KR20000034549A - Control equipment and control method of wafer processing apparatus - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: The control equipment and the control method of a wafer processing apparatus is provided so that it can jet a wafer processing substance at the same time among the nozzles which jet the wafer processing substance, and that it can prohibit effectively to be coagulated the wafer processing substance in the nozzles. CONSTITUTION: The control equipment of a wafer processing apparatus consists of the following sections according to function; the nozzle grouping section forming the data of a nozzle group by grouping the nozzle units by at least two groups in accordance with a fixed goal of a wafer processing operation; the forming section of the jet data forming the jet operation data of the above nozzle units at the base of the above data from nozzle group and the above data from the jet operation; and the performance section of the jet operation to carry out individually the jet of the wafer processing substance in every nozzle units among the above nozzle groups at the base of the data from the above jet operation.

Description

웨이퍼가공장치의 제어장치 및 제어방법Wafer processing device control device and control method

본 발명은 웨이퍼가공장치의 제어장치 및 제어방법에 관한 것으로, 보다 상세히는 웨이퍼의 코팅공정 및 현상공정을 제어하는 웨이퍼가공장치의 제어장치 및 제어방법에 관한 것이다.The present invention relates to a control apparatus and a control method of a wafer processing apparatus, and more particularly, to a control apparatus and a control method of a wafer processing apparatus for controlling a coating process and a developing process of a wafer.

일반적으로 웨이퍼가공장치는 스피너시스템(Spinner System)으로 일컬어지며, 반도체작업라인상의 소정의 작업위치로 웨이퍼를 이송시키는 웨이퍼이송장치와, 웨이퍼를 가공하는 가공유니트 즉, 코터유니트, 노광유니트 및 베이커유니트를 가지고 있다. 코터유니트 및 현상유니트는 통상 다수개가 모여 각각 코터유니트모듈 및 현상유니트모듈를 형성한다.Generally, a wafer factory is referred to as a spinner system, and a wafer transfer device for transferring a wafer to a predetermined working position on a semiconductor work line, and a processing unit for processing a wafer, that is, a coater unit, an exposure unit, and a baker unit. Have A coater unit and a developing unit usually have a plurality of them to form a coater unit module and a developing unit module, respectively.

웨이퍼이송장치는 컨베이어시스템 및 이송로봇등으로 구성되며, 이들은 각각 웨이퍼를 카세트에 적재하여 이송하거나 가공유니트들사이에서 웨이퍼를 이송한다.The wafer transfer device is composed of a conveyor system, a transfer robot, and the like, each of which loads a wafer into a cassette and transfers the wafer between processing units.

도 7은 코터유니트와 웨이퍼 흡착용 척(Chuck)을 수용하는 챔버(Chamber)의 개략적 구성도로서, 이 도면에 도시된 바와 같이, 코터유니트(131a)는 다수의 노즐(135a, 135b, 135c)과, 노즐들(135a, 135b, 135c)을 각각 구동하는 노즐이동구동부(143) 및 노즐분사구동부(145)를 가지고 있다. 노즐들(135a, 135b, 135c)의 일단은 챔버(133)내에 노출되어 있으며, 타단은 웨이퍼가공물질를 수용하는 가공물질압축용기(147a, 147b, 147c)에 연결되어 있다. 각 노즐(135a, 135b, 135c), 노즐이동구동부(143) 및 노즐분사구동부(145)가 일체로 하나의 노즐유니트를 형성한다. 가공물질압축용기(147a, 147b, 147c)에는 감광제, 프라이머 화학물질(Primer Chemicals)등이 수용되어 있으며, 이 웨이퍼가공물질들은 소정의 펌핑시스템(Pumping System)에 의해 노즐들(135a, 135b, 135c)을 통하여 챔버(133)내로 분사된다.FIG. 7 is a schematic configuration diagram of a chamber containing a coater unit and a wafer suction chuck. As shown in this figure, the coater unit 131a includes a plurality of nozzles 135a, 135b, and 135c. And a nozzle moving driver 143 and a nozzle injection driver 145 for driving the nozzles 135a, 135b, and 135c, respectively. One end of the nozzles 135a, 135b, and 135c is exposed in the chamber 133, and the other end is connected to the processing material compression container 147a, 147b, and 147c containing the wafer processing material. Each nozzle 135a, 135b, 135c, the nozzle movement driving part 143, and the nozzle injection driving part 145 integrally form one nozzle unit. The processing material compression containers 147a, 147b, and 147c contain photosensitive agents, primer chemicals, and the like, and the wafer processing materials are nozzles 135a, 135b, and 135c by a predetermined pumping system. ) Is injected into the chamber 133.

한편, 현상유니트는 코터유니트와 유사한 구성을 가진다.On the other hand, the developing unit has a configuration similar to that of the coater unit.

이러한 구성을 가지는 웨이퍼가공장치의 동작을 간단히 설명하면 다음과 같다.The operation of the wafer processing apparatus having such a configuration will be briefly described as follows.

웨이퍼는 컨베이어시스템(도시되지 않음)에 의해 카세트에 적재된 상태로 챔버(133)근처로 이동된 후 척(137)에 흡착지지된다. 척(137)에 흡착된 웨이퍼(139)는 감광제등을 분사하여 웨이퍼의 표면을 감광제등으로 균일하게 도포하는 코팅공정, 감광제의 부착력을 강화하기 위하여 웨이프를 가열 및 냉각하는 소프트베이킹공정 및 하드베이킹공정, 자외선등에 노출시켜 소정의 마스크(Mask)상의 패턴(Pattern)을 웨이퍼표면으로 옮기는 노광공정, 다중화되지 않은 감광제를 선택적으로 제거하는 현상공정, 웨이퍼상에 증착된 산화막을 선택적으로 제거하는 산화막 식각공정, 다중화된 감광제를 제거하는 감광제제거공정등을 거쳐 다시 컨베이어시스템에 의해 이동된다. 여기서, 코팅공정동안 척(137)에 흡착된 웨이퍼(139)는 구동모터(141)에 의해 회전되며, 코터유니트(131a) 및 현상유니트에 포함된 노즐들(135a, 135b, 135c)은 노즐이동구동부(143)에 의하여 웨이퍼상으로 이동된 후, 노즐분사구동부(145)의 구동에 따라 웨이퍼가공물질을 분사한다.The wafer is moved near the chamber 133 in a state of being loaded into a cassette by a conveyor system (not shown) and then supported by the chuck 137. The wafer 139 adsorbed to the chuck 137 is a coating process of spraying a photoresist and the like to uniformly apply the surface of the wafer to the photoresist, and a soft baking process and a hard baking process of heating and cooling the wafer to enhance adhesion of the photoresist. Exposure process for transferring a pattern on a mask to a wafer surface by exposure to a baking process, ultraviolet rays, a developing process for selectively removing unmultiplexed photoresist, and an oxide film for selectively removing an oxide film deposited on a wafer. It is moved by the conveyor system again through the etching process and the photoresist removal process to remove the multiplexed photoresist. Here, the wafer 139 adsorbed to the chuck 137 during the coating process is rotated by the drive motor 141, and the nozzles 135a, 135b, and 135c included in the coater unit 131a and the developing unit move the nozzle. After being moved onto the wafer by the driving unit 143, the wafer processing material is sprayed in accordance with the driving of the nozzle injection driving unit 145.

이러한 구성을 갖는 웨이퍼가공장치에서의 작업은 소정의 제어장치를 통하여 통일적으로 이루어지며, 이러한 웨이퍼가공장치의 제어장치가 도 4 내지 도 6에 도시되어 있다.The work in the wafer processing apparatus having such a configuration is performed uniformly through a predetermined control apparatus, and the control apparatus of such a wafer processing apparatus is shown in Figs.

도 4는 종래의 웨이퍼가공장치의 제어장치의 개략적 구성도이고, 도 5는 종래의 코터모듈제어장치의 개략적 블록구성도이고, 도 6은 도 5에 도시한 코터유니트제어부의 블록구성도이다.4 is a schematic block diagram of a control apparatus of a conventional wafer processing apparatus, FIG. 5 is a schematic block diagram of a conventional coater module control apparatus, and FIG. 6 is a block diagram of the coater unit controller shown in FIG.

