thereof such as a-Si, Sb, Ge, InSb, GaAs, ZnSe, AlP, and the SiO 2 It is also possible to mix a substance in the form of particles into a glass of a matrix.

상기 재질을 가지는 박막은 스퍼터링, 열 증착, CVD 등 통상의 박막 성막 방법을 사용한다.The thin film having the above material uses a conventional thin film deposition method such as sputtering, thermal evaporation, or CVD.

그리고, 또 다른 3차 비선형 물질로서 과포화흡수도 성질을 갖는 물질도 가능하다.In addition, as a third tertiary nonlinear substance, a substance having supersaturated absorption properties is also possible.

여기서, 과포화 흡수 성질은 일정 세기 이상의 빛에 대해서는 높은 투과성을 나타내는 성질로서 초 해상(super resolution)효과를 나타낸다.Here, the supersaturated absorption property is a property that shows high transparency to light of a certain intensity or more, and has a super resolution effect.

이어, 도 5f에 도시된 바와 같이 아세톤 등의 유기 용매로 포토레지스트(12)를 제거한 다음, 도 5g에 도시된 바와 같이 역 사다리꼴의 구멍 밑변에 형성된 반사막(23)의 중심 부위만을 FIB(Focused Ion Beam)로 근접장 발생용 구멍을 뚫어 근접장 광학 헤드를 제작한다.Subsequently, after removing the photoresist 12 with an organic solvent such as acetone, as shown in FIG. 5F, only a central portion of the reflective film 23 formed at the bottom of an inverted trapezoidal hole as shown in FIG. 5G is focused on the FIB (Focused Ion). Near-field optical head is manufactured by drilling holes for generating near-field with a beam.

이 근접장 발생용 구멍은 역 사다리꼴의 중심부에 직경 약 60nm 정도로 만든다.This near-field generating hole is made about 60 nm in diameter at the center of the inverted trapezoid.

이 구멍의 크기는 응용 범위에 따라 50 ∼ 100nm 사이에서 선택한다.The size of this hole is selected between 50 and 100 nm depending on the application range.

본 발명에 따른 근접장 광학 헤드 및 그 제조방법에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.The near field optical head and the manufacturing method thereof according to the present invention have the following effects.

본 발명은 기판에 먼저 약 1 ∼ 2㎛ 크기의 비교적 큰 구멍을 만든 후, 그 위에 성막된 금속 반사막에 레이저 파장 크기 이하의 작은 구멍을 약 60nm 정도로 뚫어 어퍼춰(aperture)로 이용함으로써, 결과적으로 근접장, 즉 파장 이하의 크기를 느끼는 부분이 짧아져서 근접장이 어퍼춰로부터 더 먼거리까지 유지되기 때문에 근접장 발생 효율이 약 1000배 이상 좋아지는 효과가 있다.According to the present invention, a relatively large hole having a size of about 1 to 2 μm is first formed in a substrate, and then a small hole having a laser wavelength size or less is drilled to about 60 nm and used as an aperture in the metal reflective film formed thereon. Since the near field, that is, the portion that senses the size below the wavelength, is shortened and the near field is kept farther from the aperture, the near field generation efficiency is improved by about 1000 times or more.

본 발명의 다른 효과는 이 금속 반사막 위에 3차 비선형 막을 성막하여 3차 비선형의 셀프-포커싱(self-focusing) 효과를 이용함으로써, 레이저 빔을 집속하여 근접장 발생 효율을 높이는 것이다.Another effect of the present invention is to form a tertiary nonlinear film on the metal reflecting film and use the tertiary nonlinear self-focusing effect to focus the laser beam to increase the near field generation efficiency.

즉, 셀프-포커싱 효과에 의해서 대략 파장 크기로 집속된 레이저 빔이 다시 집속되어 결과적으로 어퍼춰에 집속되기 때문에 근접장 발생량(throughput)을 향상시키게 된다.In other words, the near-field generation is improved because the laser beam focused at approximately the wavelength size is focused again by the self-focusing effect and consequently is focused on the aperture.