도 4에 도시된 바와 같이, 종래의 웨이퍼가공장치의 제어장치는 호스트컴퓨터(101)와, 호스트컴퓨터(101)에 접속된 상위시스템제어장치(103)와, 상위시스템제어장치(103)에 병렬로 접속된 하위시스템제어장치(104) 즉, 웨이퍼이송제어장치(105), 코터모듈제어장치(107), 노광제어장치(109), 베이커모듈제어장치(111) 및 현상모듈제어장치(113)를 가지고 있다.As shown in FIG. 4, the control apparatus of the conventional wafer processing apparatus is parallel to the host computer 101, the host system controller 103 connected to the host computer 101, and the host system controller 103 in parallel. Sub-system control device 104, i.e., wafer transfer control device 105, coater module control device 107, exposure control device 109, baker module control device 111, and developing module control device 113 connected to each other. Have

호스트컴퓨터(101)는 하위시스템제어장치(104)의 공정실행루틴, 레스피(Recipe)등 웨이퍼가공장치의 동작에 필요한 초기데이터를 저장하는 보조메모리(도시되지 않음)를 가지고 있다. 여기서, 레스피란 웨이퍼의 회전속도데이터, 노즐의 웨이퍼상의 위치데이터, 노즐의 분사시간데이터, 분사노즐별 가공물질데이터등 가공작업에 필요한 데이터의 집합을 말하며 소정의 레스피번호에 의해 식별된다. 각 레스피의 데이터의 내용은 다르고, 그 내용은 소정의 입력장치를 통해 운용자가 변경할 수 있다.The host computer 101 has an auxiliary memory (not shown) for storing initial data necessary for the operation of the wafer processing apparatus, such as a process execution routine, a recipe, and the like of the subsystem control apparatus 104. Here, a resp means a set of data necessary for a processing operation, such as rotational speed data of a wafer, position data on a wafer of a nozzle, injection time data of a nozzle, and processing material data for each injection nozzle, and is identified by a predetermined respite number. The contents of the data of each respite are different, and the contents can be changed by the operator through a predetermined input device.

하위시스템제어장치(104)는 호스트컴퓨터(101)의 보조메모리로부터의 초기데이터를 저장할 수 있는 메모리(도시되지 않음)를 각각 가지고 있다.The subsystem control device 104 has a memory (not shown) that can store initial data from the auxiliary memory of the host computer 101, respectively.

하위시스템제어장치(104)중 코터모듈제어장치(107)와 현상모듈제어장치(113)의 구성은 동일하다. 이하 코터모듈제어장치(107)의 구성에 대해서 설명하기로 한다.The construction of the coater module control device 107 and the development module control device 113 among the subsystem control device 104 is the same. Hereinafter, the configuration of the coater module control device 107 will be described.

코터모듈제어장치(107)는, 도 5 및 도 6 에 도시되어 있는 바와 같이, 메모리(109)와, 코터유니트(131a, 131b, 131c...)에 1 대 1로 접속된 코터유니트제어부(114a, 114b, 114c...)를 가지고 있으며, 이들 코터유니트제어부(114a, 114b, 114c...)는 동일한 구성을 가진다. 이하, 코터유니트제어부(114a)에 대해서 설명하기로 한다.As shown in FIGS. 5 and 6, the coater module control device 107 is a coater unit controller (1 to 1) connected to the memory 109 and the coater units 131a, 131b, 131c ... 114a, 114b, 114c ...), and these coater unit controllers 114a, 114b, 114c ... have the same configuration. Hereinafter, the coater unit controller 114a will be described.

코터유니트제어부(114a)는 코터유니트(131a)에 접속된 분사작업제어부(121)와, 상위시스템제어장치(103)와 분사작업제어부(121)에 각각 접속된 통신부(115)를 가지고 있다. 분사작업제어부(121)는 코터유니트(131a)에 접속된 분사제어신호생성부(123)와 통신부(115)에 접속된 작업실행데이터해석부(122)를 가지고 있다.The coater unit controller 114a has an injection job control unit 121 connected to the coater unit 131a, and a communication unit 115 connected to the host system control device 103 and the injection job control unit 121, respectively. The injection job control unit 121 has a injection control signal generation unit 123 connected to the coater unit 131a and a job execution data analysis unit 122 connected to the communication unit 115.

이러한 구성을 가지는 웨이퍼가공장치의 제어장치의 동작을 설명하면 다음과 같다.The operation of the controller of the wafer processing apparatus having such a configuration will be described below.

웨이퍼가공장치에 동작전원이 인가되면, 호스트컴퓨터(101)의 보조메모리에 저장된 초기데이터가 독출되어 하위시스템제어장치(104)의 메모리에 저장된다. 특히, 코터모듈제어장치(107) 및 현상모듈제어장치(113)의 메모리에는 호스트컴퓨터(101)의 보조메모리로부터 레스피가 독출되어 저장된다.When operating power is applied to the wafer processing apparatus, the initial data stored in the auxiliary memory of the host computer 101 is read out and stored in the memory of the subsystem control apparatus 104. In particular, the memory of the coater module control device 107 and the developing module control device 113 is read out from the auxiliary memory of the host computer 101 and stored.

소정의 입력장치를 통하여 입력되는 웨이퍼가공목표작업은 전체 반도체작업라인을 총괄관리하는 호스트컴퓨터(101)에서 각 작업라인별 작업명령코드로 변환되어 상위시스템제어장치(103)로 전송된다.The wafer processing target job input through the predetermined input device is converted into a job command code for each work line by the host computer 101 which manages the entire semiconductor work line and transferred to the upper system control device 103.

상위시스템제어장치(103)는 작업명령코드에 따라 각 작업라인별 작업계획을 작성하는 한편, 작업실행메세지를 생성하여 하위시스템제어장치(104)로 전송한다. 이 때, 코터모듈제어장치(107)로 전송되는 작업실행메세지에는 코터유니트제어부(114a, 114b, 114c)에서 실행하여야 할 레스피번호가 포함되어 있다.The upper system control device 103 prepares a work plan for each work line according to the work command code, and generates a work execution message and transmits the work execution message to the lower system control device 104. At this time, the job execution message transmitted to the coater module control device 107 includes a recipe number to be executed by the coater unit controllers 114a, 114b, and 114c.

하위시스템제어장치(104)는 작업실행메세지를 분석하여 소정의 작업제어신호를 생성하여 컨베이어시스템, 이송로봇, 코터유니트등에서의 작업을 실행시킨다.The subsystem control device 104 analyzes the job execution message and generates a predetermined job control signal to execute the job in the conveyor system, the transfer robot, the coater unit, and the like.

하위시스템제어장치(104)중 코터모듈제어장치(107) 및 현상모듈제어장치(113)의 제어동작을 설명하면 다음과 같다.Referring to the control operation of the coater module control unit 107 and the development module control unit 113 of the subsystem control unit 104 is as follows.

코터모듈제어장치(107) 및 현상모듈제어장치(113)에서의 제어는 상호 독립적으로 동일한 방법으로 이루어진다. 이하, 코터모듈제어장치의 제어동작에 대해서 설명하기로 한다.The control in the coater module control device 107 and the developing module control device 113 are performed in the same manner independently of each other. Hereinafter, the control operation of the coater module control device will be described.

코터모듈제어장치(107)에서의 제어는 코터유니트제어부(114a, 114b, 114c)단위로 이루어지며, 코터유니트제어부(114a, 114b, 114c)는 각각 접속된 코터유니트(131a, 131b, 131c)만을 제어한다. 이 때, 상위시스템제어장치(103)는 코터유니트제어부(114a, 114b, 114c)에게 라운드 로빈(Round Robin)방식등으로 순차적으로 제어동작을 허락한다. 이하, 상위시스템제어장치(103)로부터 코터유니트제어부(114a)에 제어가 허락된 경우에 대하여 설명하기로 한다.The control in the coater module controller 107 is performed in the unit of the coater unit controllers 114a, 114b, and 114c, and the coater unit controllers 114a, 114b, and 114c are connected to the coater units 131a, 131b, and 131c, respectively. To control. At this time, the host system controller 103 permits the coater unit controllers 114a, 114b, and 114c to sequentially control in a round robin manner or the like. Hereinafter, a case where control is allowed to the coater unit controller 114a from the upper system controller 103 will be described.

상위시스템제어장치(103)는 통신부(115)를 경유하여 작업실행메세지를 분사작업제어부(121)로 전송한다. 분사작업제어부(121)는 작업실행메세지에 상응하는 코팅작업이 이루어지도록 코터유니트(131a)를 제어한다. 먼저, 작업실행데이터해석부(122)는 작업실행메세지를 분석하여 코터유니트(131a)에서 실행되어야 할 작업레스피 및 작업레스피가 저장된 레스피파일등에 관한 분사작업데이터를 생성한다. 분사제어신호생성부(123)는 레스피에 상응하는 작업이 코터유니트(131a)에서 이루어질 수 있도록 메모리(109)로부터 공정실행루틴 및 레스피를 독출하여 소정의 작업제어신호를 생성한다. 이 작업제어신호에는 노즐이동구동부, 노즐분사구동부 및 웨이퍼의 회전구동모터의 구동신호등이 포함된다.The host system controller 103 transmits the job execution message to the injection job controller 121 via the communication unit 115. The injection job control unit 121 controls the coater unit 131a to perform a coating job corresponding to the job execution message. First, the job execution data analysis unit 122 analyzes a job execution message and generates injection job data about a job recipe to be executed in the coater unit 131a and a recipe file in which the job recipe is stored. The injection control signal generation unit 123 reads the process execution routine and the response from the memory 109 to generate a predetermined operation control signal so that the operation corresponding to the response can be performed in the coater unit 131a. This job control signal includes a nozzle moving drive unit, a nozzle injection driving unit, a drive signal of a rotating drive motor of the wafer, and the like.

노즐이동구동부 및 노즐분사구동부가 분사제어신호생성부(123)에서 생성된 분사작업제어신호에 따라 각각 노즐들을 구동시킴으로써 코터유니트(131a)에서의 웨이퍼가공물질의 분사가 이루어진다.The nozzle moving driver and the nozzle injection driver drive the nozzles according to the injection job control signal generated by the injection control signal generation unit 123, respectively, so that the injection of the wafer processing material from the coater unit 131a is performed.

코터유니트제어부(114a)가 코터유니트(131a)를 제어하는 동안 다른 코터유니트제어부들(114b, 114c)은 이들에 접속된 코터유니트들(131b, 131c)을 제어할 수 없다.While the coater unit controller 114a controls the coater unit 131a, the other coater unit controllers 114b and 114c cannot control the coater units 131b and 131c connected thereto.

한편, 각 코터유니트 및 현상유니트에서는 노즐에서의 웨이퍼가공물질의 응고를 방지하기 위한 응고방지분사가 이루어진다. 응고방지분사는 노즐에 남아있는 웨이퍼가공물질을 웨이퍼의 외부영역을 향하여 분사하는 것을 말한다. 이러한 응고방지분사는 각각 코터유니트제어부 및 현상유니트제어부의 제어하에 이루어지는 데, 그 과정을 설명하면 다음과 같다.On the other hand, in each coater unit and the developing unit, anti-coagulation spraying is performed to prevent solidification of the wafer processing material at the nozzle. Anti-coagulation spray refers to spraying the wafer processing material remaining in the nozzle toward the outer region of the wafer. Such anti-coagulation spraying is performed under the control of the coater unit control unit and the developing unit control unit, respectively.

웨이퍼가공장치에 동작전원이 인가되면, 응고방지분사의 초기데이터가 호스트컴퓨터(101)의 보조메모리로부터 독출되어 각각 코터모듈제어장치(107) 및 현상모듈제어장치(113)의 메모리에 저장된다. 이러한 응고방지분사의 초기데이터에는 사전응고방지분사(Pre-Dispense)데이터, 사후응고방지분사(After-Dispense)데이터 및 자동응고방지분사(Auto-Dispense)데이터를 포함한다. 사전응고방지분사 및 사후응고방지분사(After-Dispense)는 각각 가공작업에 투입된 웨이퍼를 향한 분사작업의 전후 일정한 시기에 이루어지는 것을 말하고, 자동응고방지분사는 웨이퍼를 향한 분사작업의 휴지기간동안 일정한 주기로 계속적으로 이루어지는 것을 말한다. 응고방지분사의 제어는 코터모듈제어장치(107) 및 현상모듈제어장치(113)에서 동일한 방식으로 이루어진다. 이하 코터모듈제어장치(107)에서의 응고방지분사의 제어동작을 설명하기로 한다.When the operating power is applied to the wafer processing apparatus, the initial data of the anti-coagulation injection is read from the auxiliary memory of the host computer 101 and stored in the memories of the coater module controller 107 and the developer module controller 113, respectively. The initial data of the anti-coagulant injection includes pre-dispense data, after-dispense data and auto-dispense data. Pre-solidification prevention and after-dispense refer to a certain period before and after the injection operation toward the wafer put into the processing operation, respectively, and automatic coagulation prevention injection at regular intervals during the idle period of the injection operation toward the wafer. It is what happens continuously. The control of the anti-coagulation injection is performed in the same manner in the coater module control device 107 and the development module control device 113. Hereinafter, the control operation of the anti-coagulation spraying in the coater module control device 107 will be described.

분사제어신호생성부(123)는 메모리(109)에 저장된 응고방지분사의 초기데이타를 독출하여 상응하는 응고방지분사가 코터유니트(131a)에서 이루어지도록 소정의 응고방지제어신호를 생성한다. 이 때, 분사제어신호생성부(123)는 사전응고방지분사 또는 사후응고방지분사의 실행여부를 확인한 후 웨이퍼를 향한 웨이퍼가공물질의 분사작업이 실행되도록 코터유니트의 작업제어신호를 생성한다.The injection control signal generation unit 123 reads initial data of the anti-solidification spray stored in the memory 109 and generates a predetermined anti-solidification control signal so that a corresponding anti-solidification spray is made in the coater unit 131a. At this time, the injection control signal generation unit 123 checks whether the pre-solidification prevention or post-solidification prevention injection is performed, and generates a job control signal of the coater unit to execute the injection of the wafer processing material toward the wafer.

그런데, 이러한 구성을 가지는 웨이퍼가공장치의 제어장치에 따르면, 코터유니트 및 현상유니트들은 코터모듈제어장치 및 현상모듈제어장치중 어느 하나에 의해 1 대 1로 제어되고 또한 동일유니트에 속하는 노즐들은 정해진 웨이퍼가공물질만 분사할 수 있도록 제어되어, 코팅공정에 투입된 코터유니트와 현상공정에 투입된 현상유니트 상호간 및 동일공정에 속하는 노즐상호간에 전용할 수 없으므로, 가공목표작업에 따라 웨이퍼가공장치를 효율적으로 운용할 수 없다는 문제점이 있었다.However, according to the control apparatus of the wafer processing apparatus having such a configuration, the coater unit and the developing unit are controlled one-to-one by any one of the coater module controller and the development module controller, and the nozzles belonging to the same unit are determined wafers. It is controlled to spray only processed materials, so it can't be transferred between coater unit put into coating process and developing unit put into developing process and nozzles belonging to the same process. There was a problem that can not.

또한, 특정시간에 동일공정에 투입된 유니트들중 하나의 유니트에서만 분사작업이 실행되어 모든 유니트들에 대하여 실시간으로 동시에 분사작업을 실행시킬 수 없어 웨이퍼가공작업의 효율이 떨어질 뿐만 아니라 장시간 분사작업휴지상태에 있는 유니트들이 다수 존재하게 되어 노즐의 응고방지분사메카니즘이 복잡해진다는 문제점이 있었다.In addition, only one of the units put in the same process at a specific time can be sprayed, so it is not possible to execute spraying on all units at the same time in real time. There are a number of units in the unit, which causes a problem that the nozzle's anti-coagulation mechanism is complicated.