Claims (10)

제 1 어퍼춰를 갖는 기판;A substrate having a first aperture; 상기 제 1 어퍼춰를 포함한 기판 전면에 형성되는 반사막;A reflective film formed on an entire surface of the substrate including the first aperture; 상기 제 1 어퍼춰의 일정영역에 형성되고, 상기 제 1 어퍼춰보다 상대적으로 작은 제 2 어퍼춰로 구성되는 것을 특징으로 하는 근접장 광학 헤드.And a second aperture formed in a predetermined region of the first aperture, the second aperture being relatively smaller than the first aperture. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 어퍼춰는 윗면이 넓고 밑면이 좁게 형성되는 것을 특징으로 하는 근접장 광학 헤드.The near field optical head of claim 1, wherein the first aperture has a wide top surface and a narrow bottom surface. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 어퍼춰는 역사다리꼴, 다각형, 원뿔형 중 어느 한 모양으로 형성되는 것을 특징으로 하는 근접장 광학 헤드.The near field optical head of claim 1, wherein the first aperture is formed in any one of an inverted trapezoid, a polygon, and a cone. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 어퍼춰의 밑변은 1 ∼ 2㎛ 이고, 상기 제 2 어퍼춰는 50 ∼ 100nm 인 것을 특징으로 하는 근접장 광학 헤드.The near field optical head according to claim 1, wherein the base of the first aperture is 1 to 2 µm and the second aperture is 50 to 100 nm. 제 1 항에 있어서, 상기 반사막은 반사도 및 열전도도가 좋은 금속인 것을 특징으로 하는 근접장 광학 헤드.The near field optical head according to claim 1, wherein the reflecting film is a metal having good reflectivity and thermal conductivity. 제 5 항에 있어서, 상기 금속은 알루미늄, 금, 은, 동, 그 외의 순수금속, 금속 합금 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 근접장 광학 헤드.6. The near field optical head according to claim 5, wherein the metal is any one of aluminum, gold, silver, copper, other pure metals, and metal alloys. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 어퍼춰 밑면에 형성된 반사막은 편평하거나 또는 일정 각으로 경사진 것을 특징으로 하는 근접장 광학 헤드.The near field optical head of claim 1, wherein the reflective film formed on the bottom surface of the first aperture is flat or inclined at a predetermined angle. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 반사막상에는 3차 비선형 막이 형성되는 것을 특징으로 하는 근접장 광학 헤드.The near field optical head according to claim 1, wherein a tertiary nonlinear film is formed on the first reflecting film. 제 1 항에 있어서, 상기 3차 비선형 막은 a-Si, Sb, Ge, InSb, GaAs, ZnSe, AlP, 그 외의 칼코제나이드(chalcogenide)계 원소, 반도체 원소, 이들의 합금, SiO2를 매트릭스로 하는 유리에 상기 물질을 입자 형태로 섞은 물질, 과포화흡수도 성질을 갖는 물질 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 근접장 광학 헤드.According to claim 1, wherein the tertiary nonlinear film is a-Si, Sb, Ge, InSb, GaAs, ZnSe, AlP, other chalcogenide-based elements, semiconductor elements, alloys thereof, SiO 2 as a matrix Near-field optical head, characterized in that any one of the material in the form of particles mixed with the glass, the material having a supersaturated absorption property. 기판을 준비하는 단계;Preparing a substrate; 상기 기판의 하부면에 상기 기판과 에칭 성질이 다른 에칭 스톱층을 형성하는 단계;Forming an etch stop layer having a different etching property from the substrate on a lower surface of the substrate; 상기 에칭 스톱층이 노출되도록 기판 상부면을 에칭하여 윗면이 넓고 밑면이 좁은 제 1 어퍼춰를 형성하는 단계;Etching a top surface of the substrate to expose the etch stop layer to form a first aperture having a wide top and a narrow bottom; 상기 제 1 어퍼춰를 포함한 기판 전면에 반사막을 형성하는 단계;Forming a reflective film on an entire surface of the substrate including the first aperture; 상기 에칭 스톱층을 제거하는 단계;Removing the etch stop layer; 상기 제 1 어퍼춰 영역에 형성된 반사막의 일정영역에 구멍을 뚫어 제 1 어퍼춰보다 상대적으로 작은 크기의 제 2 어퍼춰를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 근접장 광학 헤드 제조방법.And forming a second aperture having a smaller size than the first aperture by drilling a hole in a predetermined region of the reflective film formed in the first aperture region.
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