따라서, 본 발명의 목적은, 웨이퍼가공물질을 분사하는 노즐들을 웨이퍼가공목표작업 맞추어 재배치할 수 있는 웨이퍼가공장치의 제어장치 및 그 제어방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a control apparatus and a control method of a wafer processing apparatus capable of rearranging nozzles for injecting a wafer processing material in accordance with a wafer processing target operation.

본 발명의 다른 목적은, 노즐들 상호간에 동시에 실시간으로 웨이퍼가공물질을 분사할 수 있는 웨이퍼가공장치의 제어장치 및 그 제어방법을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a control apparatus and a control method of a wafer processing apparatus capable of simultaneously injecting a wafer processing material between nozzles in real time.

본 발명의 또 다른 목적은, 노즐내에서 웨이퍼가공물질이 응고되는 것을 효율적으로 방지할 수 있는 웨이퍼가공장치의 제어장치 및 그 제어방법을 제공하는 데 있다.It is still another object of the present invention to provide a control apparatus for a wafer processing apparatus and a method for controlling the same, which can effectively prevent solidification of the wafer processing material in the nozzle.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼가공장치의 제어장치의 개략적 블럭구성도,1 is a schematic block diagram of a control device of a wafer processing apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 2는 도 1에 도시한 코터/현상모듈 제어장치의 블록구성도,2 is a block diagram of the coater / developing module control device shown in FIG.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼가공장치의 제어장치중 코터/현상모듈제어장치에서의 제어동작을 도시한 플로우챠트,3 is a flowchart showing a control operation in a coater / development module control device of the control device of the wafer processing apparatus according to the embodiment of the present invention;

도 4는 종래의 웨이퍼가공장치의 제어장치의 개략적 구성도,4 is a schematic configuration diagram of a control apparatus of a conventional wafer processing apparatus;

도 5는 종래의 코터모듈제어장치의 개략적 블록구성도,5 is a schematic block diagram of a conventional coater module control apparatus;

도 6은 도 5에 도시한 코터유니트제어부의 블록구성도,FIG. 6 is a block diagram of a coater unit controller shown in FIG. 5;

도 7은 코터유니트와 웨이퍼흡착용 척을 수용하는 챔버의 개략적 구성도이다.7 is a schematic configuration diagram of a chamber containing a coater unit and a wafer suction chuck.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

1, 101 : 호스트컴퓨터 3, 103 : 상위시스템제어장치1, 101: host computer 3, 103: upper system control device

4, 104 : 하위시스템제어장치 5, 105 : 웨이퍼이송제어장치4, 104: Sub-system control device 5, 105: Wafer transfer control device

7 : 코터/현상모듈제어장치 9, 109 : 노광제어장치7: Coater / developing module control device 9, 109: exposure control device

11, 111 : 베이커모듈제어장치 13, 109 : 메모리11, 111: Baker module control device 13, 109: Memory

17 : 노즐데이터생성부 19, 115 : 통신부17: nozzle data generation unit 19, 115: communication unit

21, 121 : 분사작업제어부 22, 123 : 분사작업신호생성부21, 121: injection operation control unit 22, 123: injection operation signal generation unit

23 : 메시지전달부 25, 122 : 작업실행데이터해석부23: message delivery unit 25, 122: job execution data analysis unit

31a, 31b, 31c, 131a, 131b, 131c : 코터유니트31a, 31b, 31c, 131a, 131b, 131c: coater unit

32a, 32b, 32c : 현상유니트 107 : 코터모듈제어장치32a, 32b, 32c: Developing unit 107: Coater module control device

114a, 114b, 114c : 코터유니트제어부114a, 114b, 114c: coater unit controller

135a, 135b, 135c : 노즐135a, 135b, 135c: nozzle

상기 목적은, 본 발명에 따라, 웨이퍼를 향하여 소정의 웨이퍼가공물질을 분사할 수 있는 적어도 2개의 노즐유니트를 갖는 웨이퍼가공장치의 제어장치에 있어서, 상기 노즐유니트들을 소정의 웨이퍼가공목표작업에 따라 적어도 2개의 노즐그룹으로 그룹핑하여 노즐그룹데이터를 생성하는 노즐그룹핑부와; 상기 노즐그룹데이터 및 상기 웨이퍼가공목표작업에 기초하여 상기 노즐유니트들의 분사작업데이터를 생성하는 분사데이터생성부와; 상기 분사작업데이터에 기초하여 상기 노즐그룹 상호간에 독립적으로 각 노즐유니트에서의 웨이퍼가공물질의 분사를 실행시키는 분사작업실행부를 포함하는 웨이퍼가공장치의 제어장치에 의하여 달성된다.The object of the present invention is a control apparatus for a wafer processing apparatus having at least two nozzle units capable of injecting a predetermined wafer processing material toward a wafer, according to the present invention, wherein the nozzle units are arranged in accordance with a predetermined wafer processing target operation. A nozzle grouping unit for generating nozzle group data by grouping at least two nozzle groups; An injection data generation unit for generating injection operation data of the nozzle units based on the nozzle group data and the wafer processing target operation; And a spraying operation execution unit for spraying the wafer processing material in each nozzle unit independently of the nozzle groups based on the spraying operation data.

여기서, 상기 노즐그룹핑부는, 상기 노즐유니트들을 코팅공정을 수행하는 적어도 하나의 코터노즐그룹과 현상공정을 수행하는 적어도 하나의 현상노즐그룹으로 그룹핑하도록 구성함으로써 웨이퍼가공장치를 효율적으로 사용할 수 있다.Here, the nozzle grouping unit may be configured to group the nozzle units into at least one coater nozzle group performing a coating process and at least one developing nozzle group performing a developing process, thereby enabling the wafer to efficiently use a factory value.

이 때, 동일공정을 수행하는 노즐그룹에 속하는 노즐유니트들을 웨이퍼가공물질에 따라 복수의 노즐그룹으로 다시 그룹핑하고, 동일한 웨이퍼가공물질을 분사하는 노즐유니트들을 다시 웨이퍼가공물질을 분사하여야 할 대상웨이퍼상의 위치에 따라 그룹핑하도록 구성함으로써 웨이퍼가공작업의 효율을 증대시킬 수 있다.At this time, the nozzle units belonging to the nozzle group performing the same process are again grouped into a plurality of nozzle groups according to the wafer processing material, and the nozzle units spraying the same wafer processing material are again sprayed with the wafer processing material. By grouping according to position, the efficiency of wafer processing can be increased.

또한, 상기 노즐그룹핑부는, 웨이퍼가공물질에 따라 상기 노즐유니트들을 적어도 2개의 노즐그룹으로 그룹핑하고, 다시 동일한 웨이퍼가공물질을 분사하는 노즐유니트들을 웨이퍼가공물질을 분사하여야 할 대상웨이퍼상의 위치에 따라 그룹핑하도록 구성할 수 있다.The nozzle grouping unit may group the nozzle units into at least two nozzle groups according to the wafer processing material, and group the nozzle units that inject the same wafer processing material into positions on the target wafer to which the wafer processing material is to be injected. Can be configured to

그리고, 분사데이터생성부는, 상기 웨이퍼가공장치에 동작전원을 인가할 때부터 차단될 때까지 주기적으로 각 노즐유니트에서 응고방지분사가 이루어질 수 있도록 응고방지분사데이터를 생성하고; 상기 분사작업실행부는, 상기 응고방지분사데이터에 기초하여 각 노즐유니트에서의 응고방지분사를 실행시키도록 구성함으로써 노즐에서 웨이퍼가공물질이 응고하는 것을 효율적으로 방지할 수 있다.And, the injection data generation unit generates the anti-solidification injection data so that the anti-solidification injection can be made periodically in each nozzle unit from the time of applying the operating power to the wafer processing device until it is blocked; The jetting operation execution unit can be configured to execute the solidification prevention spraying in each nozzle unit based on the solidification prevention spraying data, thereby effectively preventing solidification of the wafer processing material in the nozzle.

한편, 상기 목적은, 본 발명의 다른 분야에 따라, 웨이퍼를 향하여 소정의 웨이퍼가공물질을 분사할 수 있는 적어도 2개의 노즐유니트를 갖는 웨이퍼가공장치의 제어방법에 있어서, 상기 노즐유니트들을 소정의 웨이퍼가공목표작업에 따라 적어도 2개의 노즐그룹으로 그룹핑하여 노즐그룹데이터를 생성하는 노즐그룹핑단계와; 상기 노즐그룹데이터 및 상기 웨이퍼가공목표작업에 기초하여 상기 노즐유니트들의 분사작업데이터를 생성하는 분사데이터생성단계와; 상기 분사작업데이터에 기초하여 상기 노즐그룹 상호간에 독립적으로 각 노즐유니트에서의 웨이퍼가공물질의 분사를 실행시키는 분사작업실행단계를 포함하는 웨이퍼가공장치의 제어방법에 의하여 달성된다.On the other hand, the above object is, according to another field of the present invention, in the method of controlling a wafer processing apparatus having at least two nozzle units capable of injecting a predetermined wafer processing material toward the wafer, wherein the nozzle units are predetermined wafers A nozzle grouping step of generating nozzle group data by grouping into at least two nozzle groups according to a machining target operation; An injection data generation step of generating injection operation data of the nozzle units based on the nozzle group data and the wafer processing target operation; And a spraying operation executing step of executing the spraying of the wafer processing material in each nozzle unit independently of the nozzle groups based on the spraying operation data.

여기서, 상기 노즐그룹핑단계는, 상기 노즐유니트들을 코팅공정을 수행하는 적어도 하나의 코터노즐그룹과 현상공정을 수행하는 적어도 하나의 현상노즐그룹으로 그룹핑하도록 구성함으로써 웨이퍼가공장치를 효율적으로 사용할 수 있다.Here, in the nozzle grouping step, the wafer may be efficiently used by grouping the nozzle units into at least one coater nozzle group performing a coating process and at least one developing nozzle group performing a developing process.

이 때, 상기 노즐그룹핑단계는, 동일공정을 수행하는 노즐그룹에 속하는 노즐유니트들을 웨이퍼가공물질에 따라 복수의 노즐그룹으로 그룹핑하고, 웨이퍼가공물질을 분사하여야 할 대상웨이퍼상의 위치에 따라 동일한 웨이퍼가공물질을 분사하는 노즐유니트들을 그룹핑하도록 구성함으로써 웨이퍼가공작업의 효율을 증대시킬 수 있다.At this time, the nozzle grouping step, the nozzle unit belonging to the nozzle group performing the same process grouped into a plurality of nozzle groups according to the wafer processing material, the same wafer processing according to the position on the target wafer to spray the wafer processing material It is possible to increase the efficiency of the wafer processing operation by configuring to group the nozzle units for spraying the material.

또한, 상기 노즐그룹핑단계는, 웨이퍼가공물질에 따라 상기 노즐유니트들을 적어도 2개의 노즐그룹으로 그룹핑하고, 웨이퍼가공물질을 분사하여야 할 대상웨이퍼상의 위치에 따라 동일한 웨이퍼가공물질을 분사하는 노즐유니트들을 그룹핑하도록 구성할 수 있다.The nozzle grouping may include grouping the nozzle units into at least two nozzle groups according to the wafer processing materials, and grouping the nozzle units that spray the same wafer processing materials according to positions on the target wafer to which the wafer processing materials are to be injected. Can be configured to

그리고, 상기 분사데이터생성단계는, 상기 웨이퍼가공장치에 동작전원을 인가할 때부터 차단될 때까지 주기적으로 각 노즐유니트에서 응고방지분사가 이루어질 수 있도록 응고방지분사데이터를 생성하고; 상기 분사작업실행단계는, 상기 응고방지분사데이터에 기초하여 각 노즐유니트에서의 응고방지분사를 실행시키도록 구성함으로써 노즐에서 웨이퍼가공물질이 응고하는 것을 효율적으로 방지할 수 있다.The spraying data generating step may include: solidifying prevention spraying data so that solidification preventing spraying may be performed at each nozzle unit periodically from the time of applying the operating power to the wafer processing apparatus until the wafer is shut off; In the spraying operation execution step, it is possible to effectively prevent the solidification of the wafer processing material in the nozzle by configuring to prevent the solidification spraying in each nozzle unit based on the solidification prevention spraying data.

이하 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼가공장치의 제어장치의 개략적 블록구성도이고, 도 2는 도 1에 도시한 코터/현상모듈 제어장치의 블록구성도이다.FIG. 1 is a schematic block diagram of a control apparatus of a wafer processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram of a coater / developing module control device shown in FIG.

본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼가공장치의 제어장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 호스트컴퓨터(1)와, 호스트컴퓨터(1)에 접속된 상위시스템제어장치(3)와, 상위시스템제어장치(3)에 병렬로 접속된 하위시스템제어장치(4) 즉, 웨이퍼이송제어장치(5), 코터/현상모듈제어장치(7), 노광제어장치(9) 및 베이커모듈제어장치(11)를 가지고 있다.As shown in FIG. 1, the control apparatus of the wafer processing apparatus according to the embodiment of the present invention includes a host computer 1, an upper system control device 3 connected to the host computer 1, and an upper system control. Sub-system controller 4 connected in parallel to the apparatus 3, i.e., wafer transfer controller 5, coater / development module controller 7, exposure controller 9 and baker module controller 11 Have

호스트컴퓨터(1)는 하위시스템제어장치(4)의 공정실행루틴, 레스피등 초기데이터를 저장하는 보조메모리(도시되지 않음)를 가지고 있다. 각 레스피는 소정의 레스피번호에 의해 식별되고, 운용자가 소정의 입력장치를 통해 레스피의 내용을 변경할 수 있다.The host computer 1 has an auxiliary memory (not shown) that stores initial data such as process execution routines and responsiveness of the subsystem control apparatus 4. Each recipe is identified by a predetermined recipe number, and the operator can change the contents of the recipe through a predetermined input device.

하위시스템제어장치(4)는 호스트컴퓨터(1)의 보조메모리로부터의 초기데이터를 저장할 수 있는 메모리(도시되지 않음)를 각각 가지고 있다.The subsystem control apparatus 4 has a memory (not shown) which can store initial data from the auxiliary memory of the host computer 1, respectively.

하위시스템제어장치(4)중 코터/현상모듈제어장치(7)의 구성은 다음과 같다.The construction of the coater / development module control device 7 in the subsystem control device 4 is as follows.

코터/현상모듈제어장치(7)는, 도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 코팅공정 및 현상공정의 실행루틴을 저장하는 메모리(13)와, 코터유니트(31a, 31b, 31c) 및 현상유니트(32a, 32b, 32c)에 접속된 분사작업제어부(15)와, 메모리(13)와 분사작업제어부(15)에 접속된 노즐데이터생성부(17)를 가지고 있다. 메모리(13), 노즐데이터생성부(17) 및 분사작업제어부(15)는 통신부(19)를 경유하여 상위시스템제어장치(3)에 접속되어 있다.As shown in Fig. 2, the coater / development module control device 7 includes a memory 13 for storing the execution routines of the coating process and the developing process, the coater units 31a, 31b, and 31c and the developing unit ( It has a spray job control unit 15 connected to 32a, 32b, and 32c, and a nozzle data generation unit 17 connected to a memory 13 and spray job control unit 15. The memory 13, the nozzle data generation unit 17, and the injection job control unit 15 are connected to the host system control device 3 via the communication unit 19.

또한, 분사작업제어부(21)는 코터유니트(31a, 31b, 31c...), 현상유니트(32a, 32b, 32c...) 및 메모리(13)에 접속된 분사제어신호생성부(22)와, 통신부(19)에 접속된 메세지전달부(23)와, 메모리(13) 및 메세지전달부(23)에 접속된 작업실행데이터해석부(25)를 가지고 있다.Further, the injection job control unit 21 is the injection control signal generation unit 22 connected to the coater units 31a, 31b, 31c ..., the developing units 32a, 32b, 32c ..., and the memory 13; And a message transfer unit 23 connected to the communication unit 19 and a job execution data analysis unit 25 connected to the memory 13 and the message transfer unit 23.

이러한 구성을 가지는 웨이퍼가공장치의 제어장치의 동작을 설명하면 다음과 같다. 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼가공장치의 제어장치중 코터/현상모듈제어장치에서의 제어동작을 도시한 플로우챠트이다.The operation of the controller of the wafer processing apparatus having such a configuration will be described below. 3 is a flowchart showing a control operation of the coater / development module control device in the control device of the wafer processing apparatus according to the embodiment of the present invention.

웨이퍼가공장치에 동작전원이 인가되면(S10), 호스트컴퓨터(1)의 보조메모리에 저장된 초기데이터가 독출되어 하위시스템제어장치(4)의 각 메모리로 로딩(Loading)된다(S20). 특히, 코터/현상모듈제어장치(7)의 메모리(13)에는 호스트컴퓨터(1)의 보조메모리로부터 레스피가 독출되어 저장된다.When operating power is applied to the wafer processing apparatus (S10), initial data stored in the auxiliary memory of the host computer 1 is read out and loaded into each memory of the subsystem control apparatus 4 (S20). In particular, the memory 13 of the coater / development module control device 7 reads out and stores the respite from the auxiliary memory of the host computer 1.

또한, 웨이퍼가공장치에 동작전원이 인가되면(S10), 노즐데이터생성부(17)는 노즐들을 고유의 식별자를 가지는 다수의 노즐그룹유니트로 그룹핑하여 노즐그룹데이터를 생성하고(S30), 노즐그룹유니트데이터 및 식별자데이터들을 통신부(19) 및 상위시스템제어장치(3)를 통하여 호스트컴퓨터(1)로 전송하는 한편, 메모리(13)에 저장한다. 이 때, 노즐데이터생성부(17)에서의 그룹핑은 가공공정, 웨이퍼가공물질 및 노즐의 웨이퍼상의 위치를 기준으로 이루어지는 데, 이 노즐그룹핑방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.In addition, when operating power is applied to the wafer processing apparatus (S10), the nozzle data generation unit 17 generates nozzle group data by grouping the nozzles into a plurality of nozzle group units having a unique identifier (S30). The unit data and the identifier data are transmitted to the host computer 1 via the communication unit 19 and the host system control device 3 and stored in the memory 13. At this time, the grouping in the nozzle data generation unit 17 is made based on the machining process, the wafer processing material, and the position of the nozzle on the wafer. The nozzle grouping method will be described in detail as follows.

먼저, 대상웨이퍼가 하나인 경우 노즐들을 가공공정에 따라 코터유니트#1 및 현상유니트 #1로 그룹핑하고, 다시 코터유니트#1에 속하는 노즐의 수가 복수인 경우 감광제노즐그룹, 프라이머노즐그룹등으로 그룹핑하고, 다시 감광제노즐그룹에 속하는 노즐의 수가 복수인 경우 (X1, Y1)위치노즐과 (X2, Y2)위치노즐로 그룹핑할 수 있다. 여기서, (X1, Y1) 및 (X2, Y2)는 웨이퍼의 위치를 XY좌표면에 사상할 때의 웨이퍼상의 위치를 나타낸다.First, when there is one target wafer, the nozzles are grouped into the coater unit # 1 and the developing unit # 1 according to the machining process, and when the number of nozzles belonging to the coater unit # 1 is plural, the group is divided into the photosensitive nozzle group and the primer nozzle group. When the number of nozzles belonging to the photosensitive nozzle group is plural, the group may be grouped into the (X1, Y1) position nozzles and the (X2, Y2) position nozzles. Here, (X1, Y1) and (X2, Y2) represent positions on the wafer when mapping the position of the wafer to the XY coordinate surface.

대상웨이퍼가 다수인 경우에는 노즐들을 가공공정에 따라 웨이퍼#1용 코터유니트, 웨이퍼#2용 코터유니트, 웨이퍼#1용 현상유니트, 웨이퍼#2용 현상유니트등과 같이 대상웨이퍼와 동일한 수의 코터유니트 및 현상유니트로 그룹핑하고, 다시 웨이퍼#1용 코터유니트를 대상웨이퍼가 하나인 경우에서 설명한 바와 같이 그룹핑할 수 있다.In the case of a large number of wafers, nozzles are coated with the same number of coaters as the wafers, such as the wafer # 1 coater unit, the wafer # 2 coater unit, the wafer # 1 developer unit, and the wafer # 2 developer unit, depending on the machining process. The unit and the developing unit can be grouped, and again, the coater unit for wafer # 1 can be grouped as described in the case where there is one target wafer.

또한, 노즐데이터생성부(17)는 노즐그룹 및 각 노즐그룹에 속하는 노즐들의 상태 즉, 정상동작가능여부를 나타내는 노즐상태데이터를 생성하여(S30) 통신부(19) 및 상위시스템제어장치(3)를 통하여 호스트컴퓨터(1)로 전송하는 한편, 메모리(13)에 저장한다.Further, the nozzle data generation unit 17 generates nozzle state and nozzle state data indicating the state of nozzles belonging to each nozzle group, that is, whether normal operation is possible (S30), and the communication unit 19 and the upper system control device 3. The data is transferred to the host computer 1 through the computer and stored in the memory 13.

소정의 입력장치를 통하여 웨이퍼가공목표작업이 입력되면(S40), 웨이퍼가공목표작업은 전체 반도체작업라인을 총괄관리하는 호스트컴퓨터(1)에서 각 작업라인별 작업명령코드로 변환되어 상위시스템제어장치(3)로 전송된다.When the wafer processing target job is input through a predetermined input device (S40), the wafer processing target job is converted into a work command code for each work line by the host computer 1 which manages the entire semiconductor work line as a whole. Is sent to (3).

상위시스템제어장치(3)는 작업명령코드에 따라 각 작업라인별 작업계획을 작성하는 한편, 작업실행메세지를 생성하여 하위시스템제어장치(4)에 전달한다(S50). 이 때, 코터/현상모듈제어장치(7)로 전달되는 작업실행메세지에는 작업대상 노즐그룹의 식별자 및 노즐그룹별 레스피번호가 포함되어 있다.The upper system control device 3 prepares a work plan for each work line according to the work command code, and generates a work execution message and transmits the work execution message to the lower system control device 4 (S50). At this time, the job execution message delivered to the coater / development module control device 7 includes an identifier of a work target nozzle group and a respite number for each nozzle group.

하위시스템제어장치(4)는 작업실행메세지에 기초하여 컨베이어시스템, 이송로봇, 코터유니트등에서 작업을 실행시키기 위한 소정의 작업데이터 및 작업제어신호를 생성한다.The subsystem control device 4 generates predetermined job data and job control signals for executing the job in the conveyor system, the transfer robot, the coater unit and the like based on the job execution message.

하위시스템제어장치(4)중 코터/현상모듈제어장치(7)에서의 작업데이터 및 작업제어신호의 생성과정을 설명하면 다음과 같다.The process of generating job data and job control signals in the coater / development module control device 7 in the subsystem control device 4 will now be described.

상위시스템제어장치(4)에서 생성된 작업실행메세지는 통신부(19)를 통하여 메세지전달부(23)로 전달된다. 메세지전달부(23)는 작업실행메세지를 임시저장한 후 한 번에 하나씩 작업실행데이터해석부(25)로 전송한다.The job execution message generated by the host system controller 4 is transmitted to the message transfer unit 23 through the communication unit 19. The message transfer unit 23 temporarily stores the job execution message and transmits the job execution data to the job execution data analysis unit 25 at a time.

작업실행데이터해석부(25)는 각 작업실행메세지를 분석하여 작업대상 노즐그룹, 각 노즐그룹별 작업레스피 및 작업레스피가 저장된 레스피파일등에 관한 분사작업데이터를 생성한다(S60). 이 때, 분사작업데이터의 생성은 노즐그룹단위로 이루어지며, 시분할방식(Time Sharing Method)에 의한 멀티태스킹방식(Multi-Tasking Method)으로 이루어진다. 또한, 분사작업데이터의 생성시 메모리(13)에의 접근(Access)은 각 노즐그룹별로 순차적으로 이루어지는 상호배제방식을 채용하는 것이 바람직하다. 한편, 메모리(13)는 각 노즐그룹별로 레스피파일들을 저장할 수 있도록 메모리영역이 할당되어 있고, 각 노즐그룹별 액세스 포인터(Access Pointer)가 설정되어 있다.The job execution data analysis unit 25 analyzes each job execution message and generates injection job data about a job target nozzle group, a job recipe for each nozzle group, and a recipe file in which the job recipe is stored (S60). At this time, the generation of the injection operation data is made in the unit of the nozzle group, it is made of a multi-tasking method (Multi-Tasking Method) by the time sharing method (Time Sharing Method). In addition, it is preferable to adopt a mutual exclusion method in which access to the memory 13 is sequentially performed for each nozzle group when generating the injection work data. In the memory 13, a memory area is allocated to store rep files for each nozzle group, and an access pointer for each nozzle group is set.

분사제어신호생성부(22)는 메모리(13)로부터 실행루틴 및 레스피를 독출하여 작업실행데이터해석부(25)에서 생성된 분사작업데이터에 따른 분사동작이 각 노즐그룹에서 일어날 수 있도록 소정의 분사작업제어신호를 생성한다(S70). 분사제어신호생성부(22)에서의 분사작업제어신호의 생성은 작업실행데이터해석부(25)에서와 마찬가지로 각 노즐그룹단위로, 멀티태스킹방식(Multi-Tasking Method)으로 수행되며, 메모리(13)에의 접근도 상호배제방식에 따른다.The injection control signal generation unit 22 reads the execution routine and the response from the memory 13, and the injection operation according to the injection job data generated by the job execution data analysis unit 25 can occur in each nozzle group. Generate a spraying operation control signal (S70). The generation of the injection job control signal in the injection control signal generation unit 22 is performed in a multi-tasking method for each nozzle group as in the job execution data analysis unit 25, and the memory 13 ) Is also subject to mutual exclusion.

분사제어신호생성부(22)에서 생성된 분사작업제어신호에 따라 노즐이동구동부 및 노즐분사구동부가 각각 노즐들을 구동시킴으로써 코터유니트(31a, 31b, 31c...) 및 현상유니트(32a, 32b, 32c...)에서 웨이퍼가공물질의 분사가 이루어진다(S90).The nozzle movement driving unit and the nozzle injection driving unit respectively drive the nozzles in accordance with the injection operation control signals generated by the injection control signal generation unit 22, so that the coater units 31a, 31b, 31c ... and the developing units 32a, 32b, 32c ...), the injection of the wafer processing material is performed (S90).

작업실행데이터해석부(25)에서의 분사작업데이터의 생성 및 분사제어신호생성부(22)에서의 분사작업제어신호의 생성이 노즐그룹간에 상호 독립적으로 이루어지므로, 노즐데이터생성부(17)에서의 그룹핑기준의 선택에 따라 동일한 가공공정을 수행하는 노즐그룹계위(Hierarchy)로부터 동일한 웨이퍼가공물질을 분사하는 노즐그룹계위까지 분사작업이 독립적으로 일어날 수 있는 노즐들의 계위를 조절할 수 있으며, 그룹핑되지 않은 노즐들 상호간은 종래와 같이 순차적으로 분사작업이 이루어지도록 분사작업제어신호를 생성할 수 있다.Since the generation of the injection job data in the job execution data analysis unit 25 and the generation of the injection job control signal in the injection control signal generation unit 22 are independently performed between the nozzle groups, the nozzle data generation unit 17 According to the selection of grouping criteria, it is possible to adjust the level of nozzles that can be sprayed independently from the nozzle group hierarchy performing the same processing to the nozzle group hierarchy spraying the same wafer processing material. The nozzles may generate a spraying operation control signal so that the spraying operations are sequentially performed as in the prior art.

통신부(19)는 상위시스템제어장치(3)와 메모리(13)사이, 상위시스템제어장치(3)와 분사작업제어부(15)사이의 신호전송에 있어서 신호정합(Interface)기능등을 수행한다.The communication unit 19 performs a signal interface function and the like in the signal transmission between the upper system control device 3 and the memory 13 and between the upper system control device 3 and the injection job control unit 15.

한편, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼가공장치의 제어장치에서의 응고방지분사의 제어과정을 설명하면 다음과 같다.On the other hand, the control process of the anti-solidification injection in the control apparatus of the wafer processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described.

웨이퍼가공장치에 동작전원이 인가되면, 응고방지분사의 초기데이터가 호스트컴퓨터(1)의 보조메모리로부터 독출되어 코터/현상모듈제어장치(7)의 메모리(13)에 로딩된다. 응고방지분사의 초기데이터는 웨이퍼가공장치에 동작전원이 인가될 때부터 차단될 때까지 가공공정의 개시여부를 불문하고 각 노즐마다 응고방지분사가 주기적으로 일어나도록 설정되어 있다. 여기서, 응고방지분사의 주기는 노즐의 사용시간 및 사용빈도에 비례하도록 설정하는 것이 바람직하다.When operating power is applied to the wafer processing apparatus, the initial data of the anti-coagulation spray is read from the auxiliary memory of the host computer 1 and loaded into the memory 13 of the coater / development module control device 7. The initial data of the anti-coagulation spray is set so that the anti-coagulation spray occurs periodically at each nozzle regardless of whether or not the machining process is started from when the operating power is applied to the wafer processing apparatus until it is shut off. Here, the period of anti-coagulation spraying is preferably set in proportion to the use time and the frequency of use of the nozzle.

분사제어신호생성부(22)는 메모리(13)에 저장된 응고방지분사의 초기데이타를 독출하여 이에 상응하는 응고방지분사가 각 노즐에서 실행될 수 있도록 소정의 응고방지분사제어신호를 생성한다(S80). 한편, 가공공정이 개시된 후에는 분사제어신호생성부(22)는 응고방지분사의 시기를 확인하여 웨이퍼를 향한 웨이퍼가공물질의 분사와 응고방지분사가 동시에 일어나지 않도록 분사작업제어신호를 생성하도록 하는 것이 바람직하다.The injection control signal generation unit 22 reads initial data of the anti-solidification spray stored in the memory 13 and generates a predetermined anti-solidification spray control signal so that the corresponding anti-solidification spray can be executed in each nozzle (S80). . On the other hand, after the machining process is started, the injection control signal generation unit 22 checks the timing of the anti-solidification injection to generate the injection operation control signal so that the injection of the wafer processing material toward the wafer and the anti-solidification injection do not occur at the same time. desirable.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 코팅공정 및 현상공정에 투입되는 노즐들을 임의로 선택하여 소정의 노즐그룹으로 그룹핑하고, 각 노즐그룹상호간에 독립적으로 분사작업데이터 및 분사작업제어신호를 생성하기 때문에 노즐들을 가공목표작업 맞추어 재배치 즉, 코팅공정에 투입된 노즐과 현상공정에 투입된 노즐상호간 및 물론 동일공정에 투입된 노즐상호간에 전용함으로써 웨이퍼가공장치를 효율적으로 사용할 수 있을 뿐만 아니라 노즐들 상호간에 동시에 실시간으로 웨이퍼가공물질이 분사되도록 함으로써 웨이퍼가공작업의 효율성을 높힐 수 있다.As described above, according to the present invention, since the nozzles introduced into the coating process and the developing process are arbitrarily selected and grouped into a predetermined nozzle group, the spraying operation data and the spraying operation control signal are independently generated between each nozzle group. By repositioning the nozzles according to the processing target work, that is, between nozzles put into the coating process and nozzles put into the developing process and, of course, nozzles put into the same process, the wafer can not only efficiently use the factory value but also simultaneously in real time between the nozzles. The wafer processing material can be sprayed to increase the efficiency of the wafer processing operation.

또한, 본 발명에 따르면, 웨이퍼가공장치에 동작전원이 공급될 때부터 차단될 때까지 주기적으로 각 노즐에서 응고방지분사가 실행되기 때문에 간단한 방식으로 각 노즐에서의 웨이퍼가공물질의 응고를 효율적으로 방지할 수 있다.In addition, according to the present invention, since solidification prevention spraying is performed at each nozzle periodically from the time of supplying the operating power to the wafer processing apparatus until it is blocked, the solidification of the wafer processing material at each nozzle is effectively prevented in a simple manner. can do.

Claims (14)

웨이퍼를 향하여 소정의 웨이퍼가공물질을 분사할 수 있는 적어도 2개의 노즐유니트를 갖는 웨이퍼가공장치의 제어장치에 있어서,A control apparatus of a wafer processing apparatus having at least two nozzle units capable of injecting a predetermined wafer processing material toward a wafer, 상기 노즐유니트들을 소정의 웨이퍼가공목표작업에 따라 적어도 2개의 노즐그룹으로 그룹핑하여 노즐그룹데이터를 생성하는 노즐그룹핑부와;A nozzle grouping unit for generating nozzle group data by grouping the nozzle units into at least two nozzle groups according to a predetermined wafer processing target operation; 상기 노즐그룹데이터 및 상기 웨이퍼가공목표작업에 기초하여 상기 노즐유니트들의 분사작업데이터를 생성하는 분사데이터생성부와;An injection data generation unit for generating injection operation data of the nozzle units based on the nozzle group data and the wafer processing target operation; 상기 분사작업데이터에 기초하여 상기 노즐그룹 상호간에 독립적으로 각 노즐유니트에서의 웨이퍼가공물질의 분사를 실행시키는 분사작업실행부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공장치의 제어장치.And a spraying operation executing unit for executing the spraying of the wafer processing material in each nozzle unit independently of the nozzle groups based on the spraying operation data. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 노즐그룹핑부는, 상기 노즐유니트들을 코팅공정을 수행하는 적어도 하나의 코터노즐그룹과 현상공정을 수행하는 적어도 하나의 현상노즐그룹으로 그룹핑하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공장치의 제어장치.And the nozzle grouping unit groups the nozzle units into at least one coater nozzle group performing a coating process and at least one developing nozzle group performing a developing process. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 노즐그룹핑부는, 동일공정을 수행하는 노즐그룹에 속하는 노즐유니트들을 웨이퍼가공물질에 따라 복수의 노즐그룹으로 그룹핑하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공장치의 제어장치.And the nozzle grouping unit groups the nozzle units belonging to the nozzle group performing the same process into a plurality of nozzle groups according to the wafer processing material. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 노즐그룹핑부는, 웨이퍼가공물질을 분사하여야 할 대상웨이퍼상의 위치에 따라 동일한 웨이퍼가공물질을 분사하는 노즐유니트들을 그룹핑하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공장치의 제어장치.And the nozzle grouping unit groups the nozzle units for spraying the same wafer processing material according to the position on the target wafer to which the wafer processing material is to be sprayed. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 노즐그룹핑부는, 웨이퍼가공물질에 따라 상기 노즐유니트들을 적어도 2개의 노즐그룹으로 그룹핑하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공장치의 제어장치.And the nozzle grouping unit groups the nozzle units into at least two nozzle groups according to a wafer processing material. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 노즐그룹핑부는, 웨이퍼가공물질을 분사하여야 할 대상웨이퍼상의 위치에 따라 동일한 웨이퍼가공물질을 분사하는 노즐유니트들을 그룹핑하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공장치의 제어장치.And the nozzle grouping unit groups the nozzle units for spraying the same wafer processing material according to the position on the target wafer to which the wafer processing material is to be sprayed. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 분사데이터생성부는, 상기 웨이퍼가공장치에 동작전원을 인가할 때부터 차단될 때까지 주기적으로 각 노즐유니트에서 응고방지분사가 이루어질 수 있도록 응고방지분사데이터를 생성하고;The injection data generation unit generates solidification prevention injection data so that anti-solidification injection can be performed at each nozzle unit periodically from the time of applying the operating power to the wafer processing apparatus until the operation is cut off; 상기 분사작업실행부는, 상기 응고방지분사데이터에 기초하여 각 노즐유니트에서의 응고방지분사를 실행시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공장치의 제어장치.And the spray operation execution unit executes the solidification prevention spraying in each nozzle unit based on the solidification prevention spraying data. 웨이퍼를 향하여 소정의 웨이퍼가공물질을 분사할 수 있는 적어도 2개의 노즐유니트를 갖는 웨이퍼가공장치의 제어방법에 있어서,A control method of a wafer processing apparatus having at least two nozzle units capable of injecting a predetermined wafer processing material toward a wafer, 상기 노즐유니트들을 소정의 웨이퍼가공목표작업에 따라 적어도 2개의 노즐그룹으로 그룹핑하여 노즐그룹데이터를 생성하는 노즐그룹핑단계와;A nozzle grouping step of generating nozzle group data by grouping the nozzle units into at least two nozzle groups according to a predetermined wafer processing target operation; 상기 노즐그룹데이터 및 상기 웨이퍼가공목표작업에 기초하여 상기 노즐유니트들의 분사작업데이터를 생성하는 분사데이터생성단계와;An injection data generation step of generating injection operation data of the nozzle units based on the nozzle group data and the wafer processing target operation; 상기 분사작업데이터에 기초하여 상기 노즐그룹 상호간에 독립적으로 각 노즐유니트에서의 웨이퍼가공물질의 분사를 실행시키는 분사작업실행단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공장치의 제어방법.And a spraying operation executing step of executing the spraying of the wafer processing material in each nozzle unit independently of the nozzle groups based on the spraying operation data. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 노즐그룹핑단계는, 상기 노즐유니트들을 코팅공정을 수행하는 적어도 하나의 코터노즐그룹과 현상공정을 수행하는 적어도 하나의 현상노즐그룹으로 그룹핑하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공장치의 제어방법.The nozzle grouping step includes controlling the nozzle units into at least one coater nozzle group performing a coating process and at least one developing nozzle group performing a developing process. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 노즐그룹핑단계는, 동일공정을 수행하는 노즐그룹에 속하는 노즐유니트들을 웨이퍼가공물질에 따라 복수의 노즐그룹으로 그룹핑하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공장치의 제어방법.The nozzle grouping step, the control method of the wafer processing apparatus, characterized in that the nozzle units belonging to the nozzle group performing the same process grouped into a plurality of nozzle groups according to the wafer processing material. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 노즐그룹핑단계는, 웨이퍼가공물질을 분사하여야 할 대상웨이퍼상의 위치에 따라 동일한 웨이퍼가공물질을 분사하는 노즐유니트들을 그룹핑하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공장치의 제어방법.The nozzle grouping step, the control method of the wafer processing apparatus, characterized in that for grouping the nozzle units for injecting the same wafer processing material in accordance with the position on the target wafer to be sprayed. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 노즐그룹핑단계는, 웨이퍼가공물질에 따라 상기 노즐유니트들을 적어도 2개의 노즐그룹으로 그룹핑하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공장치의 제어방법.The nozzle grouping step, the method of controlling the wafer processing apparatus, characterized in that for grouping the nozzle units into at least two nozzle groups according to the wafer processing material. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 노즐그룹핑단계는, 웨이퍼가공물질을 분사하여야 할 대상웨이퍼상의 위치에 따라 동일한 웨이퍼가공물질을 분사하는 노즐유니트들을 그룹핑하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공장치의 제어방법.The nozzle grouping step, the control method of the wafer processing apparatus, characterized in that for grouping the nozzle units for injecting the same wafer processing material in accordance with the position on the target wafer to be sprayed. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 분사데이터생성단계는, 상기 웨이퍼가공장치에 동작전원을 인가할 때부터 차단될 때까지 주기적으로 각 노즐유니트에서 응고방지분사가 이루어질 수 있도록 응고방지분사데이터를 생성하고;The jetting data generating step may include: generating anti-solidification injection data so that anti-solidification injection can be performed at each nozzle unit periodically from the time of applying the operating power to the wafer processing apparatus until it is shut off; 상기 분사작업실행단계는, 상기 응고방지분사데이터에 기초하여 각 노즐유니트에서의 응고방지분사를 실행시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼가공장치의 제어방법.And the spraying operation executing step is to perform solidification prevention spraying in each nozzle unit on the basis of the solidification prevention spraying data.
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KR20170042238A (en) * 2015-10-08 2017-04-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium

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